JP6186981B2 - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6186981B2 JP6186981B2 JP2013153465A JP2013153465A JP6186981B2 JP 6186981 B2 JP6186981 B2 JP 6186981B2 JP 2013153465 A JP2013153465 A JP 2013153465A JP 2013153465 A JP2013153465 A JP 2013153465A JP 6186981 B2 JP6186981 B2 JP 6186981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma processing
- processing apparatus
- opening
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 49
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- -1 electric power Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態1について、図1〜図5を参照して説明する。
したがって、温度測定の精度が高まる。
以下、本発明の実施の形態2について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図7を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図8を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図9〜図11を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態6について、図12を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態7について、図13を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態8について、図14を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態9について、図15を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態10について、図16を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態11について、図17を参照して説明する。
2 クロム膜
T 誘導結合型プラズマトーチユニット
3 コイル
4 第一セラミックスブロック
5 第二セラミックスブロック
7 長尺チャンバ
8 開口部
9 プラズマガスマニホールド
10 プラズマガス供給配管
11 プラズマガス供給穴
12 レンズ
13 放射温度計
P プラズマ
Claims (9)
- スリット状の開口部を備える長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるコイルと、前記コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、基材を保持する基材載置部と備えたプラズマ処理装置において、
前記長尺チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記長尺チャンバと前記基材とを相対的に移動可能とする移動機構を備え、複数の孤立パターンである不透明薄膜を形成した透明薄板を備え、前記不透明薄膜とは反対の側から、前記不透明薄膜と前記透明薄板の界面から放射される光を受光する放射温度計を備えたこと、
を特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記放射温度計が温度測定のために受光する光の波長における前記透明薄板の透過率が65%以上であることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記透明薄板が円筒状であり、かつ、円筒の軸を中心として回転可能な構成となっていることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記不透明薄膜が複数の短冊であることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記短冊の長手方向が、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに平行であることを特徴とする、請求項4記載のプラズマ処理装置。
- 前記円筒状の透明薄板の内側にミラーを備え、前記透明薄板の界面から放射され前記放射温度計が受光する光の光軸が、前記ミラーにより曲げられることを特徴とする、請求項3記載のプラズマ処理装置。
- 前記移動機構が基材を保持するトレーを移動させる機構であり、前記トレーの端部が斜面状になっていることを特徴とする、請求項3記載のプラズマ処理装置。
- 前記長尺チャンバと前記円筒状の透明薄板との距離が可変であることを特徴とする、請求項7記載のプラズマ処理装置。
- スリット状の開口部を備えた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、基材を前記開口部に近接して配置しつつ、前記開口部近傍のプラズマに曝露することにより、前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基材の処理に先立ち、複数の孤立パターンである不透明薄膜を形成した透明薄板を前記開口部近傍のプラズマに曝露しつつ、前記不透明薄膜とは反対の側から、前記不透明薄膜と前記透明薄板の界面から放射される光を放射温度計で受光することで、不透明薄膜の温度を測定すること、
を特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013153465A JP6186981B2 (ja) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | プラズマ処理装置及び方法 |
KR1020140059571A KR101586907B1 (ko) | 2013-07-24 | 2014-05-19 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013153465A JP6186981B2 (ja) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | プラズマ処理装置及び方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015026435A JP2015026435A (ja) | 2015-02-05 |
JP6186981B2 true JP6186981B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=52488359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013153465A Active JP6186981B2 (ja) | 2013-07-24 | 2013-07-24 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6186981B2 (ja) |
KR (1) | KR101586907B1 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01294863A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH0456145A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-24 | Hitachi Ltd | プラズマ中の基板温度の測定装置 |
JP3902125B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2007-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定方法及びプラズマ処理装置 |
JP2004260002A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Fujitsu Ltd | 基板温度検出装置、その製造方法及び基板温度検出方法 |
JP2004289081A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ窒化処理装置及びその処理方法 |
JP2006297339A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 処理ガス吐出装置及びこれを備えた表面処理装置 |
JP4746983B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-08-10 | 株式会社堀場製作所 | シリコンウエハの温度測定方法 |
JP4949135B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-06-06 | 株式会社フジクラ | 真空チャンバ用レーザ加熱装置及び真空プロセス用装置 |
JP5071927B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-11-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2009021540A (ja) * | 2007-06-13 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | ZnO系薄膜及びZnO系半導体素子 |
JP5237151B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2013-07-17 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置の基板支持台 |
JP5110137B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-12-26 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
-
2013
- 2013-07-24 JP JP2013153465A patent/JP6186981B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-19 KR KR1020140059571A patent/KR101586907B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150012190A (ko) | 2015-02-03 |
KR101586907B1 (ko) | 2016-01-19 |
JP2015026435A (ja) | 2015-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5467371B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP5429268B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP6191887B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5500098B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6064174B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5321552B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5617817B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP5861045B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2013229211A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2013120687A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5110137B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5500097B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6186981B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6318363B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP5899422B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6264762B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP6064176B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2014060035A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP5056926B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5413421B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2013098067A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5617818B2 (ja) | 誘導結合型プラズマ処理装置及び誘導結合型プラズマ処理方法 | |
JP5182340B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5187367B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP5906391B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170127 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20170417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170717 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6186981 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |