JP6193599B2 - 角速度センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1から図3に本実施形態に係る角速度センサのデバイスの概要を示す。図1は平面図、図2は図1の2−2線断面図、図3は図1の2−2線断面を含む斜視図である。ここでは薄膜ダイヤフラム型ジャイロセンサを例示する。有限要素法により仕様共振周波数を満たす寸法設計を行った。例えば、この仕様共振周波数は20〜35kHz(キロヘルツ)程度であることが多いが、本発明の適用範囲はこれに限るものではない。
金属薄膜振動板22は、形成膜の内部応力のばらつきが小さい材料で構成されることが好ましい。一般的に原子量の小さい金属は成膜時のガス量の影響を受けづらく、形成膜の内部応力はばらつきが小さくなる。一方、原子量の大きい金属は成膜時のガス量の影響を受けやすく、形成膜の内部応力はばらつきが大きくなる。
図6は、本実施形態による角速度センサの製造方法の説明図である。
上部電極134の材料や膜厚については、本例に限らず、適宜の設計が可能である。
比較のために、SOI基板を用いた角速度センサの製造プロセスについて説明する。図8はSOI基板を用いた角速度センサの製造プロセスの説明図である。
図9は共振周波数を測定する方法の説明図である。図示のように、試作した角速度センサ10の駆動電極部36にファンクションジェネレータ212を接続して、電圧を入力し、錘部14を振動させ、検出電極部35にオシロスコープ214を接続して出力電圧を測定した。
金属薄膜振動板22の内部応力(残留応力)の測定は、薄膜形成後のサンプルについて基板の反り量(曲率)を測定し、ストーニーの式(式1)を用いることで算出することができる。
振動板の材料と成膜条件を変えて様々なデバイスを試作し(実施例1〜4及び比較例)、金属薄膜振動板の応力のばらつきと、デバイスの共振周波数のばらつき(「共振ばらつき」という。)を調べた。図10にその実施結果の表を示す。
金属薄膜によって振動板を形成する際、上述した応力ばらつきの観点に加え、熱膨張係数を考慮することが望ましい。材料の選択によっては、異なる膜材料の境界面で膜が剥離してしまったり、マイクロクラックが発生してしまったりするため、熱膨張係数は製造の歩留まりに関係する要素である。
本実施形態に好適な圧電体としては、下記式で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物(P)を含むものが挙げられる。
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Sb,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素。
O:酸素元素。
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mが、V、Nb、Ta、及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい)。
圧電体の成膜方法としては気相成膜法が好ましい。例えば、スパッタリング法の他、イオンプレーティング法、MOCVD法(有機金属気相成長法)、PLD法(パルスレーザー堆積法)など、各種の方法を適用し得る。また、気相成長以外の方法(例えば、ゾルゲル法など)を用いることも考えられる。
これによって、歩留まりが大幅に向上するとともにデバイスのさらなる小型化に対応することができる。
図1では、平面視で円形のダイヤフラム部を説明したが、円形に限らず、平面視で楕円形のダイヤフラム部や平面視で多角形のダイヤフラム部とする構成も可能である。
Claims (12)
- 駆動電極部と検出電極部とがパターン配置された上部電極と、圧電体層と、下部電極と、1層以上の振動板層と、が積層されて成る積層構造を有する可撓性のあるダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部の外周を支持する台座部と、
前記ダイヤフラム部の中心部に接合されている錘部と、を備え、
前記駆動電極部を介して前記圧電体層に電界を印加することによって圧電体の逆圧電効果を利用して前記錘部を振動させ、コリオリ力に基づいて前記錘部に生じた変位を圧電効果によって前記検出電極部から検出する角速度センサであって、
前記振動板層は、鉄(Fe)又はFeよりも原子量の小さい金属を50質量%以上含む金属材料で構成された金属薄膜振動板を含み、前記金属薄膜振動板は、気相成膜によって形成されたものである角速度センサ。 - 駆動電極部と検出電極部とがパターン配置された上部電極と、圧電体層と、下部電極と、1層以上の振動板層と、が積層されて成る積層構造を有する可撓性のあるダイヤフラム部と、
前記ダイヤフラム部の外周を支持する台座部と、
前記ダイヤフラム部の中心部に接合されている錘部と、を備え、
前記駆動電極部を介して前記圧電体層に電界を印加することによって圧電体の逆圧電効果を利用して前記錘部を振動させ、コリオリ力に基づいて前記錘部に生じた変位を圧電効果によって前記検出電極部から検出する角速度センサであって、
前記台座部及び前記錘部は、シリコン基板を用いて形成され、
前記振動板層は、Feよりも原子量の小さい金属を50質量%以上含む金属材料で構成された金属薄膜振動板を含む角速度センサ。 - 前記金属薄膜振動板の厚さは、1μm(マイクロメートル)以上である請求項1又は2に記載の角速度センサ。
- 前記金属薄膜振動板は、気相成膜によって形成されたものである請求項2に記載の角速度センサ。
- 前記金属材料は、チタン(Ti)を50質量%以上含むものである請求項1から4のいずれか1項に記載の角速度センサ。
- 前記金属材料は、バナジウム(V)を50質量%以上含むものである請求項1から4のいずれか1項に記載の角速度センサ。
- 前記金属材料は、クロム(Cr)を50質量%以上含むものである請求項1から4のいずれか1項に記載の角速度センサ。
- 前記金属薄膜振動板の熱膨張係数が、前記圧電体層の熱膨張係数の±10%以内である請求項1から7のいずれか1項に記載の角速度センサ。
- 前記金属薄膜振動板は、非SOI構造のシリコン基板の上に成膜されて得られたものであり、
前記錘部と前記台座部とは、前記金属薄膜振動板が形成された前記非SOI構造のシリコン基板の一部を除去加工することによって残る前記シリコン基板の残部によって構成されたものである請求項1から8のいずれか1項に記載の角速度センサ。 - 前記ダイヤフラム部は、平面視で円又は楕円の外周形状を有し、
前記錘部は、前記ダイヤフラム部と中心軸を共通にする前記円又は前記楕円の同心位置に配置されている請求項1から9のいずれか1項に記載の角速度センサ。 - 非SOI構造のシリコン基板の上に、鉄又は鉄よりも原子量の小さい金属を50質量%以上含む金属材料から成る金属薄膜振動板を気相成膜によって形成する振動板形成工程と、
前記金属薄膜振動板の上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極の上に圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、
前記圧電体層の上に駆動電極部と検出電極部とがパターン配置された上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記シリコン基板の一部を除去加工することによって前記上部電極と前記圧電体層と前記下部電極と前記金属薄膜振動板とを含む積層構造を有する可撓性のあるダイヤフラム部を形成するとともに、前記除去加工によって残る前記シリコン基板の残部によって前記ダイヤフラム部の外周を支持する台座部と、前記ダイヤフラム部の中心部に接合されている錘部とを形成する加工工程と、
を含む角速度センサの製造方法。 - 非SOI構造のシリコン基板の上に、鉄よりも原子量の小さい金属を50質量%以上含む金属材料から成る金属薄膜振動板を形成する振動板形成工程と、
前記金属薄膜振動板の上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極の上に圧電体層を形成する圧電体層形成工程と、
前記圧電体層の上に駆動電極部と検出電極部とがパターン配置された上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記シリコン基板の一部を除去加工することによって前記上部電極と前記圧電体層と前記下部電極と前記金属薄膜振動板とを含む積層構造を有する可撓性のあるダイヤフラム部を形成するとともに、前記除去加工によって残る前記シリコン基板の残部によって前記ダイヤフラム部の外周を支持する台座部と、前記ダイヤフラム部の中心部に接合されている錘部とを形成する加工工程と、
を含む角速度センサの製造方法。
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