JP6141271B2 - 局所パージングによる大気分子汚染管理 - Google Patents
局所パージングによる大気分子汚染管理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6141271B2 JP6141271B2 JP2014519236A JP2014519236A JP6141271B2 JP 6141271 B2 JP6141271 B2 JP 6141271B2 JP 2014519236 A JP2014519236 A JP 2014519236A JP 2014519236 A JP2014519236 A JP 2014519236A JP 6141271 B2 JP6141271 B2 JP 6141271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purging
- wafer
- local
- tool
- illumination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 title claims description 198
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 132
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 71
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 41
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 19
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 99
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本願は以下に挙げる出願(複数の場合がある)(「関連出願」)に関し、これらの関連出願から利用可能でかつ有効な最先の出願日(複数の場合がある)の利益を主張する(たとえば、特許仮出願以外について利用可能な最先の優先日を主張する、または関連出願(複数の場合がある)の親出願、祖父出願、曾祖父出願等のありとあらゆる出願に関する特許仮出願ついての、米国特許法(USC35)第119条(e)項の下における利益を主張する)。
米国特許商標庁の法定外要件のため、本願は、2011年7月4日に出願された、Hidong Kwak、Ward Dixon、Torsten Kaack、Ning Yi Neil Wang、およびJagjit Sandhuを発明者とする、特許出願第61/504,271号の「ATMOSPHERIC MOLECULAR CONTAMINATION(AMC) CONTROL WITH NITROGEN LOCAL PURGING AFTER AMC CLEAN」と題する米国特許仮出願の正規の(非仮)特許出願を構成する。
Claims (15)
- パージングチャンバの空洞内部にパージングガスを封じ込めるように構成された前記パージングチャンバと、
ウェハの表面の部分に前記チャンバの前記空洞からパージングガスを拡散するように構成された、前記パージングチャンバの表面の透過性部分であって、透過性媒体を備える第1の部分と、異なった等級の透過性媒体を備える第2の部分を備え、前記第2の部分が前記第1の部分よりも速い速度でパージングガスを拡散する透過性部分と、
照明光源から受け取られる照明を前記ウェハの前記表面の前記部分の測定場所に伝達するように構成され、前記測定場所から反射される照明を検出器に伝達するようにさらに構成されたアパーチャと
を備えるパージングガスでウェハの表面の部分をパージするための局所パージングツール。 - 前記局所パージングツールが、パージガスソースからパージングガスを受け取るように構成され、パージングガスを前記パージングチャンバの前記空洞に伝達するようにさらに構成されたガス吸気口をさらに備える、請求項1に記載の局所パージングツール。
- 前記局所パージングツールが、エネルギービームソースから発するエネルギービームを前記ウェハの前記表面の前記部分に伝達して、前記ウェハの前記表面の前記部分から大気分子汚染を移動させるように構成されたビームポートをさらに備える、請求項1に記載の局所パージングツール。
- 前記局所パージングツールが、前記ウェハの前記表面の前記部分に近接する位置に前記局所パージングツールを作動させるように構成された作動アームに機械的に結合されるように構成される、請求項1に記載の局所パージングツール。
- 前記アパーチャが前記パージングチャンバの前記表面の前記透過性部分内部に位置する、請求項1に記載の局所パージングツール。
- 前記アパーチャが前記パージングチャンバの前記表面の前記透過性部分の前記第2の部分内部に位置する、請求項1に記載の局所パージングツール。
- 局所的にパージされたウェハに光学計測を実行するためのシステムであって、
照明光源と、
ウェハの表面の部分の測定場所から反射される照明を受け取るように構成された検出器と、
前記ウェハの前記表面の前記部分をパージするように構成された局所パージングツールを備える局所パージングシステムであって、前記局所パージングツールが
パージングチャンバの空洞内部にパージングガスを封じ込めるように構成された前記パージングチャンバと、
前記チャンバの前記空洞からパージングガスの一部を前記ウェハの前記表面の前記部分に拡散するように構成された前記パージングチャンバの表面の透過性部分であって、透過性媒体を備える第1の部分と、異なった等級の透過性媒体を備える第2の部分を備え、前記第2の部分が前記第1の部分よりも速い速度でパージングガスを拡散する透過性部分と、
前記照明光源から受け取られる照明を前記ウェハの前記表面の前記部分の前記測定場所に伝達するように構成され、前記測定場所から反射される照明を前記検出器に伝達するようにさらに構成されたアパーチャと
を備える前記局所パージングシステムと
を備え、
前記局所パージングシステムが前記局所パージングツールに流体的に接続されるパージガスソースをさらに備える
システム。 - 前記システムが、
偏光子および1つまたは複数の照明光学素子を含む照明アームであって、前記照明光源から前記測定場所に前記局所パージングツールの前記アパーチャを通して照明を伝達するように構成される前記照明アームと、
アナライザおよび1つまたは複数の収集光学素子を含む収集アームであって、前記測定場所から反射される照明を前記局所パージングツールの前記アパーチャを通して受け取るように構成され、前記局所パージングツールの前記アパーチャから受け取られる照明を前記検出器に伝達するようにさらに構成された前記収集アームと
をさらに備える、請求項7に記載のシステム。 - 前記局所パージングシステムが、前記パージガスソースと前記局所パージングツールとの間のパージングガスの流量を制御するように構成された流量制御装置をさらに備える、請求項7に記載のシステム。
- 前記局所パージングシステムが、前記流量制御装置に通信で結合されるコンピューティングシステムをさらに備え、前記コンピューティングシステムが流量を設定するための命令を前記流量制御装置に送信するように構成される、請求項9に記載のシステム。
- 前記局所パージングシステムが、前記局所パージングツールに機械的に結合され、前記ウェハの前記表面の前記部分に近接する位置に前記局所パージングツールを作動させるように構成された作動アームをさらに備える、請求項7に記載のシステム。
- 前記局所パージングシステムが、前記作動アームに通信で結合されるコンピューティングシステムをさらに備え、前記コンピューティングシステムが、前記ウェハの前記表面の前記部分に近接する前記位置に前記局所パージングツールを作動させるための前記作動アームに命令を送信するように構成される、請求項11に記載のシステム。
- 前記局所パージングシステムが、前記ウェハの前記表面の前記部分から大気分子汚染を移動させるために、前記局所パージングツールのビームポートを通してエネルギービームを前記ウェハの前記表面の前記部分に伝達するように構成されたエネルギービームソースをさらに備える、請求項7に記載のシステム。
- 前記システムが前記ウェハの薄膜の厚さを測定するように構成される、請求項7に記載のシステム。
- 前記システムが、
前記ウェハの前記表面の前記測定場所に近接する環境の前記湿度水準を検出するために構成された湿度センサと、
相対湿度と前記ウェハの薄膜の測定厚さの間の相関関係を確立する、
前記測定場所に近接する環境の初期の湿度水準測定値を取得する、
前記測定場所に近接する前記環境の以後の湿度水準測定値を取得し、前記以後の測定値が前記ウェハの前記薄膜の厚さ測定値に関係する、
前記初期の湿度水準測定値と前記以後の湿度水準測定値の差を計算する、
相対湿度と前記ウェハの前記薄膜の測定厚さの間の前記確立された相関関係、および前記初期の湿度水準測定値と前記以後の湿度水準測定値の前記計算された差を活用して前記厚さ測定値の厚さ補正値を決定する
ように構成された1台または複数のコンピューティングシステムと
をさらに備える、請求項14に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161504271P | 2011-07-04 | 2011-07-04 | |
US61/504,271 | 2011-07-04 | ||
US13/536,410 | 2012-06-28 | ||
US13/536,410 US8830486B2 (en) | 2011-07-04 | 2012-06-28 | Atmospheric molecular contamination control with local purging |
PCT/US2012/045300 WO2013006575A1 (en) | 2011-07-04 | 2012-07-02 | Atmospheric molecular contamination control with local purging |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014521072A JP2014521072A (ja) | 2014-08-25 |
JP6141271B2 true JP6141271B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=47437397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014519236A Active JP6141271B2 (ja) | 2011-07-04 | 2012-07-02 | 局所パージングによる大気分子汚染管理 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8830486B2 (ja) |
EP (1) | EP2729760B1 (ja) |
JP (1) | JP6141271B2 (ja) |
KR (1) | KR102040993B1 (ja) |
CN (1) | CN103765157B (ja) |
TW (1) | TWI555108B (ja) |
WO (1) | WO2013006575A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10082461B2 (en) * | 2014-07-29 | 2018-09-25 | Nanometrics Incorporated | Optical metrology with purged reference chip |
DE102016101554A1 (de) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | Vorwerk & Co. Interholding Gmbh | Reinigungsgerät, insbesondere Feuchtwischgerät |
CN107185979B (zh) * | 2017-06-28 | 2018-12-18 | 江苏东方九天新能源材料有限公司 | 一种钢带表面吹扫装置及其应用方法 |
US10451542B2 (en) * | 2017-12-05 | 2019-10-22 | Nanometrics Incorporated | Local purge within metrology and inspection systems |
US10775149B1 (en) * | 2018-03-14 | 2020-09-15 | Onto Innovation Inc. | Light source failure identification in an optical metrology device |
US11315816B2 (en) | 2020-06-10 | 2022-04-26 | Kla Corporation | Localized purge module for substrate handling |
KR20240042494A (ko) * | 2021-08-10 | 2024-04-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 두께 측정 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 두께 측정 방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5669503A (en) | 1979-11-12 | 1981-06-10 | Kishimoto Akira | Coated film thickness measuring method and apparatus |
JPH0781842B2 (ja) * | 1990-06-12 | 1995-09-06 | 新日本製鐵株式会社 | 鋼帯の酸化膜厚測定方法及びその装置 |
JPH0562828U (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-20 | 株式会社チノー | 光学的測定装置 |
US5595602A (en) * | 1995-08-14 | 1997-01-21 | Motorola, Inc. | Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same |
US6261853B1 (en) | 2000-02-07 | 2001-07-17 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
GB2359326B (en) | 2000-02-15 | 2003-10-22 | Harold Frederick Adshead | Improvements in or relating to ladders |
DE60122768T2 (de) * | 2000-11-22 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Vorrichtung und verfahren zur entfernung von fremdkörpern von halbleiteroberflächen |
US7253901B2 (en) | 2002-01-23 | 2007-08-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Laser-based cleaning device for film analysis tool |
JP3995579B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2007-10-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 膜厚測定装置および反射率測定装置 |
US7369233B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-05-06 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Optical system for measuring samples using short wavelength radiation |
EP1747434B1 (en) * | 2004-05-14 | 2011-07-27 | KLA-Tencor Technologies Corporation | Systems for measurement or analysis of a specimen using vuv light |
US7359052B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light |
US7642205B2 (en) * | 2005-04-08 | 2010-01-05 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing using energy transfer layers |
CN1792479A (zh) * | 2006-01-04 | 2006-06-28 | 四川安县银河建化集团有限公司 | 一种硫磺解毒铬渣的方法 |
JP4750686B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造用の真空装置のクリーニング方法、半導体製造用の真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
US20080154410A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Tokyo Electron Limited | Method for cleaning vacuum apparatus, device for controlling vacuum apparatus, and computer-readable storage medium storing control program |
US7755764B2 (en) * | 2007-01-26 | 2010-07-13 | Kla-Tencor Corporation | Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry |
CN100547755C (zh) * | 2007-02-06 | 2009-10-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 量测晶圆薄膜厚度的装置 |
JP5474609B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル数計測方法 |
-
2012
- 2012-06-28 US US13/536,410 patent/US8830486B2/en active Active
- 2012-07-02 JP JP2014519236A patent/JP6141271B2/ja active Active
- 2012-07-02 CN CN201280039958.0A patent/CN103765157B/zh active Active
- 2012-07-02 WO PCT/US2012/045300 patent/WO2013006575A1/en active Application Filing
- 2012-07-02 KR KR1020147002836A patent/KR102040993B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-02 EP EP12807567.8A patent/EP2729760B1/en active Active
- 2012-07-04 TW TW101124088A patent/TWI555108B/zh active
-
2014
- 2014-08-01 US US14/450,018 patent/US9110020B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9110020B2 (en) | 2015-08-18 |
EP2729760A1 (en) | 2014-05-14 |
KR102040993B1 (ko) | 2019-11-05 |
CN103765157A (zh) | 2014-04-30 |
US20130010311A1 (en) | 2013-01-10 |
US8830486B2 (en) | 2014-09-09 |
US20150029494A1 (en) | 2015-01-29 |
EP2729760B1 (en) | 2020-05-20 |
EP2729760A4 (en) | 2015-02-25 |
TW201308493A (zh) | 2013-02-16 |
KR20140053162A (ko) | 2014-05-07 |
WO2013006575A1 (en) | 2013-01-10 |
JP2014521072A (ja) | 2014-08-25 |
CN103765157B (zh) | 2017-03-15 |
TWI555108B (zh) | 2016-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6141271B2 (ja) | 局所パージングによる大気分子汚染管理 | |
KR102513441B1 (ko) | 증착을 위한 모니터링 시스템 및 그 동작 방법 | |
KR102407424B1 (ko) | 기판 처리 장치, 액처리 방법, 및 기억 매체 | |
WO2013181156A1 (en) | Small spot size spectroscopic ellipsometer | |
US10475712B2 (en) | System and method for process-induced distortion prediction during wafer deposition | |
WO2013078239A1 (en) | Spectral matching based calibration | |
JP3625761B2 (ja) | 膜厚測定装置及びその方法 | |
CN112041975B (zh) | 半导体生产期间的过程诱导位移表征 | |
JP2017523312A (ja) | 基板上の材料を処理するための装置、及び基板上で処理される材料の光学特性を測定するための方法 | |
JP2022504385A (ja) | 検査装置 | |
JP2006295099A (ja) | 真空装置、そのリークレート測定方法並びにリークレート測定に用いるプログラムおよび記憶媒体 | |
US20240355683A1 (en) | Method of metrology on pattern wafer using reflectometry | |
TWI854247B (zh) | Oled層厚度和摻雜劑濃度的線上監視 | |
JP2002267419A (ja) | 膜厚測定装置 | |
EP3951500A1 (en) | A fabrication process deviation determination method, calibration method, inspection tool, fabrication system and a sample | |
TW202439369A (zh) | 具有基於計量之分析用高光譜攝影機的處理工具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150701 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160531 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160830 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6141271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |