JP2002010518A - 過充電防止装置 - Google Patents
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Abstract
(57)【要約】
【課題】過充電防止動作時であっても周囲環境の明るさ
の明暗判定を行うことができ、また、二次電池電圧が過
充電検出回路の動作可能下限電圧未満であっても誤動作
することのない過充電防止装置を提供すること。 【解決手段】過充電検出回路３と、クランプ回路５と、
逆流防止ダイオード２とを備え、過充電検出回路３は、
コンパレータ３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、基準電
圧発生回路３４とを備え、クランプ回路５は、コンパレ
ータ５１と、基準電圧発生回路５２と、ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５３と、抵抗５４とを備えている。
の明暗判定を行うことができ、また、二次電池電圧が過
充電検出回路の動作可能下限電圧未満であっても誤動作
することのない過充電防止装置を提供すること。 【解決手段】過充電検出回路３と、クランプ回路５と、
逆流防止ダイオード２とを備え、過充電検出回路３は、
コンパレータ３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、基準電
圧発生回路３４とを備え、クランプ回路５は、コンパレ
ータ５１と、基準電圧発生回路５２と、ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５３と、抵抗５４とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二次電池の過充電
防止装置に関し、特に太陽電池により二次電池を充電す
るとき有用な過充電防止装置に関する。
防止装置に関し、特に太陽電池により二次電池を充電す
るとき有用な過充電防止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池から二次電池を充電する
システムにおいて、二次電池の過充電による破壊を防止
するために、図５に示した過充電防止装置が知られてい
る。従来例の過充電防止装置は、過充電検出回路３と、
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１００と、逆流防止ダイ
オード２とを備え、過充電検出回路３は、コンパレータ
３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、基準電圧発生回路３
４とを備えている。二次電池４の低電位側端子は、低電
位側電源ラインＶＳＳに接続され、二次電池４の高電位
側端子は、高電位側電源ラインＶＤＤに接続されてい
る。以降、低電位側電源ラインＶＳＳの電圧を各部電圧
の基準電位とする。太陽電池１の低電位側端子は、低電
位側電源ラインＶＳＳに接続され、太陽電池１の高電位
側端子は、逆流防止ダイオード２のアノード端子に接続
され、ダイオード２のカソード端子は、高電位側電源ラ
インＶＤＤに接続されている。高電位側電源ラインＶＤ
Ｄと低電位側電源ラインＶＳＳとの間に直列接続された
抵抗３２及び抵抗３３によりＶＤＤ電圧を抵抗分圧した
検出電圧ＶＳが生成され、基準電圧発生回路３４は、高
電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ラインＶＳＳと
の間に接続され、一定の判定電圧ＶＭを生成する。トラ
ンジスタ１００のソース端子及びバックゲート端子は、
低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、トランジスタ１
００のドレイン端子は、太陽電池１の高電位側端子に接
続され、即ちトランジスタ１００のソースドレイン路が
太陽電池１に並列接続されている。コンパレータ３１
は、二次電池４を電源とし、非反転入力端子には検出電
圧ＶＳが入力され、反転入力端子には判定電圧ＶＭが入
力され、出力端子から過充電検出信号ＰＯを出力する。
検出電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ以上であるとき過充電検出
信号ＰＯはＶＤＤ電圧に近い高レベル電圧となり、検出
電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ未満であるとき過充電検出信号
ＰＯはＶＳＳ電圧に近い低レベル電圧となる。過充電検
出信号ＰＯはトランジスタ１００のゲート端子に与えら
れ、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧のときトランジ
スタ１００はオン制御され、過充電検出信号ＰＯが低レ
ベル電圧のときトランジスタ１００はオフ制御される。
トランジスタ１００がオン状態になると太陽電池１が短
絡される。ここで、判定電圧ＶＭ、抵抗３２及び抵抗３
３の抵抗値は、ＶＤＤ電圧が充電完了時の上限電圧ＶＨ
に達したとき、検出電圧ＶＳと判定電圧ＶＭとが等しく
なるように設定される。
システムにおいて、二次電池の過充電による破壊を防止
するために、図５に示した過充電防止装置が知られてい
る。従来例の過充電防止装置は、過充電検出回路３と、
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１００と、逆流防止ダイ
オード２とを備え、過充電検出回路３は、コンパレータ
３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、基準電圧発生回路３
４とを備えている。二次電池４の低電位側端子は、低電
位側電源ラインＶＳＳに接続され、二次電池４の高電位
側端子は、高電位側電源ラインＶＤＤに接続されてい
る。以降、低電位側電源ラインＶＳＳの電圧を各部電圧
の基準電位とする。太陽電池１の低電位側端子は、低電
位側電源ラインＶＳＳに接続され、太陽電池１の高電位
側端子は、逆流防止ダイオード２のアノード端子に接続
され、ダイオード２のカソード端子は、高電位側電源ラ
インＶＤＤに接続されている。高電位側電源ラインＶＤ
Ｄと低電位側電源ラインＶＳＳとの間に直列接続された
抵抗３２及び抵抗３３によりＶＤＤ電圧を抵抗分圧した
検出電圧ＶＳが生成され、基準電圧発生回路３４は、高
電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ラインＶＳＳと
の間に接続され、一定の判定電圧ＶＭを生成する。トラ
ンジスタ１００のソース端子及びバックゲート端子は、
低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、トランジスタ１
００のドレイン端子は、太陽電池１の高電位側端子に接
続され、即ちトランジスタ１００のソースドレイン路が
太陽電池１に並列接続されている。コンパレータ３１
は、二次電池４を電源とし、非反転入力端子には検出電
圧ＶＳが入力され、反転入力端子には判定電圧ＶＭが入
力され、出力端子から過充電検出信号ＰＯを出力する。
検出電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ以上であるとき過充電検出
信号ＰＯはＶＤＤ電圧に近い高レベル電圧となり、検出
電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ未満であるとき過充電検出信号
ＰＯはＶＳＳ電圧に近い低レベル電圧となる。過充電検
出信号ＰＯはトランジスタ１００のゲート端子に与えら
れ、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧のときトランジ
スタ１００はオン制御され、過充電検出信号ＰＯが低レ
ベル電圧のときトランジスタ１００はオフ制御される。
トランジスタ１００がオン状態になると太陽電池１が短
絡される。ここで、判定電圧ＶＭ、抵抗３２及び抵抗３
３の抵抗値は、ＶＤＤ電圧が充電完了時の上限電圧ＶＨ
に達したとき、検出電圧ＶＳと判定電圧ＶＭとが等しく
なるように設定される。
【０００３】次に動作を説明する。図６は従来例の過充
電防止装置の動作説明図である。先ず時刻ｔ０から、太
陽電池１の出力電圧ＶＳＣにより順バイアスの逆流防止
ダイオード２を介して完全放電状態にある二次電池４の
充電が開始される。ここで、ダイオード２の順方向電圧
降下をＶＦとする。次に時刻ｔ２において、二次電池４
の充電が完了しコンパレータ３１がＶＤＤ電圧が上限電
圧ＶＨに達したことを検出すると、トランジスタ１００
がオン状態となって太陽電池１が短絡され、太陽電池１
の出力電圧は略０Ｖ一定であるトランジスタ１００のド
レインソース間オン電圧と等しくなり、逆流防止ダイオ
ード２が逆バイアス状態となって二次電池４から太陽電
池１への放電を防ぎ、充電が停止され、過充電が防止さ
れる。
電防止装置の動作説明図である。先ず時刻ｔ０から、太
陽電池１の出力電圧ＶＳＣにより順バイアスの逆流防止
ダイオード２を介して完全放電状態にある二次電池４の
充電が開始される。ここで、ダイオード２の順方向電圧
降下をＶＦとする。次に時刻ｔ２において、二次電池４
の充電が完了しコンパレータ３１がＶＤＤ電圧が上限電
圧ＶＨに達したことを検出すると、トランジスタ１００
がオン状態となって太陽電池１が短絡され、太陽電池１
の出力電圧は略０Ｖ一定であるトランジスタ１００のド
レインソース間オン電圧と等しくなり、逆流防止ダイオ
ード２が逆バイアス状態となって二次電池４から太陽電
池１への放電を防ぎ、充電が停止され、過充電が防止さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示す従
来例の過充電防止装置においては、時刻ｔ２において過
充電検出回路３が太陽電池１を短絡させると、太陽電池
１の出力電圧ＶＳＣは略０Ｖ一定であるトランジスタ１
００のドレインソース間オン電圧となってしまうため、
この状態では、光量に比例して太陽電池１の出力電流が
増加する特性を利用し周囲環境の明るさを判定する明暗
判定を行うことができないという問題がある。また、コ
ンパレータ３１及び基準電圧発生回路３４は、正常動作
することができる最低ＶＤＤ電圧即ち動作可能下限電圧
ＶＬ未満のときは正常動作しないため、時刻ｔ０からＶ
ＤＤ電圧が電圧ＶＬに達する時刻ｔ１までは、過充電検
出信号ＰＯは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な電圧レベ
ルとなり、トランジスタ１００が誤動作によりオン制御
されてしまう問題点があり、場合によってはオン状態が
継続し、以降の充電が停止してしまうこともあった。さ
らに、この誤動作を防ぐために通常のＮチャネルＭＯＳ
トランジスタより閾値電圧の高い特殊プロセスによるト
ランジスタを使用しようとすると、閾値電圧が高い分太
陽電池１の短絡電流を流しきるための素子サイズをより
大きくしなければならず、半導体集積回路化する場合、
チップ面積が増加してしまうという新たな問題点が発生
する。
来例の過充電防止装置においては、時刻ｔ２において過
充電検出回路３が太陽電池１を短絡させると、太陽電池
１の出力電圧ＶＳＣは略０Ｖ一定であるトランジスタ１
００のドレインソース間オン電圧となってしまうため、
この状態では、光量に比例して太陽電池１の出力電流が
増加する特性を利用し周囲環境の明るさを判定する明暗
判定を行うことができないという問題がある。また、コ
ンパレータ３１及び基準電圧発生回路３４は、正常動作
することができる最低ＶＤＤ電圧即ち動作可能下限電圧
ＶＬ未満のときは正常動作しないため、時刻ｔ０からＶ
ＤＤ電圧が電圧ＶＬに達する時刻ｔ１までは、過充電検
出信号ＰＯは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な電圧レベ
ルとなり、トランジスタ１００が誤動作によりオン制御
されてしまう問題点があり、場合によってはオン状態が
継続し、以降の充電が停止してしまうこともあった。さ
らに、この誤動作を防ぐために通常のＮチャネルＭＯＳ
トランジスタより閾値電圧の高い特殊プロセスによるト
ランジスタを使用しようとすると、閾値電圧が高い分太
陽電池１の短絡電流を流しきるための素子サイズをより
大きくしなければならず、半導体集積回路化する場合、
チップ面積が増加してしまうという新たな問題点が発生
する。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、過充電防止動作時であっても周囲環境の
明るさの明暗判定を行うことができ、また、二次電池電
圧が過充電検出回路の動作可能下限電圧未満であっても
誤動作することのない過充電防止装置を提供することに
ある。
ものであって、過充電防止動作時であっても周囲環境の
明るさの明暗判定を行うことができ、また、二次電池電
圧が過充電検出回路の動作可能下限電圧未満であっても
誤動作することのない過充電防止装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の過充電防止装置
は、太陽電池により充電される二次電池を電源とし前記
二次電池の電圧が上限電圧に達したことを検出し過充電
検出信号を出力する過充電検出回路と、前記過充電検出
信号を受け前記太陽電池の出力電圧を任意の設定電圧に
クランプするクランプ回路と、前記二次電池から前記太
陽電池への放電を防ぐ逆流防止ダイオードとを備えるこ
とを特徴とする。
は、太陽電池により充電される二次電池を電源とし前記
二次電池の電圧が上限電圧に達したことを検出し過充電
検出信号を出力する過充電検出回路と、前記過充電検出
信号を受け前記太陽電池の出力電圧を任意の設定電圧に
クランプするクランプ回路と、前記二次電池から前記太
陽電池への放電を防ぐ逆流防止ダイオードとを備えるこ
とを特徴とする。
【０００７】また、前記クランプ回路は、ソースドレイ
ン路が前記太陽電池に並列接続されたトランジスタと、
一方の入力端子に前記設定電圧が入力され他方の入力端
子に前記出力電圧が入力され出力端子が前記トランジス
タのゲート端子に接続され前記過充電検出信号により能
動状態となって前記出力電圧が前記設定電圧と等しくな
るように前記トランジスタを負帰還制御するコンパレー
タと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との
間に接続された導電手段とを備えることを特徴とする。
ン路が前記太陽電池に並列接続されたトランジスタと、
一方の入力端子に前記設定電圧が入力され他方の入力端
子に前記出力電圧が入力され出力端子が前記トランジス
タのゲート端子に接続され前記過充電検出信号により能
動状態となって前記出力電圧が前記設定電圧と等しくな
るように前記トランジスタを負帰還制御するコンパレー
タと、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との
間に接続された導電手段とを備えることを特徴とする。
【０００８】また、前記導電手段は、抵抗であることを
特徴とする。
特徴とする。
【０００９】また、前記導電手段は、前記過充電検出信
号のレベルに従ってソースドレイン路のオン抵抗が変化
するプルダウントランジスタであることを特徴とする。
号のレベルに従ってソースドレイン路のオン抵抗が変化
するプルダウントランジスタであることを特徴とする。
【００１０】また、前記プルダウントランジスタは、前
記二次電池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限
電圧未満のときであってもオン状態となるように閾値電
圧が設定されることを特徴とする。
記二次電池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限
電圧未満のときであってもオン状態となるように閾値電
圧が設定されることを特徴とする。
【００１１】また、前記コンパレータは、前記設定電圧
及び前記出力電圧が入力される差動対と、前記差動対の
負荷回路と、前記差動対にバイアス電流を供給し前記過
充電検出信号のレベルに従ってオンオフ制御される電流
源トランジスタとを備えることを特徴とする。
及び前記出力電圧が入力される差動対と、前記差動対の
負荷回路と、前記差動対にバイアス電流を供給し前記過
充電検出信号のレベルに従ってオンオフ制御される電流
源トランジスタとを備えることを特徴とする。
【００１２】また、前記電流源トランジスタは、前記二
次電池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限電圧
未満のときはオフ状態となるように閾値電圧が設定され
ることを特徴とする。
次電池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限電圧
未満のときはオフ状態となるように閾値電圧が設定され
ることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態の過充
電防止装置の構成を図面を参照して説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態の過充電防止装置の構成図で
ある。図１に示すように、本発明の第１の実施の形態の
過充電防止装置は、過充電検出回路３と、クランプ回路
５と、逆流防止ダイオード２とを備え、過充電検出回路
３は、コンパレータ３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、
基準電圧発生回路３４とを備え、クランプ回路５は、コ
ンパレータ５１と、基準電圧発生回路５２と、Ｎチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５３と、抵抗５４とを備えてい
る。
電防止装置の構成を図面を参照して説明する。図１は、
本発明の第１の実施の形態の過充電防止装置の構成図で
ある。図１に示すように、本発明の第１の実施の形態の
過充電防止装置は、過充電検出回路３と、クランプ回路
５と、逆流防止ダイオード２とを備え、過充電検出回路
３は、コンパレータ３１と、抵抗３２と、抵抗３３と、
基準電圧発生回路３４とを備え、クランプ回路５は、コ
ンパレータ５１と、基準電圧発生回路５２と、Ｎチャネ
ルＭＯＳトランジスタ５３と、抵抗５４とを備えてい
る。
【００１４】二次電池４の低電位側端子は、低電位側電
源ラインＶＳＳに接続され、二次電池４の高電位側端子
は、高電位側電源ラインＶＤＤに接続されている。
源ラインＶＳＳに接続され、二次電池４の高電位側端子
は、高電位側電源ラインＶＤＤに接続されている。
【００１５】太陽電池１の低電位側端子は、低電位側電
源ラインＶＳＳに接続され、太陽電池１の高電位側端子
は、逆流防止ダイオード２のアノード端子に接続され、
ダイオード２のカソード端子は、高電位側電源ラインＶ
ＤＤに接続されている。
源ラインＶＳＳに接続され、太陽電池１の高電位側端子
は、逆流防止ダイオード２のアノード端子に接続され、
ダイオード２のカソード端子は、高電位側電源ラインＶ
ＤＤに接続されている。
【００１６】過充電検出回路３は、太陽電池１により充
電される二次電池４を電源とし二次電池４の電圧が上限
電圧ＶＨに達したことを検出し過充電検出信号ＰＯを出
力する。
電される二次電池４を電源とし二次電池４の電圧が上限
電圧ＶＨに達したことを検出し過充電検出信号ＰＯを出
力する。
【００１７】過充電検出回路３において、高電位側電源
ラインＶＤＤと低電位側電源ラインＶＳＳとの間に直列
接続された抵抗３２及び抵抗３３によりＶＤＤ電圧を抵
抗分圧した検出電圧ＶＳが生成され、基準電圧発生回路
３４は、高電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ライ
ンＶＳＳとの間に接続され、一定の判定電圧ＶＭを生成
する。
ラインＶＤＤと低電位側電源ラインＶＳＳとの間に直列
接続された抵抗３２及び抵抗３３によりＶＤＤ電圧を抵
抗分圧した検出電圧ＶＳが生成され、基準電圧発生回路
３４は、高電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ライ
ンＶＳＳとの間に接続され、一定の判定電圧ＶＭを生成
する。
【００１８】コンパレータ３１は、二次電池４を電源と
し、非反転入力端子には検出電圧ＶＳが入力され、反転
入力端子には判定電圧ＶＭが入力され、出力端子から過
充電検出信号ＰＯを出力する。検出電圧ＶＳが判定電圧
ＶＭ以上であるとき過充電検出信号ＰＯはＶＤＤ電圧に
近い高レベル電圧となり、検出電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ
未満であるとき過充電検出信号ＰＯはＶＳＳ電圧に近い
低レベル電圧となる。
し、非反転入力端子には検出電圧ＶＳが入力され、反転
入力端子には判定電圧ＶＭが入力され、出力端子から過
充電検出信号ＰＯを出力する。検出電圧ＶＳが判定電圧
ＶＭ以上であるとき過充電検出信号ＰＯはＶＤＤ電圧に
近い高レベル電圧となり、検出電圧ＶＳが判定電圧ＶＭ
未満であるとき過充電検出信号ＰＯはＶＳＳ電圧に近い
低レベル電圧となる。
【００１９】コンパレータ３１及び基準電圧発生回路３
４は、正常動作することができる最低ＶＤＤ電圧即ち動
作可能下限電圧ＶＬ未満のときは正常動作しないため、
過充電検出信号ＰＯは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な
電圧レベルとなる。
４は、正常動作することができる最低ＶＤＤ電圧即ち動
作可能下限電圧ＶＬ未満のときは正常動作しないため、
過充電検出信号ＰＯは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な
電圧レベルとなる。
【００２０】ここで、判定電圧ＶＭ、抵抗３２及び抵抗
３３の抵抗値は、ＶＤＤ電圧が充電完了時の上限電圧Ｖ
Ｈに達したとき、検出電圧ＶＳと判定電圧ＶＭとが等し
くなるように設定される。
３３の抵抗値は、ＶＤＤ電圧が充電完了時の上限電圧Ｖ
Ｈに達したとき、検出電圧ＶＳと判定電圧ＶＭとが等し
くなるように設定される。
【００２１】クランプ回路５は、過充電検出信号ＰＯを
受け太陽電池１の出力電圧ＶＳＣを任意の設定電圧にク
ランプする。
受け太陽電池１の出力電圧ＶＳＣを任意の設定電圧にク
ランプする。
【００２２】クランプ回路５において、基準電圧発生回
路５２は、高電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ラ
インＶＳＳとの間に接続され、任意に設定された一定の
クランプ電圧ＶＣを生成する。
路５２は、高電位側電源ラインＶＤＤと低電位側電源ラ
インＶＳＳとの間に接続され、任意に設定された一定の
クランプ電圧ＶＣを生成する。
【００２３】コンパレータ５１は、二次電池４を電源と
し、即ち、高電位側電源端子５１ｄは高電位側電源ライ
ンＶＤＤに接続され、低電位側電源端子５１ｅは低電位
側電源ラインＶＳＳに接続されている。
し、即ち、高電位側電源端子５１ｄは高電位側電源ライ
ンＶＤＤに接続され、低電位側電源端子５１ｅは低電位
側電源ラインＶＳＳに接続されている。
【００２４】コンパレータ５１の非反転入力端子５１ａ
は、太陽電池１の高電位側端子に接続され太陽電池１の
出力電圧ＶＳＣが入力され、反転入力端子５１ｂには、
クランプ電圧ＶＣが入力され、出力端子５１ｃはトラン
ジスタ５３のゲート端子に接続され、イネーブル端子５
１ｆは、過充電検出回路３のコンパレータ３１の出力端
子に接続され、過充電検出信号ＰＯが入力されている。
は、太陽電池１の高電位側端子に接続され太陽電池１の
出力電圧ＶＳＣが入力され、反転入力端子５１ｂには、
クランプ電圧ＶＣが入力され、出力端子５１ｃはトラン
ジスタ５３のゲート端子に接続され、イネーブル端子５
１ｆは、過充電検出回路３のコンパレータ３１の出力端
子に接続され、過充電検出信号ＰＯが入力されている。
【００２５】トランジスタ５３のソース端子及びバック
ゲート端子は、低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、
トランジスタ５３のドレイン端子は、太陽電池１の高電
位側端子に接続され、即ちトランジスタ５３のソースド
レイン路が太陽電池１に並列接続されている。
ゲート端子は、低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、
トランジスタ５３のドレイン端子は、太陽電池１の高電
位側端子に接続され、即ちトランジスタ５３のソースド
レイン路が太陽電池１に並列接続されている。
【００２６】抵抗５４は、導電手段としてトランジスタ
５３のゲート端子とソース端子との間に接続されてい
る。
５３のゲート端子とソース端子との間に接続されてい
る。
【００２７】コンパレータ５１の構成図を図２に示す。
コンパレータ５１は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５
５及び５６と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５７、５
８及び５９とを備えている。
コンパレータ５１は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ５
５及び５６と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５７、５
８及び５９とを備えている。
【００２８】トランジスタ５５及び５６は差動対であ
り、トランジスタ５７及び５８は差動対の負荷回路であ
り、トランジスタ５９は差動対にバイアス電流を供給す
る電流源である。
り、トランジスタ５７及び５８は差動対の負荷回路であ
り、トランジスタ５９は差動対にバイアス電流を供給す
る電流源である。
【００２９】トランジスタ５５のゲート端子は非反転入
力端子５１ａに接続され、トランジスタ５５のバックゲ
ート端子は高電位側電源端子５１ｄに接続され、トラン
ジスタ５５のソース端子はトランジスタ５９のソース端
子に接続され、トランジスタ５５のドレイン端子はトラ
ンジスタ５７のドレイン端子に接続されている。
力端子５１ａに接続され、トランジスタ５５のバックゲ
ート端子は高電位側電源端子５１ｄに接続され、トラン
ジスタ５５のソース端子はトランジスタ５９のソース端
子に接続され、トランジスタ５５のドレイン端子はトラ
ンジスタ５７のドレイン端子に接続されている。
【００３０】トランジスタ５６のゲート端子は反転入力
端子５１ｂに接続され、トランジスタ５６のバックゲー
ト端子は高電位側電源端子５１ｄに接続され、トランジ
スタ５６のソース端子はトランジスタ５９のソース端子
に接続され、トランジスタ５６のドレイン端子はトラン
ジスタ５８のドレイン端子と出力端子５１ｃとに接続さ
れている。
端子５１ｂに接続され、トランジスタ５６のバックゲー
ト端子は高電位側電源端子５１ｄに接続され、トランジ
スタ５６のソース端子はトランジスタ５９のソース端子
に接続され、トランジスタ５６のドレイン端子はトラン
ジスタ５８のドレイン端子と出力端子５１ｃとに接続さ
れている。
【００３１】トランジスタ５７のゲート端子はトランジ
スタ５７のドレイン端子に接続され、トランジスタ５７
のバックゲート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続さ
れ、トランジスタ５７のソース端子は低電位側電源端子
５１ｅに接続されている。
スタ５７のドレイン端子に接続され、トランジスタ５７
のバックゲート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続さ
れ、トランジスタ５７のソース端子は低電位側電源端子
５１ｅに接続されている。
【００３２】トランジスタ５８のゲート端子はトランジ
スタ５７のゲート端子に接続され、トランジスタ５８の
バックゲート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続さ
れ、トランジスタ５８のソース端子は低電位側電源端子
５１ｅに接続されている。
スタ５７のゲート端子に接続され、トランジスタ５８の
バックゲート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続さ
れ、トランジスタ５８のソース端子は低電位側電源端子
５１ｅに接続されている。
【００３３】トランジスタ５９のゲート端子はイネーブ
ル端子５１ｆに接続され、トランジスタ５９のバックゲ
ート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続され、トラン
ジスタ５９のドレイン端子は高電位側電源端子５１ｄに
接続されている。
ル端子５１ｆに接続され、トランジスタ５９のバックゲ
ート端子は低電位側電源端子５１ｅに接続され、トラン
ジスタ５９のドレイン端子は高電位側電源端子５１ｄに
接続されている。
【００３４】ＶＤＤ電圧が電圧ＶＬ以上であるとき、コ
ンパレータ５１は、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧
になると能動状態となって、太陽電池１の出力電圧ＶＳ
Ｃがクランプ電圧ＶＣ以上であるとき高レベル電圧を出
力端子５１ｃから出力しトランジスタ５３をオン制御
し、出力電圧ＶＳＣがクランプ電圧ＶＣ未満であるとき
低レベル電圧を出力端子５１ｃから出力しトランジスタ
５３をオフ制御し、出力電圧ＶＳＣがクランプ電圧ＶＣ
と等しくなるようにトランジスタ５３を負帰還制御して
太陽電池１の出力電圧ＶＳＣをクランプし、また、過充
電検出信号ＰＯが低レベル電圧になると非能動状態とな
って、出力端子５１ｃはオープン状態となる。
ンパレータ５１は、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧
になると能動状態となって、太陽電池１の出力電圧ＶＳ
Ｃがクランプ電圧ＶＣ以上であるとき高レベル電圧を出
力端子５１ｃから出力しトランジスタ５３をオン制御
し、出力電圧ＶＳＣがクランプ電圧ＶＣ未満であるとき
低レベル電圧を出力端子５１ｃから出力しトランジスタ
５３をオフ制御し、出力電圧ＶＳＣがクランプ電圧ＶＣ
と等しくなるようにトランジスタ５３を負帰還制御して
太陽電池１の出力電圧ＶＳＣをクランプし、また、過充
電検出信号ＰＯが低レベル電圧になると非能動状態とな
って、出力端子５１ｃはオープン状態となる。
【００３５】ここで、クランプ電圧ＶＣは周囲環境の明
るさの明暗判定のために任意の値に設定され、トランジ
スタ５９は、ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が過充電
検出回路３の動作可能下限電圧ＶＬ未満のときはオフ状
態となるように、電圧ＶＬ以上に閾値電圧が設定され
る。
るさの明暗判定のために任意の値に設定され、トランジ
スタ５９は、ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が過充電
検出回路３の動作可能下限電圧ＶＬ未満のときはオフ状
態となるように、電圧ＶＬ以上に閾値電圧が設定され
る。
【００３６】このため、トランジスタ５９をノンドープ
タイプとしバックゲートバイアス効果を与え、他のトラ
ンジスタ５５、５６、５７及び５８は通常閾値電圧タイ
プとしている。
タイプとしバックゲートバイアス効果を与え、他のトラ
ンジスタ５５、５６、５７及び５８は通常閾値電圧タイ
プとしている。
【００３７】次に動作を説明する。図３は、本発明の第
１の実施の形態の過充電防止装置の動作説明図である。
１の実施の形態の過充電防止装置の動作説明図である。
【００３８】先ず時刻ｔ０において、太陽電池１の出力
電圧ＶＳＣにより順バイアスの逆流防止ダイオード２を
介して完全放電状態にある二次電池４の充電が開始され
る。ここで、ダイオード２の順方向電圧降下をＶＦとす
る。
電圧ＶＳＣにより順バイアスの逆流防止ダイオード２を
介して完全放電状態にある二次電池４の充電が開始され
る。ここで、ダイオード２の順方向電圧降下をＶＦとす
る。
【００３９】次に時刻ｔ０からＶＤＤ電圧が動作可能下
限電圧ＶＬに達する時刻ｔ１までは、過充電検出信号Ｐ
Ｏは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な電圧レベルとなる
が、コンパレータ５１のトランジスタ５９は、電圧ＶＬ
未満ではオフ状態となるように閾値電圧が設定されてい
るためバイアス電流が遮断され、コンパレータ５１は非
能動状態となり出力端子５１ｃはオープン状態となる。
限電圧ＶＬに達する時刻ｔ１までは、過充電検出信号Ｐ
Ｏは０Ｖ以上電圧ＶＬ未満の不安定な電圧レベルとなる
が、コンパレータ５１のトランジスタ５９は、電圧ＶＬ
未満ではオフ状態となるように閾値電圧が設定されてい
るためバイアス電流が遮断され、コンパレータ５１は非
能動状態となり出力端子５１ｃはオープン状態となる。
【００４０】しかし、抵抗５４によりトランジスタ５３
のゲートソース端子間が導電状態にされるため、トラン
ジスタ５３のゲート端子は不安定な過充電検出信号ＰＯ
の影響を全く受けず、誤動作によりトランジスタ５３が
オン制御されることはない。
のゲートソース端子間が導電状態にされるため、トラン
ジスタ５３のゲート端子は不安定な過充電検出信号ＰＯ
の影響を全く受けず、誤動作によりトランジスタ５３が
オン制御されることはない。
【００４１】次に時刻ｔ１以降は、過充電検出回路３は
動作状態となるが、過充電状態に達していないため過充
電検出信号ＰＯは低レベル電圧となり、トランジスタ５
９はオフ状態となってコンパレータ５１は非能動状態と
なり、トランジスタ５３も安定にオフ状態のままとな
る。また、バイアス電流が遮断されているので、充電中
のコンパレータ５１の消費電力は０である。
動作状態となるが、過充電状態に達していないため過充
電検出信号ＰＯは低レベル電圧となり、トランジスタ５
９はオフ状態となってコンパレータ５１は非能動状態と
なり、トランジスタ５３も安定にオフ状態のままとな
る。また、バイアス電流が遮断されているので、充電中
のコンパレータ５１の消費電力は０である。
【００４２】次に時刻ｔ２において、二次電池４の充電
が完了し過充電状態になると、コンパレータ３１により
ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が上限電圧ＶＨに達し
たことが検出され、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧
となるため、トランジスタ５９がオン状態となってコン
パレータ５１は能動状態となる。
が完了し過充電状態になると、コンパレータ３１により
ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が上限電圧ＶＨに達し
たことが検出され、過充電検出信号ＰＯが高レベル電圧
となるため、トランジスタ５９がオン状態となってコン
パレータ５１は能動状態となる。
【００４３】クランプ電圧ＶＣは上限電圧ＶＨ以下に任
意に設定されるため、太陽電池１の出力電圧ＶＳＣはク
ランプ電圧ＶＣに等しくなり、逆流防止ダイオード２が
逆バイアス状態となって二次電池４から太陽電池１への
放電を防ぎ、充電が停止され、過充電が防止される。
意に設定されるため、太陽電池１の出力電圧ＶＳＣはク
ランプ電圧ＶＣに等しくなり、逆流防止ダイオード２が
逆バイアス状態となって二次電池４から太陽電池１への
放電を防ぎ、充電が停止され、過充電が防止される。
【００４４】さらに、時刻ｔ２以降は、太陽電池１の出
力電圧ＶＳＣはＶＳＳ電圧からクランプ電圧ＶＣまでの
間を周囲環境の明るさに比例して変化するので、予め明
暗判定基準電圧を決め、明暗判定基準電圧に合せてクラ
ンプ電圧ＶＣを設定しておき、太陽電池１の出力電圧Ｖ
ＳＣを読み取り、明暗判定基準電圧と比較することによ
り、明暗判定を行うことができる。
力電圧ＶＳＣはＶＳＳ電圧からクランプ電圧ＶＣまでの
間を周囲環境の明るさに比例して変化するので、予め明
暗判定基準電圧を決め、明暗判定基準電圧に合せてクラ
ンプ電圧ＶＣを設定しておき、太陽電池１の出力電圧Ｖ
ＳＣを読み取り、明暗判定基準電圧と比較することによ
り、明暗判定を行うことができる。
【００４５】以上のように、本発明の第１の実施の形態
の過充電防止装置によれば、過充電防止動作時であって
も周囲環境の明るさの明暗判定を行うことができ、ま
た、二次電池電圧が過充電検出回路の動作可能下限電圧
未満であっても誤動作を防止することができる。
の過充電防止装置によれば、過充電防止動作時であって
も周囲環境の明るさの明暗判定を行うことができ、ま
た、二次電池電圧が過充電検出回路の動作可能下限電圧
未満であっても誤動作を防止することができる。
【００４６】図４は、本発明の第２の実施の形態の過充
電防止装置の構成図である。図４に示すように、本発明
の第２の実施の形態の過充電防止装置は、過充電検出回
路３と、クランプ回路６と、逆流防止ダイオード２とを
備えている。
電防止装置の構成図である。図４に示すように、本発明
の第２の実施の形態の過充電防止装置は、過充電検出回
路３と、クランプ回路６と、逆流防止ダイオード２とを
備えている。
【００４７】本発明の第２の実施の形態の過充電防止装
置と図１に示す本発明の第１の実施の形態の過充電防止
装置との相違部分は、クランプ回路５がクランプ回路６
に変更された部分であり、さらに、クランプ回路５とク
ランプ回路６との相違部分は、抵抗５４がインバータ６
１及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ６２に変更された
部分である。
置と図１に示す本発明の第１の実施の形態の過充電防止
装置との相違部分は、クランプ回路５がクランプ回路６
に変更された部分であり、さらに、クランプ回路５とク
ランプ回路６との相違部分は、抵抗５４がインバータ６
１及びＮチャネルＭＯＳトランジスタ６２に変更された
部分である。
【００４８】他部分については本発明の第１及び第２の
実施の形態の過充電防止装置は同じであるため同一構成
部分には同一符号を付し、その詳しい説明を省略する。
実施の形態の過充電防止装置は同じであるため同一構成
部分には同一符号を付し、その詳しい説明を省略する。
【００４９】クランプ回路６において、インバータ６１
は二次電池４を電源とし、インバータ６１の入力端子は
コンパレータ５１のイネーブル端子５１ｆに接続され、
過充電検出回路３から出力される過充電検出信号ＰＯが
入力される。インバータ６１の出力端子はトランジスタ
６２のゲート端子に接続されている。
は二次電池４を電源とし、インバータ６１の入力端子は
コンパレータ５１のイネーブル端子５１ｆに接続され、
過充電検出回路３から出力される過充電検出信号ＰＯが
入力される。インバータ６１の出力端子はトランジスタ
６２のゲート端子に接続されている。
【００５０】トランジスタ６２のソース端子及びバック
ゲート端子は低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、ト
ランジスタ６２のドレイン端子はトランジスタ５３のゲ
ート端子に接続されている。
ゲート端子は低電位側電源ラインＶＳＳに接続され、ト
ランジスタ６２のドレイン端子はトランジスタ５３のゲ
ート端子に接続されている。
【００５１】トランジスタ６２はプルダウントランジス
タであり、過充電検出信号ＰＯのレベルに従ってソース
ドレイン路のオン抵抗が変化する導電手段である。
タであり、過充電検出信号ＰＯのレベルに従ってソース
ドレイン路のオン抵抗が変化する導電手段である。
【００５２】ここで、インバータ６１の動作可能下限電
圧ＶＬは過充電検出回路３と同じであり、トランジスタ
６２は、ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が過充電検出
回路３の動作可能下限電圧ＶＬ未満のときであってもオ
ン状態となるように、ＶＳＳ電圧未満に閾値電圧が設定
される。
圧ＶＬは過充電検出回路３と同じであり、トランジスタ
６２は、ＶＤＤ電圧即ち二次電池４の電圧が過充電検出
回路３の動作可能下限電圧ＶＬ未満のときであってもオ
ン状態となるように、ＶＳＳ電圧未満に閾値電圧が設定
される。
【００５３】このため、トランジスタ６２をノンドープ
タイプとし、さらに、ＶＤＤ電圧がＶＳＳ電圧付近のと
きトランジスタ６２のソースドレイン路のオン抵抗が最
大となるが、この最大オン抵抗値がコンパレータ５１の
能動時の出力端子の電圧レベルに影響を与えない程度の
高抵抗となるように、トランジスタサイズ等を調整して
閾値電圧が設定される。
タイプとし、さらに、ＶＤＤ電圧がＶＳＳ電圧付近のと
きトランジスタ６２のソースドレイン路のオン抵抗が最
大となるが、この最大オン抵抗値がコンパレータ５１の
能動時の出力端子の電圧レベルに影響を与えない程度の
高抵抗となるように、トランジスタサイズ等を調整して
閾値電圧が設定される。
【００５４】ＶＤＤ電圧がＶＳＳ電圧から動作可能下限
電圧ＶＬに達するまでインバータ６１は正常動作しない
ため、インバータ６１の出力端子には０Ｖ以上電圧ＶＬ
未満の不安定な電圧レベルが出力されるが、トランジス
タ６２のソースドレイン路は高抵抗による導電状態とな
るように閾値電圧が設定されているため、トランジスタ
５３も安定にオフ状態のままとなる。
電圧ＶＬに達するまでインバータ６１は正常動作しない
ため、インバータ６１の出力端子には０Ｖ以上電圧ＶＬ
未満の不安定な電圧レベルが出力されるが、トランジス
タ６２のソースドレイン路は高抵抗による導電状態とな
るように閾値電圧が設定されているため、トランジスタ
５３も安定にオフ状態のままとなる。
【００５５】また、ＶＤＤ電圧が動作可能下限電圧ＶＬ
以上になると、過充電検出信号ＰＯは低レベル電圧とな
りインバータ６１の出力端子は高レベル電圧となるた
め、トランジスタ６２のソースドレイン路は低抵抗によ
る導電状態となり、充電中トランジスタ５３はより安定
にオフ状態を保持することができる。
以上になると、過充電検出信号ＰＯは低レベル電圧とな
りインバータ６１の出力端子は高レベル電圧となるた
め、トランジスタ６２のソースドレイン路は低抵抗によ
る導電状態となり、充電中トランジスタ５３はより安定
にオフ状態を保持することができる。
【００５６】さらに、過充電状態になり過充電検出信号
ＰＯが高レベル電圧となると、インバータ６１の出力端
子は低レベル電圧となるため、トランジスタ６２のソー
スドレイン路は再び高抵抗による導電状態となり、コン
パレータ５１の出力端子の電圧レベルに影響を与えるこ
とはない。
ＰＯが高レベル電圧となると、インバータ６１の出力端
子は低レベル電圧となるため、トランジスタ６２のソー
スドレイン路は再び高抵抗による導電状態となり、コン
パレータ５１の出力端子の電圧レベルに影響を与えるこ
とはない。
【００５７】以上のように、本発明の第２の実施の形態
の過充電防止装置によれば、過充電検出信号ＰＯによ
り、コンパレータ５１が能動状態のときトランジスタ６
２のソースドレイン路を高抵抗とし、コンパレータ５１
が非能動状態のときトランジスタ６２のソースドレイン
路を低抵抗とすることにより、本発明の第１の実施の形
態の過充電防止装置と同等以上の誤動作に対する安定性
を有することができる。
の過充電防止装置によれば、過充電検出信号ＰＯによ
り、コンパレータ５１が能動状態のときトランジスタ６
２のソースドレイン路を高抵抗とし、コンパレータ５１
が非能動状態のときトランジスタ６２のソースドレイン
路を低抵抗とすることにより、本発明の第１の実施の形
態の過充電防止装置と同等以上の誤動作に対する安定性
を有することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による第１
の効果は、クランプ回路を備えることにより、過充電防
止動作時であっても太陽電池の出力電圧を利用して周囲
環境の明るさの明暗判定を行うことができることであ
り、第２の効果は、二次電池電圧が過充電検出回路の動
作可能下限電圧未満であっても誤動作することのない過
充電防止装置を実現できることであり、第３の効果は、
クランプ回路のクランプ用トランジスタとしてノーマル
タイプトランジスタを使用することができ、チップサイ
ズを小さくすることができることであり、第４の効果
は、クランプ回路の充電中の消費電力を低減することが
できることである。
の効果は、クランプ回路を備えることにより、過充電防
止動作時であっても太陽電池の出力電圧を利用して周囲
環境の明るさの明暗判定を行うことができることであ
り、第２の効果は、二次電池電圧が過充電検出回路の動
作可能下限電圧未満であっても誤動作することのない過
充電防止装置を実現できることであり、第３の効果は、
クランプ回路のクランプ用トランジスタとしてノーマル
タイプトランジスタを使用することができ、チップサイ
ズを小さくすることができることであり、第４の効果
は、クランプ回路の充電中の消費電力を低減することが
できることである。
【図１】本発明の第１の実施の形態の過充電防止装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】図１のコンパレータの構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の過充電防止装置の
動作説明図である。
動作説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の過充電防止装置の
構成図である。
構成図である。
【図５】従来例の過充電防止装置の構成図である。
【図６】従来例の過充電防止装置の動作説明図である。
１ 太陽電池 ２ 逆流防止ダイオード ３ 過充電検出回路 ３１ コンパレータ ３２、３３ 抵抗 ３４ 基準電圧発生回路 ４ 二次電池 ５ クランプ回路 ５１ コンパレータ ５２ 基準電圧発生回路 ５３、５７、５８、５９ ＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ ５４ 抵抗 ５５、５６ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ ６ クランプ回路 ６１ インバータ ６２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ １００ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
スタ ５４ 抵抗 ５５、５６ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ ６ クランプ回路 ６１ インバータ ６２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ １００ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福沢 文春 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403番 53 日本電気アイシーマイコンシステム株 式会社内 (72)発明者 猿渡 和幸 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403番 53 日本電気アイシーマイコンシステム株 式会社内 Ｆターム(参考） 5G003 AA06 BA01 CA14 CC04 GA01 5H030 AA03 AA06 AS20 BB07 FF43
Claims (7)
- 【請求項１】 太陽電池により充電される二次電池を電
源とし前記二次電池の電圧が上限電圧に達したことを検
出し過充電検出信号を出力する過充電検出回路と、前記
過充電検出信号を受け前記太陽電池の出力電圧を任意の
設定電圧にクランプするクランプ回路と、前記二次電池
から前記太陽電池への放電を防ぐ逆流防止ダイオードと
を備えることを特徴とする過充電防止装置。 - 【請求項２】 前記クランプ回路は、ソースドレイン路
が前記太陽電池に並列接続されたトランジスタと、一方
の入力端子に前記設定電圧が入力され他方の入力端子に
前記出力電圧が入力され出力端子が前記トランジスタの
ゲート端子に接続され前記過充電検出信号により能動状
態となって前記出力電圧が前記設定電圧と等しくなるよ
うに前記トランジスタを負帰還制御するコンパレータ
と、前記トランジスタのゲート端子とソース端子との間
に接続された導電手段とを備えることを特徴とする請求
項１記載の過充電防止装置。 - 【請求項３】 前記導電手段は、抵抗であることを特徴
とする請求項２記載の過充電防止装置。 - 【請求項４】 前記導電手段は、前記過充電検出信号の
レベルに従ってソースドレイン路のオン抵抗が変化する
プルダウントランジスタであることを特徴とする請求項
２記載の過充電防止装置。 - 【請求項５】 前記プルダウントランジスタは、前記二
次電池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限電圧
未満のときであってもオン状態となるように閾値電圧が
設定されることを特徴とする請求項４記載の過充電防止
装置。 - 【請求項６】 前記コンパレータは、前記設定電圧及び
前記出力電圧が入力される差動対と、前記差動対の負荷
回路と、前記差動対にバイアス電流を供給し前記過充電
検出信号のレベルに従ってオンオフ制御される電流源ト
ランジスタとを備えることを特徴とする請求項２記載の
過充電防止装置。 - 【請求項７】 前記電流源トランジスタは、前記二次電
池の電圧が前記過充電検出回路の動作可能下限電圧未満
のときはオフ状態となるように閾値電圧が設定されるこ
とを特徴とする請求項６記載の過充電防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194293A JP2002010518A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 過充電防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194293A JP2002010518A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 過充電防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002010518A true JP2002010518A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18693146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194293A Pending JP2002010518A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 過充電防止装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2002010518A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2013226030A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-31 | Seiko Instruments Inc | 充電システムを備える半導体装置 |
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| US8988840B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-03-24 | Seiko Instruments Inc. | Overcharge prevention circuit and semiconductor device |
| CN105471018A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-06 | 精工半导体有限公司 | 充放电控制装置及电池装置 |
| JP2017163159A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-09-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体チップ |
| CN108988433A (zh) * | 2018-08-16 | 2018-12-11 | 四川长虹电器股份有限公司 | 一种太阳能照明控制器的充电自动检测电路 |
| CN114094660A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-25 | 上海芯飏科技有限公司 | 具有高压关断功能的线性充电系统 |
| JP7390989B2 (ja) | 2020-06-30 | 2023-12-04 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 電圧レギュレータ回路 |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000194293A patent/JP2002010518A/ja active Pending
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