JP6187214B2 - 金属錯体、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置及び照明装置に関する。より詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子に適用したときに短波長の光を発光し、長寿命で、かつ経時安定性の高い発光をすることができる金属錯体等に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であることから、次世代の平面ディスプレイや照明装置への展開が期待されている。
内部量子効率の上限が１００％となる励起三重項からのリン光発光を用いた有機ＥＬ素子がプリンストン大より報告されて以来（例えば、非特許文献１参照。）、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２及び特許文献１参照。）。

室温でリン光を示す材料として多くの化合物がイリジウム錯体等の重金属錯体を中心に合成検討されており（例えば、非特許文献３参照。）、これらの材料を用いることにより、発光効率及び耐熱性が向上した有機ＥＬ素子が研究されている。

青色発光材料として、フェニルトリアゾールを基本骨格とした金属錯体が開示されている（例えば、非特許文献４、非特許文献５及び特許文献２参照。）。これらの中には、量子収率の高い短波長の発光を示すものがあるが、素子としての駆動特性や外部量子効率及び色度は示されているものの、発光素子の寿命については特に言及されていない。

さらなる短波長の発光を得ることを目的として、フェニルトリアゾールのフェニルの部分をピリジンにした錯体が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。これらは素子としての駆動特性が評価されているが、配位子の部分に孤立電子対（ローンペア）を有する窒素原子が増えたため、熱安定性、昇華性に問題があり、材料を繰り返し用いる際に性能が再現されない問題があった。

さらに、最近白色発光素子への応用を意識した緑色から青色の波長域に幅広く発光する錯体が報告されている（例えば、特許文献４参照。）。しかし、これらの錯体を用いた有機ＥＬ素子においては、より高い演色性を示すには短波長成分が不十分であり、これらのドーパントにおいても耐久性については言及されていない。

青色発光材料に関しては、ディスプレイのみならず、演色性の高い白色照明を実現するためには重要度が高く、実用化のためには経時の色度安定性が高く、長寿命かつ生産適性のある青色用リン光材料の開発が求められている。

米国特許第６０９７１４７号明細書 特表２００７−５０４２７１号公報 特開２０１３−２１３６３号公報 特開２００８−７２８３１号公報

Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年） Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年） Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，２０８２（２００１） Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２００９，１３１（４６）ｐｐ １６６８１−１６６８８ Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２００６，１８（２１），ｐｐ ５１１９−５１２９

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、短波長の光を発光し、耐久性に優れた青色ドーパントとなる有機金属錯体を提供し、さらに発光効率が高く、駆動時の電圧上昇が抑えられ、発光寿命が長く、白色照明として用いた際も色度のずれが小さい有機ＥＬ素子材料及び有機ＥＬ素子並びに当該素子を用いた表示装置及び照明装置を提供する。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、金属錯体の配位子として、６員環と５員環とが結合した配位子であって、当該５員環に特定の置換基を導入することによって、短波長の光を発光し、耐久性に優れた青色ドーパントとなる有機金属錯体が得られることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする金属錯体。

（一般式（１）中、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３及びＹ_４は、各々独立に窒素原子又は炭素原子を表し、少なくとも二つは、窒素原子を表す。Ｒ_１は、Ｙ_３又はＹ_４の置換できる方に置換しており、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は下記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

一般式（２ａ）中、Ｚａは、６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、Ｒ_６は、直鎖若しくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
Ｒ_２は、下記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。

一般式（２ｂ）中、Ｚｂは、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｒ_７はメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基又はシクロヘキシル基を表し、隣接する基又はＲ_１と結合して環を形成しても良い。
Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。Ｘ_５−Ｌ１−Ｘ_６は２座の配位子を表し、Ｘ_５及びＸ_６は、各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。）

２．前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（３）で表される構造を有することを特徴とする第１項に記載の金属錯体。

（一般式（３）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）

３．前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（４）で表される構造を有することを特徴とする第１項に記載の金属錯体。

（一般式（４）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）

４．前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（５）で表される構造を有することを特徴とする第１項に記載の金属錯体。

（一般式（５）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）

５．前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（６）で表される構造を有することを特徴とする第１項に記載の金属錯体。

（一般式（６）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）

６．前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（７）で表される構造を有することを特徴とする第１項に記載の金属錯体。

（一般式（７）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）

７．前記一般式（２ｂ）におけるＺｂが形成する、フェニル基を表すことを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の金属錯体。

８．前記一般式（１）におけるＲ_４が、分岐アルキル基、分岐ハロアルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基であることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の金属錯体。

９．前記一般式（１）におけるＸ_１が、窒素原子であることを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の金属錯体。

１０．前記一般式（１）におけるＸ_２が、窒素原子であることを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の金属錯体。

１１．前記一般式（１）におけるＭが、イリジウム原子であることを特徴とする第１項から第１０項までのいずれか一項に記載の金属錯体。

１２．前記一般式（１）におけるｍが、３であることを特徴とする第１１項に記載の金属錯体。

１３．第１項から第１２項までのいずれか一項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。

１４．陽極と陰極との間に、発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が、第１項から第１２項までのいずれか一項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

１５．発光色が白色であることを特徴とする第１４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１６．第１４項又は第１５項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備していることを特徴とする表示装置。

１７．第１４項又は第１５項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備していることを特徴とする照明装置。

本発明の上記手段により、短波長の光を発光し、耐久性に優れた青色ドーパントとなる有機金属錯体を提供することができる。また、発光効率が高く、駆動時の電圧上昇が抑えられ、発光寿命が長く、白色照明として用いた際も色度のずれが小さい有機ＥＬ素子材料及び有機ＥＬ素子並びに当該素子を用いた表示装置及び照明装置を提供することができる。
本発明の効果の発現機構及び作用機構については、明確になってはいないが、以下のように推察している。

短波長にするために錯体の配位子の金属と結合する部分の６員環部分を一般式（１）のように複素環化した場合、嵩高いｔ−ブチル基を導入することで長波長化の原因となる窒素原子の分子間相互作用による凝集を妨げることができることは知られている（Ｊ．Ｍａｔ．Ｃｈｅｍ．Ｃ，２０１３，１，１０７０）。

本発明においては、より発光波長を短くするために金属に配位する５員環部分をトリアゾール環にしたことによって、さらなる凝集抑制が必要となった。それは同環に特定の置換基を導入することに加えて、トリアゾール環及び金属原子と結合している６員環の、トリアゾール環が置換している位置に対してパラの位置に特定の置換基（Ｒ_４）を入れることでほどよく凝集抑制ができ、さらには錯体の分解のきっかけとなる６員環と５員環の結合部分の自由運動も抑制することができると考えられる。

配位子Ａの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３，高磁場側） 配位子Ａの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３，低磁場側） 本発明の金属錯体「ＤＰ５−３」の溶液スペクトルのチャート 配位子Ｂの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３） 本発明の金属錯体「ＤＰ３−２」の溶液スペクトルのチャート 有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図 図１の表示装置の表示部の模式図 図１の表示装置の画素の回路図 パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図 照明装置の一例を示す模式図 照明装置の一例を示す断面図

本発明の金属錯体は、前記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様として、本発明の効果発現の観点から、前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体は、前記一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）又は一般式（７）で表される構造を有する金属錯体であることが好ましい。前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、前記一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）、一般式（６）又は一般式（７）で表される構造を有する金属錯体であると以下の効果が得られる。
いずれもトリアゾール環にＲ_１、Ｒ_２を有することで、分子間のトリアゾール環同士の凝集による消光を防ぐことができるが、特に一般式（３）、（４）、（７）で表される構造を有する金属錯体は、金属に結合している側のＲ_１の立体的効果により、構造がリジッドとなり、発光スペクトルの色純度を向上することができると考えられる。また、一般式（５）、（６）に関してはＲ_１、Ｒ_２が隣り合って結合しているため、立体効果が高くより消光防止の効果が高いと考えられる。

さらに、前記一般式（２ｂ）におけるＺｂが、フェニル基であることが好ましい。前記一般式（２ｂ）におけるＺｂが、フェニル基であると錯体として安定となり、生産安定性が向上する効果が得られる。

さらに、前記一般式（１）におけるＲ_４が、分岐アルキル基、分岐ハロアルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基であることが好ましい。前記一般式（１）におけるＲ_４が、分岐アルキル基、分岐ハロアルキル基、トリフェニルシリル基又は、前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基であると錯体の生産時に異性体ができにくく、生産安定性が向上する効果が得られる。

さらに、前記一般式（１）におけるＲ_１が、アルキル基であることが好ましい。前記一般式（１）におけるＲ_１が、直鎖又は分岐アルキル基であると高い発光効率が得られるので好ましい。

さらに、前記一般式（１）におけるＸ_１が、窒素原子であることが好ましい。前記一般式（１）におけるＸ_１が窒素原子であると耐久性が向上する効果が得られる。

さらに、前記一般式（１）におけるＸ_２が、窒素原子であることが好ましい。前記一般式（１）におけるＸ_２が、窒素原子であると錯体のＩｒに対して反対側の縮環が可能となり、発光色のバリエーションを増やせる効果が得られる。

さらに、前記一般式（１）におけるＭが、イリジウム原子であることが好ましい。前記一般式（１）におけるＭが、イリジウム原子であると発光効率の高い錯体が得られる。

さらに、前記一般式（１）におけるｍが、３であることが好ましい。前記一般式（１）におけるｍが、３であると耐久性が向上する効果が得られる。

また、本発明の金属錯体は、有機ＥＬ素子材料として好適に用いられる。本発明の金属錯体を有機ＥＬ素子材料として用いると耐久性の高い素子が得られる。

また、本発明の金属錯体は、陽極と陰極との間に、発光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子の有機層に含有される。これにより、耐久性に優れた高効率の有機ＥＬ素子を提供することができる。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、発光色が短波側であるので、発光色が白色である有機ＥＬ素子の青色材料として用いられることが好ましい。

また、本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置及び照明装置に好適に具備され得る。これにより、発光効率が高く、発光寿命が長く、白色発光素子として用いた際も色度ずれが小さい表示装置及び照明装置を得ることができる。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明を行う。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

≪有機ＥＬ素子材料≫
本発明の有機ＥＬ素子材料は、下記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体を成分として含有する。以下、本発明の有機ＥＬ素子材料が含有する金属錯体について説明する。

《金属錯体》
本発明の下記一般式（１）で表される金属錯体は、短波長の光を発光し、耐久性に優れた青色ドーパントとなる金属錯体であり、本発明の有機ＥＬ素子の構成層のいずれかの層に用いることができるが、本発明の効果（素子の発光効率（詳しくは、外部取り出し量子効率、単に効率ともいう。）の向上、半減寿命の増大、駆動電圧の低下）を十分に得る観点からは、素子の発光層、さらに、該発光層中において発光ドーパント（単にドーパントともいう。）として用いることが好ましい。
なお、本発明の有機ＥＬ素子の構成層については、後に詳細に説明する。
本発明の金属錯体は、具体的には、下記一般式（１）で表される。

一般式（１）において、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３及びＹ_４は各々独立に窒素原子又は炭素原子を表し、少なくとも二つは窒素原子を表す。Ｒ_１は、Ｙ_３又はＹ_４の置換できる方に置換しており、Ｒ_１は、直鎖若しくは分岐アルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基又はｔ−ブチル基等）、シアノ基又はアラルキル基（ベンジル基等）を表す。

Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｘ_１及びＸ_２の両方が窒素原子の場合は、錯体のＨＯＭＯ電位レベルが深くなることで、有機ＥＬ素子の発光層にドーパントとして用いた場合は、有機ＥＬ素子効率を上げるための周辺材料（ホスト材料、ホールブロック層等）のバリエーションが限られてしまうため、Ｘ_１又はＸ_２のどちらか片方だけが窒素原子を表すことが好ましい。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子又はメチル基を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基又はｔ−ブチル基等）、トリフェニルシリル基又は下記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基（メトキシ基又はエトキシ基等）、アリールチオ基（フェニルチオ基等）又はアリールオキシ基（フェノキシ基等）を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基（ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｓｅｃ−ペンチル基等）、直鎖若しくは分岐アルキル基（トリフルオロメチル基、１，１−ジトリフルオロメチル基等）、アルコキシ基（メトキシ基又はエトキシ基等）、アリールオキシ基（フェノキシ基等）、トリフェニルシリル基、又は下記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。

一般式（２ａ）中、Ｚａは、６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環（ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環又はトリアジン環等）を表し、Ｒ_６は直鎖若しくは分岐アルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基又はｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル又はシクロヘプチル基等）を表す。
Ｒ_２は、一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。

一般式（２ｂ）中、Ｚｂは、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環（チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、オキサジアゾール環又はベンゼン環等）を形成するのに必要な残基を表し、好ましくはベンゼン環を表す。Ｒ_７はアルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基又はｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基又はシクロヘプチル基等）、芳香族炭化水素基（フェニル基等）又は複素環基（チオフェニル基等）を表す。Ｒ_７以外にも置換基をさらに有していてもよく、さらに有していてよい置換基としては、アルキル基（メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基又はイソプロピル基等）、シクロアルキル基（シクロプロピル基又はシクロヘキシル基等）、アルコキシ基（メトキシ基又はエトキシ基等）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、又は臭素原子等）、シアノ基、ニトロ基、ジアルキルアミノ基（ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ等）、トリアリールシリル基（トリフェニルシリル基等）、ベンジル基、アリール基（フェニル基等）、ヘテロアリール基（ピリジル基又はカルバゾリル基等）が挙げられる。Ｒ_７は隣接する基又はＲ_１と結合して縮合環を形成してもよく、縮合環としては、９，９′−ジメチルフルオレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン等が挙げられる。

Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。一般的に、同じ配位子では、白金（プラチナ）錯体よりもイリジウム錯体の方がリン光寿命が短くなり、発光効率が高くなる傾向にあるため、Ｍは好ましくはイリジウム原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは好ましくは３を表す。これは、錯体がヘテロレプティックとなる（ｍ≠３）場合、合成時数種の異性体が生じ精製が困難になるため、生産上支障をきたす可能性があるためである。Ｘ_５−Ｌ１−Ｘ_６は２座の配位子を表し、Ｘ_５及びＸ_６は、各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｘ_５−Ｌ１−Ｘ_６で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン又はピコリン酸等が挙げられる。なお、これらの配位子は、さらに上述の置換基を有していてもよい。
一般式（１）は、好ましくは一般式（３）で表される。

一般式（３）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｍ及びｎは一般式（１）のそれと同義を表す。Ｚ_１〜Ｚ_３は、炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２として好ましくはベンゼン環、ピリジン環等が挙げられ、さらに置換基を有していても良い。置換基としては上述のものが挙げられる。置換基は結合して縮合環を形成してもよく、縮合環としては、ジメチルフルオレン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、Ｎ−アリールカルバゾール環、Ｎ−メチルカルバゾール環等が挙げられる。Ｂ２としては、Ｚ_３が窒素原子の場合は、ピリジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ、Ｚ_３が炭素原子の場合はカルベンが挙げられる。これらはさらに置換基を有していてもよい。
また、好ましくは一般式（１）は一般式（４）で表される。

一般式（４）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｍ及びｎは一般式（１）のそれと同義を表す。Ｚ_１〜Ｚ_３、Ａ２及びＢ２は一般式（３）のそれと同義を表す。
また、好ましくは、一般式（１）は一般式（５）で表される。

一般式（５）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｍ及びｎは一般式（１）のそれと同義を表す。Ｚ_１〜Ｚ_３、Ａ２及びＢ２は一般式（３）のそれと同義を表す。
また、好ましくは一般式（１）は一般式（６）で表される。

一般式（６）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｍ及びｎは一般式（１）のそれと同義を表す。Ｚ_１〜Ｚ_３、Ａ２及びＢ２は一般式（３）のそれと同義を表す。
また、好ましくは、一般式（１）は一般式（７）で表される。

一般式（７）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｍ及びｎは一般式（１）のそれと同義を表す。Ｚ_１〜Ｚ_３、Ａ２及びＢ２は一般式（３）のそれと同義を表す。

本発明の一般式（１）で表される構造を有する金属錯体としては、例えば、以下の構造式で表される金属錯体が挙げられる。
＜例示化合物＞

＜合成例＞
本発明の上記金属錯体の合成方法について以下に説明する。
［合成例１］
（ＤＰ５−２の合成）
１．中間体１の合成

原料１（３０ｇ）をメタノール溶媒中ヒドラジンヒドレート（１．５当量）を加え、８０℃で１２時間加熱した。加熱後、分離・精製し、中間体１を２８ｇ得た（収率、定量的）。
２．中間体２の合成

中間体１（２８ｇ）を、オルト酢酸エチル（１０ｍＬ）、ｐ−トルエンスルホン酸（３ｍｏｌ％）とともに１４０℃で３時間加熱後、分離・精製し、中間体２を２６ｇ得た（収率８０％）。
３．配位子Ａの合成

中間体２（２６ｇ）を１，３，５−メシチルアニリン（１．１当量）及びピリジニウムトリフルオロアセテート（５当量）とともに１１０℃で１４時間加熱し、分離・精製することで、配位子Ａを１４．２ｇ得た（収率８０％）。
配位子Ａの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３，高磁場側）を図１に示した。
配位子Ａの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３，低磁場側）を図２に示した。
４．ＤＰ５−２の合成

配位子Ａ（５．０ｇ）をＩｒ（ａｃａｃ）_３（０．２当量）と封管し、２３０℃で５０時間加熱した。分離・精製後、ＤＰ５−２を０．３６ｇ得た（収率１０％）。生成物の構造はＭＡＳＳスペクトル及び^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルで確認した。
ＭＡＳＳ ｓｐｅｃｔｒｕｍ（ＥＳＩ）：ｍ／ｚ＝１１５２［Ｍ^＋］
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２） δ：１．００（９Ｈ、ｄ）、１．０２（９Ｈ、ｄ）、１．８２（９Ｈ，ｓ）、２．１０（９Ｈ、ｓ）、２．１２（９Ｈ，ｓ）、２．３９（９Ｈ，ｓ）、２．６４（３Ｈ、ｍ）、６．６８（３Ｈ，ｓ）、７．０９（３Ｈ，ｓ）、７．１１（３Ｈ，ｓ）、７．２３（３Ｈ，ｓ）

［溶液スペクトル測定］
ＤＰ５−２の２−メチルテトラヒドロフラン溶液について、紫外可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを測定した。紫外可視吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計「日立分光光度計Ｕ−３３００」（（株）日立ハイテクノロジーズ製）を用い、を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計「日立分光蛍光光度計Ｆ−４５００」（（株）日立ハイテクノロジーズ製）を用い、脱気した２−メチルテトラヒドロフラン溶液を石英セルに入れ、室温で励起波長３６０ｎｍで測定を行った。得られた紫外可視吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図３に示す。横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）及び発光強度（任意単位）を表す。図３において、実線は発光スペクトルを示しており、点線は紫外可視吸収スペクトルを示している。図３に示すように、ＤＰ５−２の溶液からはピーク波長４３７ｎｍ、４６６ｎｍの青色の発光が観測された。

［合成例２］
（ＤＰ３−２の合成）
１．中間体３の合成

原料２（３２ｇ）をエタノール溶媒中で水酸化ナトリウム（２当量）を加えて室温で５時間撹拌し、分離・精製することで、中間体３を２２ｇ得た（収率６０％）。
２．中間体４の合成

中間体３（２２ｇ）を無水酢酸（５０ｍＬ）に溶解し、濃硫酸（１ｍＬ）を添加し、１１０度で５時間加熱し、分離・精製することで、中間体４を１８ｇ得た（収率６４％）。
３．配位子Ｂの合成

中間体４（１８ｇ）をピリジン溶媒中、１，３，４−メシチルヒドラジン（２当量）とともに１２０℃で３時間加熱し、分離・精製することで、配位子Ｂを６．０ｇ得た（収率２３％）。

配位子Ｂの^１Ｈ−ＮＭＲチャート（４００ＭＨｚ，ｉｎ ＣＤＣｌ_３）を図４に示した。
４．ＤＰ３−２の合成

配位子Ｂ（３．０ｇ）をＩｒ（ａｃａｃ）_３（０．２当量）と封管し、２５０℃で７５時間加熱した。分離・精製後、ＤＰ３−２を０．２５ｇ得た（収率１２％）。生成物の構造はＭＡＳＳスペクトル及び^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルで確認した。
ＭＡＳＳ ｓｐｅｃｔｒｕｍ（ＥＳＩ）：ｍ／ｚ＝１１５１．７［Ｍ^＋］
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２） δ： ０．９６（１８Ｈ，ｔ）、１．７７（９Ｈ，ｓ），２．０９（９Ｈ，ｓ）、２．１３（９Ｈ，ｓ）、２．３９（９Ｈ，ｓ）、２．６０（３Ｈ，ｍ）、６．３５（３Ｈ，ｓ）、７．０６（３Ｈ，ｓ）、７．１１（３Ｈ，ｓ）、７．３８（３Ｈ，ｓ）

［溶液スペクトル測定］
ＤＰ５−２の溶液スペクトルと同様にして、ＤＰ３−２の溶液スペクトルを測定した。図５にそれを示す。
図５に示すように、ＤＰ３−２の溶液からはピーク波長４２３ｎｍ、４４９ｎｍの青色の発光が観測された。

≪有機エレクトロルミネッセンス素子≫
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、発光層を含む有機層を有する有機ＥＬ素子であって、当該発光層に、前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体を成分として含有する有機ＥＬ素子材料を含有することを特徴としている。本発明においては、上記一般式（１）で表される金属錯体を成分として含有する有機ＥＬ素子材料を含有する有機ＥＬ素子とすることによって、発光効率が高く、駆動時の電圧上昇が抑えられ、発光寿命が長く、白色照明として用いた際も色度のずれが小さい有機ＥＬ素子を得ることができる。

《有機ＥＬ素子の構成》
本発明の有機ＥＬ素子の構成について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極

さらに、発光層ユニットは複数の発光層の間に非発光性の中間層を有していてもよく、該中間層が電荷発生層であるようなマルチフォトンユニット構成であってもよい。この場合、電荷発生層としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯ_ｘ、ＶＯ_ｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２などの導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層などが挙げられる。本発明の有機ＥＬ素子における発光層としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極又は電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは２〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、５〜１００ｎｍの範囲である。

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法）等を挙げることができる。）等により成膜して形成することができる。本発明の化合物を発光層に用いる場合、ウェットプロセスで作製することが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパント（リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント基ともいう。）や蛍光ドーパント等）化合物と、発光ホスト化合物とを含有することが好ましい。

＜発光性ドーパント化合物＞
発光性ドーパント化合物（発光ドーパント、単にドーパントともいう。）について説明する。
発光性ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう。）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう。）を用いることができる。

（リン光ドーパント）
本発明に係るリン光ドーパント（リン光発光ドーパントともいう。）について説明する。 本発明に係るリン光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層の少なくとも一つがリン光発光性の有機金属錯体（リン光発光ドーパント、リン光ドーパント等ともいう。）を含有するが、該リン光発光性の有機金属錯体としては、一般式（１）で表される金属錯体を含有する。

また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている従来公知の化合物等を併用してもよい。
例えば、国際公開第００／７０６５５号、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等である。

（蛍光ドーパント）
蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう。）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
また本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。

ここで、発光ドーパントとして、本発明の金属錯体と併用して用いてもよい従来公知の発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

＜発光ホスト化合物＞
本発明においてホスト化合物（発光ホスト等ともいう。）とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

本発明において、ホスト化合物としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択できるが、素子の効率向上の観点からは、既述のように、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーより高い励起状態のエネルギーを有するホスト化合物を選択することが好ましい。
以下、本発明の有機ＥＬ素子のホスト化合物として好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

また、本発明においては、従来公知の発光ホストを複数種併用して用いてもよい。
従来公知の発光ホストとしては特に制限はなく、代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又は、カルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。

本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。

また、前記リン光ドーパントとして用いられる本発明の金属錯体及び従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもよく、このような化合物を１種又は複数種用いても良い。

公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。

《電子輸送層》
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層若しくは複数層を設けることができる。
電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択し併用することも可能である。

電子輸送層に用いられる従来公知の材料（以下、電子輸送材料という。）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の多環芳香族炭化水素、複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、又は該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換されている環構造を有する誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体等が挙げられる。

さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ_２）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法等を挙げることができる。））等により、薄膜化することにより形成することが好ましい。
有機ＥＬ素子の構成層の形成法については、有機ＥＬ素子の作製方法のところで詳細に説明する。
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントをドープして用いてもよい。
以下、本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物（電子輸送材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《注入層：電子注入層（陰極バッファー層）、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３頁〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体バッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウム、フッ化セシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記のごとく有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げた、カルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン環を構成する炭素原子のいずれか一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）を含有することが好ましい。

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。さらに、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。

イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高占有軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）として求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。

（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５〜３０ｎｍである。

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらに米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、又はＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。

また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
又は、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、又は希土類金属等が挙げられる。

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、後述する陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、又は透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（登録商標 ＪＳＲ社製）あるいはアペル（登録商標 三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらに、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１×１０^−５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、又は窒化ケイ素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、又はコーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、又はセラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。
ここに、外部取り出し量子効率（％）＝（有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数）×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

≪有機ＥＬ素子の作製方法≫
有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／陰極からなる素子の作製方法について説明する。
まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、又は湿式法（ウェットプロセスともいう。）等により成膜して形成することができる。

湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、又はＬＢ法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。

本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。

また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機ＥＬ素子の作製は、１回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。

＜封止＞
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、又は石英等を挙げることができる。

また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、又はポリサルフォン等から形成されたものを挙げることができる。
金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
さらに、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工又は化学エッチング加工等が使われる。

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、又は２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、又は窒化ケイ素等を用いることができる。

さらに、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、又はコーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

＜保護膜、保護板＞
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

＜光取り出し＞
有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム又はフッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は、一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、さらに１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

全反射を起こす界面若しくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が一次の回折や二次の回折といったいわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、前述のとおり、いずれかの層間若しくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。
回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、又はハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

＜集光シート＞
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、又はいわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は、１０〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると、回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。

プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、又はその他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。

＜用途＞
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、又は光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色発光素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることをいう。

≪表示装置≫
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。
本発明の表示装置は、単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、又は印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法又は印刷法である。

表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。

得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス及びディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。

表示デバイス及びディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、又は自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、又は光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図６は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。

図７は、表示部Ａの模式図である。
表示部Ａは、基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図７においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が、赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。

次に、画素の発光プロセスを説明する。図８は、画素の回路図である。
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサー１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
図８において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。

画像データ信号の伝達により、コンデンサー１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサー１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。

すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。

図９は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図９において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。

≪照明装置≫
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は、上記有機ＥＬ素子を有する。
本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、又は光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。

発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。

発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
本発明の白色発光有機ＥＬ素子や該素子に係る化合物の発光色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計「ＣＳ−１０００」（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果を、ＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明における白色発光有機ＥＬ素子としての好ましい色度は、ＣＩＥ１９３１ｘｙ色度図上においてｘ値が０．３７±０．１、ｙ値が０．３７±０．０７の範囲である。

本発明の上記手段により、発光効率が高く、発光寿命が長く、白色照明として用いた際も色度のずれが小さい有機ＥＬ素子と、それを用いた照明装置を提供することができる。

＜本発明の照明装置の一態様＞
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図１０、図１１に示すような照明装置を形成することができる。

図１０は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
図１１は、照明装置の断面図を示し、図１１において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
また、以下に説明する実施例で用いられる化合物の構造を以下に示す。

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
［実施例１］

＜有機ＥＬ素子１−１の作製＞
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ＣＬＥＶＩＯ Ｐ ＶＰ ＡＩ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚２０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＨ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−８（ＢＡｌｑ）を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント材料として下記表１に示す特開２０１２−４６４９２号公報明細書に記載の比較化合物１を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
次いで、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

さらに、ホスト化合物としてＨ−６とドーパント材料として比較化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．００６ｎｍ／秒で前記第２正孔輸送層上に共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
さらに、ＥＴ−８が入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続き、フッ化リチウムを蒸着し膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を形成し、さらにアルミニウムを蒸着して膜厚１１０ｎｍの陰極を形成し、比較の有機ＥＬ素子１−１を作製した。

＜有機ＥＬ素子１−２の作製＞
有機ＥＬ素子１−１の作製において、ドーパント材料としての比較化合物１を特開２００８−７４８３１号公報明細書に記載の上記比較化合物２に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２を作製した。

＜有機ＥＬ素子１−３〜１−３０の作製＞
有機ＥＬ素子１−１の作製において、ドーパント材料としての比較化合物１を表１に記載の材料に変更した。
それ以外は同様にして、下記表２に記載のとおり、有機ＥＬ素子１−３〜１−３０を各々作製した。

＜有機ＥＬ素子１−１〜１−３０の評価＞
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−３０を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤「ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ」（東亞合成社製）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して硬化させて封止し、図１０及び図１１に示すような照明装置を形成して評価した。このようにして作製した各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を下記表１に示す。

（１）外部取り出し量子効率（単に、効率ともいう。）
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ^２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。
ここで、発光輝度の測定は分光放射輝度計「ＣＳ−１０００」（コニカミノルタ（株）製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は、有機ＥＬ素子１−１（比較例）を１００とする相対値で表した。

（２）半減寿命
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ^２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ^２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。
なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。

（３）駆動時の電圧上昇
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ^２の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し、測定結果を下記に示した計算式により計算し、得られた結果を表１に示した。
有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
式：
駆動時の電圧上昇（相対値）＝輝度半減時の駆動電圧−初期駆動電圧
なお、値が小さい方が比較に対して駆動時の電圧上昇が小さいことを示す。

（４）熱安定性評価
有機ＥＬ素子１−１〜１−３０のそれぞれについて、同じ蒸着ボート（モリブデン製抵抗加熱ボート）を用い同じ構成の素子を１０素子ずつ作製した（例えば、有機ＥＬ素子１−１、１−１ｂ、１−１ｃ、１−１ｄ、１−１ｅ、１−１ｆ、１−１ｇ、１−１ｈ、１−１ｉ、１−１ｊ）。

それぞれ１回目に作製した素子（例えば、有機ＥＬ素子１−１）、５回目に作製した素子（例えば、有機ＥＬ素子１−１ｅ）、１０回目に作製した素子（例えば、有機ＥＬ素子１−１ｊ）のそれぞれについて上記と同様の方法で半減寿命を測定した。各素子の半減寿命は、各々１回目に作製した有機ＥＬ素子１−ｘを１００とする相対値（例えば、有機ＥＬ素子１−１の場合は、１回目に作製した有機ＥＬ素子１−１の半減寿命を１００とし、有機ＥＬ素子１−２の場合は、１回目に作製した有機ＥＬ素子１−２の半減寿命を１００とする）で表した。

表１に示した結果から、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に対して、各々高い発光輝度（外部取り出し量子効率）を示し、かつ長寿命であり、また駆動時の電圧上昇も抑えられる等、有機ＥＬ素子としての特性が向上している。さらには、比較例の１回目、５回目、１０回目素子が、回数を重ねる毎に素子寿命の劣化が著しいのに対して、本発明の素子は１回目、５回目、１０回目素子がほとんど寿命劣化を引き起こしておらず、熱安定性に優れていることが分かる。

［実施例２］
＜白色発光有機ＥＬ素子２−１の作製＞
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を１００ｎｍ成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液をスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液をスピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を設けた。

次に、ホスト化合物Ｈ−１０（１００ｍｇ）とドーパント材料Ｄ−１（３ｍｇ）とＤ−１０（３ｍｇ）をトルエン１０ｍｌに溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。６０℃で１時間真空乾燥し第１発光層を形成した。

さらに、この第１発光層上に、ホスト化合物Ｈ−１１（１００ｍｇ）とＤＰ３−２（１６ｍｇ）を６ｍｌのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した溶液を用い、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により成膜し、６０℃で１時間真空乾燥し、第２発光層を形成した。

この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、第２発光層上に、電子輸送材料ＥＴ−９を３０ｎｍ、続いて陰極バッファー層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、さらに陰極としてアルミニウムを１１０ｎｍ蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。

＜有機ＥＬ素子２−２〜２−２０の作製＞
有機ＥＬ素子２−１の作製において、上記ホスト化合物Ｈ−１１及びＤＰ３−２を下記表２に記載の化合物に変えた以外は同様にして有機ＥＬ素子２−２〜２−２０を作製した。なお、有機ＥＬ素子２−３及び有機ＥＬ素子２−４についてはドーパント材料として下記比較化合物３及び４を用いた。

＜有機ＥＬ素子２−１〜２−２０の評価＞
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−２０を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子１−１と同様に封止し、図１０及び図１１に示すような照明装置を形成して評価した。有機ＥＬ素子２−１は色度（ｘ、ｙ）＝（０．３５、０．３８）の白色発光を示した。このようにして作製した各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を表２に示す。

（１）外部取り出し量子効率
実施例１と同様に算出した。表５においては有機ＥＬ素子２−２（比較例）を１００とする相対値で表した。

（２）経時安定性
有機ＥＬ素子を６０℃、７０％ＲＨの条件で１か月保存後、保存前後における各電力効率を求め、各々の電力効率比を下式に従って求め、これを経時安定性の尺度とした。
式：
経時安定性（％）＝保存後の電力効率／保存前の電力効率×１００
なお、電力効率については分光放射輝度計「ＣＳ−１０００」（コニカミノルタ（株）製）を用いて、各有機ＥＬ素子の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ^２における電力効率を求めた。

（３）駆動経時での色度安定性の評価
正面輝度４０００ｃｄ／ｍ^２を初期輝度として連続駆動時の輝度変動を追跡し、ｔ＝０における色度（ｘ０，ｙ０）と、輝度半減時の色度（ｘｔ、ｙｔ）を分光放射輝度計「ＣＳ−１０００」（コニカミノルタ（株）製）により測定し、その色度差ΔＥを下記式より求めた。なお下記式においてｘ、ｙは、ＣＩＥ１９３１表色系における色度ｘ、ｙである。
式：
ΔＥ＝｛（ｘｔ−ｘ０）^２＋（ｙｔ−ｙ０）^２｝^１／２
評価結果を表２に示す。

表２に示した結果から、本発明の素子においては、比較の化合物に比べて外部取り出し量子効率及び経時安定性の高い白色発光素子が実現できることが分かった。

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサー
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０２ ガラスカバー
１０５ 陰極
１０６ 有機ＥＬ層
１０７ 透明電極付きガラス基板

Claims (17)

1. 下記一般式（１）で表される構造を有することを特徴とする金属錯体。
   

   

   （一般式（１）中、Ｙ_１、Ｙ_２、Ｙ_３及びＹ_４は、各々独立に窒素原子又は炭素原子を表し、少なくとも二つは、窒素原子を表す。Ｒ_１は、Ｙ_３又はＹ_４の置換できる方に置換しており、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は下記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   

   

   一般式（２ａ）中、Ｚａは、６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、Ｒ_６は、直鎖若しくは分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、下記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   

   

   一般式（２ｂ）中、Ｚｂは、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｒ_７はメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基又はシクロヘキシル基を表し、隣接する基又はＲ_１と結合して環を形成しても良い。
   Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。Ｘ_５−Ｌ１−Ｘ_６は２座の配位子を表し、Ｘ_５及びＸ_６は、各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。）
2. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（３）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   （一般式（３）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）
3. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（４）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   （一般式（４）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）
4. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（５）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   （一般式（５）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）
5. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（６）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   （一般式（６）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）
6. 前記一般式（１）で表される構造を有する金属錯体が、下記一般式（７）で表される構造を有することを特徴とする請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   （一般式（７）中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、シアノ基又はベンジル基を表す。Ｘ_１及びＸ_２は、互いに異なっており、ＣＲ_５又は窒素原子を表す。Ｘ_１が窒素原子、かつＸ_２がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子を表す。Ｘ_２が窒素原子、かつＸ_１がＣＲ_５のとき、Ｒ_５は水素原子、シアノ基、直鎖若しくは分岐アルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_３は、水素原子、フッ素原子、アルコキシ基、アリールチオ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_４は分岐アルキル基、直鎖若しくは分岐ハロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｒ_２は、前記一般式（２ｂ）で表される構造を有する基を表す。
   Ｚ_１、Ｚ_２及びＺ_３は、各々独立に炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ２は、炭素原子及びＺ_１とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ｂ２は、Ｚ_２及びＺ_３とともに形成される芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表す。Ａ２及びＢ２で表される環は、さらに置換基を有していてもよい。Ｍは、イリジウム原子又は白金原子を表す。Ｍがイリジウム原子を表すとき、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。Ｍが白金原子を表すとき、ｍは１又は２を表し、ｎは０又は１を表し、ｍ＋ｎは２である。）
7. 前記一般式（２ｂ）におけるＺｂが形成する、フェニル基を表すことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の金属錯体。
8. 前記一般式（１）におけるＲ_４が、分岐アルキル基、分岐ハロアルキル基、トリフェニルシリル基又は前記一般式（２ａ）で表される構造を有する基であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の金属錯体。
9. 前記一般式（１）におけるＸ_１が、窒素原子であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の金属錯体。
10. 前記一般式（１）におけるＸ_２が、窒素原子であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の金属錯体。
11. 前記一般式（１）におけるＭが、イリジウム原子であることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の金属錯体。
12. 前記一般式（１）におけるｍが、３であることを特徴とする請求項１１に記載の金属錯体。
13. 請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
14. 陽極と陰極との間に、発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が、請求項１から請求項１２までのいずれか一項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 発光色が白色であることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 請求項１４又は請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備していることを特徴とする表示装置。
17. 請求項１４又は請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備していることを特徴とする照明装置。

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