JP6224330B2 - Suction member, vacuum suction device and cooling device using the same - Google Patents
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Description
本発明は、例えば半導体集積回路や液晶表示装置の製造工程において、半導体ウエハやガラス基板等の対象物に処理を施す際に、対象物を吸着または冷却するために用いられる吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置に関する。
The present invention relates to an adsorption member used for adsorbing or cooling an object when the object such as a semiconductor wafer or a glass substrate is processed in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display device, for example. It relates to a vacuum suction device and a cooling equipment that had.
従来、半導体ウェハやガラス基板等の対象物を加工することによって、半導体集積回路や液晶表示装置が製造されている。この製造工程において、対象物に処理を施す際に、対象物を吸着するために吸着部材が用いられている。 Conventionally, semiconductor integrated circuits and liquid crystal display devices are manufactured by processing objects such as semiconductor wafers and glass substrates. In this manufacturing process, an adsorption member is used to adsorb an object when the object is processed.
例えば特許文献1の段落0055〜0056、0162〜0164には、対象物(ウェハ)を吸着する吸着領域(ピン部やリム部)を一主面に有する第1基体(第1部材)および第1基体の吸着領域に形成された第1被膜(コーティング)を含む第1基板と、第1基板の他主面に接合された第2基板(第2部材)とを有する基板(ホルダ本体)を備えた構成が記載されている。 For example, in paragraphs 0055 to 0056 and 0162 to 0164 of Patent Document 1, a first base (first member) having a suction area (pin part or rim part) for sucking an object (wafer) on one main surface and the first A substrate (holder body) having a first substrate including a first coating (coating) formed in the adsorption region of the base and a second substrate (second member) bonded to the other main surface of the first substrate is provided. The configuration is described.
このような吸着部材は、一般的に第1基体と第1被膜との主面方向への熱膨張率が異なる。したがって、吸着部材の使用時に第1基板に熱が加わると、第1基板の一主面側の領域と他主面側の領域とで熱膨張の量が異なるため、第1基板に引っ張り応力が生じる。その結果、第1基板と第2基板との接合部に応力が加わり、第1基板と第2基板とが剥離することがある。吸着部材は、剥離が生じた領域(剥離領域)において、第1基板と第2基板とが接合して厚みが増した状態と比較して剛性が低下するため、歪みが生じる。一方、第1基板と第2基板との接合強度が高いと第1基板と第2基板との剥離が生じにくいが、第1基板に生じた引っ張り応力によって吸着部材に反りが生じる。 Such an adsorbing member generally has a different coefficient of thermal expansion in the main surface direction between the first base and the first coating. Therefore, if heat is applied to the first substrate during use of the adsorption member, the amount of thermal expansion differs between the region on the one principal surface side of the first substrate and the region on the other principal surface side, so that tensile stress is applied to the first substrate. Arise. As a result, stress may be applied to the joint between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate may be separated. The adsorption member is distorted in the region where the separation occurs (peeling region) because the rigidity is reduced as compared with the state where the first substrate and the second substrate are joined and the thickness is increased. On the other hand, if the bonding strength between the first substrate and the second substrate is high, peeling between the first substrate and the second substrate hardly occurs, but the adsorption member warps due to the tensile stress generated in the first substrate.
特に、近年、半導体ウェハの大口径化が要求されているため、吸着部材にも大口径化が要求されている。一方、吸着部材を大口径化すると、吸着部材の重量が増加するため、吸着部材を移動させる際の速度が遅くなり、半導体集積回路の生産効率が低下する。それ故、吸着部材1を大口径化しつつ軽量化するために、吸着部材の薄型化が要求されている。しかし、吸着部材を薄型化すると、吸着部材の剛性が低下して、吸着部材に変形が生じやすくなる。 In particular, in recent years, since the diameter of a semiconductor wafer has been required to be increased, the suction member is also required to be increased in diameter. On the other hand, when the diameter of the attracting member is increased, the weight of the attracting member increases, so that the speed at which the attracting member is moved is reduced, and the production efficiency of the semiconductor integrated circuit is lowered. Therefore, in order to reduce the weight of the adsorption member 1 while increasing its diameter, it is required to make the adsorption member thin. However, if the adsorption member is thinned, the rigidity of the adsorption member is reduced, and the adsorption member is likely to be deformed.
吸着部材に歪みまたは反り等の変形が生じると、対象物の位置精度が低下し、ひいては対象物の処理精度が低下しやすくなる。したがって、対象物の処理精度を高めた吸着部材が要求されている。 When deformation such as distortion or warpage occurs in the attracting member, the positional accuracy of the target object is lowered, and as a result, the processing accuracy of the target object is likely to decrease. Accordingly, there is a demand for a suction member with improved processing accuracy of the object.
本発明は、対象物の処理精度を高める要求に応える吸着部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに吸着部材の製造方法を提供することを目的とするものである。 An object of the present invention is to provide an adsorbing member that meets the demand for increasing the processing accuracy of an object, a vacuum adsorbing device and a cooling device using the adsorbing member, and a method for manufacturing the adsorbing member.
本発明の一形態における吸着部材は、対象物を吸着する吸着領域を一主面に有する第1基板および該第1基板の他主面に接合した第2基板を有する基板を備え、前記第1基板は、セラミック焼結体からなる第1基体と、該第1基体の前記吸着領域側の一主面を被覆した前記第1基体と同材質の第1被膜と、前記第1基体の他主面を被覆した前記第1被膜と同材質の第2被膜とを含み、前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基板の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路をさらに備え、前記流路は、前記第1基板の前記他主面に位置するとともに前記第2被膜に取り囲まれた溝部を有する。また、本発明の他の形態における吸着部材は、対象物を吸着する吸着領域を一主面に有する第1基板および該第1基板の他主面に接合した第2基板を有する基板を備え、前記第1基板は、セラミック焼結体からなる第1基体と、該第1基体の前記吸着領域側の一主面を被覆した前記第1基体と同材質の第1被膜と、前記第1基体の他主面を被覆した前記第1被膜と同材質の第2被膜とを含み、前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基板の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路をさらに備え、前記吸着領域は、前記対象物の形状に対応した環状部と、該環状部の内側に位置した底面と、該底面から突出した複数の突起部とを有しており、前記第1被膜は、前記底面を構成する第1領域を有しており、前記第2被膜は、前記基板の主面方向にて前記流路から離れた第2領域を有しており、前記第1領域の厚みは、前記第2領域の厚みよりも小さい。
An adsorption member according to an aspect of the present invention includes a substrate having a first substrate having an adsorption region that adsorbs an object on one main surface and a second substrate bonded to the other main surface of the first substrate, The substrate includes a first base made of a ceramic sintered body, a first coating made of the same material as the first base covering one main surface of the first base on the adsorption region side, and another main base of the first base. look containing a second coating of the first coating and the same material coated with a surface, having a longitudinal direction along the main surface direction of the substrate while located between the first substrate and the second substrate, And a flow path through which the fluid flows, the flow path having a groove located on the other main surface of the first substrate and surrounded by the second coating. An adsorption member according to another embodiment of the present invention includes a substrate having a first substrate having an adsorption region for adsorbing an object on one main surface and a second substrate bonded to the other main surface of the first substrate, The first substrate includes a first substrate made of a ceramic sintered body, a first coating made of the same material as the first substrate covering one main surface of the first substrate on the adsorption region side, and the first substrate. A first coating covering the other main surface and a second coating made of the same material, and located between the first substrate and the second substrate and having a longitudinal direction along the main surface direction of the substrate. And a flow path through which the fluid flows, wherein the adsorption region includes an annular portion corresponding to the shape of the object, a bottom surface positioned inside the annular portion, and a plurality of protrusions protruding from the bottom surface. The first coating has a first region constituting the bottom surface, Serial second membrane has a second region remote from the flow channel at the main surface direction of the substrate, the thickness of the first region is smaller than the thickness of the second region.
本発明の一形態における真空吸着装置は、前記対象物を真空吸着する、前述した吸着部材と、前記吸引孔および前記流路を介して前記吸着領域および前記対象物の間の前記流体を排気する排気手段とを備える。
Vacuum suction device according to one embodiment of the present invention is vacuum adsorbing the object exhaust and suction member described above, the fluid between the front Symbol suction hole and the flow path the suction region and the object via And an exhaust means.
本発明の一形態における冷却装置は、前記対象物を吸着しつつ冷却する、前述した吸着部材と、前記対象物を冷却する前記流体を前記流路に供給する流体供給手段とを備える。
Cooling device according to one embodiment of the present invention cools while adsorbing the object comprises a suction member described above, and a fluid supply means for supplying the fluid to the flow path for cooling the pre-Symbol object.
本発明の一形態における吸着部材によれば、第1基体の一主面を被覆した第1被膜と同材質の第2被膜が第1基体の他主面を被覆しているため、第1基板に熱が加わった際に第1基板に生じる引っ張り応力を低減することができる。それ故、吸着部材の変形を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the adsorbing member in one aspect of the present invention, the second substrate made of the same material as the first coating covering one main surface of the first base coats the other main surface of the first base. The tensile stress generated in the first substrate when heat is applied to can be reduced. Therefore, deformation of the adsorption member can be suppressed and the processing accuracy of the object can be increased.
本発明の一形態における真空吸着装置によれば、前述した吸着部材を備えるため、吸着部材の変形を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the vacuum suction device of one aspect of the present invention, since the above-described suction member is provided, deformation of the suction member can be suppressed and the processing accuracy of the object can be increased.
本発明の一形態における冷却装置によれば、前述した吸着部材を備えるため、吸着部材の変形を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。 According to the cooling device in one aspect of the present invention, since the above-described suction member is provided, deformation of the suction member can be suppressed and the processing accuracy of the object can be increased.
本開示の一形態における吸着部材の製造方法によれば、第1基体の一主面を被覆した第1被膜と同材質の第2被膜が第1基体の他主面を被覆しているため、第1基板と第2基板との接合時における第1基板と第2基板との剥離を抑制することができる。したがって、対象物の処理精度に優れた吸着部材を作製することができる。 According to the method for manufacturing an adsorbing member in one embodiment of the present disclosure , since the second coating of the same material as the first coating covering one main surface of the first base coats the other main surface of the first base, Separation of the first substrate and the second substrate at the time of joining the first substrate and the second substrate can be suppressed. Therefore, it is possible to produce a suction member that is excellent in processing accuracy of the object.
<第1実施形態>
以下に、本発明の第1実施形態による吸着部材について、図1ないし図3を参照しつつ詳細に説明する。
<First Embodiment>
Hereinafter, the suction member according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
本実施形態の吸着部材1は、半導体集積回路の製造工程に用いられる露光装置や検査装置等の各種装置において、半導体ウェハ等の対象物2を真空吸着する真空チャック(吸着手段)として用いられるものである。吸着部材1に吸着された対象物2は、各種装置において各種処理が施される。例えば、露光装置は、対象物2を吸着する吸着部材1とこの吸着部材1に吸着された対象物2に光を照射して露光する光源とを備えており、この露光によって対象物2に配線パターンを形成することができる。 The suction member 1 according to the present embodiment is used as a vacuum chuck (suction means) for vacuum-sucking an object 2 such as a semiconductor wafer in various apparatuses such as an exposure apparatus and an inspection apparatus used in a semiconductor integrated circuit manufacturing process. It is. The object 2 adsorbed by the adsorbing member 1 is subjected to various processes in various apparatuses. For example, the exposure apparatus includes an adsorbing member 1 that adsorbs the object 2 and a light source that irradiates and exposes the object 2 adsorbed on the adsorbing member 1. A pattern can be formed.
この吸着部材1は、図1ないし図3に示すように、基板3と、基板3の内部に位置した流路4と、基板3を厚み方向に貫通する貫通孔5と、流路4につながった吸引孔6とを備えている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the adsorbing member 1 is connected to the substrate 3, the flow channel 4 located inside the substrate 3, the through-hole 5 penetrating the substrate 3 in the thickness direction, and the flow channel 4. Suction holes 6.
基板3は、吸着部材1の主要部をなしており、対象物2を支持するものである。この基板3は、対象物2を吸着する吸着領域7を一主面に有する第1基板8と、第1基板8の他主面に接合した第2基板9と、第1基板8および第2基板9の間に介在した接合剤10とを備えている。基板3は、例えば平板状であり、本実施形態においては円板状である。
The substrate 3 forms the main part of the adsorption member 1 and supports the object 2. The substrate 3 includes a first substrate 8 having an
吸着領域7は、対象物2の形状に対応した環状部11と、環状部11の内側に位置した底面12と、底面12から突出した複数の突起部13とを有している。対象物2は、環状部11および突起部13によって支持される。この際に、対象物2と吸着領域7との間の空間14は、環状部11によってシールされるため、空間14の流体(気体)を吸引孔6および流路4を介して排気して、空間14を真空状態にすることによって、対象物2を吸着領域7に吸着させることができる。環状部11および突起部13の高さ(Z方向)は、例えば50μm以上200μm以下である。
The
第1基板8は、吸着領域7によって対象物2を吸着するものである。第1基板8は、セラミック焼結体からなる第1基体15と、第1基体15の吸着領域7側の一主面を被覆した第1基体15と同材質の第1被膜16と、第1基体15の他主面を被覆した第1被膜16と同材質の第2被膜17とを含んでいる。
The first substrate 8 adsorbs the object 2 by the
第1基体15は、第1基板8の主要部をなすものである。この第1基体15は、例えば炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結体からなる。第1基体15は、例えば平板状であり、本実施形態においては円板状である。第1基体15の厚み(Z方向)は、例えば1mm以上10mm以下である。第1基体15の幅(直径)は、例えば200mm以上500mm以下である。 The first base 15 is a main part of the first substrate 8. The first base 15 is made of a ceramic sintered body such as a silicon carbide sintered body. The first base 15 has a flat plate shape, for example, and in the present embodiment, has a disk shape. The thickness (Z direction) of the 1st base | substrate 15 is 1 mm or more and 10 mm or less, for example. The width (diameter) of the first substrate 15 is, for example, not less than 200 mm and not more than 500 mm.
第1被膜16は、第1基板8の一主面を構成しており、かつ吸着領域7を構成している。この第1被膜16は、例えば炭化珪素膜等のセラミック膜からなる。また、この第1被膜16は、例えばCVD膜等である。第1被膜16の厚みは、例えば50μm以上500μm以下である。
The first coating 16 constitutes one main surface of the first substrate 8 and constitutes the
第2被膜17は、第1基板8の他主面を構成している。この第2被膜17は、同材質のセラミック膜からなる。また、第2被膜17は、第1被膜16と同様の方法で形成された膜である。第2被膜17の厚みは、第1被膜16と同様である。
The
第2基板9は、一主面が第1基板8の一主面に接合することによって、第1基板8および第2基板9の間に流路4を形成するものである。第2基板9は、セラミック焼結体からなる第2基体18からなる。第2基体18は、第1基体15と同様のセラミック焼結体からなる。第2基体18の形状は、第1基体18と同様である。
The second substrate 9 has a main surface bonded to one main surface of the first substrate 8 to form the flow path 4 between the first substrate 8 and the second substrate 9. The second substrate 9 includes a
接合剤10は、第1基板8の他主面と第2基板9の一主面とを接合するものである。接合剤10は、例えば、ガラス接合剤等の無機接合剤を用いることができる。このガラス接合剤は、例えば、酸化珪素を主成分として、酸化マグネシウム、酸化ナトリウムまたは酸化カルシウム等を副成分として含んでいる。第1基板8の他主面および第2基板9の一主面が、炭化珪素質焼結体または炭化珪素膜からなる場合に、ガラス接合剤を用いると、ガラス接合剤の酸化珪素が炭化珪素と結合し、第1基板8および第2基板9を強固に接合できる。
The
流路4は、第1基板8および第2基板9の間に位置するとともに基板3の主面方向に沿った長手方向を有する。この流路4は、吸引孔6につながっており、空間14から排気される流体が流れる。流路4は、主面方向において、例えば基板3の中央部から放射状に形成された複数の部分を有する。また、流路4は、第2基板9の一主面に位置するとともに第2基体18に取り囲まれた第1溝部19からなる。この流路4は、第1溝部19の内面と第1基板8の他主面の平坦な領域とに取り囲まれており、流路4と吸着領域7との間に配された第2被膜17が露出している。流路4の長手方向に直交した断面は、例えば矩形状である。流路4の幅は、例えば1mm以上5mm以下である。流路4の高さ(Z方向)は、例えば0.1mm以上3mm以下である。
The flow path 4 is located between the first substrate 8 and the second substrate 9 and has a longitudinal direction along the main surface direction of the substrate 3. The flow path 4 is connected to the suction hole 6, and the fluid exhausted from the space 14 flows. The flow path 4 has a plurality of portions formed radially, for example, from the center of the substrate 3 in the main surface direction. The flow path 4 includes a first groove portion 19 that is located on one main surface of the second substrate 9 and is surrounded by the
貫通孔5は、対象物2を移動させるためのリフトピン(図示しない)が挿入されるものである。この貫通孔5は、第1基板8および第2基板9を厚み方向に貫通している。貫通孔5は、例えば円柱状である。この貫通孔5の幅は、例えば5mm以上10mm以下である。 The through hole 5 is inserted with a lift pin (not shown) for moving the object 2. The through hole 5 penetrates the first substrate 8 and the second substrate 9 in the thickness direction. The through hole 5 has a columnar shape, for example. The width of the through hole 5 is, for example, 5 mm or more and 10 mm or less.
吸引孔6は、第1基板8を厚み方向に貫通しているとともに流路4につながった第1吸引孔6aと、第2基板9を厚み方向に貫通しているとともに流路4につながった第2吸引孔6bとを有する。 The suction hole 6 penetrates the first substrate 8 in the thickness direction and is connected to the flow path 4, and the suction hole 6 penetrates the second substrate 9 in the thickness direction and is connected to the flow path 4. And a second suction hole 6b.
第1吸引孔6aは、第1基板8の一主面の吸着領域7に開口している。第1吸引孔6aは、例えば円柱状である。第1吸引孔6aの幅(直径)は、例えば0.5mm以上2mm以下である。
The first suction hole 6 a opens in the
第2吸引孔6bは、第2基板9の他主面に開口した排気手段(図示しない)との接続部20につながっている。第2吸引孔6bは、第1吸引孔6aと同様の形状である。 The second suction hole 6 b is connected to a connection portion 20 with exhaust means (not shown) opened on the other main surface of the second substrate 9. The second suction hole 6b has the same shape as the first suction hole 6a.
接続部20は、流体をシールしつつ、排気手段と接続される。この接続部20は、流体をシールするために、ネジ穴が形成されていても構わないし、ヘリサートまたはシールリ
ングが挿入されていても構わない。
The connecting portion 20 is connected to the exhaust means while sealing the fluid. The connecting portion 20 may be formed with a screw hole to seal a fluid, or a helicate or a seal ring may be inserted.
前述した吸着部材1は、排気手段から吸引孔6および流路4を介して、対象物2と吸着領域7との間の空間14の流体を排気し、空間14を真空状態とすることによって、対象物2を吸着することができる。この吸着部材1は、露光装置や検査装置等の各種装置に用いられる真空吸着装置を構成している。この真空吸着装置は、対象物2を真空吸着する吸着部材1と、吸引孔6および流路4を介して吸着領域7および対象物2の間の流体を排気する排気手段とを備えている。
The suction member 1 described above exhausts the fluid in the space 14 between the object 2 and the
本実施形態の吸着部材1において、第1基板8は、図3(a)に示すように、セラミック焼結体からなる第1基体15と、第1基体15の吸着領域7側の一主面を被覆した第1基体15と同材質の第1被膜16と、第1基体15の他主面を被覆した第1被膜16と同材質の第2被膜17とを含んでいる。
In the adsorption member 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 3A, the first substrate 8 includes a first base 15 made of a ceramic sintered body, and one main surface of the first base 15 on the
その結果、セラミック焼結体からなる第1基体15と比較して表面のボイドが少ない第1被膜16が、第1基体15の吸着領域7側の一主面を被覆しているため、第1基板8の吸着領域7へのパーティクルの付着を低減し、このパーティクルによる対象物2の汚染を抑制することができる。さらに、第1被膜16が第1基体15と同材質からなるため、第1被膜16と第1基体15との密着強度を高め、ひいては第1基体15および第1被膜16の剥離を抑制することができる。
As a result, the first coating 16 with less surface voids compared to the first substrate 15 made of a ceramic sintered body covers one main surface of the first substrate 15 on the
また、第1被膜16と同材質の第2被膜17が第1基体15の他主面を被覆しているため、第1基板8に熱が加わった際に、第1基板8の一主面側の領域と他主面側の領域との熱膨張の量をより均一にすることができ、第1基板8に生じる引っ張り応力を低減することができる。それ故、第1基板8と第2基板9との接合部に加わる応力を低減し、第1基板8と第2基板9との剥離を抑制することができるため、吸着部材1の歪みを抑制することができる。また、第1基板8に生じた引っ張り応力を低減できるため、この引っ張り応力に起因した吸着部材1の反りを抑制することができる。したがって、吸着部材1の歪みまたは反り等の変形を抑制し、ひいては対象物2の処理精度を高めることができる。
Further, since the
また、このように吸着部材1の変形を抑制することによって、吸着部材1の処理精度を維持しつつ、吸着部材1を薄型化することができる。その結果、吸着部材1を軽量化することができるため、吸着部材を移動させる際の速度を維持しつつ、吸着部材1の大口径化を可能とすることができる。 In addition, by suppressing the deformation of the suction member 1 in this way, the suction member 1 can be thinned while maintaining the processing accuracy of the suction member 1. As a result, since the adsorption member 1 can be reduced in weight, it is possible to increase the diameter of the adsorption member 1 while maintaining the speed at which the adsorption member is moved.
本実施形態の吸着部材1において、第2基板9は、第1基体15と同材質のセラミック焼結体からなる第2基体18からなる。その結果、第2基板9が第1被膜16、第2被膜17に相当する被膜を有していないため、第2基板9の厚みを小さくすることができる。したがって、吸着部材1を薄型化することができる。
In the adsorption member 1 of the present embodiment, the second substrate 9 is composed of a
第1基体15は、炭化珪素質焼結体からなり、第1被膜16および第2被膜17は、炭化珪素膜からなることが望ましい。その結果、第1基板8の比剛性を高めることができるため、吸着部材1を軽量化しつつ剛性を高めることができる。また、第1基板8の熱伝導率を高めることができるため、第1基板8に流体の熱を良好に伝達させることができる。また、第1基板8の熱膨張率を低減することができるため、対象物2を処理する際の第1基板8の熱膨張の量を低減し、対象物2の処理精度を高めることができる。
Desirably, first substrate 15 is made of a silicon carbide sintered body, and first coating 16 and
また、第1被膜16および第2被膜17は、CVD膜であることが望ましい。その結果、第1被膜16および第2被膜17の厚みを容易に小さくすることができる。また、第1被膜16および第2被膜17を同じ成膜方法で形成しているため、第1被膜16および第
2被膜17の物性をより近いものにすることができる。したがって、第1基板8に熱が加わった際に、第1基板8に生じる引っ張り応力を低減することができる。
The first coating 16 and the
ここで、セラミック焼結体からなる第1基体15が多結晶体であるのに対し、CVD膜である第1被膜16および第2被膜17は第1基体15の主面にて結晶成長した単結晶体である。したがって、第1基体15は、結晶軸がランダムであることから各方向への熱膨張率が均一となるのに対し、第1被膜16および第2被膜17は、結晶軸が一方向であることから熱膨張率に異方性が生じ、結晶の成長方向である厚み方向(Z方向)よりも主面方向(XY平面方向)への熱膨張率が小さくなる。したがって、第1被膜16および第2被膜17は、第1基体15よりも主面方向の熱膨張率が小さくなる。
Here, the first base 15 made of a ceramic sintered body is a polycrystalline body, whereas the first coating 16 and the
一方、上述した如く、本実施形態の吸着部材1は、第1被膜16と同材質の第2被膜17が第1基体15の他主面を被覆しているため、第1基板8に熱が加わった際に、第1基板8の一主面側の領域と他主面側の領域との熱膨張の量をより均一にすることができ、第1基板8に生じる引っ張り応力を良好に低減することができる。なお、第1基体15が多結晶体であること、および第1被膜16および第2被膜17が単結晶体であることは、吸着部材1の断面を研磨して観察することによって確認できる。
On the other hand, as described above, in the adsorbing member 1 of the present embodiment, since the
本実施形態の吸着部材1は、図3(a)および(b)に示すように、第1基板8および第2基板9の間に位置するとともに基板3の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路4を備えている。その結果、前述した如く、第2被膜17によって第1基板8と第2基板9との剥離を抑制することができるため、流路4からの流体(気体)の漏れを抑制することができる。したがって、吸着部材1における吸着力の低下を抑制し、ひいては対象物2の処理精度を高めることができる。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the suction member 1 of the present embodiment is located between the first substrate 8 and the second substrate 9 and has a longitudinal direction along the main surface direction of the substrate 3. And a flow path 4 through which fluid flows. As a result, as described above, separation of the first substrate 8 and the second substrate 9 can be suppressed by the
本実施形態の吸着部材1において、流路4は、図3(b)に示すように、流路4と吸着領域7との間に配された第2被膜17が露出している。その結果、第1基体15と比較して熱伝導率が高い第2被膜17によって、流体の熱を効率良く伝達することができる。したがって、吸着部材1の使用時において、対象物2を処理するために吸着部材1に熱が加わった際に、流体(気体)の熱膨張を抑制することができる。それ故、空間14における負圧の低下を抑制することができるため、吸着部材1の吸着力の低下を抑制することができる。
In the adsorption member 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 3B, the
本実施形態の吸着部材1において、第1被膜16は、底面12を構成する第1領域21を有しており、第2被膜17は、基板3の主面方向にて流路4から離れた第2領域22を有しており、第1領域21の厚みは、第2領域22の厚みと同じである。その結果、第1基板8に熱が加わった際に、第1基板8の一主面側の領域と他主面側の領域との熱膨張の量をより均一にすることができる。この場合には、第1領域21と第2領域22との厚みの誤差は±20%以内である。
In the adsorption member 1 of the present embodiment, the first coating 16 has a first region 21 that constitutes the bottom surface 12, and the
次に、本実施形態の吸着部材1の製造方法を、第1基体15および第2基体18を炭化珪素質焼結体で形成し、第1被膜16および第2被膜17を炭化珪素膜で形成した場合について、図4を参照しつつ詳細に説明する。
Next, in the manufacturing method of the adsorbing member 1 of the present embodiment, the first base 15 and the
(1)図4(a)ないし(c)に示すように、第1基板8および第2基板9を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。 (1) As shown in FIGS. 4A to 4C, a first substrate 8 and a second substrate 9 are prepared. Specifically, for example, the following is performed.
まず、炭化珪素粉末に純水と有機バインダーとを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒する。次に、造粒した炭化珪素粒を種々の成形方法を用いて成形して成形体を作製した後、この成形体を切削加工
することによって、所望の形状の成形体を作製する。次に、図4(a)に示すように、この成形体を例えば1900℃以上2100℃以下で焼成することによって、第1基体15および第2基体18を作製する。
First, pure water and an organic binder are added to silicon carbide powder, and then wet-mixed with a ball mill to prepare a slurry. Next, the slurry is granulated by spray drying. Next, the granulated silicon carbide particles are molded using various molding methods to prepare a molded body, and then the molded body is cut to produce a molded body having a desired shape. Next, as shown in FIG. 4A, the molded body is fired at, for example, 1900 ° C. or more and 2100 ° C. or less to produce the first substrate 15 and the
次に、図4(b)に示すように、例えばCVD法等の成膜法を用いて、第1基体15の一主面に第1被膜16を形成するとともに、第1基体15の他主面に第2被膜17を形成する。この際に、第1被膜16の厚みを第2被膜17の厚みよりも大きくする。次に、図4(c)に示すように、研削加工を用いて、第2基体18の一主面に流路4に対応した形状の第1溝部19を形成するとともに第2基体18を厚み方向に貫通した第2吸引孔6bを形成する。
Next, as shown in FIG. 4B, the first coating 16 is formed on one main surface of the first base 15 using a film forming method such as a CVD method, and the other main main body 15 is used. A
以上のようにして、第1基体15、第1被膜16および第2被膜17を含む第1基板8と第2基体18からなる第2基板9とを準備することができる。
As described above, the first substrate 8 including the first base 15, the first coating 16, and the
(2)図4(d)および(e)に示すように、接合剤10を介して第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を接合して基板3を形成し、吸着部材1を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
(2) As shown in FIGS. 4D and 4E, the other main surface of the first substrate 8 and one main surface of the second substrate 9 are bonded via the
まず、第2基板9の一主面における第1溝部19以外の領域に、例えばガラス接合剤である接合剤10を塗布する。次に、第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を重ね合わせる。この際に、第2基板9の第1溝部19を第1基板8の一主面の平坦な領域に重ね合わせる。次に、例えば1000℃以上1600℃以下で焼成をすることによって、図4(d)に示すように、接合剤10を溶融させつつ、接合剤10を介して第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を接合して基板3を形成する。次に、図4(e)に示すように、例えばブラスト加工を用いて、第1被膜16の一主面に、環状部11、底面12および突起部13を含む吸着領域7を形成する。この際に、第1被膜16の底面12を構成する第1領域21の厚みと第2被膜17の第2領域22の厚みとを同じにする。また、例えば研削加工を用いて、基板3に第1吸引孔6aおよび貫通孔5を形成する。
First, a
以上のようにして、本実施形態の吸着部材1を作製することができる。 As described above, the suction member 1 of the present embodiment can be manufactured.
本実施形態の吸着部材1の製造方法は、セラミック焼結体からなる第1基体15、第1基体15の一主面を被覆した第1基体15と同材質の第1被膜16、および第1基体15の他主面を被覆した第1被膜16と同材質の第2被膜17を含む第1基板8を準備する工程と、第2基板9を準備する工程と、第1基板8の他主面に第2基板9の一主面を接合する工程と、第1基板8の第1被膜16を加工することによって、対象物2を吸着する吸着領域7を第1基板8の一主面に形成する工程とを備えている。
The manufacturing method of the adsorption member 1 of the present embodiment includes a first base 15 made of a ceramic sintered body, a first coating 16 made of the same material as the first base 15 covering one main surface of the first base 15, and a first A step of preparing a first substrate 8 including a
その結果、第1被膜16と同材質の第2被膜17が第1基体15の他主面を被覆しているため、第1基板8および第2基板9の接合時に第1基板8に熱が加わった際に、第1基板8の一主面側の領域と他主面側の領域との熱膨張の量をより均一にすることができ、第1基板8に生じる引っ張り応力を低減することができる。それ故、第1基板8および第2基板9の接合時における第1基板8の反りを抑制することができるため、第1基板8と第2基板9との剥離を抑制することができる。したがって、吸着部材1の変形を抑制し、対象物2の処理精度を高めることができる。
As a result, since the
また、本実施形態の吸着部材1の製造方法においては、第1基体15、第1被膜16および第2被膜17を含む第1基板8を準備する工程の後に、第1基板8の他主面に第2基板9の一主面を接合する工程を備えている。その結果、接合剤10が無い状態で第1被膜16および第2被膜17を形成することができるため、接合剤10からガスを発生させず
に第1被膜16および第2被膜17を形成することができる。
Moreover, in the manufacturing method of the adsorption member 1 of the present embodiment, after the step of preparing the first substrate 8 including the first base 15, the first coating 16 and the
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態による吸着部材を、図5を参照しつつ詳細に説明する。なお、前述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
Second Embodiment
Next, an adsorption member according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the structure similar to 1st Embodiment mentioned above.
本実施形態の吸着部材1は、図5(a)および(b)に示すように、第1実施形態の吸着部材1とは流路4の構成が異なる。本実施形態の流路4は、第2基板8の一主面に位置するとともに第2基体18に取り囲まれた第1溝部19と、第1基板9の他主面に位置するとともに第2被膜17に取り囲まれた第2溝部23とを有する。その結果、第1溝部19の深さ(Z方向)を小さくすることによって、第1溝部19の底面と第2基体18の他主面との間の距離を大きくすることができる。このため、第1溝部19の底面と第2基体18の他主面との間の領域におけるクラックの発生を抑制し、流路4からの流体(気体)の漏れを抑制することができる。したがって、吸着部材1における吸着力の低下を抑制することができる。また、第1溝部19の底面と第2基体18の他主面との間の領域におけるクラックの発生を抑制しつつ、吸着部材1を薄型化することができる。
As illustrated in FIGS. 5A and 5B, the suction member 1 of the present embodiment is different from the suction member 1 of the first embodiment in the configuration of the flow path 4. The flow path 4 of the present embodiment is located on one main surface of the second substrate 8 and is surrounded by the
また、流路4が第2被膜17に取り囲まれた第2溝部23を有するため、第1基体15と比較して熱伝導率が高い第2被膜17によって、流路4を流れる流体(気体)の熱を効率良く伝達して、流体(気体)の熱膨張を抑制することができる。
Further, since the flow path 4 includes the second groove portion 23 surrounded by the
吸着領域7の底面12および第2溝部23の内面は、ブラスト加工面からなることが望ましい。その結果、吸着領域7の底面12および第2溝部23の内面の表面粗さの差を低減することができるため、表面粗さの違いに起因して第1基板8に生じる引っ張り応力を低減することができる。なお、第2溝部23の内面は、研削加工面であっても構わない。
The bottom surface 12 of the
また、本実施形態の吸着部材1は、図5(a)に示すように、第1実施形態の吸着部材1とは第1被膜16および第2被膜17の構成が異なる。本実施形態の吸着部材1において、第1領域21の厚みは、第2領域22の厚みよりも小さい。その結果、第1被膜16に吸着領域7を形成する前に第1基板8と第2基板9とを接合する際に、第1被膜16および第2被膜17の厚みの差を低減して、第1基板8の反りを抑制できる。
Further, as shown in FIG. 5A, the suction member 1 of the present embodiment is different from the suction member 1 of the first embodiment in the configuration of the first film 16 and the
次に、本実施形態の吸着部材1の製造方法を、図6を参照しつつ詳細に説明する。なお、前述した第1実施形態と同様の方法に関しては、記載を省略する。 Next, the manufacturing method of the adsorption member 1 of this embodiment is demonstrated in detail, referring FIG. In addition, description is abbreviate | omitted regarding the method similar to 1st Embodiment mentioned above.
まず、図6(a)に示すように、第1基体15および第2基体18を作製する。次に、図6(b)に示すように、第1被膜16および第2被膜17を形成する。この際に、第1被膜16の厚みと第2被膜17の厚みとを同じとする。次に、図6(c)に示すように、例えばブラスト加工を用いて、第2被膜17の他主面に、第2溝部23を形成する。なお、マシニング加工等の研削加工を用いて第2溝部23を形成しても構わない。次に、第1溝部19および第2吸引孔6bを形成する。次に、図6(d)に示すように、接合剤10を介して第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を接合して基板3を形成する。次に、図6(e)に示すように、例えばブラスト加工を用いて、第1被膜16の一主面に、環状部11、底面12および突起部13を含む吸着領域7を形成する。この際に、第1被膜16の底面12を構成する第1領域21の厚みを第2被膜17の第2領域22の厚みよりも小さくする。次に、第1吸引孔6aおよび貫通孔5を形成する。
First, as shown in FIG. 6A, the first base 15 and the
以上のようにして、本実施形態の吸着部材1を作製することができる。 As described above, the suction member 1 of the present embodiment can be manufactured.
本実施形態の吸着部材1の製造方法において、第1基板8を準備する工程では、第1被
膜16の厚みが第2被膜17の厚みと同じである。その結果、第1基板8および第2基板9の接合時における第1基板8の反りを抑制することができる。第1基板8を準備する工程における第1被膜16と第2被膜17との厚みの誤差は、±20%以内である。
In the method for manufacturing the adsorption member 1 of the present embodiment, in the step of preparing the first substrate 8, the thickness of the first coating 16 is the same as the thickness of the
本実施形態の吸着部材1の製造方法は、第2被膜17に取り囲まれた第2溝部23を第1基板8の他主面に形成する工程を備え、第1基板8の他主面に第2基板9の一主面を接合する工程では、第2溝部23を有する流路4を形成している。その結果、例えばブラスト加工を用いて第2溝部23を形成する際に、第2被膜17のみの加工で第2溝部23を形成することができる。したがって、第2被膜17および第1基体15を加工する場合と比較して、加工対象の材料が均一であることから加工レートが変わらないため、第2溝部23の形状を精度良く加工することができる。
The manufacturing method of the adsorbing member 1 of the present embodiment includes a step of forming the second groove portion 23 surrounded by the
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications, improvements, combinations, and the like can be made without departing from the scope of the present invention.
例えば、前述した実施形態においては、半導体集積回路の製造工程に用いられる吸着部材1を例に説明したが、吸着部材1は液晶表示装置の製造工程に用いられても構わない。この場合には、対象物2は例えば四角板状のガラス基板となり、吸着部材1としては対象物2に対応した四角板状のものを用いることができる。 For example, in the above-described embodiment, the suction member 1 used in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit has been described as an example. However, the suction member 1 may be used in the manufacturing process of the liquid crystal display device. In this case, the object 2 is, for example, a square plate-like glass substrate, and the adsorption member 1 can be a square plate corresponding to the object 2.
また、前述した実施形態においては、流路4の長手方向に直交した断面が矩形状である構成を例に説明したが、流路4の長手方向に直交した断面は、他の形状でもよく、例えば台形状であっても構わない。 In the embodiment described above, the configuration in which the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the flow path 4 is rectangular is described as an example, but the cross section orthogonal to the longitudinal direction of the flow path 4 may have other shapes, For example, it may be trapezoidal.
また、前述した実施形態においては、流路4が第1溝部19のみからなる構成、および流路4が第1溝部19と第2溝部23とを有する構成を例に説明したが、流路4は第2溝部23のみからなるものであっても構わない。 Further, in the above-described embodiment, the configuration in which the flow channel 4 includes only the first groove portion 19 and the configuration in which the flow channel 4 includes the first groove portion 19 and the second groove portion 23 have been described as examples. May consist only of the second groove 23.
また、前述した実施形態においては、吸引孔6が第2吸引孔6bを有する構成を例に説明したが、吸引孔6が第2吸引孔6aを有していなくても構わない。この場合には、例えば流路4が基板3の側面に開口しており、この開口が排気手段に接続されても構わない。 In the above-described embodiment, the configuration in which the suction hole 6 has the second suction hole 6b has been described as an example. However, the suction hole 6 may not have the second suction hole 6a. In this case, for example, the flow path 4 may be open on the side surface of the substrate 3, and this opening may be connected to the exhaust means.
また、前述した実施形態においては、第2基板9が第2基体18からなる構成を例に説明したが、第2基板9は、第1被膜16および第2被膜17と同様の被膜を有していても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the second substrate 9 includes the
また、前述した実施形態においては、接合剤10を介して第1基板8および第2基板9を接合した構成を例に説明したが、第1基板8および第2基板9は、他の接合方法で接合されていてもよく、例えば拡散接合で接合されていても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the first substrate 8 and the second substrate 9 are bonded via the
また、前述した実施形態においては、工程(2)で第2基板9の一主面に接合剤10を塗布した構成を例に説明したが、第1基板8の一主面に接合剤10を塗布しても構わないし、第1基板8の一主面および第2基板9の一主面の双方に接合剤10を塗布しても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration in which the
また、前述した実施形態においては、工程(2)で第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を接合した後に第1被膜16を加工して吸着領域7を形成した構成を例に説明したが、第1基板8の他主面および第2基板9の一主面を接合する前に第1被膜16を加工して吸着領域7を形成しても構わない。
In the embodiment described above, the
また、前述した実施形態においては、流路4を、吸着領域7および対象物2の間の空間14の間の流体(気体)を排気する排気用流路として用いた構成を例に説明したが、流路4を、対象物2を冷却する流体が流れる冷却用流路として用いても構わない。
In the above-described embodiment, the flow path 4 is described as an example of the configuration in which the flow path 4 is used as an exhaust flow path for exhausting the fluid (gas) between the space 14 between the
この場合には、吸着部材1は、露光装置や検査装置等の各種装置に用いられる冷却装置を構成している。この冷却装置は、対象物2を吸着しつつ冷却する吸着部材1と、対象物2を冷却する流体を冷却用流路に供給する流体供給手段とを備えており、対象物2を冷却することによって対象物2の温度を調節するものである。この吸着部材1は、例えば真空チャックまたは静電チャックであり、真空チャックである場合には排気用流路および冷却用流路の双方を有している。対象物2を冷却する流体としては、例えば水等の液体を用いることができる。冷却用流路は、吸引孔6とは接続しておらず、流体供給手段に接続している。この冷却用流路の他の構成は、前述した第1、第2実施形態の流路4と同様の構成である。 In this case, the adsorbing member 1 constitutes a cooling device used in various apparatuses such as an exposure apparatus and an inspection apparatus. The cooling device includes an adsorbing member 1 that cools the object 2 while adsorbing the object 2, and a fluid supply unit that supplies a fluid that cools the object 2 to the cooling channel, and cools the object 2. The temperature of the object 2 is adjusted by the above. The adsorbing member 1 is, for example, a vacuum chuck or an electrostatic chuck, and in the case of being a vacuum chuck, has both an exhaust passage and a cooling passage. As a fluid for cooling the object 2, for example, a liquid such as water can be used. The cooling channel is not connected to the suction hole 6 but is connected to the fluid supply means. The other configuration of this cooling flow path is the same as that of the flow path 4 of the first and second embodiments described above.
この吸着部材1は、前述した第1、第2実施形態の吸着部材1と同様に、第1基板8が第1基体15、第1被膜16および第2被膜17を含んでいる。その結果、第2被膜17によって第1基板8と第2基板9との剥離を抑制することができるため、冷却用流路からの流体の漏れを抑制することができる。したがって、吸着部材1における冷却機能の低下を抑制することができる。
In the suction member 1, the first substrate 8 includes a first base 15, a first coating 16, and a
また、冷却用流路は、前述した第1、第2実施形態の流路4と同様に、冷却用流路と吸着領域7との間に配された第2被膜17が露出していることが望ましい。その結果、第1基体15と比較して熱伝導率が高い第2被膜17によって、対象物2の熱を冷却用流路に効率良く伝達させることができるため、対象物2の冷却効率を高めることができる。
Further, in the cooling flow path, the
また、冷却用流路は、第2実施形態の流路4と同様に、第1基板9の他主面に位置するとともに第2被膜17に取り囲まれた第2溝部23とを有することが望ましい。その結果、第2溝部23において第2被膜17に取り囲まれているため、対象物2の熱を冷却用流路により効率良く伝達させることができる。
In addition, the cooling flow path desirably includes the second groove portion 23 that is located on the other main surface of the first substrate 9 and is surrounded by the
1 吸着部材
2 対象物
3 基板
4 流路
5 貫通孔
6 吸引孔
6a 第1吸引孔
6b 第2吸引孔
7 吸着領域
8 第1基板
9 第2基板
10 接合剤
11 環状部
12 底面
13 突起部
14 対象物と吸着領域との間の空間
15 第1基体
16 第1被膜
17 第2被膜
18 第2基体
19 第1溝部
20 接続部
21 第1領域
22 第2領域
23 第2溝部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adsorption member 2 Object 3 Board | substrate 4 Flow path 5 Through-hole 6 Suction hole 6a 1st suction hole 6b
Claims (7)
前記第1基板は、セラミック焼結体からなる第1基体と、該第1基体の前記吸着領域側の一主面を被覆した前記第1基体と同材質の第1被膜と、前記第1基体の他主面を被覆した前記第1被膜と同材質の第2被膜とを含み、
前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基板の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路をさらに備え、
前記流路は、前記第1基板の前記他主面に位置するとともに前記第2被膜に取り囲まれた溝部を有することを特徴とする吸着部材。 A first substrate having an adsorption region for adsorbing an object on one main surface and a substrate having a second substrate bonded to the other main surface of the first substrate;
The first substrate includes a first substrate made of a ceramic sintered body, a first coating made of the same material as the first substrate covering one main surface of the first substrate on the adsorption region side, and the first substrate. A second coating of the same material as the first coating covering the other main surface,
A flow path that is located between the first substrate and the second substrate and has a longitudinal direction along a main surface direction of the substrate, and through which a fluid flows;
The said flow path has a groove part located in the said other main surface of the said 1st board | substrate, and was surrounded by the said 2nd film, The adsorption member characterized by the above-mentioned.
前記第1基板は、セラミック焼結体からなる第1基体と、該第1基体の前記吸着領域側の一主面を被覆した前記第1基体と同材質の第1被膜と、前記第1基体の他主面を被覆した前記第1被膜と同材質の第2被膜とを含み、
前記第1基板および前記第2基板の間に位置するとともに前記基板の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路をさらに備え、
前記吸着領域は、前記対象物の形状に対応した環状部と、該環状部の内側に位置した底面と、該底面から突出した複数の突起部とを有しており、
前記第1被膜は、前記底面を構成する第1領域を有しており、
前記第2被膜は、前記基板の主面方向にて前記流路から離れた第2領域を有しており、
前記第1領域の厚みは、前記第2領域の厚みよりも小さいことを特徴とする吸着部材。 A first substrate having an adsorption region for adsorbing an object on one main surface and a substrate having a second substrate bonded to the other main surface of the first substrate;
The first substrate includes a first substrate made of a ceramic sintered body, a first coating made of the same material as the first substrate covering one main surface of the first substrate on the adsorption region side, and the first substrate. A second coating of the same material as the first coating covering the other main surface,
A flow path that is located between the first substrate and the second substrate and has a longitudinal direction along a main surface direction of the substrate, and through which a fluid flows;
The suction region has an annular portion corresponding to the shape of the object, a bottom surface located inside the annular portion, and a plurality of protrusions protruding from the bottom surface,
The first coating has a first region constituting the bottom surface,
The second coating has a second region away from the flow path in the main surface direction of the substrate,
The adsorption member according to claim 1, wherein a thickness of the first region is smaller than a thickness of the second region.
前記第2基板は、前記第1基体と同材質のセラミック焼結体からなる第2基体からなることを特徴とする吸着部材。 3. The adsorption member according to claim 1, wherein the second substrate includes a second substrate made of a ceramic sintered body made of the same material as the first substrate.
前記第1基体は、炭化珪素質焼結体からなり、
前記第1被膜および前記第2被膜は、炭化珪素膜からなることを特徴とする吸着部材。 The adsorption member according to any one of claims 1 to 3 , wherein the first base is made of a silicon carbide sintered body,
The adsorbing member, wherein the first coating and the second coating are made of a silicon carbide film.
前記第1基板を厚み方向に貫通しているとともに前記吸着領域に開口しており、かつ前記
流路につながった吸引孔をさらに備えたことを特徴とする吸着部材。 Further comprising a claim 1 and extends through the first substrate in the thickness direction in the adsorption member according to claim 4 is open to the suction region, and the suction hole connected to the flow path An adsorption member characterized by the above.
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