JP6165063B2 - 導電性粒子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導電性粒子およびその製造方法に関するものである。より詳細には、金属基材粒子の表面にナノメートルサイズの微小突起を有していて、焼結時、優れた比抵抗特性を有する導電性粒子およびその製造方法に関するものである。

本出願は、２０１１年１１月２４日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１１−０１２３６７５号の出願日の利益を主張し、その内容のすべては本明細書に組み込まれる。

現在、電気／電子素子の製作において、微細構造物、例えば、金属パターン、絶縁層、分離膜などの製作工程には、露光とエッチング工程に基づいた光学的パターニング（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法が主に利用されている。しかし、光学的パターニングは、様々なステップの複雑な製造工程を経るエネルギー集約的、高費用の生産技術である。それだけでなく、露光とエッチング工程中にガス、廃水などが排出され、環境汚染の問題がある。したがって、露光／エッチングによる光学的パターニング工程を代替するための、簡単かつ低費用で、環境に優しい工程技術の開発の必要性が台頭している。

これにより、ポリスチレンスルホン酸（ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ））がドーピングされたポリエチレンジオキシチオフェン（Ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））のような伝導性高分子に金属被覆層を形成することにより、電極材料として活用するための工程が開発されている。例えば、特開第２００３−１９７０２８号、特開第２００４−２３８７３０号などには、樹脂で構成される球状の芯材粉体の表面にめっき層が形成されている導電性微粒子が開示されている。伝導性高分子は、スクリーンプリンティングなどの溶液工程によりパターンの形成が可能で、工程が容易であるという利点がある。しかし、伝導性高分子は、金属素材に比べて伝導度が大きく低下し、信頼性のある電気抵抗を得にくいという欠点がある。

したがって、優れた伝導度を示す金属素材を使用しながら、同時にパターンの形成が容易な溶液工程に適用可能な素材に関する研究の必要性が台頭している。一例として、金属素材をナノ粒子で形成させた後、溶媒に金属粒子を分散させる工程が最も注目されている。金属粒子をナノスケールに形成する場合、金属素材の融点を画期的に低下させることができ、これにより、低温熱処理を通じて電極用伝導性被膜を形成可能な基盤を提供する。

しかし、低価格で多く使用される電極材料の、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属は、ナノサイズに粒子が小さくなる場合、熱力学的に酸化される性質により、熱処理時、焼結挙動への障害要因となり、その結果、高伝導性の被膜を形成することが容易でない。また、従来電極物質として使用されている銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）の場合、このような酸化の問題はないものの、高価な物質と高価な製造費用によりその使用に制限があるため、低価格でありながら、高伝導性を付与可能な新たな電極材料への開発が必要である。

上記の従来技術の問題を解決するために、本発明は、低価格の電極材料を使用しながら、高伝導性を付与可能な導電性粒子を提供することを目的とする。

また、本発明は、前記導電性粒子を製造する方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は、金属を含む基材粒子と、前記基材粒子の表面上に形成された核（ｓｅｅｄ）粒子と、前記基材粒子上に形成された第１金属層とを含み、前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出している突起（ｂｕｍｐ）を含む導電性粒子を提供する。

また、本発明は、金属を含む基材粒子と、前記基材粒子上に形成された第２金属層と、前記第２金属層の表面上に形成された核（ｓｅｅｄ）粒子と、前記第２金属層上に形成された第１金属層とを含み、前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出している突起（ｂｕｍｐ）を含む導電性粒子を提供する。

本発明の一実施形態によれば、前記基材粒子は、平均粒径が０．０１〜１，０００μｍの球状であり得る。

本発明の一実施形態によれば、前記基材粒子および第１金属層は、それぞれ独立して異なるか、同一でＡｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎおよびこれらの２以上の合金からなる群より選択される金属を含むことができる。

本発明の一実施形態によれば、前記核粒子は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｏおよびこれらの２以上の合金からなる群より選択される遷移金属を含むことができる。

また、本発明は、金属を含む基材粒子と、遷移金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記基材粒子上に、核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む導電性粒子の製造方法を提供する。

これに加え、本発明は、金属を含む基材粒子と、第２金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に第２金属層を形成するステップと、遷移金属化合物溶液を前記第２金属層の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層上に、前記核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む導電性粒子の製造方法を提供する。

本発明によれば、導電性粒子は、芯材として導電性金属を含む微粒子を使用することにより、高伝導性および低い融点を有し、これにより、低温熱処理を通じて電極用伝導性被膜を形成可能な基板を提供する。

また、最外郭表面に形成されたナノサイズの突起により、焼結時、優れた比抵抗特性を有し、突起のない部分は滑らかな金属層が形成されていて、基材粒子との密着性に優れる。さらに、スクリーンプリンティングなどの溶液工程によりパターンの形成が可能で、電極形成工程に容易に適用することができる。

本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の構造を示す断面図である。 本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の製造方法を簡略に示す工程図である。 本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の製造方法を簡略に示す工程図である。 本発明の実施例１で突起を形成する前の基材粒子を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真である。 本発明の実施例１で製造された導電性粒子を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真である。 本発明の実施例１で製造された導電性粒子を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真である。 図７のＴＥＭ分析結果を拡大して示す写真である。 ＥＤＸ分析方法を用い、本発明の実施例１で製造された単一粒子の位置に応じた元素分析結果を示すグラフである。 本発明の実施例１で製造された導電性粒子のドットマッピング（ｄｏｔ ｍａｐｐｉｎｇ）結果を示す写真である。 本発明の実施例２で突起を形成する前の基材粒子を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてそれぞれ３万および１０万倍に拡大した写真である。 本発明の実施例２により製造された導電性粒子を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてそれぞれ３万および１０万倍に拡大した写真である。 本発明の実施例３で製造された導電性粒子を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真である。 本発明の実施例３で製造された導電性粒子を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真である。 図１４のＴＥＭ分析結果を拡大して示す写真である。 比較例１で製造された導電性粒子のドットマッピング（ｄｏｔ ｍａｐｐｉｎｇ）結果を示す写真である。 実験例３および比較実験例２の結果を示すグラフである。

本発明の一実施形態にかかる導電性粒子は、金属を含む基材粒子と、前記基材粒子の表面上に形成された核（ｓｅｅｄ）粒子と、前記基材粒子上に形成された第１金属層とを含み、前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出している突起（ｂｕｍｐ）を含む。

また、本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子は、金属を含む基材粒子と、前記基材粒子上に形成された第２金属層と、前記第２金属層の表面上に形成された核（ｓｅｅｄ）粒子と、前記第２金属層上に形成された第１金属層とを含み、前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出している突起（ｂｕｍｐ）を含む導電性粒子を提供する。

さらに、本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の製造方法は、金属を含む基材粒子と、遷移金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記基材粒子上に、核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む。

また、本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の製造方法は、金属を含む基材粒子と、第２金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に第２金属層を形成するステップと、遷移金属化合物溶液を前記第２金属層の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層上に、前記核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む。

本発明の導電性粒子は、粒子の最外郭表面にナノメートルサイズの微小突起を有し、突起のない部分は滑らかなめっき層が形成されている。本発明によれば、表面の突起により、焼結時、優れた比抵抗特性を有し、突起のない部分は滑らかなめっき層によって金属粒子との高い密着性を有する。

また、本発明の導電性粒子の製造方法によれば、基材粒子の表面に核粒子を形成することにより、置換反応によって核粒子を囲む突起を容易かつ均一に形成することができ、同時に核粒子のない基材粒子の表面上に滑らかな表面を有する金属層を形成することができ、簡単かつ効率的に導電性粒子を生産することができる。

本発明において、第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明する上で使われ、前記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使われる。

また、本発明において、各層または要素が各層または要素の「上に」または「の上に」形成されると言及された場合には、各層または要素が直接各層または要素の上に形成されることを意味するか、他の層または要素が各層の間、対象物、基材上に追加的に形成され得ることを意味する。

本発明は、多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定の実施形態を例示し、下記に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に対して限定しようとするのではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物ないし代替物を含むと理解されなければならない。

以下、図面を参照して、本発明の導電性粒子およびその製造方法を詳細に説明する。

（導電性粒子）
図１は、本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の構造を示す断面図である。

図１を参照すれば、本発明にかかる導電性粒子は、金属を含む基材粒子１と、基材粒子１の表面上に形成された核粒子３と、基材粒子１上に形成された第１金属層５とを含み、第１金属層５は、核粒子３を囲んで突出している突起４を含む。

本発明の一実施形態によれば、基材粒子１は、実質的に球状（ｓｐｈｅｒｅ）の形態であり得る。つまり、球状およびその他楕円のように球状に近い形状も含み、好ましくは球状であり得る。

基材粒子１は、導電性の金属を含むが、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどから選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。本発明の一実施形態によれば、基材粒子１は、低価格の電極材料でありながら、伝導性が良好な金属を使用することが好ましく、例えば、ＣｕまたはＮｉからなり得る。

本発明の一実施形態によれば、基材粒子１は、約０．０１〜約１，０００μｍの平均粒径を有することができる。平均粒径が０．００１μｍ未満の場合、接合すべき電極面に導電性粒子が接触しないことがあり、電極の間に間隔がある場合、接触不良を生じさせる場合があり、１，０００μｍを超える場合には、微細な電極の形成が困難である。より好ましい平均粒径は、約０．０２〜約１００μｍであり、より好ましくは約０．０２〜約２０μｍであり、最も好ましくは約０．０２〜約５μｍである。

核粒子３は、基材粒子１の表面に形成されている。核粒子３は、後述する突起４を形成するための触媒核（ｓｅｅｄ）の役割を果たす。

本発明の一実施形態によれば、核粒子３は、遷移金属、例えば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｏなどからなる遷移金属より選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。

第１金属層５は、基材粒子１上に位置し、核粒子３を囲んで突出している突起４を含む。また、第１金属層５において突起４が形成されていない他の部分は、基材粒子１に連続しており、滑らかな表面を有する金属層の形態を有する。

本発明の一実施形態によれば、第１金属層５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどからなる金属より選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。好ましくは、酸化の問題がないＡｇまたはＡｕからなり得る。

本発明の一実施形態によれば、核粒子３および第１金属層５は、互いに異なる種類の金属を含むことができる。

突起４は、基材粒子１の表面に核粒子３を囲む形態で形成され得る。突起４の形態は特に制限されないが、本発明の一実施形態によれば、球状またはこれと類似の形態を有することができ、平均高さが約５〜約１００ｎｍ、好ましくは約５〜約２０ｎｍとなり得る。

図２は、本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の構造を示す断面図である。

図２を参照すれば、本発明にかかる導電性粒子は、金属を含む基材粒子１と、基材粒子１上に形成された第２金属層２と、第２金属層２の表面上に形成された核粒子３と、第２金属層２上に形成された第１金属層５とを含み、第１金属層５は、核粒子３を囲んで突出している突起４を含む。

基材粒子１、核粒子３、突起４および第１金属層５に関する説明は、図１を参照した導電性粒子で説明したとおりである。

本発明の他の実施形態によれば、前記導電性粒子は、基材粒子１と第１金属層５との間に形成された第２金属層２をさらに含む。

第２金属層２は、導電性の金属を含むが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどからなる金属より選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。好ましくは、酸化の問題がないＡｇまたはＡｕからなり得る。

また、第２金属層２の厚さは特に限定されないが、約１０〜約１００ｎｍの範囲であり得る。

本発明の一実施形態によれば、第２金属層２は、置換めっき方法によって基材粒子１の表面にめっきする方法で形成可能である。

本発明の一実施形態によれば、第１金属層５および第２金属層２は、同一種類の金属を含むことができる。本発明の他の実施形態によれば、第１金属層５および第２金属層２は、互いに異なる種類の金属を含むことができる。

図１および図２から明らかなように、突起４は、本発明の導電性粒子の最外郭表面に位置する。これにより、表面に突出した突起４によって従来の導電性粒子より優れた比抵抗特性を有し、突起のない部分は滑らかな金属層が形成され、密着性に優れた導電性粒子を得ることができる。

本発明の導電性粒子は、前記のように優れた比抵抗特性、高伝導性、低費用の利点を有していて、電子／電気素子の多様な素材として使用できる。例えば、本発明の導電性粒子を含んで形成された電極パターンは、太陽電池、回路（Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）または印刷回路基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、軟性回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）の電極、タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ、Ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）の電極、ＰＤＰ（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）およびＴＦＴ−ＬＣＤ（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ）のようなディスプレイのゲート（ｇａｔｅ）およびソース（ｓｏｕｒｃｅ）電極の形成、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）の電極などのように、高伝導性および信頼性が要求される多様な電子素子に適用可能である。

具体的には、本発明の導電性粒子は、溶媒に分散させ、スピンコーティング、ディップコーティング、液滴キャスティング（ｄｒｏｐ−ｃａｓｔｉｎｇ）、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、グラビア（Ｇｒａｖｕｒｅ）プリンティング、オフセット（Ｏｆｆ−ｓｅｔ）プリンティングのような多様な工程により、基板に電極パターンを形成するのに適用することができる。

（導電性粒子の製造方法）
図３は、本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の製造方法を簡略に示す工程図である。

本発明の一実施形態にかかる導電性粒子の製造方法は、金属を含む基材粒子と、遷移金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記基材粒子の表面に、核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む。

図３を参照すれば、まず、金属を含む基材粒子１と、遷移金属化合物溶液とを反応させることにより、基材粒子１の表面に核粒子３を形成させる（Ｓｔｅｐ Ｓ１）。

基材粒子１は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどから選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含む金属粒子を使用することができ、商業的に購入可能なものを使用することができる。好ましくは、基材粒子１は、ＣｕまたはＮｉを含む金属粒子であり得る。

本発明の一実施形態によれば、基材粒子１は、約０．０１〜約１，０００μｍの平均粒径を有する球状の金属粒子であり得る。

遷移金属化合物溶液を前記基材粒子１と反応させることにより、基材粒子１の表面に核粒子３を形成させる。

核粒子３は、後述する突起４を形成するための触媒核（ｓｅｅｄ）の役割を果たす。本発明の一実施形態によれば、核粒子３は、触媒核として使用が可能な遷移金属、例えば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｏなどからなる遷移金属より選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。

核粒子３は、基材粒子１または基材粒子１が分散している分散液に対して、遷移金属を含む遷移金属化合物溶液を投入して反応させることにより形成することができる。

基材粒子１と前記遷移金属化合物溶液との反応時の温度は、約８０〜約１５０℃の範囲であり得るが、これに制限されるものではない。

前記遷移金属化合物溶液は、遷移金属化合物を溶媒に溶かして使用されるが、前記遷移金属化合物の濃度は、次のステップで形成する突起４の大きさおよび個数に関係がある。本発明の一実施形態によれば、前記遷移金属化合物の濃度は、約０．０１〜約５０ｇ／Ｌ、好ましくは約０．０１〜約３０ｇ／Ｌ、より好ましくは約０．０１〜約２０ｇ／Ｌで使用することができる。前記遷移金属化合物溶液の濃度が低すぎると、遷移金属の析出が困難になり、突起４の大きさが過度に小さくなり得る。濃度が５０ｇ／Ｌを超えると、突起４の大きさは増加するものの、費用が増加する。

前記遷移金属化合物を溶かす溶媒としては、炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する脂肪酸アミン化合物、あるいは炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する不飽和アミン化合物を使用することができる。前記アミン化合物は、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、オレイルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルアミン、１−アミノトリデカンおよびこれらの混合物からなる群より１種以上を選択することができる。

次に、第１金属化合物溶液を核粒子３の形成された基材粒子１と反応させることにより、基材粒子１の表面に、核粒子３を囲む突起４を含む第１金属層５を形成する（Ｓｔｅｐ Ｓ２）。

本発明の一実施形態によれば、第１金属層５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどからなる金属より選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。好ましくは、酸化の問題がないＡｇまたはＡｕからなり得る。

第１金属層５は、金属を含む第１金属化合物溶液を核粒子３の形成された基材粒子１と反応させることにより形成される。

第１金属化合物溶液は、第１金属化合物を溶媒に溶かして使用され、熱還元反応または還元剤による還元反応によって金属が核粒子３の表面から還元され、核粒子３を囲む形態で成長することにより突起４が形成される。また、核粒子３が形成されていない基材粒子１上には、還元反応によって滑らかな表面の第１金属層５が形成される。

第１金属化合物の含有量は、前記第１金属化合物溶液中の約０．１〜約３０重量％を使用することが好ましい。０．１重量％未満で使用する場合は、第１金属層５が均一に形成されず、３０重量％を超える場合は、塩の溶解度を超えて析出し、きちんと溶解しないことがある。

前記第１金属化合物は、以降電極の形成時に短絡などの問題を起こし得る硫黄（Ｓ）、塩素（Ｃｌ）などの陰イオンを含まない化合物を使用することが好ましい。例えば、第１金属化合物として銀（Ａｇ）化合物を使用する場合に、銀ジアセテート（ｓｉｌｖｅｒ ｄｉａｃｅｔａｔｅ）、銀シクロヘキサンブチレート（ｓｉｌｖｅｒ ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｂｕｔｙｒａｔｅ）、銀２−エチルヘキサノエート（ｓｉｌｖｅｒ２−ｅｔｈｙｌｈｅａｎｏａｔｅ）、銀ネオデカノエート（ｓｉｌｖｅｒ ｎｅｏｄｅｃａｎｏａｔｅ）および銀アセチルアセトネート（ｓｉｌｖｅｒ ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）などからなる群より選択された１種以上を使用することができる。

前記第１金属化合物を溶かす溶媒として、炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する脂肪酸アミン化合物、あるいは炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する不飽和アミン化合物を使用することができる。前記アミン化合物は、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、オレイルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルアミン、１−アミノトリデカンおよびこれらの混合物からなる群より１種以上を選択することができる。

第１金属層５を熱還元反応によって形成する場合、反応温度は、金属化合物前駆体の前記第１金属化合物が熱分解する温度以上とすることができる。例えば、前記第１金属化合物として銀化合物を使用する場合、約１２０〜約２２０℃の温度で熱還元反応を行うことができる。

また、還元剤を用いた還元反応によって第１金属層５を形成する場合、前記還元剤としては、第１金属化合物を還元させることが可能な還元剤であれば特に限定されない。例えば、エリソルビン酸（ｅｒｙｔｈｏｒｂｉｃ ａｃｉｄ）系化合物、ヒドラジン（ｈｙｄｒａｚｉｎｅ）系化合物、ヒドロキノン（ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）系化合物、ホウ素（ｂｏｒｏｎ）系化合物、またはリン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ）系化合物から選択される１種以上の化合物またはこれらの塩を使用することができる。より具体的には、エリソルビン酸（ｅｒｙｔｈｏｒｂｉｃ ａｃｉｄ）系化合物としては、アスコルビン酸（Ｌ−ａｓｃｏrｂｉｃ ａｃｉｄ）およびその塩が挙げられ、ヒドラジン（ｈｙｄｒａｚｉｎｅ）系としては、Ｐ−ヒドラジンベンゼンスルホン酸 （ｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、硫酸ヒドラジンなどの誘導体が挙げられる。ヒドロキノン（ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）系化合物としては、メチルヒドロキノン（Ｍｅｔｈｙｌ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）、クロロヒドロキノン（ｃｈｌｏｒｏ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）、メトキシヒドロキノン（ｍｅｔｈｏｘｙ ｈｙｄｒｏｑｕｉｎｏｎｅ）が挙げられ、ホウ素系化合物としては、水素化ホウ素ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）、ホウ化ジメチルアミン（ｄｉｍｅｔhｙｌ ａｍｉｎｅ ｂｏｒａｎｅ）が挙げられ、リン酸系化合物としては、次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉu ｍ ｈｙｐｅｒｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）、ピロ亜リン酸（ｐｙｒｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）、アンモニウムジハイドロジェンホスフェート（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｈｏｓｐｈａｔｅ（（ＮＨ_４）Ｈ_２ＰＯ_４））、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ_２ＰＯ_２．Ｈ_２Ｏ）、ナトリウムヘキサメタホスフェート（Ｓｏｄｉｕｍ Ｈｅｘａｍｅｔａ Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ、（ＮａＰＯ_３）_６）、および亜リン酸塩（ＮａＨ_２ＰＯ_２）などのいずれか１つであり得るが、必ずしもこれらに限定されるものではない。前記還元剤は、単独または２種以上を混合して使用することができる。

また、前記還元剤の濃度は特に制限されないが、還元剤の濃度が低すぎると、金属の析出が困難になり、多すぎる場合、費用が増加し得る。したがって、前記還元剤の濃度は、約０．０１〜約５０ｇ／Ｌ、好ましくは約０．１〜約２０ｇ／Ｌで使用することができる。

このような還元剤を投入したり、熱還元反応を実施することにより、突起４を含む第１金属層５が形成可能である。

図４は、本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の製造方法を簡略に示す工程図である。

本発明の他の実施形態にかかる導電性粒子の製造方法は、金属を含む基材粒子と、第２金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に第２金属層を形成するステップと、遷移金属化合物溶液を前記第２金属層の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層の表面に核粒子を形成させるステップと、第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップとを含む。

図４を参照すれば、まず、金属を含む基材粒子１と、第２金属化合物溶液とを反応させることにより、基材粒子１の表面に第２金属層２を形成する（Ｓｔｅｐ Ｓ１０）。

基材粒子１に関する詳細な説明は、図３を参照した導電性粒子の製造方法で説明したとおりである。

本発明の一実施形態によれば、第２金属層２は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎなどから選択される１種以上を含むことができ、これらの合金または２種以上の金属を含むことができる。好ましくは、酸化の問題がないＡｇまたはＡｕを含むことができる。

第２金属層２は、金属を含む第２金属化合物溶液を用いて形成することができ、前記第２金属化合物溶液は、第２金属化合物を溶媒に溶かして使用する。

より具体的には、第２金属化合物、溶媒および基材粒子１を添加して混合し、一定温度に維持しながら撹拌する。この時、第２金属化合物溶液の濃度および反応温度を調節することにより、第２金属層２の厚さを適切に調節することができる。本発明の一実施形態によれば、第２金属層２は、約１０〜約１００ｎｍの厚さとなるように形成することができる。

前記第２金属化合物を溶かす溶媒としては、炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する脂肪酸アミン化合物、あるいは炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する不飽和アミン化合物を使用することができる。前記アミン化合物は、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、オレイルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルアミン、１−アミノトリデカンおよびこれらの混合物からなる群より１種以上を選択することができる。

第２金属化合物の含有量は、前記第２金属化合物溶液中の約０．１〜約３０重量％を使用することが好ましい。０．１重量％未満で使用する場合は、第２金属層２が均一に形成されず、３０重量％を超える場合は、塩の溶解度を超えて析出し、きちんと溶解しないことがある。

前記第２金属化合物は、以降電極の形成時に短絡などの問題を起こし得る硫黄（Ｓ）、塩素（Ｃｌ）などの陰イオンを含まない化合物を使用することが好ましい。例えば、第２金属化合物として銀（Ａｇ）化合物を使用する場合に、銀ジアセテート、銀シクロヘキサンブチレート、銀２−エチルヘキサノエート、銀ネオデカノエートおよび銀アセチルアセトネートなどからなる群より選択された１種以上を使用することができる。

また、反応温度は、使用する第２金属化合物に応じて変化可能であり、例えば、前記第２金属化合物として銀化合物を使用する場合、反応温度は、約１２０〜約２２０℃、好ましくは約１３０〜約２１０℃の温度とすることができる。

次に、遷移金属化合物溶液を第２金属層２の形成された基材粒子１と反応させることにより、第２金属層２の表面に核粒子３を形成させる（Ｓｔｅｐ Ｓ２０）。

核粒子３は、後述する突起４を形成するための触媒核の役割を果たし、核粒子３およびその製造工程に関する詳細な説明は、図３を参照した導電性粒子の製造方法で説明したとおりである。

次に、第１金属化合物溶液を核粒子３の形成された基材粒子１と反応させることにより、核粒子１を囲む突起４を含む第１金属層５を形成する（Ｓｔｅｐ Ｓ３０）。

第１金属層５およびその製造工程に関する詳細な説明は、図３を参照した導電性粒子の製造方法で説明したとおりである。

本発明の一実施形態によれば、第１金属層５および第２金属層２は、同一種類の金属化合物を用いて形成することができる。本発明の他の実施形態によれば、第１金属層５および第２金属層２は、互いに異なる種類の金属化合物を用いて形成することができる。

以下、本発明にかかる実施例を参照して、本発明をより詳細に説明する。ただし、これらの実施例は発明の例として示されたものであって、これによって発明の権利範囲が定められるのではない。

＜実施例＞
（実施例１）
基材粒子は、液相還元法によって製造された平均粒径が０．０４マイクロメートルのＣｕ粒子を使用した。第１金属層形成のための金属化合物としては銀ジアセテート（Ａｇ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２・２Ｈ_２Ｏ、Ａｇ含有量６８％、Ｊｕｎｓｅｉ）を使用し、核粒子形成用金属化合物としてはＰｄアセテート（ｐａｌｌａｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＨ_３）_２、Ａｌｄｒｉｃｈ社）を使用した。

０．０４マイクロメートルの大きさのＣｕ粒子１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに、超音波および均質器（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を用いて均一に分散させ、Ｃｕ粒子分散液を製造した。

銀ジアセテート１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに溶かし、銀化合物溶液を製造した。Ｐｄアセテート１ｇをオクチルアミン（ｏｃｔｙｌａｍｉｎｅ、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_７ＮＨ_２、Ａｌｄｒｉｃｈ社）１０ｇに溶かし、Ｐｄ化合物溶液を製造した。

半連続式反応器にＣｕ粒子分散液を投入した。８０℃の温度に維持して撹拌しながら、Ｐｄアセテート溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。５分後、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて１３０℃となった時、１０分程度温度を維持した。

次に、溶解した銀化合物溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。投入が完了した時点で、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて２１０℃まで増加させた後、１０分間温度を維持して完全に反応させた。

反応完了後、常温まで温度を低下させた後、５００ｍｌのエタノール（ｅｔｈａｎｏｌ、９５％）を投入し、遠心分離機（ｃｅｎｔｒｉｆｕｇｅ）を用いて製造された粒子を回収した。

回収された粒子を真空オーブンで２４時間完全に乾燥した。

（実施例２）
基材粒子として、平均粒径が２マイクロメートルのＣｕ粒子を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法で導電性粒子を製造した。

（実施例３）
基材粒子は、液相還元法によって製造された平均粒径が０．０４マイクロメートルのＣｕ粒子を使用した。第１金属層および第２金属層形成のための化合物としては銀ジアセテート（Ａｇ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２・２Ｈ_２Ｏ、Ａｇ含有量６８％、Ｊｕｎｓｅｉ）を使用し、核粒子形成用金属化合物としてはＰｄアセテート（ｐａｌｌａｄｉｕｍ ａｃｅｔａｔｅ、Ｐｄ（Ｏ_２ＣＣＨ_３）_２、Ａｌｄｒｉｃｈ社）を使用した。

０．０４マイクロメートルの大きさのＣｕ粒子１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに、超音波および均質器（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を用いて均一に分散させ、Ｃｕ粒子分散液を製造した。

銀ジアセテート３ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに溶かし、銀化合物溶液を製造した。Ｐｄアセテート１ｇをオクチルアミン（ｏｃｔｙｌａｍｉｎｅ、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_７ＮＨ_２、Ａｌｄｒｉｃｈ社）１０ｇに溶かし、Ｐｄ化合物溶液を製造した。

半連続式反応器にＣｕ粒子分散液を投入した。８０℃の温度に維持して撹拌しながら、溶解した銀化合物溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。投入が完了した時点で、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて２１０℃まで増加させた後、１０分間温度を維持して完全に反応させた。

反応完了後、温度を低下させて１３０℃となった時、Ｐｄアセテート溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。１０分後、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて１９０℃となった時、銀ジアセテート１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに溶かした銀化合物溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。投入が完了した時点で、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて２１０℃まで増加させた後、１０分間温度を維持して完全に反応させた。

反応完了後、常温まで温度を低下させた後、５００ｍｌのエタノール（ｅｔｈａｎｏｌ、９５％）を投入し、遠心分離機（ｃｅｎｔｒｉｆｕｇｅ）を用いて製造された粒子を回収した。

（比較例１）
基材粒子は、液相還元法によって製造された平均粒径が０．０４マイクロメートルのＣｕ粒子を使用した。第１金属層形成のための化合物としては銀ジアセテート（Ａｇ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２・２Ｈ_２Ｏ、Ａｇ含有量６８％、Ｊｕｎｓｅｉ）を使用した。

０．０４マイクロメートルの大きさのＣｕ粒子１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに、超音波および均質器（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を用いて均一に分散させ、Ｃｕ粒子分散液を製造した。

銀ジアセテート１０ｇをオレイルアミン（ｏｌｅｙｌａｍｉｎｅ、Ｃ_１８Ｈ_３７Ｎ）８０ｇに溶かし、銀化合物溶液を製造した。

半連続式反応器にＣｕ粒子分散液を投入した。８０℃の温度に維持して撹拌しながら、溶解した銀化合物溶液を、定量ポンプを用いて１０ｍｌ／ｍｉｎと一定の投入速度で投入した。投入が完了した時点で、５℃／ｍｉｎで徐々に温度を増加させて２１０℃まで増加させた後、１０分間温度を維持して完全に反応させた。反応完了後、常温まで温度を低下させた後、５００ｍｌのエタノール（ｅｔｈａｎｏｌ、９５％）を投入し、遠心分離機（ｃｅｎｔｒｉｆｕｇｅ）を用いて製造された粒子を回収した。

＜実験例＞
（粒子の表面および成分の分析）
（実験例１）
実施例１により製造された導電性粒子を、透過顕微鏡（ＴＥＭ）および走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて拡大して表面分析を実施した。

本発明の実施例１で突起を形成する前のＣｕ粒子の、透過顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真を図５に示した。実施例１で製造された導電性粒子の表面を、走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真を図６に、透過顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真を図７にそれぞれ示した。図８は、図７のＴＥＭ分析結果を拡大して示した。

図５ないし図８を参照すれば、表面分析の結果、本発明の実施例１により製造された導電性粒子には、表面に５〜１０ｎｍの大きさを有する突起が形成されることを確認することができた。

また、ＥＤＸ分析方法を用い、本発明の実施例１で製造された単一粒子の位置に応じた元素分析結果を示すグラフを図９に示した。図９を参照すれば、Ｃｕからなる基材粒子に対して、表面にＡｇ、Ｐｄがすべて存在することを確認することができる。前記ＥＤＸ分析方法は、Ｈｉｔａｃｈｉ社の走査顕微鏡（Ｓ−４８００ＦＥＧ ＳＥＭ）に、Ｈｏｒｉｂａ社のＥＤＳ ＤｅｔｅｃｔｏｒｓおよびＥＭＡＸ Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｏｆｔｗａｒｅを用い、ｌｉｎｅ ｓｃａｎｎｉｎｇを通じて単一粒子の位置に応じた金属成分を分析する方法で行った。

本発明の実施例１で製造された導電性粒子のドットマッピング（ｄｏｔ ｍａｐｐｉｎｇ）結果を示す写真を図１０に示した。図１０を参照すれば、Ｃｕからなる基材粒子に対して、表面にＡｇ、Ｐｄがすべて存在することを同様に確認することができる。

図５ないし図１０の結果をまとめると、Ｃｕ粒子の表面にＰｄ核粒子およびＡｇを含み、ナノメートルの大きさを有する突起が形成されることを確認することができた。また、単一粒子において位置に応じたＡｇおよびＣｕ含有量分析の結果、粒子の表面から中央にいくほど、Ａｇの含有量が減少し、Ｃｕの含有量が増加する傾向を観察することができた。これは、Ｃｕ粒子の表面にＡｇ層が形成されたことを意味すると考えられる。

（実験例２）
実施例２により製造された導電性粒子を、走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて拡大して表面分析を実施した。

本発明の実施例２で突起を形成する前の基材粒子を、走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてそれぞれ３万倍および１０万倍に拡大した写真を図１１に示し、実施例２により製造された導電性粒子を、走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてそれぞれ３万倍および１０万倍に拡大した写真を図１２に示した。

図１２を参照すれば、実施例２により製造された導電性粒子の表面には、１０〜１００ナノメートルの大きさを有する突起が形成されることを確認することができた。

（実験例３）
実施例３により製造された導電性粒子を、透過顕微鏡（ＴＥＭ）および走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて拡大して表面分析を実施した。

本発明の実施例３で製造された導電性粒子の表面を、走査顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真を図１３に、透過顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて３０万倍に拡大した写真を図１４にそれぞれ示した。図１５は、図１４のＴＥＭ分析結果を拡大して示した。

図１５を参照すれば、実施例３により製造された導電性粒子の表面には、１０〜１５ナノメートルの大きさを有する突起が形成されることを確認することができた。

（比較実験例１）
比較例１で製造された導電性粒子のドットマッピング（ｄｏｔ ｍａｐｐｉｎｇ）結果を示す写真を図１６に示した。

図１６を参照すれば、核粒子形成工程なしに製造された比較例１の導電性粒子には表面に突起が形成されず、Ｃｕ粒子の表面にＡｇが均一にめっきされた形態で得られたことを確認することができた。

（比抵抗（電気伝導性）の測定）
（実験例３）
前記実施例１で製造された導電性粒子を用いて比抵抗（電気伝導性）を測定するためにペーストを製造した。

実施例１の導電性粒子８５重量％、ブチルカルビトールアセテート１０重量％、バインダー（ｅｔｈｙｌ ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ樹脂、商品名Ｅｔｈｏｃｅｌ、Ｄｏｗ社、Ｓｔａｎｄａｒｄ１００）３重量％と、分散剤（ＢＹＫ−１８０）２重量％を３−ｒｏｌｌ ｍｉｌｌｉｎｇして混合し、ペーストを製造した。製造されたペーストを用いてスクリーンプリンティングを実施し、焼結温度に応じた比抵抗を測定した。

（比較実験例２）
前記比較例１で得られた導電性粒子を用いて前記実験例３と同様の方法でペーストを製造し、スクリーンプリンティングし、焼結温度に応じた比抵抗を測定した。

実験例３および比較実験例２の結果を下記表１に示した。また、その結果グラフを図１７に示した。

表１および図１７を参照すれば、実施例１により製造された導電性粒子を含むペーストは、すべての焼結温度に対して、比較例１で製造された導電性粒子を含むペーストより比抵抗に優れていると分析された。

また、焼結温度が増加するにつれ、比抵抗の減少幅がより大きくなり、特に、１５０℃および２００℃の焼結温度で急激な比抵抗の減少、つまり、伝導度が向上することが分かる。

１ 基材粒子
２ 第２金属層
３ 核粒子
４ 突起
５ 第１金属層

Claims (18)

1. 金属を含む基材粒子と、
   前記基材粒子の表面上に形成された核粒子と、
   前記基材粒子上に形成された第１金属層と、を含み、
   前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出していて、高さが５〜１０ｎｍである突起を含み、
   前記基材粒子はＣｕを含み、
   前記第１金属層はＡｇを含み、
   前記核粒子は、Ｐｄを含むことを特徴とする導電性粒子。
2. 前記基材粒子は、平均粒径が０．０１〜１，０００μｍの球状であることを特徴とする請求項１に記載の導電性粒子。
3. 金属を含む基材粒子と、
   前記基材粒子上に形成された第２金属層と、
   前記第２金属層の表面上に形成された核粒子と、
   前記第２金属層上に形成された第１金属層と、を含み、
   前記第１金属層は、前記核粒子を囲んで突出している突起を含み、
   前記基材粒子はＣｕを含み、
   前記第１金属層及び前記第２金属層はＡｇを含み、
   前記核粒子は、Ｐｄを含むことを特徴とする導電性粒子。
4. 前記基材粒子は、平均粒径が０．０１〜１，０００μｍの球状であることを特徴とする請求項３に記載の導電性粒子。
5. 前記突起は、高さが５〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の導電性粒子。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の導電性粒子を含む導電性パターンを含むことを特徴とする電子素子。
7. 前記導電性パターンは、太陽電池、回路、軟性回路基板、タッチスクリーンパネル、ディスプレイまたはＲＦＩＤの電極パターンであることを特徴とする請求項６に記載の電子素子。
8. 金属を含む基材粒子と、遷移金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に核粒子を形成させるステップと、
   第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記基材粒子上に、前記核粒子を囲み、高さが５〜１０ｎｍである突起を含む第１金属層を形成するステップと、
   を含み、
   前記基材粒子は、Ｃｕを含み、
   前記遷移金属化合物溶液は、Ｐｄおよび溶媒を含み、
   前記第１金属化合物溶液は、Ａｇを含む第１金属化合物、および溶媒を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法。
9. 前記基材粒子は、平均粒径が０．０１〜１，０００μｍの球状であることを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
10. 前記溶媒は、炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する脂肪酸アミン、あるいは炭素数６〜２２の、線状または分枝構造を有する不飽和アミンであることを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
11. 第１金属化合物は、銀ジアセテート、銀シクロヘキサンブチレート、銀２−エチルヘキサノエート、銀ネオデカノエートおよび銀アセチルアセトネートからなる群より選択される１種以上の銀化合物を含むことを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
12. 前記第１金属化合物溶液の銀化合物の含有量は、０．１〜３０重量％であることを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
13. 前記第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させるステップは、前記第１金属化合物が熱分解する温度以上で行われることを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
14. 前記第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させるステップは、アスコルビン酸系化合物、ヒドラジン系化合物、ヒドロキノン系化合物、ホウ素系化合物またはリン酸系化合物からなる群より選択される１種以上の還元剤を用いて行われることを特徴とする請求項８に記載の導電性粒子の製造方法。
15. 金属を含む基材粒子と、第２金属化合物溶液とを反応させることにより、前記基材粒子の表面に第２金属層を形成するステップと、
    遷移金属化合物溶液を前記第２金属層の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層の表面に核粒子を形成させるステップと、
    第１金属化合物溶液を前記核粒子の形成された基材粒子と反応させることにより、前記第２金属層上に、前記核粒子を囲む突起を含む第１金属層を形成するステップと、
    を含み、
    前記基材粒子は、Ｃｕを含み、
    前記遷移金属化合物溶液は、Ｐｄおよび溶媒を含み、
    前記第１金属化合物溶液は、Ａｇを含む第１金属化合物、および溶媒を含み、
    前記第２金属化合物溶液は、Ａｇを含む第２金属化合物、および溶媒を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法。
16. 第２金属化合物溶液は、銀ジアセテート、銀シクロヘキサンブチレート、銀２−エチルヘキサノエート、銀ネオデカノエートおよび銀アセチルアセトネートからなる群より選択される１種以上の銀化合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の導電性粒子の製造方法。
17. 前記第２金属化合物溶液の銀化合物の含有量は、０．１〜３０重量％であることを特徴とする請求項１５に記載の導電性粒子の製造方法。
18. 第２金属化合物溶液を前記基材粒子と反応させるステップは、前記第２金属化合物が熱分解する温度以上で行われることを特徴とする請求項１５に記載の導電性粒子の製造方法。