JP6147058B2 - ノズルチップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ノズルチップの製造方法に関する。

ノズルチップは、吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドに用いられる。液体吐出ヘッドとしては、インクを紙等の記録媒体に吐出して記録を行うインクジェット記録ヘッドが挙げられる。インクジェット記録ヘッドのノズルチップを製造する方法としては、特許文献１に記載の方法がある。

特許文献１に記載のノズルチップの製造方法を簡単に述べる。まず、吐出口から液体を吐出させるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する素子基板を用意する。次いで、素子基板上に光吸収剤を含むポジ型感光性樹脂の層を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、ポジ型感光性樹脂の層に対して露光を行い、流路の形状を有するパターンを形成する。次いで、当該パターンを覆うように吐出口形成部材となるネガ型感光性樹脂層を形成し、所定の透光パターンを有する露光マスクを介してネガ型感光性樹脂層に対してｉ線（波長３６５ｎｍ）による露光を行い、現像処理を行うことにより吐出口列を形成する。最後に吐出口を介して上記パターンを除去することにより、吐出口形成部材内に所定の形状の流路が形成される。

特開２００９−１６６４９２号公報

特許文献１に記載された方法で吐出口形成部材となるネガ型感光性樹脂層を露光する際、縮小投影露光を用いることができる。この場合に、本願の発明者は、露光エリアの外周近傍に形成された吐出口では、当該吐出口より吐出された液体が理想の着弾位置からずれ、その結果、記録（例えば印字）を行った際に記録品位が低下することがあることを発見した。

その原因を解析した結果、本願の発明者は、縮小投影露光を行う場合に、露光エリアの中央部に比べて露光エリアの端部近傍では、露光光である主光線の、光軸に対する傾きが大きくなることにあるということを見出した。

本発明は、露光エリアの外周近傍に形成された吐出口であっても、係る吐出口より吐出される液体の着弾位置のずれを抑制することを目的とする。

本発明のノズルチップの製造方法は、透光パターンが形成されたマスクを介して感光性樹脂材料を、縮小投影露光装置を用いて縮小投影露光する工程と、現像処理により前記透光パターンに対応する吐出口パターンを前記感光性樹脂材料に形成する工程と、を有し、前記縮小投影露光における露光光が前記感光性樹脂材料に達する前に、前記露光光を、前記縮小投影露光装置において生じる軸外テレセン度による主光線の傾きを抑制する補正機構に通す。

縮小投影露光において主光線の光軸に対する傾きを補正機構により抑制することで、露光エリアの端部近傍であっても主光線の光軸に対する傾きを緩和することができ、露光エリア全体で感光性樹脂材料に対し略垂直に露光光を照射することができる。その結果、吐出口が傾いて形成されることを抑制することができる。

本発明によれば、吐出口の傾きが抑制されるため、吐出口から吐出される液体の着弾位置のずれの発生を抑制できる。

ノズルチップの模式的斜視図である。 縮小投影方式の露光の様子を示した模式的断面図である。 縮小投影方式の露光における光束の傾きを示す模式的断面図である。 露光マスク上に発生する軸外テレセン度のイメージ図である。 軸外テレセン度を補正する補正機構へ入射する露光光を示す模式的断面図である。 実施形態１にかかる補正機構の製造プロセスを示す図である。 露光マスク上の補正機構の一例を示した模式的斜視図である。 実施形態２にかかる補正機構の製造プロセスを示す図である。 実施形態３にかかる補正機構の製造プロセスを示す図である。

上述の課題に関し、本発明者が検討を行ったところ、縮小投影露光において、ノズルチップ領域をパターニングするために露光マスク上に配置されたノズルチップ領域パターンの位置が、吐出口から吐出した液体の着弾位置ずれに影響することが分かった。以下、この点に関して詳細に説明する。

図２は、縮小投影露光を行う縮小投影露光装置によって露光を行う様子を示している。縮小投影露光装置は、光源からの光線束２０をマスク２２に向けて照射する照明光学系２１と、マスク２２上に形成された透光パターン（露光パターン）をノズルチップ１に縮小投影する縮小投影光学系２３と、を備える。ここで、照明光学系２１から照射される光線束２０の中心とマスク２２の中心が同軸上にある場合、マスク２２の外周部に照射される光線２６１は、マスク２２の中心に照射される光線２５よりも、ノズルチップ１の表面に対して傾いて入射する。つまり、マスク２２の中心に照射される光線２５がノズルチップ１の表面に垂直に入射したとしても、マスク２２の外周部に照射される光線２６１は、ノズルチップ１の表面に垂直な方向に対して僅かに大きく傾向にある。

マスク２２に形成された露光パターンのうち、マスク２２の外周部付近に配置された露光パターンを通過した露光光は所定の傾きをもってノズルチップ１に投影されるため、ノズルチップ１上の吐出口も傾いて形成されることになる。傾いて形成された吐出口から吐出される液滴は、理想の着弾位置からずれて記録媒体に着弾することになる。本発明のノズルチップの製造方法は、このような問題を改善することを目的とする。

図１は、製造すべきノズルチップの一例を示す模式図である。本実施形態のノズルチップ１は、液体を吐出するエネルギーを発生させるエネルギー発生素子２が、所定のピッチで２列に並んで形成された素子基板１０を有している。素子基板１０には、異方性エッチングによって形成された液体供給口１３が、エネルギー発生素子２の２つの列の間に開口している。素子基板１０上には、吐出口形成部材９によって、各エネルギー発生素子２に対応した吐出口１１と、液体供給口１３から各吐出口１１に連通する液体流路（不図示）が形成されている。

吐出口形成部材９は、例えば天井などの流路の一部を形成する部材としても機能するものである。そこで、吐出口形成部材９は、構造材料としての高い機械的強度、下地との密着性、耐インク性、更には吐出口１１としての微細なパターンをパターニングするための解像性が求められる。これらの特性を満足する材料としては、例えばカチオン重合型のエポキシ樹脂組成物が挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応物や、含ブロモビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応物が挙げられる。また、フェノールノボラック或いはｏ−クレゾールノボラックとエピクロルヒドリンとの反応物が挙げられる。エポキシ樹脂は、エポキシ当量が２０００以下であることが好ましく、エポキシ当量が１０００以下であることがより好ましい。エポキシ当量が２０００を越えると、エポキシ樹脂の硬化反応の際に架橋密度が低下し、密着性や耐インク性が低下する場合がある。

エポキシ樹脂を硬化させるための光カチオン重合開始剤としては、光照射により酸を発生する化合物が挙げられる。例えば、芳香族スルフォニウム塩や芳香族ヨードニウム塩が挙げられる。また、必要に応じて、波長増感剤を添加してもよい。波長増感剤としては、例えば旭電化工業（株）より市販されているＳＰ−１００が挙げられる。

図１に示すノズルチップ１は、吐出口１１が形成された面（以下、吐出面という。）が記録媒体の記録面に対面するように配置される。そして、液体供給口１３を介して流路内に充填された液体（例えばインク）に、エネルギー発生素子２によって発生するエネルギーを加えることによって、吐出口１１から液滴を吐出させる。この液滴を記録媒体に付着させることによって記録を行う。

次に、縮小投影露光装置について、再び図２を用いて説明する。露光光は、例えば高圧水銀灯から放射される光線のうちｉ線を用いて行うことができる。露光に用いる光線は、これに限られるものではなく、パターニングする部材が感光する波長を有する光であればよい。

ここで、このテレセントリック光学系を含む縮小投影光学系では、フォーカス位置をベストフォーカスからデフォーカスさせると、ディストーション（デフォーカスディストーション）が発生することがある。デフォーカスの度合いに伴ってディストーションの大きさは変化する。本発明では、テレセントリック光学系を含む縮小投影光学系におけるデフォーカスディストーションの大きさを「軸外テレセン度」と定義する。つまり、軸外テレセン度は、ベストフォーカスでのディストーションとデフォーカスでのディストーションの差分に相当する。ここで、「テレセン」とは「テレセントリック」の略称であり、テレセントリック性とは光学系の光軸に対する主光線の平行性を表すものである。

軸外テレセン度の絶対値は、光線束２０の中心の光線２５に比べて、光線束２０の外側の光線２６１の方が大きくなる傾向にある。なお、光線束２０の中心とは、マスク２２と平行な断面における、光線束２０の重心を意味する。光線束２０の中心とマスク２２の中心が一致している（同軸上にある）場合、マスク２２の中心を通る光線２５に比べて、マスク２２の縁付近を通る光線２６１の方が、軸外テレセン度の絶対値は大きくなる。マスク２２の中心と縮小投影光学系２３の光軸は基本的に一致しているので、縮小投影光学系２３の光軸との関係でも同様である。軸外テレセン度の影響により、照明光学系２１からマスク２２に照射される光線２０が、ノズルチップ１の表面に垂直な方向に対して傾きをもつことになる。この光線の傾き角をφ１とすると、１μｍデフォーカスさせることによるディストーションによる結像位置の変化は、
１０００×ｔａｎφ１（ｎｍ）
と示される。

通常、結像位置の変化は「ｎｍ」のオーダーとなるので、傾き角φは非常に小さい値であり、
ｔａｎφ１≒ｓｉｎφ１
としても差し支えない。

図３（ａ）に示すように、傾き角（入射角）φ１の光線２６１が素子基板上の吐出口形成部材９に照射されると、パターニングされる吐出口の傾き角φ２は、吐出口形成部材９である感光性樹脂材料の屈折率をｎ、空気の屈折率を１とすると、
φ２≒φ１／ｎ
と示される。

図３（ｂ）に示すように、傾き角φ２をもった光線２６２により形成された吐出口１１から吐出される液滴は、吐出口１１の傾き角φ２によって、吐出面１２に垂直な方向に対して傾いて吐出される。このため、記録媒体１４に着弾した際に、理想の着弾位置からずれて液体が着弾することになる。吐出面１２から記録媒体１４までの距離をＺとした場合、着弾位置のずれ量Ｌは
Ｌ＝Ｚｔａｎφ２
となる。

図４は、縮小投影露光装置のマスク２２上に照射される光線束２０の軸外テレセン度のイメージ図である。図４では、矢印の大きさが軸外テレセン度の絶対値を表しており、矢印の方向が軸外テレセン度の発生方向を示している。上述の通り、軸外テレセン度の絶対値は、マスク２２の中心、すなわち光線束２０の中心から外に行くほど大きくなる傾向にある。ここでは、軸外テレセン度の発生方向はマスク２２の中心から外側に向かう方向となっているが、露光装置によってはマスク２２の外側から中心に向かう方向に軸外テレセン度が発生することもあり、軸外テレセン度の方向は露光装置の構成に依存する。なお、本発明は、このいずれのパターンの露光装置にも適用可能である。なお、図４の右側には、マスク２２の端部近傍の位置に発生する軸外テレセン度４０が示されている。軸外テレセン度４０は、Ｘ方向成分４１と、Ｙ方向成分４３とを有する。

次に、本発明の露光補正機構について説明する。露光補正機構は、軸外テレセン度により傾斜した主光線を、ノズルチップ１の表面により垂直に入射させるように補正する機構である。つまり、補正機構は、縮小投影露光における主光線の光軸に対する傾きを抑制するものである。

露光補正機構はマスク２２上に形成することも可能である。または、マスク２２を直接加工することにより、マスク２２を通過した主光線の軸外テレセン度を補正するものであっても良い。この場合、マスク２２が露光補正機構を兼ねる。あるいは、縮小投影光学系２３の内部に新規に露光補正機構を組み込んでも良く、既に縮小投影光学系２３に組み込まれている光学素子に加工を施すことによって当該光学素子に露光補正機構を持たせても良い。ただし、縮小投影光学系２３の内部に露光補正機構を持たせる場合には、軸外テレセン度以外の光学因子への影響を考慮する必要がある。

具体的な露光補正機構としては、軸外テレセン度に応じた傾斜面を持つ露光補正部材が挙げられる（図５参照）。図５に示すように、ノズルチップ１の表面に垂直な方向（縮小投影光学系２３の光軸の方向）Ｐからθだけ傾いた露光光を考え、露光補正部材２２０の傾斜角をαとし、露光補正部材２２０の屈折率をＮとする。空気（屈折率１）から露光補正部材２２０に入射した光がノズルチップ１の表面に垂直な方向Ｐの光となる場合、次の関係
ｓｉｎ（θ＋α）＝Ｎｓｉｎα
が成り立つ。

ここで、角度θ及びαは小さいので、近似的に次の関係
θ＋α≒Ｎα
α＝θ／（Ｎ−１）
が成立する。

軸外テレセン度の絶対値は、露光エリアや縮小投影倍率にもよるが、１μｍのデフォーカスに対して数ｎｍ〜数十ｎｍと非常に微小である。これを主光線の傾きθに換算すると最大で１〜２°程度である。例として、入射角（θ）が２°の主光線に対してマスク２２上に露光補正部材２２０を設ける場合、露光補正部材２２０の屈折率を１．５とすると、傾斜角度αとしては約４．０°程度と見積もられる。

先述のように軸外テレセン度はマスク２２の中心から外にいくほど大きくなる。従って露光補正部材２２０の傾斜角度も、これに伴いマスク中心から外にいくにつれて大きくしていくことが好ましい。すなわち、露光補正部材２２０は、主光線の中心を頂点とした滑らかな曲面を有し、当該曲面の傾斜が主光線の中心から離れるとともに増大する透光材料であることが好ましい。マスクの外側方向に向けて軸外テレセン度が発生する場合には、当該曲面は凹面となり、マスクの内側方向に向けて軸外テレセン度が発生する場合には、当該曲面は凸面となる。露光補正部材２２０の材料や形成手法については以下の実施形態にて記述する。

ノズルチップの製造する際、まず、吐出口から液体を吐出させるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を有する素子基板を用意する。次いで、素子基板上に光吸収剤を含む感光性樹脂の層を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、感光性樹脂の層に対して露光を行い、流路の形状を有するパターンを形成する。次いで、当該パターンを覆うように吐出口形成部材となる感光性樹脂材料を形成する。感光性樹脂材料は、ネガ型であってもポジ型であっても良い。

次に、透光パターンが形成されたマスクを介して感光性樹脂材料を、上記の縮小投影露光装置を用いて縮小投影露光する。なお、マスクには、感光性樹脂材料に形成する吐出口パターンに対応する透光パターンが形成されている。それから、現像処理を行うことにより、マスク上の透光パターンに対応する吐出口パターンが感光性樹脂材料に形成される。その後、吐出口を介して上記パターンを除去することにより、吐出口形成部材内に流路が形成される。

（実施形態１）
本発明の露光補正機構は縮小投影光学系２３あるいはマスク２２に設けることが可能である。本発明の実施形態の一つとして、マスク２２上に露光補正機構を設ける場合の露光補正機構の製造プロセスを図６に示す。

図６（ａ）はマスク２２の断面図である。マスク２２の材料としては、例えば露光光がｉ線の場合、石英基板が使用できる。露光補正機構を設ける位置としては、図６に示す補正機構形成面２２２のように、マスク２２上の、マスクパターン２２１が形成されている面とは反対側の面が望ましい。

図６（ｂ）に示すように、まずマスクパターン２２１を保護するためのマスクパターン保護層２２３をマスク２２上に形成する。マスクパターン保護層２２３の材料としては例えばＰＥＴフィルムを用いることができる。マスクパターン保護層２２３の形成手法としては、公知なフィルム貼り合わせ技術が挙げられる。次に、図６（ｃ）に示すように、マスク２２上の補正機構形成面２２２上に傾斜形成用部材２２４をパターニングにより形成する。傾斜形成用部材２２４は、マスク２２上のマスクパターン保護層２２３とは反対の面に、パターニングしたい所望のパターンエリアには干渉しない位置に形成するのが望ましい。

図７は、図６（ｃ）に示す状態のマスク２２の模式的斜視図である。軸外テレセン度がマスク２２の中心から外側へ向かうにつれて同心円状に大きくなる傾向をもつことから、傾斜形成用部材２２４は、リング形状であるのが好ましい。また、傾斜形成用部材２２４の幅Ｄ（図６（ｃ）参照）は１ｍｍ以下とすることが好ましい。傾斜形成用部材２２４の膜厚は、軸外テレセン度、露光エリア、縮小倍率及びマスクサイズ等に応じて、適宜設定するのが好ましい。上記のように、主光線の入射角θが２°程度、材料の屈折率Ｎが１．５程度である場合、α＝４．０°となる。ここで、θ及びＮはこの値からずれても良いことを考慮してα＝５°程度が許容範囲と考えると、マスク２２の中心から傾斜形成用部材２２４までの距離をＸと傾斜形成用部材２２４の膜厚Ｈとの関係は、
Ｈ／Ｘ≦ｔａｎ（α）≒０．０９
を満足することが好ましい。

次に、図６（ｄ）に示すように、露光補正部材（補正機構）２２０をマスク２２の補正機構形成面２２２上に形成する。露光補正部材２２０の材料としては、例えばポジ型感光性樹脂としてのポリメチルイソプロペニルケトンが挙げられる。露光補正部材２２０の形成手法としては例えばスピンコート法による塗布が挙げられる。ただし、露光補正部材２２０の材料および形成手法はこれらに限定されるものではなく、適宜好適な有機材料および手法を選択できる。また、露光補正部材２２０の膜厚は、傾斜形成用部材２２４の膜厚や露光光の波長に対する材料の透過率等に応じて、適宜設定するのが好ましい。また、露光補正部材２２０の材料としては、露光する光の波長に対する吸収率が１０％以下であること、および露光する光の波長に対する屈折率が１．３以上であることが望ましい。傾斜形成用部材２２４内に塗付された露光補正部材２２０は、マスク２２の中心から外にいくにつれて傾斜が大きくなる。つまり、露光補正部材２２０の表面がすり鉢状に形成されることが好ましい。また、軸外テレセン度の分布が縮小投影光学系の光軸の周りに略回転対称である場合には、露光補正部材２２０の表面も当該光軸を中心に略回転対称な形状であることが好ましい。ただし、縮小投影露光装置ごとに、露光エリア内における軸外テレセン度の分布が異なるため、傾斜のつけかた、すなわち、すり鉢の形状や曲率は軸外テレセン度の分布に応じて個々に設定する必要がある。

次に、図６（ｅ）に示すように、マスクパターン保護層２２３を除去する。図６（ｆ）は、以上の工程を経て形成された露光補正部材２２０付きマスク２２を用いて縮小投影露光を行う様子を示す模式図である。図６（ｆ）に示すように、軸外テレセン度による主光線の傾きは露光補正部材２２０によってキャンセル（緩和）され、露光エリア全体に渡って露光光を垂直入射させることが可能となる。これにより、パターニングされる吐出口は、露光補正機構が無い場合と比較して、垂直に形成される。したがって、液体を吐出させた際、吐出口傾きに起因する着弾位置のずれは抑制され、より正確な液体の吐出が実現される。

（実施形態２）
しばしば軸外テレセン度の分布には、ある露光エリアにおいて局所的に特異な値を示す場合がある。本発明では、この特異な局所的な軸外テレセン度をランダム成分と定義する。本発明の実施形態の一つとして、マスク上に軸外テレセン度のランダム成分を抑制する露光補正機構を設ける場合の製造プロセスを図８に示す。

図８（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、先述の図６（ａ）〜（ｄ）と同様の製造プロセスである。次に、図８（ｅ）に示すように、軸外テレセン度のランダム成分が発生する露光エリアに対応したマスク２２上の位置に露光補正部材保護層２２５を形成する。次に、図８（ｆ）に示すようにエッチングを行い、露光補正部材保護層２２５直下の露光補正部材２２０以外の露光補正部材２２０を除去する。これにより、マスク２２上に局所的に露光補正部材２２６が形成される。局所的な露光補正部材２２６の形成手法としては例えば、露光補正部材保護層２２５との露光光に対する感度差を利用した波長分離による形成が挙げられる。局所的な露光補正部材２２６としてポリメチルイソプロペニルケトンを用いる場合、露光補正部材保護層２２５としては、たとえばポリメチルメタクリレートを用いることができる。ただし、局所的な露光補正部材２２６の形成手法としてはこれに限定されず、露光補正部材保護層２２５の材料や物性等を鑑みて、適宜好適なものを選択できる。

次に、図８（ｇ）に示すように、マスクパターン保護層２２３を除去する。以上の工程を経て形成された局所的な露光補正部材２２６を有するマスク２２を用いて縮小投影露光を行う様子が図８（ｈ）に示されている。図８（ｈ）に示すように、軸外テレセン度のランダム成分による主光線の傾きは局所的な露光補正部材２２６によってキャンセル（緩和）され、露光エリア全体において露光光を垂直入射させることが可能となる。

（実施形態３）
実施形態１および実施形態２では、露光補正機構は、マスク上に形成された露光補正部材から構成されているが、露光補正機構はマスクそのものを加工したものでもよい。本発明の実施形態の一つとして、マスク２２を露光補正機構として機能させる場合のマスク２２の製造プロセスを図９に示す。図９（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、先述の図６（ａ）〜（ｃ）と同様の製造プロセスである。次に、図９（ｄ）に示すように、マスク２２上の、傾斜形成用部材２２４で囲まれた領域に、露光補正部加工層２２７を形成する。露光補正部加工層２２７は、例えばポリエーテルアミド系樹脂を用いたスピンコート法により形成することができる。ただし、露光補正部加工層２２７の材料および形成手法はこれらに限定されるものではなく、適宜好適な材料や手法を選択できる。また、露光補正部加工層２２７の膜厚は、傾斜形成用部材２２４の膜厚、露光光の波長に対する材料の透過率等に応じて、適宜設定するのが好ましい。傾斜形成用部材２２４により露光補正部加工層２２７はマスク２２の中心から外にいくにつれて傾斜が大きくなる。つまり露光補正部加工層２２７は、すり鉢状に形成されることになる。ただし、縮小投影露光装置の構成ごとに軸外テレセン度の露光エリア内の分布が異なるため、傾斜のつけかた、すなわち、すり鉢の形状や曲率は、軸外テレセン度の分布に応じて設定する必要がある。

次に、図９（ｅ）に示すように、露光補正部加工層２２７に対してドライエッチングを行い、マスク２２に露光補正加工面２２８を形成する。ドライエッチングにより一様に露光補正部加工層２２７が除去されていくことで、露光補正部加工層２２７からマスク２２が徐々に露出し、露出した部分からマスク２２も徐々にエッチングされる。これにより、マスク２２は露光補正部加工層２２７の表面形状に倣ってエッチングされ、遮光パターン形成部２２１とは反対側の面、すなわち図９（ｂ）の補正機構形成面２２２に、露光補正加工面２２８が形成される。この露光補正加工面２２８は露光補正部加工層２２７と同様に、マスク２２の中心から外側に向かうにつれて傾斜が大きくなるすり鉢状に形成される。

次に、図９（ｆ）に示すように、マスクパターン保護層２２３を除去する。以上の工程を経て、露光補正加工面２２８が形成されたマスク２２を用いて縮小投影露光を行った模式図が図９（ｇ）に示されている。図９（ｇ）に示すように、軸外テレセン度による主光線の傾きがマスク２２の一面の傾斜、つまり露光補正加工面２２８によってキャンセル（緩和）され、露光エリア全体において露光光を垂直入射させることが可能となる。

本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の思想及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。

２２ マスク
２２０ 露光補正部材（補正機構）

Claims (5)

1. 透光パターンが形成されたマスクを介して感光性樹脂材料を、縮小投影露光装置を用いて縮小投影露光する工程と、
   現像処理により前記透光パターンに対応する吐出口パターンを前記感光性樹脂材料に形成する工程と、を有し、
   前記縮小投影露光における露光光が前記感光性樹脂材料に達する前に、前記露光光を、前記縮小投影露光装置において生じる軸外テレセン度による主光線の傾きを抑制する、前記マスク上に形成された透光材料によって構成された補正機構に通す、ノズルチップの製造方法。
2. 前記透光材料はポジ型感光性樹脂で形成されている請求項１に記載のノズルチップの製造方法。
3. 透光パターンが形成されたマスクを介して感光性樹脂材料を、縮小投影露光装置を用いて縮小投影露光する工程と、
   現像処理により前記透光パターンに対応する吐出口パターンを前記感光性樹脂材料に形成する工程と、を有し、
   前記縮小投影露光における露光光が前記感光性樹脂材料に達する前に、前記露光光を、前記縮小投影露光装置において生じる軸外テレセン度による主光線の傾きを抑制する、前記マスクによって構成された補正機構に通す、ノズルチップの製造方法。
4. 前記補正機構は、前記マスクの中心から外側に向かうにつれて、前記露光光を投影する面に対する傾斜角が増大する斜面を有している、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のノズルチップの製造方法。
5. 前記補正機構は、前記軸外テレセン度のうち、局所的に発生する特異な軸外テレセン度による主光線の傾きを抑制する、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のノズルチップの製造方法。

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