TWI555108B - 以局部清除控制大氣分子汙染 - Google Patents

以局部清除控制大氣分子汙染 Download PDF

Info

Publication number
TWI555108B
TWI555108B TW101124088A TW101124088A TWI555108B TW I555108 B TWI555108 B TW I555108B TW 101124088 A TW101124088 A TW 101124088A TW 101124088 A TW101124088 A TW 101124088A TW I555108 B TWI555108 B TW I555108B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
measurement
thickness
humidity level
purge
Prior art date
Application number
TW101124088A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201308493A (zh
Inventor
希東 闊克
華德 迪森
托斯頓 凱克
明義 尼爾 王
傑吉特 珊瑚
Original Assignee
克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 克萊譚克公司 filed Critical 克萊譚克公司
Publication of TW201308493A publication Critical patent/TW201308493A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI555108B publication Critical patent/TWI555108B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

以局部清除控制大氣分子汙染
本發明係關於光學測量領域，且特定言之，係關於局部清除晶圓之表面之一部分以改進量測精確度的系統及方法。
本申請案係關於且主張來自(若干)以下所列申請案(「相關申請案」)的(若干)最早可用之有效申請日期的權利(例如，主張除了臨時專利申請案之外的申請案之最早可用之優先權日期或根據35 USC § 119(e)主張臨時專利申請案，(若干)相關申請案之任何及所有父申請案、祖父申請案、曾祖父申請案等等的權利)。
相關申請案：
為了USPTO額外法定要求之目的，本申請案構成2011年7月4日申請、申請案序號第61/504,271號發明人Hidong Kwak、Ward Dixon、Torsten Kaack、Ning Yi Neil Wang及Jagjit Sandhu且名為「ATMOSPHERIC MOLECULAR CONTAMINATION(AMC)CONTROL WITH NITROGEN LOCAL PURGING AFTER AMC CLEAN」的美國臨時專利申請案之正式(非臨時)專利申請案。
產業應用繼續以更多需求規格要求半導體器件。為了滿足增加之需求，最現代之半導體製程包含薄膜測量系統及其他光學系統，用以獲得關於形成於給定半導體晶圓(諸如矽晶圓)上之薄膜的特性資訊。例如，薄膜可包含氧化 物、氮化物及/或金屬層等等。在製造程序期間必須嚴格控制每一個薄膜的特性(諸如厚度及組合物)以確保所得半導體之正確效能。因此，在遍及半導體製造程序的多種步驟下使用光學系統。
但是，最現代之光學系統之精確度受限於薄膜之表面上累積且使由橢偏計或其他光學系統量測或分析之膜厚度或其他物理特性失真的大氣分子汙染「AMC」。可利用各種技術(諸如使用能量射束或加熱至足夠高之溫度)從薄膜之表面移除大氣分子汙染。但是，在AMC移除與進行特性量測之間的過渡期中AMC繼續累積。因此，必要的是在清潔AMC之後抑制AMC重新累積在薄膜表面上，以進行精確的特性量測及觀察。因此，本發明藉由提供用於控制AMC累積之有效及相對便宜之解決方案來克服以上問題。
揭示一種利用清除氣體來局部清除晶圓之表面之一部分的系統及方法。在一態樣中，該系統可包含利用清除氣體清除晶圓之表面之一部分的局部清除工具，該局部清除工具包括：一清除室，其經組態以將清除氣體包含於清除室之一腔內；該清除室之一表面之一可透氣部分，該可透氣部分經組態以使清除氣體從該室之該腔擴散至一晶圓之一表面之一部分；及一孔隙，其經組態以將從一照明源接收之照明傳輸至該晶圓之該表面之該部分的一量測位置且經進一步組態以將從該量測位置反射之照明傳輸至一偵測器。
在另一態樣中，系統可包含對一局部清除晶圓執行光學測量之系統，該系統包含：一照明源；一偵測器，其經組態以接收從一晶圓之一表面之一部分的一量測位置反射之照明；一局部清除系統，其包括經組態以清除晶圓之表面之部分的一局部清除工具，該局部清除工具包含：一清除室，其經組態以將清除氣體包含於該清除室之一腔內；該清除室之一表面之一可透氣部分，該可透氣部分經組態以使清除氣體之一部分從該室之該腔擴散至該晶圓之該表面之該部分；及一孔隙，其經組態以將從該照明源接收之照明傳輸至該晶圓之該表面之該部分的該量測位置且經進一步組態以將從該量測位置反射之照明傳輸至該偵測器。該系統進一步包含流體地連接至局部清除工具之一清除氣體源。
在另一態樣中，一種決定一晶圓之一表面上的薄膜之厚度量測的一厚度校正之方法包含以下步驟：建立相對濕度與一晶圓之一表面上的一薄膜之量測厚度之間的相關性；獲取接近於該晶圓之該表面之一部分的一量測位置之環境的一初始濕度位準量測；從該量測位置獲取該薄膜之一厚度量測，其中在獲取該厚度量測時，局部清除該晶圓之該表面之該部分；獲取接近於該量測位置之該環境的一隨後濕度位準量測，其中該隨後量測與該薄膜之該厚度量測相關聯；計算該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的差量；及使用相對濕度與量測厚度之間的建立之相關性及初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的計算之 差量決定薄膜之厚度量測的一厚度校正。
應理解，上文【發明內容】及下文【實施方式】二者僅為例示性及解釋性且並不一定限制所主張之本發明。併入於說明書中且構成說明書之一部分的附圖繪示本發明之實施例且連同【發明內容】一起用於解釋本發明之原理。
熟悉此項技術者可參考附圖更好地理解本發明之許多優點。
現在將詳細參考附圖中繪示的所揭示之標的。
通常參考圖1A至圖3，描述根據本發明之一種局部清除晶圓之表面之一部分的系統及方法。光學系統通常用於量測或分析形成於通常在半導體製造中採用之基板(諸如矽晶圓)上的薄膜之物理特性。大氣分子汙染(「AMC」)(諸如碳氫化合物及其他汙染物)趨向於累積於晶圓之表面上且妨礙光學系統獲得關於正由光學系統量測或分析之一或多個晶圓之物理特性的正確資訊。本發明係關於一種藉由利用清除氣體(諸如(但不限於)氮氣、氬氣、氖氣及類似物)局部清除晶圓之表面之至少一部分來防止AMC累積在晶圓之表面上的系統及方法。
如遍及本發明所使用，術語「晶圓」通常係指由半導體或非半導體材料形成之基板。例如，半導體或非半導體材料包含(但不限於)單晶矽、砷化鎵及磷化銦。晶圓可包含一或多個層。例如，該等層可包含(但不限於)光阻、介電材料、導電材料及半導電材料。許多不同類型之該等層為 技術中所知，且期望如本文中所使用之術語晶圓涵蓋其上可形成所有類型之該等層的晶圓。
如遍及本發明所使用，術語「薄膜」通常係指形成於晶圓上之一或多個層。例如，該等層可包含(但不限於)光阻、介電材料、導電材料及半導電材料。許多不同類型之該等層為技術中所知，且期望如本文中所使用之術語薄膜涵蓋形成於晶圓上的所有類型之該等層。
如遍及本發明所使用，術語「光學系統」通常係指使用照明以偵測薄膜或晶圓之一或多個物理特性(諸如厚度、組合物、大小、形狀、結構、組態、導電率、反射率或任何其他物理量測)的任何系統。例如，該等光學系統可包含(但不限於)光譜橢偏計、單波長橢偏計、光譜反射計、單波長反射計或任何其他測量系統。雖然在測量系統之背景內容中討論本發明，但是進一步預期目前揭示之元件的一些或所有可延伸至使用光學技術來進行量測之檢測系統或任何其他系統。
圖1A繪示對晶圓112之表面之一局部清除部分執行測量的系統100。在一實施例中，系統100可包含提供晶圓112之表面之一部分之測量的光學系統107。系統100可進一步包含局部清除系統101，該局部清除系統101經組態以利用清除氣體來局部清除晶圓112之表面之部分以抑制AMC累積在晶圓112之表面之部分上。晶圓112之表面之部分可包含一量測位置，光學系統107將照明(例如，可見光、真空紫外線、紫外線、紅外線等等)傳輸至該量測位置以提供 晶圓112之一或多個物理特性之測量。
參考圖1B，局部清除系統101可包含一局部清除工具102，局部清除工具102經組態以使清除氣體擴散至晶圓112之表面之部分。局部清除工具102可經組態以藉由將局部清除工具102人工或電腦輔助放置接近於晶圓112之表面之部分的來清除晶圓112之表面之部分。在使用電腦輔助放置之一實施例中，計算系統126可通信地耦合至一致動臂133，該致動臂133機械地耦合至局部清除工具102。計算系統126可經組態以提供將局部清除工具102適當地放置在所要位置及方位中之指令給致動臂133。在一些實施例中，所要位置可為接近於由使用所選的晶圓112之表面之部分的一位置。在其他實施例中，所要位置可為由計算系統126基於量測位置所決定之一位置。致動臂133可包含使局部清除工具102旋轉或平移之一或多個馬達、伺服系統、步進馬達、液壓裝置、機器人或任何其他器件或組件。計算系統126可包含組態有包含致動演算法131之程式指令130的至少一個載體媒體128，諸如快閃、固態、光學、隨機存取或其他靜態或動態記憶體器件。致動演算法為技術中所知，諸如用於經由電信號控制可致動的馬達、伺服系統或其他器件用於使機械耦合裝置(諸如局部清除工具102)機械式旋轉或平移的演算法。
參考圖1C，局部清除系統101可包含流體地連接至局部清除工具之清除氣體源103。清除氣體源103可經組態以供應清除氣體給局部清除工具102。清除氣體源103可為包含 清除氣體之任何適當的容器，諸如加壓罐或任何其他加壓容器。
在又一實施例中，局部清除系統101可包含流體地連接於清除氣體源103與局部清除工具102中間的流控制器124。流控制器124可經組態以控制清除氣體供應至局部清除工具102之速率。流控制器124可包含用於調節清除氣體移動通過流體地連接流控制器124之至少一個導管105至局部清除工具102之壓力或速率的一或多個閥、調節器、泵或任何其他構件。
在又一實施例中，流控制器124可通信地連接至計算系統126，該計算系統126經組態以提供設定清除氣體流動至局部清除工具102之速率的指令給流控制器124。計算系統126可包含組態有包含流控制演算法132之程式指令130的至少一個載體媒體128，諸如快閃、固態、光學、隨機存取或其他靜態或動態記憶體器件。流控制演算法132為技術中所知，諸如用於組態可包含於流控制器124中之壓力閥的演算法。例如，流控制演算法132可指導流控制器124基於壓力閥之機械性質與所要流速之間的相關性來致動壓力閥。在一些實施例中，10 LPM(升/分鐘)至100 LPM之使用者所選速率可為用於利用清除氣體來局部清除晶圓112之表面之部分的所要流速。取決於特定清除氣體與下伏薄膜或晶圓112之組合物的性質，10 LPM至100 LPM範圍之外的其他流速可為所要的。以上流速範圍僅藉由實例包含且非意欲以任何方式限制系統。
參考圖1D，局部清除系統可包含經組態以量測接近於量測位置之環境之濕度位準的濕度感測器136。環境可為接近於晶圓112之表面之部分的局部清除之環境。濕度感測器136可通信地耦合至計算系統126且經進一步組態以將濕度位準量測傳輸至計算系統126。計算系統126可經組態以從濕度感測器136接收濕度位準量測且經進一步組態以決定晶圓112之薄膜之厚度量測的厚度校正。厚度校正可為基於接近於量測位置之環境之濕度位準的改變及相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性的薄膜之量測厚度的誤差位準、偏差、失真或調整。在一實施例中，相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性可包含載體媒體上程式化之已知值。在另一實施例中，相關性可由校準演算法決定或相關性可為使用者所選值。計算系統126可包含組態有包含厚度校正演算法134之程式指令130的至少一個載體媒體128，諸如快閃、固態、光學、隨機存取或其他靜態或動態記憶體器件。
在一實施例中，厚度校正演算法134可要求計算系統126完成一或多個以下步驟：(i)建立相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性；(ii)獲取接近於量測位置之環境的初始濕度位準量測；(iii)從光學系統之偵測器106獲取晶圓112之薄膜之厚度量測；(iv)獲取環境之隨後濕度位準量測，其中隨後濕度位準量測與薄膜之量測厚度相關聯；(v)計算初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的差量；及(vi)使用相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性 及初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的計算之差量決定厚度校正。將在進一步細節中描述(提到)藉由厚度校正演算法134之以上討論決定薄膜之量測厚度的厚度校正之方法300。
在一些實施例中，雖然前文在具有局部清除工具102之局部清除系統101的背景內容中討論濕度感測器136，但是濕度感測器並不限於此系統。或者，濕度感測器136可放置於接近於晶圓112之表面之量測位置的任何受大氣控制之環境內。
圖2A至圖2E繪示局部清除工具102之許多態樣及多種實施例。參考圖2A及圖2B，局部清除工具102可包含清除室202，該清除室202經組態以將清除氣體包含於組成清除室202之內部部分的清除腔216內。局部清除工具102可進一步包含進氣埠214，該進氣埠214經組態以從清除氣體源103接收清除氣體且經進一步組態以將接收之清除氣體之一部分傳輸至清除室202之清除腔216。局部清除工具102可進一步包含在進氣埠214與清除室202中間的進氣室212。
參考圖2C，進氣室212可經進一步組態以將透過進氣埠214從清除氣體源103接收的清除氣體之一部分包含於組成進氣室212之內部部分的進氣腔220內。進氣室212可經進一步組態以遍及清除室202之清除腔216的大量部分分佈清除氣體之一部分。進氣室212可容許遍及清除腔216以大體上均勻之方式分佈透過進氣埠214接收之清除氣體。例 如，進氣室212可包含使從進氣埠214流動通過進氣室212之清除氣體分散至清除室202的結構元件。在一些實施例中，清除室202可包含進氣室212之一或多個元件。
如圖2B中所示，局部清除工具102可包含清除室202之表面之一可透氣部分206。可透氣部分206可經組態以使清除氣體從清除腔216內擴散來局部清除晶圓112之表面之部分。可透氣部分206可包含清除氣體可穿透之多孔材料。參考圖2E，可透氣部分206可進一步包含第一部分226及第二部分228。第一部分226可為與第二部分228不同級別之可透氣介質，使得第一部分226可經組態而以與第二部分228不同之速率使清除氣體擴散。例如，在一些實施例中，可需要在量測位置附近處使清除氣體擴散的速率高於清除氣體擴散至晶圓112之表面之部分的其餘部分之速率。
如圖2A中所示，局部清除工具102可進一步包含經組態以從光學系統107接收照明之孔隙208。孔隙208可經進一步組態以將照明傳輸至光學系統107之偵測器。局部清除工具102可經安置，使得孔隙208可位於接近於晶圓112之表面之部分的量測位置處。孔隙208可經組態以將從光學系統107接收之照明傳輸至量測位置。孔隙208可僅進一步組態以將從量測位置反射之照明傳輸至光學系統107之偵測器106(經由收集臂)。因此，孔隙可經組態以容許光學系統107使用照明來在接近於局部清除工具102之量測位置量測或分析晶圓112之物理特性。
在一實施例中，孔隙208可位於清除室202之表面之可透氣部分206內。就此而言，孔隙，可容許藉由透過可透氣部分206擴散之清除氣體來局部清除量測位置，同時亦經組態以從光學系統107之照明源接收照明。特定言之，圖2C描繪局部清除工具102之一實施例中的清除氣體流218。從可透氣部分206擴散之清除氣體可流動至晶圓112之表面之部分，使得可清除包含量測位置的晶圓112之表面之部分。清除氣體亦可從晶圓112之表面之部分偏離以在遠離晶圓112之表面之部分的方向上流動通過孔隙208，使得AMC不能進入孔隙208來汙染晶圓112之表面的局部清除部分。
在另一實施例中，孔隙208可位於清除室202之表面之可透氣部分206的第二部分228中。第二部分228可經組態而使清除氣體以與第一部分226不同之速率擴散，使得圍繞孔隙使清除氣體擴散之速率不同於清除氣體擴散至晶圓112之表面之部分的其餘部分之速率。例如，第二部分228可包含比第一部分226更高級別之多孔材料，使得清除氣體在圍繞孔隙208處以更高速率擴散。此外，孔隙208可位於接近於量測位置處，使得清除氣體在接近於量測位置處以比清除氣體跨晶圓112之表面之局部清除部分的其餘部分擴散之速率更高的速率擴散。
如圖2A中所示，局部清除工具102可進一步包含經組態以接合能量射束源或接收用於從晶圓112之表面之部分移開AMC的能量射束之射束埠224。用於從晶圓之表面移開 AMC之能量射束源及能量射束為技術中所知，諸如KLA-TENCOR公司之iDESORBER技術中使用之能量射束源及能量射束。射束埠224可經進一步組態以將能量射束之至少一部分傳輸至晶圓112之表面之部分來在晶圓112之表面之部分的局部清除之前或與其同時從表面之部分清潔AMC。
在額外態樣中，局部清除工具102可經組態以機械地耦合至致動臂(未展示)來使局部清除工具102以平移及旋轉移動之至少一者至接近於晶圓112之表面的所要位置或方位，使得可清除晶圓112之表面之部分。參考圖2A，局部清除工具102可包含托架210，該托架210經組態以機械地接合致動臂，使得致動臂可將局部清除工具102致動至所要位置。在一些實施例中，所要位置可為使用者所選位置或根據量測位置決定之位置。
再次參考圖1A，將在進一步細節中討論系統100之實施例。系統100可經組態以接納晶圓112。晶圓112可包含一或多個薄膜。晶圓112可經組態以在晶圓112之表面之部分上的量測位置接收照明。晶圓112可經進一步組態以從量測位置反射照明。系統可進一步包含經組態以在測量進程中固持晶圓112之樣品台114。樣品台114可經進一步組態以將晶圓112致動至所要位置或方位。樣品台114可經進一步組態以將晶圓112致動至使晶圓112可在量測位置接收照明之位置。
系統100可進一步包含經組態以提供測量來量測晶圓112之一或多個物理特性的光學系統107。光學系統107可包含 經組態以將照明提供至晶圓112之表面之部分的照明臂108。照明臂108可包含將照明提供至晶圓112之表面之部分的照明源104。照明源104可包含技術中所知的一或多個照明源，通常由電磁光譜(例如真空紫外線、紫外線、可見光、紅外線等等)內之一或多個波長識別。照明臂108可進一步包含使從照明源104接收之照明偏光之偏光器116。偏光器116可包含技術中所知的一或多個偏光元件，諸如線性偏光器等等。照明臂108可進一步包含調變從照明源104接收之照明的一或多個照明光學元件118(諸如延遲器、四分之一波板、聚焦光學器件、相位調變器等等)。照明臂108可經進一步組態以將照明從照明源104傳輸至晶圓112之表面之部分的量測位置。量測位置可反射從照明臂108接收之照明之至少一部分。
光學系統107可包含經組態以接收從晶圓112之表面之部分的量測位置反射之照明的收集臂110。收集臂110可包含經組態以接收從量測位置反射之照明的偵測器106。偵測器106可為技術中所知用於分析或量測照明特性(例如，振幅、相位、極性、頻率等等)的任何適當之偵測器，諸如分光計。收集臂110可進一步包含使從量測位置反射之照明偏光的分析器122。分析器122可包含技術中所知的一或多個偏光元件，諸如線性偏光器等等。收集臂110可進一步包含調變從量測位置反射之照明的一或多個收集光學元件120(諸如延遲器、四分之一波板、聚焦光學器件、相位調變器等等)。
系統100可進一步包含經組態以利用清除氣體來局部清除晶圓112之表面之部分的局部清除系統101。局部清除系統101之清除氣體源可經組態以將清除氣體供應至局部清除工具而使清除氣體跨晶圓112之表面之部分擴散來抑制AMC累積在晶圓112之表面之部分上。局部清除工具102之孔隙208可經組態以從光學系統107之照明臂108接收照明。孔隙208可經進一步組態以將從照明臂108接收之照明傳輸至晶圓112之表面之部分的量測位置。孔隙208可經進一步組態以將從量測位置反射之照明傳輸至光學系統107之收集臂110。就此而言，在局部清除晶圓112之表面之部分的同時，光學系統107可經組態以在晶圓112之表面之部分的量測位置量測晶圓112之一或多個物理特性。
在一實施例中，系統100可經組態以量測晶圓112之薄膜的厚度。光學系統107之照明臂108可透過局部清除工具102之孔隙208將照明傳輸至量測位置。從量測位置反射之照明可透過局部清除工具102之孔隙208傳輸至光學系統107之收集臂110。收集臂110可經進一步組態以將關於由偵測器106接收之照明的資訊傳輸至計算系統126。計算系統126可經進一步組態以使用技術中所知的演算法(諸如，通常用於橢偏法之演算法)決定薄膜之厚度。
在又一實施例中，系統100可經組態以利用下文描述之方法300校正晶圓112之薄膜之厚度量測。薄膜之厚度量測可因大氣變量(諸如AMC累積在晶圓112之表面上)而失真。可藉由使用相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相 關性決定將厚度量測調整至校正之厚度值的厚度校正。參考圖1D，系統100可包含經組態以偵測接近於晶圓112之表面之部分的環境之濕度位準的一或多個濕度感測器136。在一實施例中，濕度感測器136可位於局部清除工具102之清除室202的腔216內。在另一實施例中，濕度感測器136可位於局部清除工具102之外表面上。以上實例僅意欲繪示濕度感測器136之可能性位置，而不應以限制濕度感測器136相對於接近於晶圓112之表面之部分的環境放置之方式理解。濕度感測器136可通信地耦合至經組態以執行來自載體媒體128上之程式指令130的厚度校正演算法134之計算系統126。
參考圖3，繪示根據本發明之一實施例決定厚度量測之厚度校正的方法300。方法300可包含：(i)步驟302，建立相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性；(ii)步驟304，獲取接近於量測位置之環境的初始濕度位準量測；(iii)步驟306，利用光學系統107在晶圓112之表面之部分的量測位置進行晶圓112之薄膜之厚度量測；(iv)步驟308，獲取環境之隨後濕度位準量測，其中隨後濕度位準量測係關於薄膜之量測厚度；(v)步驟310，計算初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的差量；及(vi)步驟312，使用相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性及初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的計算之差量決定厚度校正。
在步驟302中，可藉由使用已知值或近似值建立相對濕 度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性。例如，相關性可為計算系統126之載體媒體128上程式化的標準或接受值，或相關值可為使用者所選值。或者，可藉由包含一或多個以下步驟之校準方法建立相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關值：(i)獲取薄膜之初始厚度量測；(ii)獲取與初始厚度量測相關聯之初始濕度位準量測；(iii)獲取薄膜之隨後厚度量測；(iv)獲取與隨後厚度量測相關聯之隨後濕度位準量測；(v)計算初始厚度量測與隨後厚度量測之間的差量；(vi)計算初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的差量；及(vii)使用初始厚度量測與隨後厚度量測的計算之差量及初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測的計算之差量決定相對濕度與量測厚度之間的相關性。
在步驟304中，初始濕度位準可從濕度感測器136傳達至計算系統126。在一實施例中，濕度感測器136可經組態以大體上在從晶圓112之表面之部分移開或移除AMC的時間之同時或緊接該時間之後進行初始濕度位準量測。可利用能量射束或藉由將晶圓112或晶圓112之表面之部分加熱至足夠高之溫度而移除AMC。
在步驟306中，系統100之光學系統107的偵測器106可經組態以藉由接收從晶圓112之表面之部分的量測位置反射之照明進行晶圓112之薄膜的一或多個厚度量測。偵測器106可經進一步組態以將關於從量測位置反射之照明的資料傳達至計算系統126。計算系統126可經進一步組態以使用從偵測器106接收的關於從量測位置反射之照明的資料 計算晶圓112之薄膜之厚度量測。
在步驟308中，濕度感測器136可進行一或多個隨後濕度位準量測，該一或多個隨後濕度位準量測之至少一者相對應於或關於由光學系統107進行厚度量測時之濕度位準。濕度感測器136可將相對應於或關於厚度量測之隨後濕度位準傳達至計算系統126。
在步驟310中，計算系統126可經組態以計算初始濕度位準與相對應於由光學系統107進行之厚度量測的隨後濕度位準之間的差量。計算系統126可經組態以藉由求得初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的數學差來計算差量。或者，計算系統126可經組態以使用進階數學技術(例如，多項式近似法、微分方程式、數值轉換等等)計算差量。
在步驟312中，計算系統126可經進一步組態以使用初始濕度位準量測與隨後濕度位準量測之間的差量與相對濕度位準與薄膜之量測厚度之間的相關性之間的數學關係決定厚度校正，諸如誤差位準、偏差、失真、調整或其他校正變量。計算系統126可經進一步組態以將厚度校正應用於薄膜之厚度量測來決定晶圓112之薄膜的校正之厚度值。
應認識到，可藉由單個計算系統126或者多個計算系統126執行遍及本發明描述之多種步驟。而且，系統100之不同子系統(諸如光學系統107或局部清除系統101)可包含適於執行以上描述之步驟之至少一部分的計算系統。因此，以上描述不應視為對本發明之限制，而是僅為繪示。進一 步而言，一或多個計算系統126可經組態以執行本文描述之任何方法實施例的(若干)任何其他步驟。
計算系統126可包含(但不限於)技術中所知的個人計算系統、主機計算系統、工作站、影像電腦、平行處理器或任何其他器件。通常，術語「計算系統」可廣泛地定義為涵蓋具有執行來自記憶體媒體之指令之一或多個處理器的任何器件。
實施方法(諸如本文描述之方法)之程式指令130可經由載體媒體128傳輸或儲存於載體媒體128上。載體媒體可為傳輸媒體，諸如電線、纜線或無線傳輸鏈路。載體媒體128亦可包含儲存媒體，諸如唯讀記憶體、隨機存取記憶體、磁碟或光碟或磁帶。
本文描述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟的結果儲存於儲存媒體中。結果可包含本文描述之任何結果且可以技術中所知的任何方式儲存。儲存媒體可包含本文描述之任何儲存媒體或技術中所知的任何其他適當之儲存媒體。在已儲存結果之後，結果可在儲存媒體中存取且由本文描述之任何方法或系統實施例使用，被格式化用於顯示給使用者，由另一軟體模組、方法或系統等等使用。此外，可「永久」、「非永久」、暫時或在一段時間內儲存結果。例如，儲存媒體可為隨機存取記憶體(RAM)，且結果並不一定無限期地保存於儲存媒體中。
進一步預期上文描述之方法的每一項實施例可包含本文描述之(若干)任何其他方法之(若干)任何其他步驟。此 外，可藉由本文描述之任何系統執行上文描述之方法的每一項實施例。
熟悉此項技術者將瞭解存在使本文描述之程序及/或系統及/或其他技術受影響之多種工具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳之工具將隨著其中部署程序及/或系統及/或其他技術之背景內容而變化。例如，若實施者決定速度及精確度至關重要，則實施者可主要選擇硬體及/或韌體工具；或者，若靈活性至關重要，則實施者可主要選擇軟體實施方案；或再一次或者，實施者可選擇硬體、軟體及/韌體之一些組合。因此，存在使本文描述之程序及/或器件及/或其他技術受影響之若干可能性工具，由於待使用之任何工具為取決於其中部署工具之背景內容及實施者之特定關注(例如，速度、靈活性或可預測性)的選擇，沒有一個工具固有地優越於其他者且任何工具可變化。熟悉此項技術者將認識到，實施方案之光學態樣將通常採用經光學定位之硬體、軟體及或韌體。
熟悉此項技術者將認識到技術內常見的是以本文提出之方式描述器件及/或程序，且其後使用工程實踐來將該等描述之器件及/或程序整合至資料處理系統中。即，本文描述之器件及/或程序的至少一部分可經由合理數量之實驗整合至資料處理系統中。熟悉此項技術者將認識到典型的資料處理系統通常包含一或多個系統單元外殼、視訊顯示器件、記憶體(諸如揮發性及非揮發性記憶體)、處理器(諸如微處理器及數位信號處理器)、計算實體(諸如作業系 統、驅動程式、圖形使用者介面及應用程式)、一或多個互動器件(諸如觸控板或螢幕)及/或包含回饋迴路及控制馬達(例如，感測位置及/或速度之回饋；移動及/或調整組件及/或數量之控制馬達)之控制系統。可使用任何適當之商用組件(諸如通常在資料計算/通信及/或網路計算/通信系統中找到的商用組件)實施典型的資料處理系統。
本文描述之標的有時繪示包含於不同其他組件內或與不同其他組件連接之不同組件。應理解，該等描繪之架構僅為例示性，且事實上，可實施達成相同功能性之許多其他架構。在概念意義上而言，達成相同功能性之任何組件配置係有效地「相關聯」，使得可達成所要功能性。因此，本文經組合以達成特定功能性之任何兩個組件可視作彼此「相關聯」，使得可不考慮架構或中間組件達成所要功能性。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可視作彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可視作彼此「可耦合」以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含(但不限於)可實體配合及/或實體互動組件及/或可無線互動及/或無線互動組件及/或邏輯互動及/或可邏輯互動組件。
雖然已展示及描述本文描述之本標的的特定態樣，但是熟悉此項技術者將瞭解可基於本文之教示，在不脫離本文描述之標的及其較廣泛之態樣下進行改變及修改且因此，只要所有該等改變及修改在本文描述之標的的真正的精神及範疇內，隨附申請專利範圍將所有該等改變及修改涵蓋 於其等範疇內。
此外，應理解，本發明由隨附申請專利範圍所定義。
雖然已繪示本發明之特定實施例，但是顯然可由熟悉此項技術者在不脫離以上揭示內容之範疇及精神下完成本發明之多種修改及實施例。因此，本發明之範疇應僅由本文隨附之申請專利範圍所限制。
據信，將藉由以上描述理解本發明及其許多隨帶的優點，且顯然可在不脫離揭示之標的或不犧牲其所有材料優點下在組件之形狀、構造及配置中進行多種改變。描述之形狀僅為說明性，且以下申請專利範圍之意圖為涵蓋及包含該等改變。
100‧‧‧系統
101‧‧‧局部清除系統
102‧‧‧局部清除工具
103‧‧‧清除氣體源
104‧‧‧照明源
105‧‧‧導管
106‧‧‧偵測器
107‧‧‧光學系統
108‧‧‧照明臂
110‧‧‧收集臂
112‧‧‧晶圓
114‧‧‧樣品台
116‧‧‧偏光器
118‧‧‧照明光學元件
120‧‧‧收集光學元件
122‧‧‧分析器
124‧‧‧流控制器
126‧‧‧計算系統
128‧‧‧載體媒體
130‧‧‧程式指令
131‧‧‧致動演算法
132‧‧‧流控制演算法
133‧‧‧致動臂
134‧‧‧厚度校正演算法
136‧‧‧濕度感測器
202‧‧‧清除室
206‧‧‧可透氣部分
208‧‧‧孔隙
210‧‧‧托架
212‧‧‧進氣室
214‧‧‧進氣埠
216‧‧‧清除腔
218‧‧‧清除氣體流
220‧‧‧進氣腔
224‧‧‧射束埠
226‧‧‧可透氣部分之第一部分
228‧‧‧可透氣部分之第二部分
300‧‧‧方法
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
308‧‧‧步驟
310‧‧‧步驟
312‧‧‧步驟
圖1A係對一局部清除晶圓執行光學測量之一系統的方塊圖。
圖1B係致動局部清除工具之一系統的方塊圖。
圖1C係控制從清除氣體源至局部清除工具之流的一系統之方塊圖。
圖1D係決定一厚度校正之一系統的方塊圖。
圖2A繪示局部清除工具之概念圖。
圖2B繪示局部清除工具之縱向橫截面的概念圖。
圖2C繪示自局部清除工具之縱向橫截面之清除氣體流的概念圖。
圖2D繪示安置成接近於晶圓之表面之部分的局部清除工具之概念圖。
圖2E繪示局部清除工具之清除室之表面之可透氣部分的概念圖。
圖3係決定厚度校正之方法的流程圖。
101‧‧‧局部清除系統
102‧‧‧局部清除工具
103‧‧‧清除氣體源
105‧‧‧導管
124‧‧‧流控制器
126‧‧‧計算系統
128‧‧‧載體媒體
130‧‧‧程式指令
132‧‧‧流控制演算法

Claims (20)

  1. 一種利用清除氣體清除一晶圓之一表面之一部分的局部清除工具，該局部清除工具包括：一清除室，其經組態以將清除氣體包含於該清除室之一腔內；該清除室之一表面之一可透氣部分，該可透氣部分經組態以使清除氣體從該清除室之該腔擴散至一晶圓之一表面之一部分，其中該可透氣部分包含該清除氣體可穿透之一多孔材料；及一孔隙，其經組態以將從一照明源接收之照明傳輸至該晶圓之該表面之該部分的一量測位置且經進一步組態以將從該量測位置反射之照明傳輸至一偵測器。
  2. 如請求項1之局部清除工具，其中該局部清除工具進一步包括一進氣埠，該進氣埠經組態以從一清除氣體源接收清除氣體且經進一步組態以將清除氣體傳輸至該清除室之該腔。
  3. 如請求項1之局部清除工具，其中該局部清除工具進一步包括一射束埠，該射束埠經組態以將從一能量射束源發出之一能量射束傳輸至該晶圓之該表面之該部分來從該晶圓之該表面之該部分移開大氣分子汙染。
  4. 如請求項1之局部清除工具，其中該局部清除工具經組態以機械地耦合至一致動臂，該致動臂經組態以將該局部清除工具致動至接近於該晶圓之該表面之該部分的一位置。
  5. 如請求項1之局部清除工具，其中該孔隙位於該清除室之該表面的該可透氣部分內。
  6. 如請求項1之局部清除工具，其中該清除室之該表面的該可透氣部分包括：一第一部分，其包括一可透氣介質；及一第二部分，其包括一不同級別之可透氣介質，其中該第二部分包括比該第一部分更高級別之可透氣介質。
  7. 如請求項6之局部清除工具，其中該孔隙位於該清除室之該表面的該可透氣部分之該第二部分內。
  8. 一種對一局部清除晶圓執行光學測量之系統，該系統包括：一照明源；一偵測器，其經組態以接收從一晶圓之一表面之一部分的一量測位置反射之照明；一局部清除系統，其包括經組態以清除該晶圓之該表面之該部分的一局部清除工具，該局部清除工具包括：一清除室，其經組態以將清除氣體包含於該清除室之一腔內；該清除室之一表面之一可透氣部分，該可透氣部分經組態以使清除氣體之一部分從該清除室之該腔擴散至該晶圓之該表面之該部分，其中該可透氣部分包含該清除氣體可穿透之一多孔材料；及一孔隙，其經組態以將從該照明源接收之照明傳輸 至該晶圓之該表面之該部分的該量測位置且經進一步組態以將從該量測位置反射之照明傳輸至該偵測器；該局部清除系統進一步包括流體地連接至該局部清除工具之一清除氣體源。
  9. 如請求項8之系統，其中系統進一步包括：一照明臂，其包括一偏光器及一或多個照明光學元件，其中該照明臂經組態以透過該局部清除工具之該孔隙將照明從該照明源傳輸至該量測位置；及一收集臂，其包含一分析器及一或多個收集光學元件，其中該收集臂經組態以透過該局部清除工具之該孔隙接收從該量測位置反射之照明且經進一步組態以將從該局部清除工具之該孔隙接收之照明傳輸至該偵測器。
  10. 如請求項8之系統，其中該局部清除系統進一步包括經組態以控制該清除氣體源與該局部清除工具之間的清除氣體之流速的一流控制器。
  11. 如請求項10之系統，其中該局部清除系統進一步包括通信地耦合至該流控制器之一計算系統，其中該計算系統經組態以將設定一流速之指令發送至該流控制器。
  12. 如請求項8之系統，其中該局部清除系統進一步包括一致動臂，該致動臂機械地耦合至該局部清除工具且經組態以將該局部清除工具致動至接近於該晶圓之該表面之該部分的一位置。
  13. 如請求項12之系統，其中該局部清除系統進一步包括通信地耦合至該致動臂之一計算系統，其中該計算系統經 組態以將用於將該局部清除工具致動至接近於該晶圓之該表面之該部分的該位置之指令發送至該致動臂。
  14. 如請求項8之系統，其中該局部清除系統進一步包括一能量射束源，其經組態以透過該局部清除工具之一射束埠將一能量射束傳輸至該晶圓之該表面之該部分來從該晶圓之該表面之該部分移開大氣分子汙染。
  15. 如請求項8之系統，其中該系統經組態以量測該晶圓之一薄膜的厚度。
  16. 如請求項15之系統，其中該系統進一步包括：一濕度感測器，其經組態以偵測接近於該晶圓之該表面之該量測位置的一環境之濕度位準；及一或多個計算系統，其等經組態以：建立相對濕度與該晶圓之一薄膜之量測厚度之間的一相關性；獲取接近於該量測位置之一環境的一初始濕度位準量測；獲取接近於該量測位置之該環境的一隨後濕度位準量測，其中該隨後濕度位準量測係關於該晶圓之該薄膜之一厚度量測；計算該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的一差量；及使用相對濕度與該晶圓之該薄膜之量測厚度之間的該建立之相關性及該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的該計算之差量決定該厚度量測之一厚 度校正。
  17. 一種決定一晶圓之一薄膜之一厚度量測的一厚度校正之方法，該方法包括以下步驟：建立相對濕度與一晶圓之一薄膜之量測厚度之間的一相關性；獲取接近於該晶圓之一表面之一部分的一量測位置之一環境的一初始濕度位準量測；利用一光學系統在該晶圓之該表面之該部分的該量測位置進行該晶圓之該薄膜之一厚度量測，其中在進行該厚度量測時，利用清除氣體來局部清除該晶圓之該表面之該部分；獲取接近於該量測位置之該環境的一隨後濕度位準量測，其中該隨後濕度位準量測係關於該晶圓之該薄膜之該厚度量測；計算該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的一差量；及使用相對濕度與量測厚度之間的該建立之相關性及該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的該計算之差量決定該晶圓之該薄膜之該厚度量測的一厚度校正。
  18. 如請求項17之方法，其中建立相對濕度與量測厚度之間的該相關性之該步驟包括以下步驟：獲取該晶圓之該薄膜之一初始厚度量測；獲取關於該初始厚度量測之一初始濕度位準量測； 獲取該晶圓之該薄膜之一隨後厚度量測；獲取關於該隨後厚度量測之一隨後濕度位準量測；計算該初始厚度量測與該隨後厚度量測之間的一差量；計算該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的一差量；及使用該初始厚度量測與該隨後厚度量測之間的該計算之差量及該初始濕度位準量測與該隨後濕度位準量測之間的該計算之差量決定相對濕度與量測厚度之間的一相關性。
  19. 如請求項17之方法，其中建立相對濕度與量測厚度之間的該相關性之該步驟包括：使用一載體媒體上程式化的相對濕度與量測厚度之間的一已知相關性之步驟。
  20. 如請求項17之方法，其中該方法進一步包括利用一局部清除系統局部清除該晶圓之該表面之該部分的步驟。
TW101124088A 2011-07-04 2012-07-04 以局部清除控制大氣分子汙染 TWI555108B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161504271P 2011-07-04 2011-07-04
US13/536,410 US8830486B2 (en) 2011-07-04 2012-06-28 Atmospheric molecular contamination control with local purging

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201308493A TW201308493A (zh) 2013-02-16
TWI555108B true TWI555108B (zh) 2016-10-21

Family

ID=47437397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101124088A TWI555108B (zh) 2011-07-04 2012-07-04 以局部清除控制大氣分子汙染

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8830486B2 (zh)
EP (1) EP2729760B1 (zh)
JP (1) JP6141271B2 (zh)
KR (1) KR102040993B1 (zh)
CN (1) CN103765157B (zh)
TW (1) TWI555108B (zh)
WO (1) WO2013006575A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10082461B2 (en) * 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
DE102016101554A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Vorwerk & Co. Interholding Gmbh Reinigungsgerät, insbesondere Feuchtwischgerät
CN107185979B (zh) * 2017-06-28 2018-12-18 江苏东方九天新能源材料有限公司 一种钢带表面吹扫装置及其应用方法
US10451542B2 (en) * 2017-12-05 2019-10-22 Nanometrics Incorporated Local purge within metrology and inspection systems
US10901241B1 (en) * 2018-03-14 2021-01-26 Onto Innovation Inc. Optical metrology system using infrared wavelengths
US11315816B2 (en) 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
TW202310109A (zh) * 2021-08-10 2023-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板厚度測定裝置、基板處理系統及基板厚度測定方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040150820A1 (en) * 2002-11-26 2004-08-05 Mehrdad Nikoonahad Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
US20080252889A1 (en) * 2004-05-14 2008-10-16 John Fielden Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669503A (en) 1979-11-12 1981-06-10 Kishimoto Akira Coated film thickness measuring method and apparatus
JPH0781842B2 (ja) * 1990-06-12 1995-09-06 新日本製鐵株式会社 鋼帯の酸化膜厚測定方法及びその装置
JPH0562828U (ja) * 1992-02-03 1993-08-20 株式会社チノー 光学的測定装置
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same
US6261853B1 (en) 2000-02-07 2001-07-17 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
GB2359326B (en) 2000-02-15 2003-10-22 Harold Frederick Adshead Improvements in or relating to ladders
WO2002042013A1 (en) * 2000-11-22 2002-05-30 Applied Materials, Inc. An in situ module for particle removal from solid-state surfaces
US7253901B2 (en) 2002-01-23 2007-08-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Laser-based cleaning device for film analysis tool
JP3995579B2 (ja) * 2002-10-18 2007-10-24 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定装置および反射率測定装置
JP2007537455A (ja) * 2004-05-14 2007-12-20 ケイエルエイ−テンコー・テクノロジーズ・コーポレーション 試験体の測定または分析のためのシステムおよび方法
US7642205B2 (en) * 2005-04-08 2010-01-05 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing using energy transfer layers
CN1792479A (zh) * 2006-01-04 2006-06-28 四川安县银河建化集团有限公司 一种硫磺解毒铬渣的方法
US20080154410A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Tokyo Electron Limited Method for cleaning vacuum apparatus, device for controlling vacuum apparatus, and computer-readable storage medium storing control program
JP4750686B2 (ja) * 2006-12-22 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造用の真空装置のクリーニング方法、半導体製造用の真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US7755764B2 (en) 2007-01-26 2010-07-13 Kla-Tencor Corporation Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry
CN100547755C (zh) * 2007-02-06 2009-10-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 量测晶圆薄膜厚度的装置
JP5474609B2 (ja) * 2010-03-02 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 パーティクル数計測方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040150820A1 (en) * 2002-11-26 2004-08-05 Mehrdad Nikoonahad Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
US20080252889A1 (en) * 2004-05-14 2008-10-16 John Fielden Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light

Also Published As

Publication number Publication date
EP2729760A1 (en) 2014-05-14
JP6141271B2 (ja) 2017-06-07
TW201308493A (zh) 2013-02-16
WO2013006575A1 (en) 2013-01-10
KR20140053162A (ko) 2014-05-07
EP2729760A4 (en) 2015-02-25
CN103765157A (zh) 2014-04-30
JP2014521072A (ja) 2014-08-25
US9110020B2 (en) 2015-08-18
EP2729760B1 (en) 2020-05-20
CN103765157B (zh) 2017-03-15
US20130010311A1 (en) 2013-01-10
US8830486B2 (en) 2014-09-09
US20150029494A1 (en) 2015-01-29
KR102040993B1 (ko) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555108B (zh) 以局部清除控制大氣分子汙染
US7755764B2 (en) Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry
US7342235B1 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
KR102337173B1 (ko) 유효 매체 근사를 사용한 다층막 계측
US6519045B2 (en) Method and apparatus for measuring very thin dielectric film thickness and creating a stable measurement environment
US7622310B2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
TWI720192B (zh) 以毛細管冷凝法量測半導體結構
JP2004536440A (ja) 半導体ウェハ処理ツールへ組込まれた光学臨界寸法計測学システム
WO2017192411A1 (en) Porosity measurement of semiconductor structures
JP2019016662A (ja) 基板反り監視装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板反り監視方法
TW201330134A (zh) 以頻譜匹配為基礎之校正
JP6952033B2 (ja) Ｖｕｖ光学素子の非接触サーマル測定
TW201823507A (zh) 用於在晶圓沉積期間製程引起之變形預測之系統及方法
WO2007126612A2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
JP3625761B2 (ja) 膜厚測定装置及びその方法
TW202217233A (zh) 通過處理腔室壁內的透明晶體和透明基板進行薄膜原位測量
TWI585878B (zh) 具有經淨化參考晶片之光學計量
JP4001469B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202001999A (zh) 半導體生產期間之製程誘導位移表徵
JP2022504385A (ja) 検査装置
US7427520B2 (en) Method and apparatus for measuring thickness of thin film formed on substrate
WO2016018832A1 (en) Protected lens cover plate for an optical metrology device
JP2006295099A (ja) 真空装置、そのリークレート測定方法並びにリークレート測定に用いるプログラムおよび記憶媒体
US7663747B2 (en) Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
JP2002267419A (ja) 膜厚測定装置