JP6148530B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents

Description

本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。

デジタルカメラ等の撮像システムには、各々が半導体基板に形成された光電変換部を有する撮像画素及び焦点検出画素を備える固体撮像装置が用いられうる。撮像画素には、例えばベイヤ配列にしたがってカラーフィルタが設けられうる。

ある画素の光電変換部で生じた電荷が隣接画素に漏れ込むことによってクロストークが生じうる。クロストーク量（隣接画素に漏れ込む電荷の量）は、光電変換部で生じた電荷量に依存しうる。例えば、赤画素は、青画素よりも半導体基板の表面から深い位置で光電変換が為される。半導体基板の表面に光電変換部の電荷蓄積領域を形成する場合には、半導体基板の表面から深い位置において生じた電荷の収集が困難な場合がある。赤画素から緑画素へのクロストーク量は、青画素から緑画素へのクロストーク量よりも大きくなりうる。

特開２０００−１５６８２３号公報 特開２００９−１０５３５８号公報 特開２００７−１５８５９７号公報 特開２００８−２７０２９８号公報

焦点検出画素は、例えば位相差検出法に基づく焦点検出を行うための構造を採り、撮像画素とは構造が異なるため、撮像画素が配置されるべき位置の一部に焦点検出画素が設けられた場合には隣接画素間のクロストーク量が変動してしまう。焦点検出画素を設けることによる隣接画素間のクロストークへの影響は小さいことが望ましい。

本発明は、発明者による上記課題の認識を契機として為されたものであり、撮像画素及び焦点検出画素を備える固体撮像装置により得られる画像の高品質化に有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、各々が半導体基板に設けられた光電変換部を有する複数の画素を備えた固体撮像装置であって、前記複数の画素は、ベイヤ配列にしたがって配された複数の撮像画素と、前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光部を有する複数の偏心開口画素と、を含んでおり、前記複数の偏心開口画素は、前記ベイヤ配列の赤色の位置に配された第１の偏心開口画素と、前記ベイヤ配列の青色の位置に配された第２の偏心開口画素と、を含んでおり、前記第１の偏心開口画素の前記遮光部の開口は、前記第２の偏心開口画素の前記遮光部の開口よりも大きい、ことを特徴とする。

本発明によれば、撮像画素及び焦点検出画素を備える固体撮像装置により得られる画像の高品質化に有利である。

固体撮像装置の断面構造の参考例を説明する図。 本発明の固体撮像装置の断面構造の例を説明する図。 本発明の固体撮像装置の製造方法の例を説明する図。

（参考例）
本発明の各実施形態を述べるに先立って、図１を参照しながら、固体撮像装置Ｉ_Ｄを参考例として説明する。固体撮像装置Ｉ_Ｄは、１つの基板１０１（半導体基板）に配列された撮像画素１０（赤画素１０_Ｒ、緑画素１０_Ｇ及び青画素１０_Ｂを含む）と、焦点検出画素１１_ＡＦ（以下、「ＡＦ画素１１_ＡＦ」）とを有する。図１（ａ）に例示されるように、赤画素１０_Ｒ、緑画素１０_Ｇ及び青画素１０_Ｂのそれぞれは、ベイヤ配列にしたがって配列されており、また、ＡＦ画素１１_ＡＦが、例えば、赤画素１０_Ｒや青画素１０_Ｂが配されるべき位置の一部に配されている。ＡＦ画素１１_ＡＦのうち、赤画素１０_Ｒが配されるべき位置に配されたものをＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒとし、青画素１０_Ｂが配されるべき位置に配されたものをＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂとして示している。領域Ｒ_ＲＧは、赤画素１０_Ｒ及び緑画素１０_Ｇの撮像画素１０が配された行のうち、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒを含む４画素分を示している。領域Ｒ_ＢＧは、青画素１０_Ｂ及び緑画素１０_Ｇの撮像画素１０が配された行のうち、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂを含む４画素分を示している。

図１（ｂ）は、固体撮像装置Ｉ_Ｄのうち領域Ｒ_ＲＧにおける断面構造を模式的に示している。本参考例では、領域Ｒ_ＲＧについて例示するが、領域Ｒ_ＢＧにおいても同様の構造を有している。基板１０１には、各画素に対応して光電変換部１０２が設けられている。基板１０１の上には、層間絶縁層（１１０、１１４、１１７）、コンタクトプラグ（１１１、１１５、１１８）、配線パターン（１１２、１１６、１１９）、パッシベーション膜１３０、平坦化膜１３１、マイクロレンズ１３５が設けられている。

撮像画素１０には、対応する色のカラーフィルタ１３４（１３４_Ｒ、１３４_Ｇ又は１３４_Ｂ）が、光電変換部１０２とマイクロレンズ１３５との間のフィルタ層１３２に配されうる。例えば、赤画素１０_Ｒでは、赤色光を通過させるカラーフィルタ１３４_Ｒが配される。例えば、緑画素１０_Ｇには、緑色光を通過させるカラーフィルタ１３４_Ｇが配される。例えば、青画素１０_Ｂでは、青色光を通過させるカラーフィルタ１３４_Ｂが配される。

焦点検出は例えば位相差検出法に基づいて為され、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒでは焦点検出を行うのに十分な信号が得られればよく、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒにはカラーフィルタ１３４が設けられなくてもよい。ここでは、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒには光透過性を有する無色の部材１３３が設けられた構造を例示するが、この構造に限定されない。例えば、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒは、カラーフィルタ１３４や部材１３３が配されない構造を採ってもよい。

撮像画素１０及びＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒのそれぞれは公知の回路構成を採ればよく、光電変換部１０２の他、光電変換部１０２から電気信号を読み出すための複数のトランジスタ、例えば転送トランジスタ及びソースフォロワトランジスタを含みうる。転送トランジスタのゲートに与えられる制御信号が活性化されると、光電変換部１０２において発生し蓄積された電荷が、転送トランジスタによってソースフォロワトランジスタのゲートに転送されうる。これにより、当該ゲートの電位が変化し、当該電位の変化に応じてソースフォロワトランジスタに流れる電流量が変化しうる。なお、図１（ｂ）では、転送トランジスタのゲート電極１０４と、転送トランジスタの一方の拡散領域であるフローティングディフュージョン１０５（ＦＤ１０５）とを代表して図示している。ＦＤ１０５は、上述のソースフォロワトランジスタのゲートに電気的に接続される。

また、各撮像画素１０（又はＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒ）は、複数のトランジスタとして、例えば選択トランジスタをさらに含みうる。選択トランジスタのゲートに与えられる制御信号が活性化されると、選択トランジスタは、ソースフォロワトランジスタの電流量に応じた信号を出力しうる。その他、各撮像画素１０（又はＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒ）は、複数のトランジスタとして、例えばリセットトランジスタをさらに含みうる。リセットトランジスタのゲートに与えられる制御信号が活性化されると、リセットトランジスタはソースフォロワトランジスタのゲートの電位をリセットしうる。

以上のような構成により、各撮像画素１０（又はＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒ）から信号がそれぞれ読み出されうる。各撮像画素１０から読み出された信号は、例えば画像処理等の信号処理を行う処理部（不図示）に入力され、画像データが形成されうる。

焦点検出は、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒが受光した光に基づいて、位相差検出法により為されうる。ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒは、瞳分割を行うように、例えば配線層Ｍ１〜Ｍ３のいずれか（ここでは配線層Ｍ１）に、幅Ｗの開口ＯＰを有するパターン１１３（開口を含む遮光部）が設けられた構造を採りうる。開口ＯＰは、光電変換部１０２の中心から偏心されるように設けられ、パターン１１３は光電変換部１０２に入射する光を制限する。この構成によって各ＡＦ画素１１_ＡＦから読み出された信号が、例えば焦点検出を行う焦点検出部（不図示）に入力され、焦点検出の結果に応じてレンズ位置が調整されうる。

基板１０１上には、各画素の間に、絶縁性の部材で構成された素子分離部１０３が設けられうる。基板１０１には、各画素で生じた電荷の隣接画素間での移動により生じるクロストークを防ぐように各画素の間に素子分離領域１０６が設けられうる。素子分離領域１０６は、各画素の光電変換部１０２の外周を取り囲むように配されうる。

ところで、赤画素１０_Ｒと緑画素１０_Ｇとの間と、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒと緑画素１０_Ｇとの間とでは、クロストーク量が異なる。これは、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒには瞳分割を行う構造を採るためのパターン１１３が設けられるため、赤画素１０_Ｒに比べて、その光電変換部１０２への入射光量が少ないことに起因する。隣接画素へ移動する電荷の量は、発生した電荷量に依存するため、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒからそれに隣接する緑画素１０_Ｇへ移動する電荷の量は、赤画素１０_Ｒからそれに隣接する緑画素１０_Ｇへ移動する電荷の量よりも少ない。なお、クロストークとは、隣接画素に電荷が混入することを意味し、クロストーク量とは、隣接画素に混入する電荷量を意味している。

図１（ｂ）では領域Ｒ_ＲＧを例示して述べたが、領域Ｒ_ＢＧについても同様である。すなわち、青画素１０_Ｂと緑画素１０_Ｇとの間と、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂと緑画素１０_Ｇとの間とでは、クロストーク量が異なる。これは、光が基板１０１の表面から侵入する長さが当該光の波長によって異なり、例えば、ＡＦ画素１１_ＡＦの光電変換部１０２に入射した光が、青色光よりも基板１０１の表面から深い位置で光電変換が為されて電荷が生じることに起因する。

このように、ＡＦ画素１１_ＡＦは、撮像画素１０とは構造が異なるため、撮像画素１０が配置されるべき位置の一部にＡＦ画素１１_ＡＦが設けられた場合には隣接画素間のクロストーク量が変動してしまう。即ち、撮像画素１０及びＡＦ画素１１_ＡＦが画素アレイを形成するように配列された固体撮像装置Ｉ_Ｄにおいては、ＡＦ画素１１_ＡＦが配された領域と、それ以外の領域とではクロストーク量が異なってしまう。このことは、例えば、ＡＦ画素１１_ＡＦの配置に応じて特異な信号値を有する画像データが得られることになってしまい、固体撮像装置Ｉ_Ｄにより得られる画像の品質の低下をもたらしうる。よって、ＡＦ画素１１_ＡＦを設けることによる隣接画素間のクロストークへの影響は小さいことが望ましい。

（本発明の構成例）
図２は、本発明の構成例として固体撮像装置Ｉ_１の断面構造を模式的に示しており、図２（ａ）は領域Ｒ_ＲＧにおける構造を示し、図２（ｂ）は領域Ｒ_ＢＧにおける構造を示している。固体撮像装置Ｉ_１は、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒとＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂとで、パターン１１３の開口ＯＰの幅Ｗが互いに異なる、という点で参考例の固体撮像装置Ｉ_Ｄと異なる。

ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒにおけるパターン１１３_Ｒの開口ＯＰ_Ｒの面積は、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂにおけるパターン１１３_Ｂの開口ＯＰ_Ｂの面積よりも大きい。パターン１１３_Ｒ及び１１３_Ｂは、例えば、開口ＯＰ_Ｒの幅Ｗ_Ｒが開口ＯＰ_Ｂの幅Ｗ_Ｂよりも大きくなるように設けられればよい。これにより、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒでは、光電変換部１０２において発生する電荷量が、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂよりも多くなる。即ち、光電変換部１０２において発生する電荷量についてのＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒとＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂとの大小関係は、赤画素１０_Ｒと青画素１０_Ｂとの大小関係と同様である。よって、本発明の構成例によると、前述の固体撮像装置Ｉ_Ｄ（参考例）の場合に対して、ＡＦ画素１１_ＡＦを設けることによる隣接画素間のクロストークへの影響を小さくすることができる。

特に、撮像画素１０及びＡＦ画素１１_ＡＦは、光電変換部１０２で発生する電荷量が、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒと赤画素１０_Ｒとで互いに等しくなり、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂと青画素１０_Ｂとで互いに等しくなるように設けられればよい。例えば、各撮像画素１０は、隣接画素間との混色を防ぐように、当該撮像画素１０の周辺領域には電源供給ないし信号伝達のための配線パターンが配されており、当該配線パターンにより開口が形成されている。パターン１１３_Ｒの開口ＯＰ_Ｒの面積は、例えば、赤画素１０_Ｒが有する開口の面積の３７％以上７４％未満の範囲内にするとよい。パターン１１３_Ｂの開口ＯＰ_Ｂの面積は、例えば、青画素１０_Ｂが有する開口の面積の５％以上３７％未満の範囲内にするとよい。なお、ここでは図示しないが、例えば緑画素１０_Ｇが配されるべき位置にＡＦ画素１１_ＡＦが設けられる場合には、光電変換部１０２で発生する電荷量が当該ＡＦ画素１１_ＡＦと緑画素１０_Ｇとで互いに等しくなるように、各画素を設けてもよい。

以上の構成によると、ＡＦ画素１１_ＡＦを設けることによる隣接画素間のクロストークへの影響を小さくすることができ、よって、固体撮像装置Ｉ_１により得られる画像の品質が向上しうる。

（製造方法）
以下では、図３を参照しながら、上述の固体撮像装置Ｉ_１の製造方法の例を述べる。図３では、ＡＦ画素１１_ＡＦ（１１_ＡＦ＿ｒ及び１１_ＡＦ＿ｂ）、並びに撮像画素１０を含む領域を図示している。まず、図３（ａ）に示されるように、例えばＰ型シリコン等の半導体領域を含む基板１０１が用意され、基板１０１の表面には例えばＬＯＣＯＳ法等によって素子分離部１０３が形成されうる。次に、基板１０１の上にフォトレジストパターンを形成した後に、例えばイオン注入法によって素子分離部１０３の下にＰ型の不純物を注入し、素子分離領域１０６が形成されうる。

その後、各種トランジスタ（転送トランジスタ、ソースフォロワトランジスタ等）のゲート電極（ここではゲート電極１０４）やＮ型の拡散領域（ここでは光電変換部１０２及びＦＤ１０５）が、公知の半導体プロセスを用いて形成されうる。なお、図３（ａ）には図示していないが、基板１０１の表面には、各トランジスタのゲート絶縁膜や自然酸化膜が形成されうる。

次に、例えばＣＶＤ(気相成長)法等によって、酸化シリコン等の絶縁性の材料で構成された第１の層間絶縁膜１１０が、ゲート電極１０４等を覆うように基板１０１の上に形成される。その後、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）法等によって層間絶縁膜１１０の上面が平坦化される。

次に、コンタクトプラグ１１１が形成される。コンタクトプラグ１１１は、基板１０１やゲート電極等と、後に第１配線層Ｍ１に形成される配線パターン１１２とを接続する。次に、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ若しくはＣｕ、若しくはこれらを主成分とする金属膜、又はこれらの積層膜が、スパッタリング、ＣＶＤ法又は電解メッキ法等によって層間絶縁膜１１０の上に形成される。その後、リソグラフィ工程及びエッチング工程を経て、配線パターン１１２及びパターン１１３_Ｒ及び１１３_Ｂが第１配線層Ｍ１に形成される。前述のとおり、パターン１１３_Ｒ及び１１３_Ｂは、開口ＯＰ_Ｒの幅Ｗ_Ｒが開口ＯＰ_Ｂの幅Ｗ_Ｂよりも大きくなるように設けられる。

次に、層間絶縁膜１１０と同様の手順で、第２の層間絶縁膜１１４が、パターン１１３_Ｒ及び１１３_Ｂ並びに配線パターン１１２を覆うように第１配線層Ｍ１の上に形成される。第２の層間絶縁膜１１４の上面はＣＭＰ法等によって平坦化されうる。その後、コンタクトプラグ１１５のための開口１１５ａが形成される。コンタクトプラグ１１５は、第１配線層Ｍ１の配線パターン１１２と、後に第２配線層Ｍ２に形成される配線パターン１１６とを接続する。

次に、図３（ｂ）に示されるように、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴｉＮ若しくはＣｕ、若しくはこれらを主成分とする金属部材が、スパッタリング、ＣＶＤ法又は電解メッキ法等によって開口１１５ａに埋設される。さらに、この金属部材はＣＭＰ法やエッチバック法等によって平坦化され、コンタクトプラグ１１５が形成される。次に、配線パターン１１２及びパターン１１３と同様の手順で、配線パターン１１６が第２配線層Ｍ２に形成される。さらに、層間絶縁膜１１４と同様の手順で、第３の層間絶縁層１１７が、配線パターン１１６を覆うように第２配線層Ｍ２の上に形成され、その上面がＣＭＰ法等によって平坦化される。その後、開口１１５ａと同様の手順で、コンタクトプラグ１１８のための開口１１８ａが形成される。コンタクトプラグ１１８は、第２配線層Ｍ２の配線パターン１１６と、後に第３配線層Ｍ３に形成される配線パターン１１９とを接続する。

次に、図３（ｃ）に示されるように、コンタクトプラグ１１５と同様の手順で、金属部材が開口１１８ａに埋設され、コンタクトプラグ１１８が形成される。さらに、配線パターン１１６と同様の手順で、配線パターン１１９が第３配線層Ｍ３に形成されうる。その後、配線パターン１１９を覆うように、無機材料からなるパッシベーション膜１３０が層間絶縁膜１１７の上に形成される。

次に、図３（ｄ）に示されるように、例えば塗布法によって、有機材料からなる平坦化層１３１が、パッシベーション膜１３０の上に形成されうる。その後、フィルタ層１３２が平坦化層１３１の上に形成され、各撮像画素１０又はＡＦ画素１１_ＡＦに対応してカラーフィルタ１３４又は光透過性を有する無色の部材１３３が設けられる。最後に、フィルタ層１３２の上に形成される平坦化層（不図示）の上に、所定のパターニング及びリフロー処理を経て、マイクロレンズ１３５が各撮像画素１０又はＡＦ画素１１_ＡＦに対応して形成されうる。部材１３３は、フィルタ層１３２の上に形成される平坦化層と一体の部材であってもよい。

以上の製造方法により、１つの基板１０１に配列された撮像画素１０及びＡＦ画素１１_ＡＦを備え、画像の高品質化に有利な固体撮像装置Ｉ_１が得られる。

なお、基板１０１に設けられた各画素間の素子分離領域１０６は隣接画素間のクロストークを低減しうるが、多画素化（画素の小サイズ化）に伴い、光電変換部における光電変換効率の向上が求められる一方で素子分離領域１０６の面積を抑える必要がある。よって、素子分離領域１０６の電荷に対する障壁（ポテンシャル障壁）を高くすることによって（電荷の移動を妨げる能力を高くすることによって）クロストークを解消することは容易ではない。また、互いに隣接する撮像画素１０間と、撮像画素１０とＡＦ画素１１_ＡＦとの間とで、素子分離領域１０６の電荷に対する障壁を調節して前述のクロストーク量の差を低減し、均一化する構成も考えられる。しかし、この構成を形成するためには、２回以上の不純物注入を基板１０１に対して行う工程や、不純物注入を行う際に用いるレジストの膜厚をエッチング等によって画素ごとに調節する工程が必要であり、製造面において容易ではない。

一方で、本発明によると、電荷に対する障壁が各画素間で均一になるように素子分離領域１０６を形成することができ、製造面においても有利である。即ち、基板１０１において各画素の間に設けられる素子分離領域１０６のうち、互いに隣接する撮像画素１０間の第１部分と、撮像画素１０とＡＦ画素１１_ＡＦとの間の第２部分とは、電荷に対する障壁が互いに等しくなるように形成されうる。具体的には、第１部分と第２部分とは基板１０１の表面からの深さ、画素間方向の幅、及び不純物濃度が互いに等しくなるように形成されうる。

また、固体撮像装置Ｉ_１によると、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒとＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂとでは、開口ＯＰ_Ｒの幅Ｗ_Ｒと開口ＯＰ_Ｂの幅Ｗ_Ｂとが異なるため、焦点検出用の画素信号の出力値が異なりうる。そこで、固体撮像装置Ｉ_１の信号処理部に、ＡＦ画素１１_ＡＦからの信号を当該ＡＦ画素１１_ＡＦの位置に対応する増幅率で増幅する信号増幅部を設けてもよい。例えば、信号増幅部は、ＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｂからの信号についての増幅率がＡＦ画素１１_ＡＦ＿ｒからの信号についての増幅率よりも大きくなるように設けられうる。

上述の構成では、ベイヤ配列における構成を示したが、ベイヤ配列に限定されるものではなく、また、焦点検出画素の配置も上述の構成に限定されない。本発明は上述の構成に限られるものではなく、目的、状態、用途及び機能その他の仕様に応じて、適宜、変更が可能であり、他の実施形態によっても為されうる。

（撮像システム）
また、以上の実施形態は、カメラ等に代表される撮像システムに含まれる固体撮像装置について述べた。撮像システムの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。撮像システムは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。この処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換器、及び、このＡ／Ｄ変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。焦点検出処理はこの処理部によってなされてもよいし、焦点検出処理を実行する演算部を別途設ける構成にしてもよく、適宜変更が可能である。

Claims (8)

1. 各々が半導体基板に設けられた光電変換部を有する複数の画素を備えた固体撮像装置であって、
   前記複数の画素は、
   ベイヤ配列にしたがって配された複数の撮像画素と、
   前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光部を有する複数の偏心開口画素と、
   を含んでおり、
   前記複数の偏心開口画素は、
   前記ベイヤ配列の赤色の位置に配された第１の偏心開口画素と、
   前記ベイヤ配列の青色の位置に配された第２の偏心開口画素と、
   を含んでおり、
   前記第１の偏心開口画素の前記遮光部の開口は、前記第２の偏心開口画素の前記遮光部の開口よりも大きい、
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記撮像画素は開口が設けられた遮光部を有しており、
   前記第１の偏心開口画素の前記遮光部の開口の面積は、前記複数の撮像画素のうち前記ベイヤ配列の赤色の位置に配された撮像画素の前記遮光部の開口の面積の３７％以上７４％未満の範囲内である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記撮像画素は開口が設けられた遮光部を有しており、
   前記第２の偏心開口画素の前記遮光部の開口の面積は、前記複数の撮像画素のうち前記ベイヤ配列の青色の位置に配された撮像画素の前記遮光部の開口の面積の５％以上３７％未満の範囲内である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 各々が半導体基板に設けられた光電変換部を有する複数の画素を備えた固体撮像装置であって、
   前記複数の画素は、
   ベイヤ配列にしたがって設けられたカラーフィルタを有する撮像画素と、
   前記光電変換部に対して偏心する開口が設けられた遮光部を有する複数の偏心開口画素と、
   を含んでおり、
   前記複数の偏心開口画素は、
   前記ベイヤ配列の赤色の位置に配され、赤色よりも広い範囲の波長の光を受光する第１の偏心開口画素と、
   前記ベイヤ配列の青色の位置に配され、青色よりも広い範囲の波長の光を受光する第２の偏心開口画素と、
   を含んでおり、
   前記第１の偏心開口画素の前記遮光部の開口は、前記第２の偏心開口画素の前記遮光部の開口よりも大きく、
   前記第１の偏心開口画素の前記遮光部の開口は、前記第１の偏心開口画素の前記光電変換部により生じる電荷量と、赤色のカラーフィルタが設けられた撮像画素の前記光電変換部により生じる電荷量とが互いに等しくなるような大きさを有し、
   前記第２の偏心開口画素の前記遮光部の開口は、前記第２の偏心開口画素の前記光電変換部により生じる電荷量と、青色のカラーフィルタが設けられた撮像画素の前記光電変換部により生じる電荷量とが互いに等しくなるような大きさを有する、
   ことを特徴とする固体撮像装置。
5. 前記半導体基板の上には複数の配線層が形成されており、前記遮光部は、前記複数の配線層のうち前記光電変換部の側に最も近い層に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
6. 前記偏心開口画素からの信号を、前記ベイヤ配列における当該偏心開口画素の位置に対応する色に基づく増幅率で増幅する信号増幅部をさらに備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記偏心開口画素は、位相差検出法に基づく焦点検出を行うため焦点検出画素を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
   前記固体撮像装置からの信号を処理する処理部と、を備える、
   ことを特徴とするカメラ。

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