JP6157002B2 - 溶融層の積層構造の製造装置、溶融層の積層構造の製造方法及び溶融層の積層構造 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係る溶融層の積層構造の製造装置の構成を示す図である。なお、下記の説明では、「溶融」及び「焼結」という2つの用語を使っているが、「溶融」は、対象粉末粒子を完全に溶融するのではなく、粉末粒子の形状が確認できる程度に溶融するという意味で、「焼結」と同じ意味で使っている。
図2は、本発明の実施形態に係る溶融層の積層構造の製造装置のうち、レーザ光出射部102の構成を示す図である。
図3(a)は、薄層形成部103の構成を示す上面図である。図3(b)は、図3(a)のI-I線に沿う断面図で、同図には、薄層形成部101のほかに、その上方に配置されているレーザ光出射部102も示している。図3(a)、(b)ではチャンバを省略している。
使用可能な粉末材料35として、金属粉末材料やセラミックス粉末材料などが挙げられる。
制御部104は、レーザ光出射部102のコントローラと、薄層形成部103のコントローラとで構成される。
レーザ光出射部102のコントローラは、XYZドライバに制御信号を送り、次のような制御を行う。
薄層形成部103のコントローラは、パートテーブル33a、第1及び第2フィードテーブル34aa、34baの昇降と、リコータ36の移動とを制御するとともに、ヒータや加熱用光源その他の加熱手段による加熱を制御する。
薄層形成部103のコントローラは、まず、チャンバ内を排気し、圧力を10-2Pa以下に保つ。
ここで、k:比例定数(0.2〜5.0程度の値となる)、Tm:粉末材料の融点(K)、T:予熱温度(K)、t:溶融厚さ(m)((1.0〜2)×do)、do:粉末粒子の平均粒径(m)、C:粉末材料の充填率(凡そ0.5)、ρ:金属の密度(kg/m3)、τ:金属の比熱(J/kg・K)、α:レーザの吸収率である。
第1制御方法では、1層の下地加熱層(第1溶融層)35bの直上に下地加熱層35bと接して多孔質構造の溶融層35cを形成したが、第2制御方法では、第1制御方法と異なり、図7(a)に示すように、複数の下地加熱層(溶融層)35bを、下層から、順次、レーザ出力を増大させながら、隣接する層が相互に接するように形成する。レーザ出力は、下地加熱層35bを形成する際の最大レーザ出力の10−50%程度から始めてその最大レーザ出力まで、複数の下地加熱層35bの総層数に応じて少しずつ増大させていく。
第1及び第2制御方法では、1層又は複数層の下地加熱層(第1溶融層又は溶融層)35bの上に1層の溶融層35cを形成しているが、第3制御方法では、第1及び第2制御方法と異なり、図8(a)に示すように、1層又は複数層の下地加熱層(溶融層)35bの上に、複数層の溶融層35cを形成する。各溶融層35cは、第1制御方法と同様にして、形成する。なお、上層の溶融層35cは、下層の溶融層35cの形成領域内に含まれるように形成されているが、下層の溶融層35cから上層の溶融層35cに均一に予熱が行き渡るようにするためである。また、図8(a)では、層数を3層としているが、これに限られない。
次に、上記溶融層の積層構造の製造装置を用いた溶融層の積層構造の製造方法について説明する。
(i)第1実施例
第1実施例では、粉末材料として、粒径150μm以下で平均粒径約80μmのチタン合金(Ti-6Al4V)の粉末材料(商品名Tailop-150、大阪チタニウム製)を用いた。
この実施例では、粉末材料として、チタン合金(Ti-6Al4V)の粉末材料(商品名Tailop-150、大阪チタニウム製)を目幅70μmの篩にかけて選別して得た、粒径50μm以上、70μm以下で、平均粒径約60μmの粉末材料を用いた。
この実施例では、粉末材料として、粒径45μm以下で平均粒径35μmのチタン合金(Ti-6Al4V)の粉末材料(商品名Tailop-45、大阪チタニウム製)を用いた。
粉末材料の薄層を加熱するエネルギービームを出射する加熱用エネルギービーム出射手段と、
第1の粉末材料の薄層を形成し、前記エネルギービームにより前記第1の粉末材料の薄層を溶融して第1溶融層を形成し、前記第1溶融層上に第2の粉末材料の薄層を形成し、前記第1溶融層と融着しないように前記エネルギービームにより前記第2の粉末材料の薄層を加熱して前記第1溶融層上に前記第2溶融層を形成する制御部と
を備えた溶融層の積層構造の製造装置。
前記第2溶融層は多孔質構造を有することを特徴とする付記1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記第1溶融層と前記第2溶融層の間は剥離可能であることを特徴とする付記1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記第1溶融層は、前記粉末材料の融点(Tm (K))より低く、0.35×Tm〜0.80×Tmの温度範囲に加熱することを特徴とする付記1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記第2溶融層は、少なくとも前記粉末材料の表面を前記粉末材料の融点(Tm (K))以上に加熱することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記粉末材料の薄層が形成される昇降台を有することを特徴とする付記1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記昇降台を収納する減圧用容器を有することを特徴とする付記6に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
前記粉末材料は、金属粉末又はセラミックス粉末であることを特徴とする付記1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
第1の粉末材料の薄層を形成する工程と、
前記第1の粉末材料の薄層にエネルギービームを照射することにより第1溶融層を形成する工程と、
前記第1溶融層上に第2の粉末材料の薄層を形成する工程と、
前記第1溶融層と融着しないように前記エネルギービームにより前記第2の粉末材料の薄層を加熱して前記第1溶融層上に前記第2溶融層を形成する工程と
を有することを特徴とする溶融層の積層構造の製造方法。
前記第2溶融層は多孔質構造を有することを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記第1溶融層と前記第2溶融層の間は剥離可能であることを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記第1溶融層は、前記粉末材料の融点(Tm (K))より低く、0.35×Tm〜0.80×Tmの温度範囲に加熱することを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記第2溶融層は、少なくとも前記粉末材料の表面を前記粉末材料の融点(Tm (K))以上に加熱することを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記粉末材料の薄層を昇降台上に形成することを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記粉末材料の薄層の形成は、減圧環境下或いは不活性ガス雰囲気中で行われることを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
前記粉末材料は、金属粉末又はセラミックス粉末であることを特徴とする付記9に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
複数の溶融層が積層され、各前記溶融層は多孔質構造を有し、かつ相互に剥離可能であることを特徴とする溶融層の積層構造。
Claims (8)
- 粉末材料の薄層を加熱するエネルギービームを出射する加熱用エネルギービーム出射手段と、
第1の粉末材料の薄層を形成し、前記エネルギービームにより前記第1の粉末材料の薄層を溶融して第1溶融層を形成し、前記第1溶融層上に第2の粉末材料の薄層を形成し、前記第1溶融層と融着しないように前記エネルギービームにより前記第2の粉末材料の薄層を加熱して前記第1溶融層上に前記第2溶融層を形成する制御部と
を備えた溶融層の積層構造の製造装置。 - 前記第2溶融層は、多孔質構造を有することを特徴とする請求項1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
- 前記第1溶融層と前記第2溶融層の間は剥離可能であることを特徴とする請求項1に記載の溶融層の積層構造の製造装置。
- 第1の粉末材料の薄層を形成する工程と、
前記第1の粉末材料の薄層にエネルギービームを照射することにより、第1溶融層を形成する工程と、
前記第1溶融層の上に第2の粉末材料の薄層を形成する工程と、
前記第1溶融層と融着しないように前記エネルギービームにより前記第2の粉末材料の薄層を加熱して前記第1溶融層上に前記第2溶融層を形成する工程と
を有することを特徴とする溶融層の積層構造の製造方法。 - 前記第2溶融層は、多孔質構造を有することを特徴とする請求項4に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
- 前記第1溶融層と前記第2溶融層の間は剥離可能であることを特徴とする請求項4に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
- 前記粉末材料は、金属粉末又はセラミックス粉末であることを特徴とする請求項4に記載の溶融層の積層構造の製造方法。
- 複数の溶融層が積層され、各前記溶融層は多孔質構造を有し、かつ相互に剥離可能であることを特徴とする溶融層の積層構造。
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