JP6185764B2 - レーザ加工装置、基板の加工方法及び基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態について、図1を用いて説明する。本実施形態では、基板の素材となる被加工物にレーザ光を集光し、被加工物の一部に加工を行うレーザ加工装置及び基板の加工方法について説明する。
S21(図3)では、移動ステージ7を駆動し、基板上のアライメントマーク、即ち、被加工物5上の所定位置に形成された位置検出用のアライメントマーク352を、撮像装置であるカメラ10の視野内に移動させる。被加工物5を固定する被加工物固定テーブル6は、前記アライメントマークの直下に観察用の貫通穴361、362が開口している。カメラ10は、前記貫通穴を通じてアライメントマークの位置を測定することができる。
次に、第1の実施形態で説明したレーザ加工装置及び基板の加工方法を用いた、基板の製造方法について説明する。本実施形態では、製造する基板を、インクジェットヘッド用基板を例として説明する。
2 ビームエキスパンダ
3 ガルバノスキャナ
4 Fθレンズ
5 被加工物
6 被加工物固定テーブル
7 移動ステージ
8 架台
9 照明装置
10 カメラ
11 レーザ制御部
12 ガルバノスキャナ制御部
13 カメラ・照明制御部
14 ステージ制御部
15 ホストコンピュータ
351 アライメントマーク
352 アライメントマーク
361 検出用貫通穴
362 検出用貫通穴
453 基準穴
68 照明光
69 透過照明光
663 検出用貫通穴
80 半導体基板
81 垂直形状の溝
82 ヒータ
83 液室
84 オリフィスプレート
85 吐出口
86 インクタンク
87 インク経路
88 微小インク滴
Claims (5)
- 基板の加工方法であって、
撮像装置によって、基板上のアライメントマークの位置を測定する工程、
前記基板上のアライメントマークの位置から一定距離離れた位置にレーザで非貫通の深孔を前記基板に形成する工程、
前記深孔に照明光を照射し、前記撮像装置によって、前記基板の裏面から前記深孔の先端部の位置を測定する工程、
コンピュータによって、前記測定したアライメントマークの位置と前記測定した深孔の先端部の位置との距離と、前記一定距離との差を算出し、前記差に基づいて設計上の距離を補正する工程、及び
前記補正した距離に基づいてレーザを照射することにより前記基板を加工する工程、
からなることを特徴とする、基板の加工方法。 - 前記照明光が前記基板に対して透過性であることを特徴とする、請求項1に記載の基板の加工方法。
- 基板上のアライメントマークの位置から設計上の距離離れた位置に、基板の表面から基板の裏面に向かってレーザで非貫通の深孔加工を行うためのレーザ加工装置であって、
レーザ発振源、
照明装置、及び
撮像装置、
からなり、
基板上のアライメントマークの位置を前記撮像装置で検出し、
前記アライメントマークの位置から一定距離離れた位置に、レーザ発振源から出射されたレーザで非貫通の深孔を作成し、
前記深孔に前記照明装置からの光を照射し、前記深孔を前記基板の裏面から前記深孔の先端部の位置を前記撮像装置を用いて測定し、
前記測定したアライメントマークの位置と前記測定した深孔の先端部の位置との距離と、前記一定距離との差を算出し、前記差に基づいて前記設計上の距離を補正し、及び
前記補正した距離に基づいて前記レーザを照射することにより、前記基板に非貫通の深孔加工を行うことを特徴とする、レーザ加工装置。 - 前記照明装置は、前記基板に対して透過性である光を照射することを特徴とする、請求項3に記載のレーザ加工装置。
- 請求項1もしくは請求項2に記載の基板の加工方法、または、請求項3もしくは請求項4に記載のレーザ加工装置を用いて製造することを特徴とする、インクジェットヘッド用基板の製造方法。
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