CN103765157B - 局部净化工具及使用该工具用于执行光学计量的系统 - Google Patents

局部净化工具及使用该工具用于执行光学计量的系统 Download PDF

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Abstract

本发明揭示一种利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具。所述净化工具包含：净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体从所述室的所述腔扩散到晶片的表面的一部分；及孔隙，其经配置以将从照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的测量位置，且经进一步配置以将从所述测量位置反射的照明传输到检测器。

Description

局部净化工具及使用该工具用于执行光学计量的系统
相关申请案的交叉参考
本申请案涉及且主张来自以下所列申请案(“相关申请案”)的最早可用的有效申请日期的权益(例如，主张除了临时专利申请案之外的申请案的最早可用的优先权日期或根据35USC§119(e)主张临时专利申请案，相关申请案的任何及所有父申请案、祖父申请案、曾祖父申请案等等的权益)。
相关申请案：
出于USPTO额外法定要求的目的，本申请案构成2011年7月4日申请、申请案序号第61/504,271号发明人郭海东(Hidong Kwak)、沃德·迪克森(Ward Dixon)、托尓斯·卡克(Torsten Kaack)、宁易内尔王(Ning Yi Neil Wang)及贾继特·桑德胡(Jagjit Sandhu)且标题为“大气分子污染(AMC)清洁之后以氮局部净化控制大气分子污染(ATMOSPHERICMOLECULAR CONTAMINATION(AMC)CONTROL WITH NITROGEN LOCAL PURGING AFTER AMCCLEAN)”的美国临时专利申请案的正式(非临时)专利申请案。
技术领域
本发明涉及光学计量领域，且特定来说，涉及用于局部净化晶片的表面的一部分以提高测量精确度的系统及方法。
背景技术
产业应用不断以要求更高的规格需要半导体装置。为了满足增加的需求，最现代的半导体制造工艺包含薄膜计量系统及其它光学系统，以获得关于形成于给定半导体晶片(例如硅晶片)上的薄膜的特性信息。例如，薄膜可包含氧化物、氮化物及/或金属层等等。在制造过程期间必须严格控制每一个薄膜的特性(例如厚度及组成)以确保所得半导体的正确性能。因此，在遍及半导体制造工艺的各种步骤处使用光学系统。
但是，最现代的光学系统的精确度受限于薄膜的表面上累积且使由椭率计或其它光学系统测量或分析的膜厚度或其它物理特性失真的大气分子污染“AMC”。可利用各种技术(例如使用能量束或加热到足够高的温度)从薄膜的表面移除大气分子污染。但是，在AMC移除与进行特性测量之间的过渡期中AMC不断累积。因此，有必要在清洁AMC之后抑制AMC在薄膜表面上重新累积，以进行精确的特性测量及观察。因此，本发明通过提供用于控制AMC累积的有效及相对便宜的解决方案来克服以上问题。
发明内容
揭示一种利用净化气体来局部净化晶片的表面的一部分的系统及方法。在一个方面中，所述系统可包含利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，所述局部净化工具包含：净化室，其经配置以将净化气体封围于净化室的腔内；所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体从所述室的所述腔扩散到晶片的表面的一部分；及孔隙，其经配置以将从照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的测量位置且进一步经配置以将从所述测量位置反射的照明传输到检测器。
在另一方面中，系统可包含对局部净化晶片执行光学计量的系统，所述系统包含：照明源；检测器，其经配置以接收从晶片的表面的一部分的测量位置反射的照明；局部净化系统，其包括经配置以净化晶片的表面的部分的局部净化工具，所述局部净化工具包含：净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体的一部分从所述室的所述腔扩散到所述晶片的所述表面的所述部分；及孔隙，其经配置以将从所述照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的所述测量位置，且进一步经配置以将从所述测量位置反射的照明传输到所述检测器。所述系统进一步包含流体地连接到局部净化工具的净化气体源。
在另一方面中，一种用于确定对晶片的表面上的薄膜的厚度测量值的厚度校正的方法包含以下步骤：建立相对湿度与晶片的表面上的薄膜的测得厚度之间的相关性；获取接近于所述晶片的所述表面的一部分的测量位置的环境的初始湿度水平测量值；从所述测量位置获取所述薄膜的厚度测量值，其中在获取所述厚度测量值时，局部净化所述晶片的所述表面的所述部分；获取接近于所述测量位置的所述环境的后续湿度水平测量值，其中所述后续测量与所述薄膜的所述厚度测量值相关联；计算所述初始湿度水平测量值与所述后续湿度水平测量值之间的差量；及使用相对湿度与测得厚度之间的建立的相关性及初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的计算的差量来确定薄膜的厚度测量值的厚度校正。
应理解，上文一般描述及下文详细描述两者仅为示范性及解释性的且并不一定限制所主张的本发明。并入于说明书中且构成说明书的一部分的附图说明本发明的实施例且连同一般描述一起用于解释本发明的原理。
附图说明
所属领域的技术人员可参考附图更好地理解本发明的许多优点，附图中：
图1A为对局部净化晶片执行光学计量的系统的框图。
图1B为致动局部净化工具的系统的框图。
图1C为用于控制从净化气体源到局部净化工具的流的系统的框图。
图1D为确定厚度校正的系统的框图。
图2A说明局部净化工具的概念图。
图2B说明局部净化工具的纵向横截面的概念图。
图2C说明从局部净化工具的纵向横截面看到的净化气体流的概念图。
图2D说明定位成接近于晶片的表面的部分的局部净化工具的概念图。
图2E说明局部净化工具的净化室的表面的可透气部分的概念图。
图3为用于确定厚度校正的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考附图中说明的所揭示的标的物。
通常参考图1A到3，描述根据本发明的一种用于局部净化晶片的表面的一部分的系统及方法。光学系统通常用于测量或分析形成于通常在半导体制造中采用的衬底(例如硅晶片)上的薄膜的物理特性。大气分子污染(“AMC”)(例如碳氢化合物及其它污染物)趋向于累积于晶片的表面上且妨碍光学系统获得关于正由光学系统测量或分析的一个或一个以上晶片的物理特性的正确信息。本发明针对于一种用于通过利用净化气体(例如(但不限于)氮气、氩气、氖气及类似物)局部净化晶片的表面的至少一部分来防止AMC累积在晶片的表面上的系统及方法。
如遍及本发明所使用，术语“晶片”通常是指由半导体或非半导体材料形成的衬底。例如，半导体或非半导体材料包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。晶片可包含一个或一个以上层。例如，此类层可包含(但不限于)光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导电材料。许多不同类型的此类层为此项技术中所知，且期望如本文中所使用的术语晶片涵盖其上可形成所有类型的此类层的晶片。
如遍及本发明所使用，术语“薄膜”通常是指形成于晶片上的一个或一个以上层。例如，此类层可包含(但不限于)光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导电材料。许多不同类型的此类层为此项技术中所知，且期望如本文中所使用的术语薄膜涵盖可形成于晶片上的所有类型的此类层。
如遍及本发明所使用，术语“光学系统”通常是指使用照明以检测薄膜或晶片的一个或一个以上物理特性(例如厚度、组成、大小、形状、结构、配置、导电率、反射率或任何其它物理测量)的任何系统。例如，此类光学系统可包含(但不限于)光谱椭率计、单波长椭率计、光谱反射计、单波长反射计或任何其它计量系统。虽然在计量系统的背景中讨论本发明，但是进一步预期目前揭示的元件中的一些或所有可扩展到使用光学技术来进行测量的检验系统或任何其它系统。
图1A说明用于对晶片112的表面的局部净化部分执行计量的系统100。在一个实施例中，系统100可包含为晶片112的表面的一部分提供计量的光学系统107。系统100可进一步包含局部净化系统101，局部净化系统101经配置以利用净化气体来局部净化晶片112的表面的部分以抑制AMC累积在晶片112的表面的所述部分上。晶片112的所述表面的所述部分可包含测量位置，光学系统107将照明(例如，可见光、真空紫外线、紫外线、红外线等等)传输到所述测量位置以提供晶片112的一个或一个以上物理特性的计量。
参考图1B，局部净化系统101可包含局部净化工具102，局部净化工具102经配置以使净化气体扩散到晶片112的表面的部分。局部净化工具102可经配置以通过将局部净化工具102人工或计算机辅助地放置成接近于晶片112的所述表面的所述部分的来净化晶片112的所述表面的所述部分。在使用计算机辅助放置的实施例中，计算系统126可通信地耦合到致动臂133，致动臂133机械地耦合到局部净化工具102。计算系统126可经配置以向致动臂133提供用于将局部净化工具102适当地放置在所要位置及定向中的指令。在一些实施例中，所要位置可为接近于用户所选择的晶片112的表面的部分的位置。在其它实施例中，所要位置可为由计算系统126基于测量位置所确定的位置。致动臂133可包含用于使局部净化工具102旋转或平移的一个或一个以上电机、伺服系统、步进电机、液压装置、机器人或任何其它装置或组件。计算系统126可包含配置有包含致动算法131的程序指令130的至少一个载体媒体128，例如快闪、固态、光学、随机存取或其它静态或动态存储器装置。致动算法为此项技术中所知，例如用于经由电信号控制电机、伺服系统或其它可致动的装置以用于使机械耦合设备(例如局部净化工具102)机械式旋转或平移的算法。
参考图1C，局部净化系统101可包含流体地连接到局部净化工具的净化气体源103。净化气体源103可经配置以向局部净化工具102供应净化气体。净化气体源103可为包含净化气体的任何适当的容器，例如加压罐或任何其它加压容器。
在又一实施例中，局部净化系统101可包含流体地连接于净化气体源103与局部净化工具102之间的流控制器124。流控制器124可经配置以控制将净化气体供应到局部净化工具102的速率。流控制器124可包含用于调节净化气体移动通过将流控制器124流体地连接到局部净化工具102的至少一个导管105的压力或速率的一个或一个以上阀、调节器、泵或任何其它构件。
在又一实施例中，流控制器124可通信地连接到计算系统126，计算系统126经配置以将用于设定净化气体流动到局部净化工具102的速率的指令提供给流控制器124。计算系统126可包含配置有包含流控制算法132的程序指令130的至少一个载体媒体128，例如快闪、固态、光学、随机存取或其它静态或动态存储器装置。流控制算法132为此项技术中所知，例如用于配置可包含于流控制器124中的压力阀的算法。例如，流控制算法132可指导流控制器124基于压力阀的机械性质与所要流速之间的相关性来致动压力阀。在一些实施例中，10LPM(升/分钟)到100LPM的用户所选速率可为用于利用净化气体来局部净化晶片112的表面的部分的所要流速。取决于特定净化气体的性质与下伏薄膜或晶片112的组成，10LPM到100LPM范围之外的其它流速可为合意的。以上流速范围仅通过实例包含且非意欲以任何方式限制所述系统。
参考图1D，局部净化系统可包含经配置以用于测量接近于测量位置的环境的湿度水平的湿度传感器136。环境可为接近于晶片112的表面的部分的局部净化的环境。湿度传感器136可通信地耦合到计算系统126且进一步经配置以将湿度水平测量值传输到计算系统126。计算系统126可经配置以从湿度传感器136接收湿度水平测量值且进一步经配置以确定对晶片112的薄膜的厚度测量值的厚度校正。厚度校正可为基于接近于测量位置的环境的湿度水平的改变及相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性的薄膜的测得厚度的误差水平、偏差、失真或调整。在一个实施例中，相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性可包含在载体媒体上编程的已知值。在另一实施例中，相关性可由校准算法确定或相关性可为用户所选的值。计算系统126可包含配置有包含厚度校正算法134的程序指令130的至少一个载体媒体128，例如快闪、固态、光学、随机存取或其它静态或动态存储器装置。
在一个实施例中，厚度校正算法134可要求计算系统126完成以下步骤中的一者或一者以上：(i)建立相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性；(ii)获取接近于测量位置的环境的初始湿度水平测量值；(iii)从光学系统的检测器106获取晶片112的薄膜的厚度测量值；(iv)获取环境的后续湿度水平测量值，其中后续湿度水平测量值与薄膜的测得厚度相关联；(v)计算初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的差量；及(vi)使用相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性及初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的计算的差量确定厚度校正。将进一步详细地描述厚度校正算法134的以上讨论提到的确定对薄膜的测得厚度的厚度校正的方法300。
在一些实施例中，虽然前文在具有局部净化工具102的局部净化系统101的背景中讨论湿度传感器136，但是湿度传感器并不限于此系统。或者，湿度传感器136可放置于接近于晶片112的表面的测量位置的任何大气受控的环境内。
图2A到2E说明局部净化工具102的许多方面及多种实施例。参考图2A及2B，局部净化工具102可包含净化室202，净化室202经配置以将净化气体封围于组成净化室202的内部部分的净化腔216内。局部净化工具102可进一步包含进气口214，进气口214经配置以从净化气体源103接收净化气体且进一步经配置以将接收的净化气体的一部分传输到净化室202的净化腔216。局部净化工具102可进一步包含在进气口214与净化室202之间的进气室212。
参考图2C，进气室212可进一步经配置以将通过进气口214从净化气体源103接收的净化气体的一部分封围于组成进气室212的内部部分的进气腔220内。进气室212可进一步经配置以遍及净化室202的净化腔216的实质性部分分布净化气体的一部分。进气室212可允许遍及净化腔216以大体上均匀的方式分布通过进气口214接收的净化气体。例如，进气室212可包含使从进气口214流动通过进气室212的净化气体分散到净化室202的结构元件。在一些实施例中，净化室202可包含进气室212的一个或一个以上元件。
如图2B中所示，局部净化工具102可包含净化室202的表面的可透气部分206。可透气部分206可经配置以使净化气体从净化腔216内扩散来局部净化晶片112的表面的部分。可透气部分206可包含净化气体可穿透的多孔材料。参考图2E，可透气部分206可进一步包含第一部分226及第二部分228。第一部分226可为与第二部分228不同级别的可透气介质，使得第一部分226可经配置而以与第二部分228不同的速率使净化气体扩散。例如，在一些实施例中，可需要在测量位置附近处使净化气体扩散的速率高于净化气体扩散到晶片112的表面的部分的其余部分的速率。
如图2A中所示，局部净化工具102可进一步包含经配置以从光学系统107接收照明的孔隙208。孔隙208可进一步经配置以将照明传输到光学系统107的检测器。局部净化工具102可经定位以使得孔隙208可位于接近于晶片112的表面的部分的测量位置处。孔隙208可经配置以将从光学系统107接收的照明传输到测量位置。孔隙208可进一步经配置以将从测量位置反射的照明传输到光学系统107的检测器106(经由收集臂)。因此，孔隙可经配置以允许光学系统107使用照明来在接近于局部净化工具102的测量位置处测量或分析晶片112的物理特性。
在一个实施例中，孔隙208可位于净化室202的表面的可透气部分206内。就此来说，孔隙可允许通过穿过可透气部分206扩散的净化气体来局部净化测量位置，同时还经配置以从光学系统107的照明源接收照明。特定来说，图2C描绘局部净化工具102的一个实施例中的净化气体流218。从可透气部分206扩散的净化气体可流动到晶片112的表面的部分，使得可净化包含测量位置的晶片112的表面的部分。净化气体也可从晶片112的表面的部分偏离以在远离晶片112的表面的部分的方向上流动通过孔隙208，使得AMC不能进入孔隙208来污染晶片112的表面的局部净化部分。
在另一实施例中，孔隙208可位于净化室202的表面的可透气部分206的第二部分228中。第二部分228可经配置而使净化气体以与第一部分226不同的速率扩散，使得围绕孔隙使净化气体扩散的速率不同于净化气体扩散到晶片112的表面的部分的其余部分的速率。例如，第二部分228可包含比第一部分226更高级别的多孔材料，使得净化气体在孔隙208周围以更高速率扩散。此外，孔隙208可位于接近于测量位置处，使得净化气体在接近于测量位置处以比净化气体跨晶片112的表面的局部净化部分的其余部分扩散的速率更高的速率扩散。
如图2B中所示，局部净化工具102可进一步包含经配置以接合能量射束源或接收用于从晶片112的表面的部分转移AMC的能量射束的射束口224。用于从晶片的表面转移AMC的能量射束源及能量射束为此项技术中所知，例如KLA-TENCOR公司的iDESORBER此项技术中使用的能量射束源及能量射束。射束口224可进一步经配置以将能量射束的至少一部分传输到晶片112的表面的部分以在晶片112的表面的部分的局部净化之前或与其同时从表面的部分清洁AMC。
在额外方面中，局部净化工具102可经配置以机械地耦合到致动臂(未展示)来实现局部净化工具102到接近于晶片112的表面的所要位置或定向的平移移动及旋转移动中的至少一者，使得可净化晶片112的表面的部分。参考图2A，局部净化工具102可包含托架210，托架210经配置以机械地接合致动臂，使得致动臂可将局部净化工具102致动到所要位置。在一些实施例中，所要位置可为用户所选位置或根据测量位置确定的位置。
再次参考图1A，将在进一步详细讨论系统100的实施例。系统100可经配置以接纳晶片112。晶片112可包含一个或一个以上薄膜。晶片112可经配置以在晶片112的表面的部分上的测量位置处接收照明。晶片112可进一步经配置以从测量位置反射照明。所述系统可进一步包含经配置以在计量过程中固持晶片112的样品台114。样品台114可进一步经配置以将晶片112致动到所要位置或定向。样品台114可进一步经配置以将晶片112致动到使得晶片112能够在测量位置处接收照明的位置。
系统100可进一步包含经配置以提供计量来测量晶片112的一个或一个以上物理特性的光学系统107。光学系统107可包含经配置以将照明提供到晶片112的表面的部分的照明臂108。照明臂108可包含用于将照明提供到晶片112的表面的部分的照明源104。照明源104可包含此项技术中已知的一个或一个以上照明源，其通常由电磁波谱内的一个或一个以上波长(例如真空紫外线、紫外线、可见光、红外线等等)识别。照明臂108可进一步包含使从照明源104接收的照明偏光的偏光器116。偏光器116可包含此项技术中已知的一个或一个以上偏光元件，例如线性偏光器等等。照明臂108可进一步包含用以调制从照明源104接收的照明的一个或一个以上照明光学元件118(例如延迟器、四分之一波板、聚焦光学器件、相位调制器等等)。照明臂108可进一步经配置以将照明从照明源104传输到晶片112的表面的部分的测量位置。测量位置可反射从照明臂108接收的照明的至少一部分。
光学系统107可包含经配置以接收从晶片112的表面的部分的测量位置反射的照明的收集臂110。收集臂110可包含经配置以接收从测量位置反射的照明的检测器106。检测器106可为此项技术中已知的用于分析或测量照明特性(例如，振幅、相位、极性、频率等等)的任何适当的检测器，例如光谱仪。收集臂110可进一步包含使从测量位置反射的照明偏光的分析器122。分析器122可包含此项技术中已知的一个或一个以上偏光元件，例如线性偏光器等等。收集臂110可进一步包含用以调制从测量位置反射的照明的一个或一个以上收集光学元件120(例如延迟器、四分之一波板、聚焦光学器件、相位调制器等等)。
系统100可进一步包含经配置以利用净化气体来局部净化晶片112的表面的部分的局部净化系统101。局部净化系统101的净化气体源103可经配置以将净化气体供应到局部净化工具102而使净化气体跨晶片112的表面的部分扩散来抑制AMC累积在晶片112的表面的部分上。局部净化工具102的孔隙208可经配置以从光学系统107的照明臂108接收照明。孔隙208可进一步经配置以将从照明臂108接收的照明传输到晶片112的表面的部分的测量位置。孔隙208可进一步经配置以将从测量位置反射的照明传输到光学系统107的收集臂110。就此来说，光学系统107可经配置以在局部净化晶片112的表面的部分的同时，在晶片112的表面的部分的测量位置处测量晶片112的物理特性中的一者或一者以上。
在一个实施例中，系统100可经配置以用于测量晶片112的薄膜的厚度。光学系统107的照明臂108可通过局部净化工具102的孔隙208将照明传输到测量位置。从测量位置反射的照明可通过局部净化工具102的孔隙208传输到光学系统107的收集臂110。收集臂110可进一步经配置以将关于由检测器106接收的照明的信息传输到计算系统126。计算系统126可进一步经配置以使用此项技术中已知的算法(例如，通常用于椭圆对称的那些算法)确定薄膜的厚度。
在又一实施例中，系统100可经配置以利用下文描述的方法300来校正晶片112的薄膜的厚度测量值。薄膜的厚度测量值可因大气变量(例如晶片112的表面上的AMC累积)而失真。可通过使用相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性来确定用以将厚度测量值调整到校正的厚度值的厚度校正。参考图1D，系统100可包含经配置以检测接近于晶片112的表面的部分的环境的湿度水平的一个或一个以上湿度传感器136。在一个实施例中，湿度传感器136可位于局部净化工具102的净化室202的腔216内。在另一实施例中，湿度传感器136可位于局部净化工具102的外表面上。以上实例仅意在说明湿度传感器136的可能性位置，而不应以限制湿度传感器136相对于接近于晶片112的表面的部分的环境的放置的方式来理解。湿度传感器136可通信地耦合到经配置以执行来自载体媒体128上的程序指令130的厚度校正算法134的计算系统126。
参考图3，说明根据本发明的一个实施例的用于确定厚度测量值的厚度校正的方法300。方法300可包含：(i)步骤302，建立相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性；(ii)步骤304，获取接近于测量位置的环境的初始湿度水平测量值；(iii)步骤306，利用光学系统107在晶片112的表面的部分的测量位置处进行晶片112的薄膜的厚度测量；(iv)步骤308，获取环境的后续湿度水平测量值，其中后续湿度水平测量值与薄膜的测得厚度相关；(v)步骤310，计算初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的差量；及(vi)步骤312，使用相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性及初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的计算的差量确定厚度校正。
在步骤302中，可通过使用已知值或近似值建立相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关性。例如，所述相关性可为在计算系统126的载体媒体128上编程的标准或接受值，或相关值可为用户所选值。或者，可通过包含以下步骤中的一者或一者以上的校准方法建立相对湿度水平与薄膜的测得厚度之间的相关值：(i)获取薄膜的初始厚度测量值；(ii)获取与初始厚度测量值相关联的初始湿度水平测量值；(iii)获取薄膜的后续厚度测量值；(iv)获取与后续厚度测量值相关联的后续湿度水平测量值；(v)计算初始厚度测量值与后续厚度测量值之间的差量；(vi)计算初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的差量；及(vii)使用初始厚度测量值与后续厚度测量值的计算的差量及初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值的计算的差量来确定相对湿度与测得厚度之间的相关性。
在步骤304中，可将初始湿度水平从湿度传感器136传送到计算系统126。在一个实施例中，湿度传感器136可经配置以大体上在从晶片112的表面的部分转移或移除AMC的时间的同时或紧接所述时间之后进行初始湿度水平测量。可利用能量射束或通过将晶片112或晶片112的表面的部分加热到足够高的温度而移除AMC。
在步骤306中，系统100的光学系统107的检测器106可经配置以通过接收从晶片112的表面的部分的测量位置反射的照明进行对晶片112的薄膜的一个或一个以上厚度测量。检测器106可进一步经配置以将关于从测量位置反射的照明的数据传送到计算系统126。计算系统126可进一步经配置以使用从检测器106接收的关于从测量位置反射的照明的数据来计算晶片112的薄膜的厚度测量值。
在步骤308中，湿度传感器136可进行一个或一个以上后续湿度水平测量，所述一个或一个以上后续湿度水平测量中的至少一者对应于或涉及由光学系统107进行厚度测量时的湿度水平。湿度传感器136可将对应于或涉及厚度测量的后续湿度水平传送到计算系统126。
在步骤310中，计算系统126可经配置以计算初始湿度水平与对应于由光学系统107进行的厚度测量的后续湿度水平之间的差量。计算系统126可经配置以通过求得初始湿度水平测量值与后续湿度水平测量值之间的数学差来计算差量。或者，计算系统126可经配置以使用高等数学方法(例如，多项式近似法、微分方程、数值转换等等)计算差量。
在步骤312中，计算系统126可进一步经配置以使用初始湿度水平测量值和后续湿度水平测量值之间的差量与相对湿度水平和薄膜的测得厚度之间的相关性之间的数学关系来确定厚度校正，例如误差水平、偏差、失真、调整或其它校正变量。计算系统126可进一步经配置以将厚度校正应用于薄膜的厚度测量来确定晶片112的薄膜的校正的厚度值。
应认识到，可通过单个计算系统126或者多个计算系统126执行遍及本发明所描述的多种步骤。而且，系统100的不同子系统(例如光学系统107或局部净化系统101)可包含适于执行以上描述的步骤的至少一部分的计算系统。因此，以上描述不应视为对本发明的限制，而是仅为说明。进一步来说，一个或一个以上计算系统126可经配置以执行本文描述的任何方法实施例的(如果)任何其它步骤。
计算系统126可包含(但不限于)此项技术中已知的个人计算系统、主机计算系统、工作站、图像计算机、并行处理器或任何其它装置。通常，术语“计算系统”可广泛地定义为涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一个或一个以上处理器的任何装置。
实施方法(例如本文描述的方法)的程序指令130可经由载体媒体128传输或存储于载体媒体128上。载体媒体可为传输媒体，例如电线、缆线或无线传输链路。载体媒体128还可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘或磁带。
本文描述的所有方法可包含将方法实施例的一个或一个以上步骤的结果存储于存储媒体中。结果可包含本文描述的任何结果且可以此项技术中已知的任何方式存储。存储媒体可包含本文描述的任何存储媒体或此项技术中已知的任何其它适当的存储媒体。在已存储结果之后，结果可在存储媒体中存取且由本文描述的任何方法或系统实施例使用，被格式化以供显示给用户，由另一软件模块、方法或系统等等使用。此外，可“永久”、“半永久”、暂时或在一段时间内存储结果。例如，存储媒体可为随机存取存储器(RAM)，且结果可能不一定无限期地保存于存储媒体中。
进一步预期上文描述的方法的每一项实施例可包含本文描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步骤。此外，可通过本文描述的任何系统执行上文描述的方法的每一项实施例。
所属领域的技术人员将了解，存在可实现本文描述的过程及/或系统及/或其它技术的多种工具(例如，硬件、软件及/或固件)，且优选的工具将随着其中部署过程及/或系统及/或其它技术的背景而变化。例如，如果实施者确定速度及精确度至关重要，那么实施者可主要选择硬件及/或固件工具；或者，如果灵活性至关重要，那么实施者可主要选择软件实施方案；或再一次替代地，实施者可选择硬件、软件及/固件的某一组合。因此，存在可实现本文描述的过程及/或装置及/或其它技术的若干可能工具，由于待使用的任何工具是取决于其中部署工具的背景及实施者的特定关注(例如，速度、灵活性或可预测性)的选择，所以没有一个工具固有地优越于其它者且任何工具可变化。所属领域的技术人员将认识到，实施方案的光学方面将通常采用经光学定向的硬件、软件及或固件。
所属领域的技术人员将认识到，此项技术内常见的是以本文提出的方式描述装置及/或过程，且其后使用工程实践来将所述描述的装置及/或过程集成到数据处理系统中。即，本文描述的装置及/或过程的至少一部分可经由合理数量的实验集成到数据处理系统中。所属领域的技术人员将认识到，典型的数据处理系统通常包含一个或一个以上系统单元外壳、视频显示装置、存储器(例如易失性及非易失性存储器)、处理器(例如微处理器及数字信号处理器)、计算实体(例如操作系统、驱动器、图形用户接口及应用程序)、一个或一个以上交互装置(例如触摸垫或触摸屏)及/或包含反馈回路及控制电机(例如，用于感测位置及/或速度的反馈；用于移动及/或调整组件及/或数量的控制电机)的控制系统。可使用任何适当的商用组件(例如通常在数据计算/通信及/或网络计算/通信系统中找到的商用组件)实施典型的数据处理系统。
本文描述的标的物有时说明包含于不同其它组件内或与不同其它组件连接的不同组件。应理解，所述描绘的架构仅为示范性的，且事实上，可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上来说，实现相同功能性的任何组件布置实际上是“相关联的”，使得可实现所要功能性。因此，本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件可视作彼此“相关联”，使得可不考虑架构或中间组件而实现所要功能性。同样地，如此相关联的任何两个组件也可视作彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任何两个组件也可视作彼此“可耦合”以实现所要功能性。可耦合的特定实例包含(但不限于)可物理配合及/或物理交互组件及/或可无线交互及/或无线交互组件及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。
虽然已展示及描述本文描述的本标的物的特定方面，但是所属领域的技术人员将了解，基于本文的教示，可在不脱离本文描述的标的物及其较广泛的方面的情况下作出改变及修改，且因此，只要所有所述改变及修改在本文描述的标的物的真实精神及范围内，所附权利要求书将把所有所述改变及修改涵盖于其范围内。
此外，应理解，本发明由所附权利要求书界定。
虽然已说明本发明的特定实施例，但是显然的是，可由所属领域的技术人员在不脱离以上揭示内容的范围及精神的情况下作出本发明的多种修改及实施例。因此，本发明的范围应仅由本文所附权利要求书来限制。
据信，将通过以上描述理解本发明及其许多随带的优点，且显然可在不脱离所揭示的标的物或不牺牲其所有材料优点的情况下在组件的形状、构造及布置方面作出多种改变。所描述的形状仅为解释性的，且所附权利要书的意图为涵盖及包含所述改变。

Claims (14)

1.一种用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，所述局部净化工具包括：
净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；
所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体从所述净化室的所述腔扩散到晶片的表面的一部分；其中所述可透气部分包含所述净化气体可穿透的多孔材料；及
孔隙，其经配置以将从照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的测量位置且进一步经配置以将从所述测量位置反射的照明传输到检测器；
其特征在于所述局部净化工具经配置以机械地耦合到致动臂，所述致动臂经配置以将所述局部净化工具致动到接近于所述晶片的所述表面的所述部分的位置。
2.根据权利要求1所述的用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，其中所述局部净化工具进一步包括进气口，所述进气口经配置以从净化气体源接收净化气体且进一步经配置以将净化气体传输到所述净化室的所述腔。
3.根据权利要求1所述的用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，其中所述局部净化工具进一步包括射束口，所述射束口经配置以将从能量射束源发出的能量射束传输到所述晶片的所述表面的所述部分以从所述晶片的所述表面的所述部分转移大气分子污染。
4.根据权利要求1所述的用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，其中所述孔隙位于所述净化室的所述表面的所述可透气部分内。
5.根据权利要求1所述的用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，其中所述净化室的所述表面的所述可透气部分包括：
第一部分，其包括可透气介质；及
第二部分，其包括不同级别的可透气介质，
其中所述第二部分包括比所述第一部分更高级别的可透气介质。
6.根据权利要求5所述的用于利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具，其中所述孔隙位于所述净化室的所述表面的所述可透气部分的所述第二部分内。
7.一种用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，所述系统包括：
照明源；
检测器，其经配置以接收从晶片的表面的一部分的测量位置反射的照明；
局部净化系统，其包括经配置以净化所述晶片的所述表面的所述部分的局部净化工具，所述局部净化工具包括：
净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；
所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体的一部分从所述净化室的所述腔扩散到所述晶片的所述表面的所述部分；其中所述可透气部分包含所述净化气体可穿透的多孔材料；及
孔隙，其经配置以将从所述照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的所述测量位置且进一步经配置以将从所述测量位置反射的照明传输到所述检测器；
所述局部净化系统进一步包括流体地连接到所述局部净化工具的净化气体源；
其特征在于所述局部净化工具经配置以机械地耦合到致动臂，所述致动臂经配置以将所述局部净化工具致动到接近于所述晶片的所述表面的所述部分的位置。
8.根据权利要求7所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中系统进一步包括：
照明臂，其包含偏光器及一个或一个以上照明光学元件，其中所述照明臂经配置以通过所述局部净化工具的所述孔隙将照明从所述照明源传输到所述测量位置；及
收集臂，其包含分析器及一个或一个以上收集光学元件，其中所述收集臂经配置以通过所述局部净化工具的所述孔隙接收从所述测量位置反射的照明，且进一步经配置以将从所述局部净化工具的所述孔隙接收的照明传输到所述检测器。
9.根据权利要求7所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述局部净化系统进一步包括经配置以控制所述净化气体源与所述局部净化工具之间的净化气体的流速的流控制器。
10.根据权利要求9所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述局部净化系统进一步包括通信地耦合到所述流控制器的计算系统，其中所述计算系统经配置以将用于设定流速的指令发送到所述流控制器。
11.根据权利要求7所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述局部净化系统进一步包括通信地耦合到所述致动臂的计算系统，其中所述计算系统经配置以将用于将所述局部净化工具致动到接近于所述晶片的所述表面的所述部分的所述位置的指令发送到所述致动臂。
12.根据权利要求7所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述局部净化系统进一步包括能量射束源，所述能量射束源经配置以通过所述局部净化工具的射束口将能量射束传输到所述晶片的所述表面的所述部分以从所述晶片的所述表面的所述部分转移大气分子污染。
13.根据权利要求7所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述系统经配置以测量所述晶片的薄膜的厚度。
14.根据权利要求13所述的用于对局部净化晶片执行光学计量的系统，其中所述系统进一步包括：
湿度传感器，其经配置以用于检测接近于所述晶片的所述表面的所述测量位置的环境的湿度水平；及
一个或一个以上计算系统，其经配置以：
建立相对湿度与所述晶片的薄膜的测得厚度之间的相关性；
获取接近于所述测量位置的环境的初始湿度水平测量值；
获取接近于所述测量位置的所述环境的后续湿度水平测量值，其中所述后续湿度水平测量值与所述晶片的所述薄膜的厚度测量值相关；
计算所述初始湿度水平测量值与所述后续湿度水平测量值之间的差量；及
使用相对湿度与所述晶片的所述薄膜的测得厚度之间的所述建立的相关性及所述初始湿度水平测量值与所述后续湿度水平测量值之间的所述计算的差量来确定对所述厚度测量值的厚度校正。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10082461B2 (en) * 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
DE102016101554A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Vorwerk & Co. Interholding Gmbh Reinigungsgerät, insbesondere Feuchtwischgerät
CN107185979B (zh) * 2017-06-28 2018-12-18 江苏东方九天新能源材料有限公司 一种钢带表面吹扫装置及其应用方法
US10451542B2 (en) * 2017-12-05 2019-10-22 Nanometrics Incorporated Local purge within metrology and inspection systems
US10775149B1 (en) * 2018-03-14 2020-09-15 Onto Innovation Inc. Light source failure identification in an optical metrology device
US11315816B2 (en) 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
CN117751271A (zh) * 2021-08-10 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 基板厚度测定装置、基板处理系统以及基板厚度测定方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5669503A (en) 1979-11-12 1981-06-10 Kishimoto Akira Coated film thickness measuring method and apparatus
JPH0781842B2 (ja) * 1990-06-12 1995-09-06 新日本製鐵株式会社 鋼帯の酸化膜厚測定方法及びその装置
JPH0562828U (ja) * 1992-02-03 1993-08-20 株式会社チノー 光学的測定装置
US6261853B1 (en) 2000-02-07 2001-07-17 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement
GB2359326B (en) 2000-02-15 2003-10-22 Harold Frederick Adshead Improvements in or relating to ladders
EP1335801B1 (en) * 2000-11-22 2006-08-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for removing particles from solid-state surfaces
US7253901B2 (en) 2002-01-23 2007-08-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Laser-based cleaning device for film analysis tool
JP3995579B2 (ja) * 2002-10-18 2007-10-24 大日本スクリーン製造株式会社 膜厚測定装置および反射率測定装置
US7369233B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
US7359052B2 (en) 2004-05-14 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
EP1747434B1 (en) * 2004-05-14 2011-07-27 KLA-Tencor Technologies Corporation Systems for measurement or analysis of a specimen using vuv light
US7642205B2 (en) * 2005-04-08 2010-01-05 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing using energy transfer layers
CN1792479A (zh) * 2006-01-04 2006-06-28 四川安县银河建化集团有限公司 一种硫磺解毒铬渣的方法
JP4750686B2 (ja) * 2006-12-22 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造用の真空装置のクリーニング方法、半導体製造用の真空装置の制御装置および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20080154410A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Tokyo Electron Limited Method for cleaning vacuum apparatus, device for controlling vacuum apparatus, and computer-readable storage medium storing control program
US7755764B2 (en) * 2007-01-26 2010-07-13 Kla-Tencor Corporation Purge gas flow control for high-precision film measurements using ellipsometry and reflectometry
CN100547755C (zh) * 2007-02-06 2009-10-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 量测晶圆薄膜厚度的装置
JP5474609B2 (ja) * 2010-03-02 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 パーティクル数計測方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595602A (en) * 1995-08-14 1997-01-21 Motorola, Inc. Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201308493A (zh) 2013-02-16
KR102040993B1 (ko) 2019-11-05
JP6141271B2 (ja) 2017-06-07
US9110020B2 (en) 2015-08-18
EP2729760A1 (en) 2014-05-14
EP2729760B1 (en) 2020-05-20
US20130010311A1 (en) 2013-01-10
CN103765157A (zh) 2014-04-30
EP2729760A4 (en) 2015-02-25
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