JP6186770B2 - 電圧検出回路及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電圧検出回路及び電子機器等に関する。
トランジスターの閾値電圧(Vth)は、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)やホットキャリアの影響を受けて、時間の経過と共にシフトすることが知られている。そのシフト量は、トランジスターのゲートに印加される電圧に応じて異なったシフト量となる。そのため、コンパレーター等の電圧比較回路を差動対で構成した場合、差動入力に異なる電圧が印加されていると閾値電圧のシフト量が同一とならず、時間の経過と共に入力オフセットを生じる原因となる。
特許文献1には、第1期間と第2期間において入力電圧を2回検出し、それらの検出電圧を平均化する際に、電圧増幅器の入力オフセット成分のバラツキが第1期間と第2期間で正負が反対の極性となるように加算し、検出対象電圧の実行成分を精度良く検出する手法が開示されている。
特開2006−126098号公報
上記のように電圧比較回路の入力オフセットが時間の経過と共に変化すると、検出電圧の精度が低下するという課題がある。例えば2次電池の充電制御において過充電を検出する場合、所定の電圧を超えたときに過充電と判断するが、その過充電と判断される電圧値が入力オフセットによって誤差を生じてしまう。
本発明の幾つかの態様によれば、高精度に電圧検出することが可能な電圧検出回路及び電子機器等を提供できる。
本発明の一態様は、第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧とを比較する比較回路と、第1電圧と第2電圧とが入力され、前記比較回路の前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧とを設定するスイッチ回路と、を含み、前記スイッチ回路は、電圧比較の動作オン・オフを間欠的に繰り返す間欠動作における動作オフ期間では、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を同電圧に設定し、前記間欠動作における動作オン期間では、前記第1入力端子の電圧を、前記第1電圧又は前記第1電圧を電圧分割した電圧に設定し、前記第2入力端子の電圧を、前記第2電圧に設定する電圧検出回路に関係する。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、比較回路の第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧がスイッチ回路により同電圧に設定される。これにより、高精度に電圧検出することが可能になる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記動作オフ期間において、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を、前記第1電圧又は前記第2電圧に設定してもよい。
さて、NBTIやホットキャリアの影響で比較回路の第1入力端子と第2入力端子に接続されている差動トランジスターの閾値電圧が変化する可能性がある。この点、本発明の一態様によれば、間欠動作の動作オフ期間において、第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を同一電圧である第1電圧又は第2電圧に設定できる。これにより、第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧が同一電圧になるので、差動トランジスターの閾値電圧のシフト量に差異が生じることを抑制できる。そのため、比較回路の入力オフセットが時間の経過と共に変化することを抑制でき、高精度に電圧検出できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子の一方がオンになり、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子の他方がオフになり、前記第3スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子がオフになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第1スイッチ素子及び第3スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共に第1電圧に設定できる。或は、第2スイッチ素子及び第3スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共に第2電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧とグランド電圧との間を電圧分割する電圧分割回路と、前記第1電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、前記グランド電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第4スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子がオンになると共に前記第4スイッチ素子がオフになることにより前記電圧分割回路が前記第1電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより前記電圧分割回路が前記第1電圧を電圧分割した電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子がオフになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第1スイッチ素子及び第3スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共に第1電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、基準電圧を生成する基準電圧生成回路を含み、前記スイッチ回路には、前記第1電圧として2次電池の出力電圧が入力され、前記第2電圧として前記基準電圧生成回路の出力電圧が入力されてもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オン期間において、2次電池の出力電圧又はその分割電圧と基準電圧とを比較することにより、2次電池の出力電圧を検出できる。例えば、2次電池の過放電や過充電を検出することが可能となる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記動作オフ期間において、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を、2次電池の出力電圧又はグランド電圧に設定してもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を同一電圧である2次電池の出力電圧又はグランド電圧に設定できる。これにより、比較回路の入力オフセットが時間の経過と共に変化することを抑制でき、高精度に電圧検出できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、前記2次電池の出力電圧のノードと前記第1入力端子との間、又は前記グランド電圧のノードと前記第1入力端子との間、又は前記2次電池の出力電圧のノードと前記第2入力端子との間、又は前記グランド電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになることを特徴とする電圧検出回路。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第3スイッチ素子及び第4スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共に2次電池の出力電圧或はグランド電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧と前記グランド電圧との間を電圧分割する電圧分割回路と、前記第1電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、前記グランド電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第4スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子がオフになると共に前記第4スイッチ素子がオンになることにより前記電圧分割回路が前記グランド電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより前記電圧分割回路が前記第1電圧を電圧分割した電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子がオフになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第3スイッチ素子及び第4スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共にグランド電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、基準電圧を生成する基準電圧生成回路を含み、前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として前記基準電圧生成回路の出力電圧が入力され、前記動作オフ期間において、前記比較回路及び前記基準電圧生成回路は非動作状態に設定され、前記動作オフ期間から前記動作オン期間に移る際に、前記第1スイッチ素子がオンになった後に、前記比較回路及び前記基準電圧生成回路が動作状態に設定されてもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間から動作オン期間となったときに、第1入力端子の電圧が第2入力端子の電圧を高い電圧から低い電圧に移行する電圧下降時を検出できることになり、比較回路のヒステリシスによる検出誤差を抑制できる。
また本発明の一態様では、基準電圧を生成する基準電圧生成回路を含み、前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として前記基準電圧生成回路の出力電圧が入力されてもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オン期間において、太陽電池の開放電圧又はその分割電圧と基準電圧とを比較することにより、太陽電池の開放電圧を検出できる。例えば、太陽電池の開放電圧が所定電圧を超えているか否かを検出することが可能となる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記2次電池の出力電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、前記2次電池の出力電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第3スイッチ素子及び第4スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共に2次電池の出力電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、前記グランド電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、前記グランド電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、を有し、前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになり、前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、第3スイッチ素子及び第4スイッチ素子がオンになることにより第1入力端子の電圧及び第2入力端子の電圧を共にグランド電圧に設定できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記動作オフ期間から前記動作オン期間に移る際に、前記第2スイッチ素子がオンになった後に、前記第1スイッチ素子がオンになってもよい。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間から動作オン期間となったときに、第1入力端子の電圧が第2入力端子の電圧を高い電圧から低い電圧に移行する電圧下降時を検出できることになり、比較回路のヒステリシスによる検出誤差を抑制できる。
また本発明の一態様では、前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として2次電池の出力電圧が入力されてもよい。
このようにすれば、太陽電池の開放電圧と2次電池の出力電圧とを比較することが可能となる。例えば、太陽電池の開放電圧が2次電池の出力電圧を越えているか否かを判定することで、2次電池を充電可能な状態であるか否かを判断できる。
また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載された電圧検出回路を含む電子機器に関係する。
電源回路の構成例。 本実施形態の電圧検出回路の比較例。 間欠動作についての説明図。 図4(A)は本実施形態の電圧検出回路の第1構成例、図4(B)は、第1構成例の変形例。 本実施形態の電圧検出回路の動作を説明する表。 図6(A)は本実施形態の電圧検出回路の第2構成例、図6(B)は、第2構成例の変形例。 図7(A)は本実施形態の電圧検出回路の第3構成例、図7(B)は、第3構成例の変形例。 過放電検出回路の詳細な構成例。 過放電検出回路の動作を説明する表。 移行期間における過放電検出回路の動作説明図。 ソーラー電圧検出回路の詳細な構成例。 ソーラー電圧検出回路の動作説明図。 充電判定回路の詳細な構成例。 充電判定回路の動作を説明する表。 充電判定回路の動作説明図。 電子機器の構成例。
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
1.電源回路
図1に、本実施形態の電圧検出回路を適用できる電源回路の構成例を示す。電源回路は、太陽電池100(ソーラーセル)、2次電池110、放電制御回路140、充電制御回路150、保護回路160を含む。
太陽電池100は、光エネルギーを電力に変換する装置であり、例えばシリコン型のソーラーパネルで構成される。太陽電池100の出力電圧PVINは、ソーラーパネルに入射する光の照度に応じて変化する。2次電池110は、充電により電力を蓄え、繰り返し充放電することが可能な電池であり、例えばニッケル・カドミウム蓄電池やリチウムイオン2次電池等である。2次電池110の出力電圧VCCは充放電に応じて変化する。
充電制御回路150は、太陽電池100の出力により2次電池110を充電する制御を行う。具体的には、保護回路160が、太陽電池100の出力電圧PVINが2次電池110の出力電圧VCCがよりも高いと判断した場合には、充電制御回路150は、2次電池110に太陽電池100を接続し、2次電池110を充電する。また、保護回路160が、2次電池110が過充電状態であると判断した場合には、充電制御回路150は、2次電池110から太陽電池100を切り離し、充電を停止する。
放電制御回路140は、2次電池110の電力をシステムに供給する制御を行う。具体的には、保護回路160が、2次電池110が過放電状態であると判断した場合には、2次電池110をシステムから切り離し、電力供給を停止する。
充電制御回路150と放電制御回路140は、例えばトランジスター等で構成されるスイッチ素子により実現できる。それらのスイッチ素子は、保護回路160或はシステムのマイクロプロセッサー(例えば図16の処理部300)等によりオン・オフ制御され、電力経路の接続及び切断を行う。
保護回路160は、太陽電池100の出力電圧PVINと2次電池110の出力電圧VCCとを監視し、2次電池110の充放電を制御する。具体的には保護回路160は、制御回路200、過充電検出回路210、過放電検出回路220、充電判定回路230を含む。
過充電検出回路210は、2次電池110の過充電検出を行い、検出結果を制御回路200へ出力する。具体的には、2次電池110の出力電圧VCCと過充電に対応する準電圧(例えばリチウムイオン2次電池の場合には4.2V程度)とを比較し、電圧VCCが基準電圧を超えている場合には2次電池110が過充電状態であると判断する。
過放電検出回路220は、2次電池110の過放電検出を行い、検出結果を制御回路200へ出力する。具体的には、2次電池110の出力電圧VCCと過放電に対応する基準電圧(例えばリチウムイオン2次電池の場合には2.6V程度)とを比較し、電圧VCCが基準電圧を下回っている場合には2次電池110が過放電状態であると判断する。
充電判定回路230は、2次電池110を充電可能な状態か否かを判定し、判定結果を制御回路200へ出力する。具体的には、制御回路200が充電制御回路150を制御して太陽電池100の出力を2次電池110から切断し、太陽電池100の出力電圧PVINを開放電圧にする。そして、充電判定回路230は、太陽電池100の開放電圧と2次電池110の出力電圧VCCとを比較し、開放電圧が電圧VCCよりも高い場合には充電可能な状態であると判定する。
2.電圧検出回路の間欠動作
次に、本実施形態の電圧検出回路が行う間欠動作について説明する。なお電圧検出回路は、図1の過充電検出回路210や過放電検出回路220、充電判定回路230等に対応する。
まず、図2に本実施形態の電圧検出回路の比較例として、過放電検出回路220の比較構成例を示す。この比較構成例は、2次電池110の出力電圧VCC(高電位側電源電圧)を抵抗素子RA、RBにより電圧分割する電圧分割回路40と、抵抗素子RBとグランド電圧(低電位側電源電圧)のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWNと、基準電圧を生成する基準電圧生成回路50と、第1入力端子INP(例えば正極端子)の電圧VPと第2入力端子INM(例えば負極端子)の電圧VMとを比較する比較回路20と、を含む。
基準電圧生成回路50は、電圧VCCのノードとノードNVAとの間に設けられるP型トランジスターTPAと、ノードNVAと出力ノードNVBとの間に設けられるデプレッション型のN型トランジスターTNAと、出力ノードNVBとグランド電圧のノードとの間に設けられるエンハンスメント型のN型トランジスターTNBと、出力ノードNVBとグランド電圧のノードとの間に設けられるN型トランジスターTNCと、を含む。トランジスターTNA、TNBのゲートには出力ノードNVBが接続される。
スイッチ素子SWNとトランジスターTPA、TNCは制御回路200によりオン・オフ制御される。また、比較回路20は、比較動作を行う動作状態(動作オン状態)と比較動作を行わない非動作状態(動作オフ状態)とが制御回路200により切り替えられる。比較回路20及び基準電圧生成回路50は2次電池110から供給される電力で動作し、その非動作状態は、例えば消費電流をゼロにした状態や低消費電流状態等である。
図3を用いて、上記の比較構成例を例にとって間欠動作について説明する。本実施形態の間欠動作では、電圧検出動作を行わない動作オフ期間Toff(例えば1秒程度)と、電圧検出動作を行う動作オン期間Ton(例えば数ミリ秒程度)と、を繰り返す。動作オフ期間Toffでは電圧検出回路の電力消費を抑制し、最小限の動作オン期間Tonにすることで2次電池110の消耗を抑えている。
具体的には、動作オフ期間Toffでは、スイッチ素子SWNがオフになることで2次電池110からグランドへの電流経路を遮断し、電圧分割回路40は第1入力端子INPへ電圧VCCを出力する。また、トランジスターTPAがオフになることで2次電池110からグランドへの電流経路を遮断し、トランジスターTNCがオンになることで基準電圧生成回路50が第2入力端子INMへグランド電圧VSSを出力する。比較回路20は非動作状態に設定され、電圧比較動作を行わない。
一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWNがオンになり、電圧分割回路40は第1入力端子INPへ分割電圧VX=VCC×RB/(RA+RB)を出力する。また、トランジスターTPAがオンになり、トランジスターTNCがオフになり、基準電圧生成回路50は第2入力端子INMへ基準電圧Vrefを出力する。基準電圧Vrefは、図2の構成例では、ダイオード接続されたエンハンスメント型のトランジスターTNBの閾値電圧(Vth)と、ゲート電極とソース電極が接続されたデプレッション型のトランジスターTNAの闇値電圧(Vth)との差分電圧である。そして、比較回路20は、第1入力端子INPの電圧VP=VXと、第2入力端子INMの電圧VM=Vrefとを比較し、比較結果Voutを出力する。
さて上記のように、動作オフ期間Toffでは比較回路20の第1入力端子INPと第2入力端子INMに異なる電圧が入力される。比較回路20は、例えば差動入力のコンパレーターであり、その差動入力は、差動対を構成するトランジスターのゲートに接続されている。この差動対を含む比較回路20の入力オフセットはNBTIやホットキャリアの影響を受けて変化するため、間欠動作の大部分を占める動作オフ期間Toffにおいて差動対に異なる電圧が印加されていると、次第に差動対の閾値電圧(Vth)シフト量に差異が生じてオフセット電圧が大きくなり、電圧検出値に変動が発生するという課題がある。
具体的には、NBTIとは、MOSトランジスターにおいて、ゲート電圧に対して負の基板バイアスが掛かった状態で高温になると次第に閾値電圧(Vth)が変化する現象である。ゲート電圧が異なれば基板バイアスも異なるため閾値電圧の変化も異なることになる。また、ホットキャリアはドレイン付近の電界によってゲート酸化膜にキャリアが注入される現象であり、そのキャリア注入によって閾値電圧(Vth)が変化する。ゲート電圧が異なればドレイン付近の電界強度も異なるため、閾値電圧の変化も異なることになる。このようにして、差動対に長時間異なる電圧が印加されていると、閾値電圧の変化が異なるため入力オフセットが次第に変化することになる。
3.電圧検出回路
3.1.第1構成例
図4(A)〜図7(B)に、上記の課題を解決できる本実施形態の電圧検出回路の構成例を示す。なお本実施形態の電圧検出回路は、過放電検出回路220に限らず、過充電検出回路210や充電判定回路230にも適用できる。また、2次電池110の出力電圧VCCを基準電圧Vrefにより検出する回路(過充電検出回路210、過放電検出回路220)に限らず、太陽電池100の出力電圧PVINの開放電圧を基準電圧Vrefにより検出するソーラー電圧検出回路に適用することも可能である。
ここで各構成例では、間欠動作の動作オフ期間Toffでのスイッチのオン・オフ状態を図示している。また図5は、動作オン期間Tonを含めたスイッチのオン・オフ状態を示す表である。
図4(A)には、電圧検出回路の第1構成例を示す。電圧検出回路は、第1入力端子INPの電圧と第2入力端子INMの電圧とを比較する比較回路20と、第1電圧V1と第2電圧V2とを受けて、比較回路20の第1入力端子INPの電圧VPと第2入力端子INMの電圧VMとを設定するスイッチ回路10と、を含む。
スイッチ回路10は、第1電圧V1のノードと第1入力端子INPとの間に設けられるスイッチ素子SWAと、第2電圧V2のノードと第2入力端子INMとの間に設けられるスイッチ素子SWBと、第1入力端子INPと第2入力端子INMとの間に設けられるスイッチ素子SWCと、を含む。これらのスイッチ素子SWA〜SWCは、制御回路200によりオン・オフ制御され、例えばP型又はN型のトランジスター或はそれらを組み合わせたトランスファーゲートにより実現できる。なお、ノードや端子とスイッチ素子との間には、更に他の回路素子が設けられていてもよい。例えば後述する図8に示すように、スイッチ素子SWAと第1入力端子INPとの間に電圧分割回路40の抵抗素子RAが設けられてもよい。
比較回路20は、ヒステリシス付きのコンパレーターである。即ち、第1入力端子INPの電圧VPが上から下に第2入力端子INMの電圧VMを通過する場合には、第1閾値(例えばオフセット無し)で比較結果Voutがハイレベルからローレベルになる。一方、第1入力端子INPの電圧VPが下から上に第2入力端子INMの電圧VMを通過する場合には、第1閾値よりも高い第2閾値(例えば所定オフセット)で比較結果Voutがローレベルからハイレベルになる。このようにヒステリシスを付けることで、電圧VPと電圧VMが近い場合であっても頻繁に比較結果Voutが反転しなくなり、ノイズに影響され難い安定的な電圧比較が可能となる。
図5を用いて、上記構成例の動作について説明する。なお記号“−”は各構成例において存在しないスイッチ素子を表す。図5の表の1Aに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWA、SWCがオンになり、スイッチ素子SWBがオフになる。そのため、第1入力端子INP及び第2入力端子INMは同一の第1電圧V1に設定される。このようにして動作オフ期間Toffにおいて差動入力を同一電圧に設定することで、入力オフセットの経時的な変化を抑制できる。
一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWA、SWBがオンになり、スイッチ素子SWCがオフになる。そのため、第1入力端子INPの電圧VPは第2電圧V1に設定され、第2入力端子INMの電圧VMは第2電圧V2に設定され、第1電圧V1と第2電圧V2とを比較可能になる。
図4(B)に第1構成例の変形例を示す。なお以下では第1構成例と同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
この変形例では、図5の表の1Bに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWB、SWCがオンになり、スイッチ素子SWAがオフになる。これにより、第1入力端子INP及び第2入力端子INMを同一の第2電圧V2に設定できる。動作オン期間Tonでの動作は第1構成例と同様である。
上記の第1構成例及びその変形例では、電圧検出回路は、第1入力端子INPの電圧VPと第2入力端子INMの電圧VMとを比較する比較回路20と、第1電圧V1と第2電圧V2とが入力され、比較回路20の第1入力端子INPの電圧VPと第2入力端子INMの電圧VMとを設定するスイッチ回路10と、を含む。そして、スイッチ回路10は、電圧比較の動作オン・オフを間欠的に繰り返す間欠動作における動作オフ期間Toffでは、第1入力端子INPの電圧VP及び第2入力端子INMの電圧VMを同電圧に設定し、間欠動作における動作オン期間Tonでは、第1入力端子INPの電圧VPを第1電圧V1に設定し、第2入力端子INMの電圧VMを第2電圧V2に設定する。なお、動作オン期間Tonにおいて、第1入力端子INPの電圧VPを、第1電圧V1を電圧分割した電圧VX=V1×RB/(RA+RB)に設定してもよい(例えば後述する図8の構成における動作オフ期間Toff)。
このようにすれば、間欠動作のうち大部分を占める動作オフ期間Toffにおいて、比較回路20の差動入力に同電圧を入力できる。これにより、NBTIやホットキャリアによる経時的な入力オフセットの変化を抑制できるため、正確な電圧検出を行うことが可能になる。
ここで第1電圧V1と第2電圧V2は、過充電検出回路210や過放電検出回路220では、2次電池110の出力電圧VCCと基準電圧生成回路50の出力電圧である。或は、ソーラー電圧検出回路では、太陽電池100の出力電圧PVINと基準電圧生成回路50の出力電圧である。或は、充電判定回路230では、太陽電池100の出力電圧PVINと2次電池110の出力電圧VCC等である。
また本実施形態では、スイッチ回路10は、動作オフ期間Toffにおいて、第1入力端子INPの電圧VP及び第2入力端子INMの電圧VMを、第1電圧V1又は第2電圧V2に設定する。
具体的には、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWC)を含む。そして、動作オフ期間Toffにおいて、第1スイッチ素子(SWA)及び第2スイッチ素子(SWB)の一方がオンになり、第1スイッチ素子(SWA)及び第2スイッチ素子(SWB)の他方がオフになり、第3スイッチ素子(SWC)がオンになる。
このようにすれば、図4(A)に示すように第1スイッチ素子(SWA)及び第3スイッチ素子(SWC)がオンになることにより差動入力を共に第1電圧V1に設定できる。或は、図4(B)に示すように第2スイッチ素子(SWB)及び第3スイッチ素子(SWC)がオンになることにより差動入力を共に第2電圧V2に設定できる。
3.2.第2構成例
図6(A)に本実施形態の電圧検出回路の第2構成例を示す。この構成例のスイッチ回路10は、スイッチ素子SWA〜SWCと、第2入力端子INMとグランド電圧のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWDと、を含む。
図5の表の2Aに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWA、SWBがオフになり、スイッチ素子SWC、SWDがオンになる。これにより、第1入力端子INP及び第2入力端子INMを同一のグランド電圧に設定できる。一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWA、SWBがオンになり、スイッチ素子SWC、SWDがオフになる。
なおスイッチ素子SWDではなく、第1入力端子INPとグランド電圧のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWEが設けられてもよい。この場合、図5の表の2Bに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffにおいてスイッチ素子SWEがオンになることで差動入力を同一のグランド電圧に設定できる。
図6(B)に第2構成例の変形例を示す。この変形例のスイッチ回路10は、スイッチ素子SWA〜SWCと、第1入力端子INPと電圧VCCのノードとの間に設けられるスイッチ素子SWFと、を含む。
図5の表の2Cに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWA、SWBがオフになり、スイッチ素子SWC、SWFがオンになる。これにより、第1入力端子INP及び第2入力端子INMを同一の電圧VCCに設定できる。一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWA、SWBがオンになり、スイッチ素子SWC、SWFがオフになる。
なおスイッチ素子SWFではなく、第2入力端子INMと電圧VCCのノードとの間に設けられるスイッチ素子SWGが設けられてもよい。この場合、図5の表の2Dに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffにおいてスイッチ素子SWGがオンになることで差動入力を同一の電圧VCCに設定できる。
上記の第2構成例及びその変形例では、スイッチ回路10は、動作オフ期間Toffにおいて、第1入力端子INPの電圧VP及び第2入力端子INMの電圧VMを、2次電池110の出力電圧VCC又はグランド電圧VSSに設定する。
具体的には、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWC)、第4スイッチ素子(SWD又はSWE又はSWF又はSWG)を含む。そして、動作オフ期間Toffにおいて、第1スイッチ素子(SWA)及び第2スイッチ素子(SWB)がオフになり、第3スイッチ素子(SWC)及び第4スイッチ素子(SWD又はSWE又はSWF又はSWG)がオンになる。
このようにすれば、図6(A)に示すように第3スイッチ素子(SWC)及び第4スイッチ素子(SWD又はSWE)がオンになることにより差動入力を共にグランド電圧VSSに設定できる。或は、図6(B)に示すように第3スイッチ素子(SWC)及び第4スイッチ素子(SWF又はSWG)がオンになることにより差動入力を共に2次電池110の出力電圧VCCに設定できる。
3.3.第3構成例
図7(A)に本実施形態の電圧検出回路の第3構成例を示す。この構成例のスイッチ回路10は、スイッチ素子SWA、SWBと、第2入力端子INMとグランド電圧のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWDと、第1入力端子INPとグランド電圧のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWEと、を含む。
図5の表の3Aに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWA、SWBがオフになり、スイッチ素子SWD、SWEがオンになる。これにより、第1入力端子INP及び第2入力端子INMを同一のグランド電圧に設定できる。一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWA、SWBがオンになり、スイッチ素子SWD、SWEがオフになる。
図7(B)に第3構成例の変形例を示す。この変形例のスイッチ回路10は、スイッチ素子SWA、SWBと、第1入力端子INPと電圧VCCのノードとの間に設けられるスイッチ素子SWFと、第2入力端子INMと電圧VCCのノードとの間に設けられるスイッチ素子SWGと、を含む。
図5の表の3Bに示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffではスイッチ素子SWA、SWBがオフになり、スイッチ素子SWF、SWGがオンになる。これにより、第1入力端子INP及び第2入力端子INMを同一の電圧VCCに設定できる。一方、動作オン期間Tonでは、スイッチ素子SWA、SWBがオンになり、スイッチ素子SWF、SWGがオフになる。
上記の第3構成例及びその変形例では、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWE)、第4スイッチ素子(SWD)を含む。或は、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWF)、第4スイッチ素子(SWG)を含む。そして、動作オフ期間Toffにおいて、第1スイッチ素子(SWA)及び第2スイッチ素子(SWB)がオフになり、第3スイッチ素子(SWE又はSWF)及び第4スイッチ素子(SWD又はSWG)がオンになる。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、図7(A)に示すように第3スイッチ素子(SWE)及び第4スイッチ素子(SWD)がオンになることにより差動入力を共にグランド電圧VSSに設定できる。或は、図7(B)に示すように第3スイッチ素子(SWF)及び第4スイッチ素子(SWG)がオンになることにより差動入力を共に2次電池110の出力電圧VCCに設定できる。
4.過放電検出回路
図8〜図10に、過放電検出回路220の詳細な構成例を示す。過放電検出回路220は、スイッチ回路10、比較回路20、基準電圧生成回路50を含む。なお上述の各構成例と同一の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。例えば基準電圧生成回路50は図2と同様の構成で実現できる。
この構成例は、電圧検出回路の第1構成例(図4(A)及び図5の表の1A)に対応し、第1電圧V1は2次電池110の出力電圧VCCであり、第2電圧V2は基準電圧生成回路50の出力電圧である。具体的には、スイッチ回路10は、電圧VCC(第1電圧V1)のノードとノードNAとの間に設けられるスイッチ素子SWAと、ノードNAとノードNCとの間に設けられる電圧分割回路40と、ノードNCとグランド電圧のノードとの間に設けられるスイッチ素子SWHと、基準電圧生成回路50の出力ノード(第2電圧V2のノード)と第2入力端子INMとの間に設けられるスイッチ素子SWBと、第1入力端子INPと第2入力端子INMとの間に設けられるスイッチ素子SWCと、インバーターINAを含む。
図8及び図9に示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffでは、制御回路200は、制御信号IQ=L(“L”はローレベルを表す)とイネーブル信号EN=Lを受けて、スイッチ素子SWA、SWCをオンにし、スイッチ素子SWH、SWBをオフにする。また、基準電圧生成回路50と比較回路20を非動作状態にする。これにより、電圧分割回路40は、第1入力端子INPに接続されるノードNBに対して電圧VCCを出力し、スイッチ素子SWCがオンのため第2入力端子INMも電圧VCCに設定される。なお制御信号IQとイネーブル信号ENは、例えばシステムのマイクロプロセッサー(例えば図16の処理部300)等から入力される。
一方、間欠動作の動作オン期間Tonでは、制御回路200は、制御信号IQ=Lとイネーブル信号EN=H(“H”はハイレベルを表す)を受けて、スイッチ素子SWA、SWH、SWBをオンにし、スイッチ素子SWCをオフにする。また、基準電圧生成回路50と比較回路20を動作状態にする。これにより、電圧分割回路40は、第1入力端子INPに対して分割電圧VX=VCC×RB/(RA+RB)を出力し、基準電圧生成回路50が第2入力端子INMに対して基準電圧Vrefを出力する。そして、比較回路20は、分割電圧VXが基準電圧Vrefを下回っているか否かを判定する。
図10に示すように、動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonに移行する際には、一旦、スイッチ素子SWA、SWBをオンにし、スイッチ素子SWH、SWCをオフにする。このとき、比較回路20の第1入力端子INPの電圧VPは電圧VCCとなり、第2入力端子INMの電圧VMは基準電圧Vrefとなる(即ちVP>VM)。このようにするのは、比較回路20のヒステリシスによる誤検出を避けるためである。即ち、過放電検出においては、2次電池110の出力電圧VCC(の分割電圧VX)が基準電圧Vrefを上から下に通過するのを検出している。そのため、一旦図10のような状態(VP>VM)としてからスイッチ素子SWHをオンにして第1入力端子INPに分割電圧VXを入力することで、第1入力端子INPの電圧VPが第2入力端子INMの電圧VMよりも高い状態から電圧比較を始め、必ずヒステリシスの下側の第1閾値で電圧検出するようにできる。
なお図9に示すように、電圧検出を行わない非動作状態(例えば保護回路160のパワーダウン状態)では、制御回路200は制御信号IQ=Hを受けて、スイッチ素子SWA、SWCをオフにし、スイッチ素子SWH、SWBをオンにする。この場合、比較回路20の第1入力端子INP及び第2入力端子INMはグランド電圧に設定される。即ち、図2に示す基準電圧生成回路50の構成例では、トランジスターTPAがオフになり、トランジスターTNCがオンになり、基準電圧生成回路50はグランド電圧を出力するので、比較回路20の第2入力端子INMはグランド電圧に設定される。
上記の構成例では、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWC)、第4スイッチ素子(SWH)を含む。そして、動作オフ期間Toffにおいて、第1スイッチ素子(SWA)と第3スイッチ素子(SWC)がオンになり、第2スイッチ素子(SWB)と第4スイッチ素子(SWH)がオフになる。
このようにすれば、間欠動作の動作オフ期間において、図8に示すように第1スイッチ素子(SWA)及び第3スイッチ素子(SWC)がオンになることにより差動入力を共に2次電池110の出力電圧VCC(第1電圧V1)に設定できる。これにより、NBTIやホットキャリアによる比較回路20の入力オフセットの経時的な変化を抑制できる。
5.ソーラー電圧検出回路
図8の構成は、太陽電池100の出力電圧PVINを検出するソーラー電圧検出回路に適用することも可能である。図11に、そのソーラー電圧検出回路の詳細な構成例を示す。回路構成については図8と同様であるため説明を省略する。なお、この構成例は、電圧検出回路の第2構成例の変形例(図5の表の2B)に対応し、スイッチ素子SWHは図5の表のスイッチ素子SWEに対応する。
図12に動作説明図を示す。間欠動作の動作オフ期間Toffでは、スイッチ素子SWA、SWBがオフになり、スイッチ素子SWC、SWHがオンになるため、比較回路20の第1入力端子INPの電圧VP及び第2入力端子INMの電圧VMは共にグランド電圧VSSとなる。
動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonに移行する際には、まず充電制御回路150が太陽電池100と2次電池110を切断し、太陽電池100の出力を開放する。太陽電池100と2次電池110が接続された状態では太陽電池100の出力電圧PVINは2次電池110の出力電圧VCCとほぼ同一となっており、太陽電池100の出力が開放されると、電圧PVINは次第に開放電圧に漸近する。開放電圧は、電圧VCCよりも高い(図12に示すPVINの実線)場合もあれば、低い(点線)場合もある。開放電圧に達するのに時間が掛かるのは、例えばソーラーセルとそれを覆うケースとの間の寄生容量を充電するためである。例えばシステムが時計である場合には、ソーラーセルを覆う文字盤との間に寄生容量が生じ、その文字盤で覆われることによって光量が低下するため充電に時間が掛かることになる。
動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonへの移行期間TMでは、スイッチ素子SWA、SWB、SWHをオンにし、スイッチ素子SWCをオフにする。基準電圧生成回路50と比較回路20は非動作状態を維持する。このとき、第1入力端子INPの電圧VPは太陽電池100の出力電圧PVINの分割電圧となり、第2入力端子INMの電圧VMはグランド電圧VSSとなる。そのため、電圧PVINがどのような電圧であってもVP>VMとなる。
そして、電圧PVINが開放電圧に十分近づいてから動作オン期間Tonにし、基準電圧生成回路50と比較回路20を動作状態にし、第2入力端子INMの電圧VMを基準電圧Vrefにする。そうすると、第1入力端子INPの電圧VPが第2入力端子INMの電圧VMを上から下に通過する場合を必ず検出できることになり、比較回路20のヒステリシスによる検出誤差を防ぐことができる。なお移行期間TMの長さは、例えば電圧PVINが開放電圧となるために十分な期間を製品毎に予め設定しておけばよい。
上記の構成例によれば、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(SWC)、第4スイッチ素子(SWH)を含む。図12で説明したように、動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonに移る際に、第1スイッチ素子(SWA)がオンになった後(移行期間TMの経過後)に、比較回路20及び基準電圧生成回路50が動作状態に設定される。
このようにすれば、上述のように太陽電池100の開放電圧が基準電圧Vrefを上から下に通過する場合を必ず検出でき、比較回路20のヒステリシスによる検出誤差を防ぐことができる。また、このようなタイムラグを設けることで、太陽電池100の出力電圧PVINが開放電圧に十分近づく時間を確保でき、正確な開放電圧の検出が可能になる。
6.充電判定回路
図13〜図15に、充電判定回路230の詳細な構成例を示す。充電判定回路230は、スイッチ回路10、比較回路20を含む。
この構成例は、電圧検出回路の第3構成例(図7(A)及び図5の表の3A)に対応し、トランジスターTRA、TRBはそれぞれスイッチ素子SWE、SWDに対応する。第1電圧V1は太陽電池100の出力電圧PVINであり、第2電圧V2は2次電池110の出力電圧VCCである。
具体的には、スイッチ回路10は、電圧PVIN(第1電圧V1)のノードと第1入力端子INPとの間に設けられるスイッチ素子SWAと、電圧VCC(第2電圧V2)のノードと第2入力端子INMとの間に設けられるスイッチ素子SWBと、第1入力端子INPとグランド電圧のノードとの間に設けられるトランジスターTRAと、第2入力端子INMとグランド電圧のノードとの間に設けられるトランジスターTRBと、インバーターINB、INCと、を含む。
スイッチ素子SWAとトランジスターTRAはイネーブル信号EN2によりオン・オフ制御され、スイッチ素子SWBとトランジスターTRBはイネーブル信号EN1によりオン・オフ制御される。また比較回路20はイネーブル信号EN3により動作状態と非動作状態が切り替え制御される。これらのイネーブル信号EN1〜EN3は、制御回路200から入力される。
図14及び図15に示すように、間欠動作の動作オフ期間Toffでは、スイッチ素子SWA、SWBがオフになり、トランジスターTRA、TRBがオンになる。このとき、比較回路20の第1入力端子INP及び第2入力端子INMは共にグランド電圧VSSに設定される。
動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonに以降する際には、まずイネーブル信号EN1がローレベルからハイレベルに変化する。このとき、太陽電池100の出力が開放となり、電圧PVINが開放電圧に漸近する。また、スイッチ素子SWBがオンになり、トランジスターTRBがオフになり、比較回路20の第2入力端子INMの電圧VMが2次電池110の出力電圧VCCに設定される。第1入力端子INPの電圧VPはグランド電圧VSSのままなので、移行期間TMではVP<VMである。
そして、電圧PVINが十分に開放電圧に近づいてからイネーブル信号EN2をローレベルからハイレベルに変化させる。このとき、スイッチ素子SWAがオンになり、トランジスターTRAがオフになり、比較回路20の第1入力端子INPの電圧VPは電圧PVINに設定される。移行期間TMではVP<VMなので、第1入力端子INPの電圧VPが第2入力端子INMの電圧VMを下から上に通過する場合を必ず検出できることになる。充電判定では、PVIN>VCCとなったことを検出して充電を開始するため、PVINがVCCを越えるときの検出電圧にヒステリシスによる誤差が出ないように下から上に通過する場合を検出している。
上記の構成例では、スイッチ回路10は、第1スイッチ素子(SWA)、第2スイッチ素子(SWB)、第3スイッチ素子(TRA)、第4スイッチ素子(TRB)を含む。そして、図15で説明したように、動作オフ期間Toffから動作オン期間Tonに移る際に、第2スイッチ素子(SWB)がオンになった後(移行期間TMの経過後)に、第1スイッチ素子(SWA)がオンになる。
このようにすれば、上述のように太陽電池100の開放電圧が2次電池110の出力電圧VCCを下から上に通過する場合を必ず検出でき、比較回路20のヒステリシスによる検出誤差を防ぐことができる。
7.電子機器
図16に、上記の電圧検出回路を適用できる電子機器の構成例を示す。電子機器は、処理部300、記憶部310、操作部320、入出力部330、保護回路160、それらを接続するバス340、太陽電池100、2次電池110を含む。例えば電子機器としては、ソーラーパネルを備えた腕時計等を想定できる。
処理部300が保護回路160に対して電圧検出の開始を指示すると、保護回路160が間欠動作を行って太陽電池100の出力電圧PVINや2次電池110の出力電圧VCCを検出し、その検出結果に基づいて充電制御や放電制御を行う。また保護回路160は、検出結果を処理部300へ転送してもよい。例えば処理部300は、過放電状態が検出された場合にシステムをパワーダウンする処理を行ってもよい。記憶部310は、処理部300のワーキングメモリーである。或は、処理部300の処理に必要な情報を記憶しておいてもよい。操作部320は、ユーザーからの操作を受け付けるものである。入出力部330は、外部とのデーターの入出力等を行う。例えば腕時計の場合には、時刻等の情報を表示する表示部であってもよい。
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また電圧検出回路、保護回路、電源回路、電子機器の構成・動作や、間欠動作における制御手法等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
10 スイッチ回路、20 比較回路、40 電圧分割回路、
50 基準電圧生成回路、100 太陽電池、110 2次電池、
140 放電制御回路、150 充電制御回路、160 保護回路、
200 制御回路、210 過充電検出回路、220 過放電検出回路、
230 充電判定回路、300 処理部、310 記憶部、
320 操作部、330 入出力部、340 バス、
EN,EN1〜EN3 イネーブル信号、INA〜INC インバーター、
INM 第2入力端子、INP 第1入力端子、IQ 制御信号、
PVIN 太陽電池の出力電圧、RA,RB 抵抗素子、
SWA〜SWH,SWN スイッチ素子、TM 移行期間、
TNA〜TNC トランジスター、Toff 動作オフ期間、
Ton 動作オン期間、TPA,TRA,TRB トランジスター、
V1 第1電圧、V2 第2電圧、VCC 2次電池の出力電圧、
VM 第2入力端子の電圧、Vout 比較結果、
VP 第1入力端子の電圧、Vref 基準電圧、
VSS グランド電圧、VX 分割電圧

Claims (7)

  1. 第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧とを比較する比較回路と、
    第1電圧と第2電圧とが入力され、前記比較回路の前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧とを設定するスイッチ回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路は、
    前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、
    前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、
    前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、
    2次電池の出力電圧のノードと前記第1入力端子との間、又はグランド電圧のノードと前記第1入力端子との間、又は前記2次電池の出力電圧のノードと前記第2入力端子との間、又は前記グランド電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、
    を有し、
    電圧比較の動作オン・オフを間欠的に繰り返す間欠動作における動作オフ期間では、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を前記2次電池の出力電圧又は前記グランド電圧に設定し、
    前記間欠動作における動作オン期間では、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになることにより、前記第1入力端子の電圧を、前記第1電圧又は前記第1電圧を電圧分割した電圧に設定し、前記第2入力端子の電圧を、前記第2電圧に設定することを特徴とする電圧検出回路。
  2. 第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧とを比較する比較回路と、
    第1電圧と第2電圧とが入力され、前記比較回路の前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧とを設定するスイッチ回路と、
    基準電圧を生成する基準電圧生成回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として前記基準電圧生成回路の出力電圧が入力され、
    前記スイッチ回路は、
    前記第1電圧とグランド電圧との間を電圧分割する電圧分割回路と、
    前記第1電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第1スイッチ素子と、
    前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、
    前記第1入力端子と前記第2入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、
    前記グランド電圧のノードと前記電圧分割回路との間に設けられる第4スイッチ素子と、
    を有し、
    前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子がオフになると共に前記第4スイッチ素子がオンになることにより前記電圧分割回路が前記グランド電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子がオンになることにより、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を、2次電池の出力電圧又は前記グランド電圧に設定し、
    前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより前記電圧分割回路が前記第1電圧を電圧分割した電圧を前記第1入力端子へ出力し、前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子がオフになり、
    前記動作オフ期間において、前記比較回路及び前記基準電圧生成回路は非動作状態に設定され、
    前記動作オフ期間から前記動作オン期間に移る際に、前記第1スイッチ素子がオンになった後に、前記比較回路及び前記基準電圧生成回路が動作状態に設定されることを特徴とする電圧検出回路。
  3. 請求項1または2において、
    基準電圧を生成する基準電圧生成回路を含み、
    前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として前記基準電圧生成回路の出力電圧が入力されることを特徴とする電圧検出回路。
  4. 第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧とを比較する比較回路と、
    第1電圧と第2電圧とが入力され、前記比較回路の前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧とを設定するスイッチ回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として2次電池の出力電圧が入力され、
    前記スイッチ回路は、
    前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、
    前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、
    前記2次電池の出力電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、
    前記2次電池の出力電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、
    を有し、
    前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を、前記2次電池の出力電圧又はグランド電圧に設定し、
    前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになることを特徴とする電圧検出回路。
  5. 第1入力端子の電圧と第2入力端子の電圧とを比較する比較回路と、
    第1電圧と第2電圧とが入力され、前記比較回路の前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧とを設定するスイッチ回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路には、前記第1電圧として太陽電池の開放電圧が入力され、前記第2電圧として2次電池の出力電圧が入力され、
    前記スイッチ回路は、
    前記第1電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第1スイッチ素子と、
    前記第2電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第2スイッチ素子と、
    グランド電圧のノードと前記第1入力端子との間に設けられる第3スイッチ素子と、
    前記グランド電圧のノードと前記第2入力端子との間に設けられる第4スイッチ素子と、
    を有し、
    前記動作オフ期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオフになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオンになることにより、前記第1入力端子の電圧及び前記第2入力端子の電圧を、前記2次電池の出力電圧又は前記グランド電圧に設定し、
    前記動作オン期間において、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子がオンになり、前記第3スイッチ素子及び前記第4スイッチ素子がオフになることを特徴とする電圧検出回路。
  6. 請求項において
    前記動作オフ期間から前記動作オン期間に移る際に、前記第2スイッチ素子がオンになった後に、前記第1スイッチ素子がオンになることを特徴とする電圧検出回路。
  7. 請求項1乃至6のいずれかに記載された電圧検出回路を含むことを特徴とする電子機器。
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