JP6198813B2 - 光電変換素子、光電変換モジュールおよび太陽光発電システム - Google Patents
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Description
図1に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。実施の形態1のヘテロ接合型バックコンタクトセルは、n型単結晶シリコンからなる半導体1と、半導体1の裏面の全面を被覆するi型の水素化アモルファスシリコンを含有する真性層4と、真性層4の裏面の一部を被覆するn型の水素化アモルファスシリコンを含有するn型層6と、真性層4の裏面の一部を被覆するp型の水素化アモルファスシリコンを含有するp型層8と、真性層4の裏面の一部を被覆する第1絶縁層5とを備えている。ここで、n型層6、p型層8および第1絶縁層5は、互いに、半導体1の裏面の異なる領域を被覆している。
図15に、本発明の光電変換素子の他の一例である実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。実施の形態2のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、n型層6の直下に、i型の水素化アモルファスシリコンを含有する第2真性層61が位置していることを特徴としている。
図28に、本発明の光電変換素子の他の一例である実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルの模式的な断面図を示す。実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、第1電極9がp型層8上に設けられているとともに、第2電極10がn型層6上に設けられており、p型層8の端部8aが、第1絶縁層5の端から、第2電極10の方向に突出していることを特徴としている。実施の形態3のヘテロ接合型バックコンタクトセルにおいては、p型層8の端部8aの下方のn型層6の領域6bが、第2電極10が形成されていない領域を含んでいる。
実施の形態4は、実施の形態1〜3のヘテロ接合型バックコンタクトセルを光電変換素子として用いた光電変換モジュールである。
図39に、実施の形態1〜3のヘテロ接合型バックコンタクトセルを光電変換素子として用いた本発明の光電変換モジュールの一例である実施の形態4の光電変換モジュールの構成の概略を示す。図39を参照して、実施の形態4の光電変換モジュール1000は、複数の光電変換素子1001と、カバー1002と、出力端子1013,1014とを備えている。
実施の形態5は、実施の形態1〜3のヘテロ接合型バックコンタクトセルを光電変換素子として用いた太陽光発電システムである。本発明の光電変換素子は高い特性(変換効率等)を有するため、これを備える本発明の太陽光発電システムも高い特性を有することができる。尚、太陽光発電システムとは、光電変換モジュールが出力する電力を適宜変換して、商用電力系統または電気機器等に供給する装置である。
太陽光発電システムは、光電変換モジュールが出力する電力を適宜変換して、商用電力系統または電気機器等に供給する装置である。
実施の形態5の太陽光発電システム2000は、たとえば以下のように動作する。
光電変換モジュールアレイ2001について説明する。
実施の形態6は、実施の形態5として説明した太陽光発電システムよりも大規模な太陽光発電システムである。実施の形態6の太陽光発電システムも、実施の形態1〜3のヘテロ接合型バックコンタクトセルの少なくとも1つを光電変換素子として備えるものである。本発明の光電変換素子は高い特性(変換効率等)を有するため、これを備える本発明の太陽光発電システムも高い特性を有することができる。
図42に、本発明の大規模太陽光発電システムの一例である実施の形態6の太陽光発電システムの構成の概略を示す。図42を参照して、実施の形態6の太陽光発電システム4000は、複数のサブシステム4001と、複数のパワーコンディショナ4003と、変圧器4004とを備える。太陽光発電システム4000は、図40に示す実施の形態5の太陽光発電システム2000よりも大規模な太陽光発電システムである。
実施の形態6の太陽光発電システム4000は、たとえば以下のように動作する。
本発明は、半導体と、半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層と、真性層上に設けられた、第1導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第1導電型層と、第2導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第2導電型層と、絶縁層と、第1導電型層上に設けられた第1電極と、第2導電型層上に設けられた第2電極とを備え、第1導電型層の端部は、絶縁層の端から、第2電極の方向に突出している光電変換素子である。このような構成とすることにより、高い歩留まりで製造することができ、かつ特性の高い光電変換素子とすることができる。
Claims (15)
- 半導体と、
前記半導体上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する単一の真性層と、
前記真性層上に設けられた、第1導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第1導電型層と、
前記真性層上に設けられた、第2導電型の水素化アモルファスシリコンを含有する第2導電型層と、
前記真性層の前記半導体とは反対側の面に接する絶縁層と、
前記第1導電型層上に設けられた第1電極と、
前記第2導電型層上に設けられた第2電極と、を備え、
前記第1導電型層は、前記絶縁層の前記半導体とは反対側の面に接し、
前記第1導電型層の端部は、前記絶縁層の端から、前記第2電極の方向に突出している、光電変換素子。 - 前記第1導電型層の前記端部の下方の前記第2導電型層の領域は、前記第2電極が形成されていない領域を含む、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記第1導電型層の前記端部が前記第2導電型層によって覆われている、請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記絶縁層が窒化シリコンまたは酸化シリコンを含有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記半導体が第1導電型であり、
前記第1導電型がn型であって、前記第2導電型がp型である、請求項1から4のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記真性層は、前記半導体上に一様に設けられた、請求項1から5のいずれかに1項に記載の光電変換素子。
- 前記真性層は、前記半導体の裏面の全面に設けられた、請求項1から6のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第1導電型層の一部は、前記絶縁層上に設けられた請求項1から7のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第2導電型層の一部は、前記絶縁層に接している、請求項1から8のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第1導電型層の前記端部が前記第2導電型層に接している、請求項1から9のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第1電極は、前記第1導電型層と前記真性層とが接する領域から前記絶縁層と前記真性層とが接する領域にかけて、連続的に形成されている、請求項1から10のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 前記第1導電型層と前記真性層とが接する領域は、前記第2導電型層と前記真性層とが接する領域よりも狭い、請求項1から11のいずれか1項に記載の光電変換素子。
- 請求項1から12のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む、光電変換モジュール。
- 請求項1から12のいずれか1項に記載の光電変換素子を含む、太陽光発電システム。
- 請求項13に記載の光電変換モジュールを含む、太陽光発電システム。
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