JP6140075B2 - 構造の非対称特性の判定方法 - Google Patents
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Description
Claims (39)
- 格子構造の非対称特性の判定方法であって:
前記格子構造に対して、前記格子構造の光学式スキャトロメトリによって得られた第1の回折信号および第2の回折信号を測定すること;
前記第1の回折信号と前記第2の回折信号との間の差である差動信号を計算すること;および
前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算に基づいて、前記格子構造の非対称構造パラメータの値を計算すること
を含み、
前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される第1の側壁スペーサと、第3の材料で構成され前記第1の側壁スペーサから反対側の側壁にある第2の側壁スペーサとをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、前記第2の材料と前記第3の材料との間の組成差である、
判定方法。 - 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の方位角で測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の入射角で測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記非対称構造パラメータは、側壁角であり、前記格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁および第2の側壁角を有する第2の側壁を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、限界寸法(CD)のピッチシフトからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅および側壁スペーサの高さからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算は回帰計算である、請求項1に記載の方法。
- 前記非対称構造パラメータの値の計算はさらに、前記計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、前記1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、および追加の測定ターゲットを用いて測定された信号からなる群から選択される、請求項9に記載の方法。
- 前記光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリ(SE)、ビームプロファイル反射率測定法(BPR)、および高度な紫外線反射率測定法(eUVR)からなる群から選択される技術である、請求項1に記載の方法。
- フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびin situ制御技術からなる群から選択される技術を用いることによって、
計算された前記非対称構造パラメータの値に基づいてプロセス機器のパラメータを変更すること
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 格子構造の非対称特性の判定方法をデータ処理システムに実施させる命令を記憶した機械アクセス可能な記憶媒体であって、前記判定方法が、
前記格子構造に対して、前記格子構造の光学式スキャトロメトリによって得られた第1の回折信号および第2の回折信号を測定すること;
前記第1の回折信号と前記第2の回折信号との間の差である差動信号を計算すること;および
前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算に基づいて、前記格子構造の非対称構造パラメータの値を計算すること
を含み、
前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される第1の側壁スペーサと、第3の材料で構成され前記第1の側壁スペーサから反対側の側壁にある第2の側壁スペーサとをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、前記第2の材料と前記第3の材料との間の組成差である、
記憶媒体。 - 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の方位角で測定される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の入射角で測定される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記非対称構造パラメータは、側壁角であり、前記格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁および第2の側壁角を有する第2の側壁を有する、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、限界寸法(CD)のピッチシフトからなる群から選択される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅および側壁スペーサの高さからなる群から選択される、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算は回帰計算である、請求項13に記載の記憶媒体。
- 前記非対称構造パラメータの値の計算はさらに、前記計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、前記1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、および追加の測定ターゲットからなる群から選択される、請求項21に記載の記憶媒体。
- 前記光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリ(SE)、ビームプロファイル反射率測定法(BPR)、および高度な紫外線反射率測定法(eUVR)からなる群から選択される技術である、請求項13に記載の記憶媒体。
- フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびin situ制御技術からなる群から選択される技術を用いることによって、
前記非対称構造パラメータに基づいてプロセス機器のパラメータを変更する命令をさらに含む、請求項13に記載の記憶媒体。 - 格子構造の非対称特性の判定システムであって:
前記格子構造に対して、前記格子構造の光学式スキャトロメトリによって得られた第1の回折信号および第2の回折信号を測定すること;
前記第1の回折信号と前記第2の回折信号との間の差である差動信号を計算すること;および
前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算に基づいて、前記格子構造の非対称構造パラメータの値を計算すること
を含み、
前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される第1の側壁スペーサと、第3の材料で構成され前記第1の側壁スペーサから反対側の側壁にある第2の側壁スペーサとをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、前記第2の材料と前記第3の材料との間の組成差である、
判定システム。 - 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の方位角で測定される、請求項27に記載のシステム。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の入射角で測定される、請求項27に記載のシステム。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の偏光子/アナライザ角度で測定される、請求項27に記載のシステム。
- 前記第1の回折信号および前記第2の回折信号は、それぞれ前記格子構造の第1および第2の測定ターゲットに対して測定される、請求項27に記載のシステム。
- 前記非対称構造パラメータは、側壁角であり、前記格子構造は、第1の側壁角を有する第1の側壁および第2の側壁角を有する第2の側壁を有する、請求項27に記載のシステム。
- 前記非対称構造パラメータは、上の角の丸み、底の基盤、限界寸法(CD)のピッチシフトからなる群から選択される、請求項27に記載のシステム。
- 前記格子構造は、第1の材料で構成され、第2の材料で構成される側壁スペーサをさらに含み、前記非対称構造パラメータは、側壁スペーサの幅および側壁スペーサの高さからなる群から選択される、請求項27に記載のシステム。
- 前記第1の回折信号、前記第2の回折信号、および計算された前記差動信号を用いた計算は回帰計算である、請求項27に記載のシステム。
- 前記非対称構造パラメータの値の計算はさらに、前記計算に1つ以上の非差動信号を同時に用いることを含み、前記1つ以上の非差動信号は、方位角、入射角、偏光子/アナライザ角度、および追加の測定ターゲットを用いて測定された信号からなる群から選択される、請求項35に記載のシステム。
- 前記光学式スキャトロメトリは、光学式の分光エリプソメトリ(SE)、ビームプロファイル反射率測定法(BPR)、および高度な紫外線反射率測定法(eUVR)からなる群から選択される技術である、請求項27に記載のシステム。
- フィードバック技術、フィードフォワード技術、およびin situ制御技術からなる群から選択される技術を用いることによって、
計算された前記非対称構造パラメータの値に基づいてプロセス機器のパラメータを変更すること
をさらに含む、請求項27に記載のシステム。
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JP6926403B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2021-08-25 | 株式会社ニコン | 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 |
CN112067559B (zh) * | 2019-06-11 | 2023-06-13 | 南开大学 | 材料光学常数的确定方法、材料数据库的扩展方法及装置 |
Family Cites Families (20)
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US6462818B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
US6900892B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-05-31 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Parametric profiling using optical spectroscopic systems |
US7515279B2 (en) | 2001-03-02 | 2009-04-07 | Nanometrics Incorporated | Line profile asymmetry measurement |
US6650422B2 (en) * | 2001-03-26 | 2003-11-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate a feedback or feedforward process control data associated therewith |
JP4938219B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2012-05-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング |
JP2003224057A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7061627B2 (en) * | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US20040267397A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Srinivas Doddi | Optical metrology of structures formed on semiconductor wafer using machine learning systems |
JP2007505322A (ja) | 2003-09-12 | 2007-03-08 | アクセント・オプティカル・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 線プロファイル非対称性測定 |
US7092096B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Optical scatterometry method of sidewall spacer analysis |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
KR100703200B1 (ko) | 2005-06-29 | 2007-04-06 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 인트라 부호화 장치 및 방법 |
KR20070016210A (ko) | 2005-08-02 | 2007-02-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 표면 측정 방법 |
US7425867B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-09-16 | Agere Systems Inc. | Differential input/differential output converter circuit |
US7821650B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with reduced scribe lane usage for substrate measurement |
US7428060B2 (en) | 2006-03-24 | 2008-09-23 | Timbre Technologies, Inc. | Optimization of diffraction order selection for two-dimensional structures |
GB0801375D0 (en) * | 2008-01-25 | 2008-03-05 | Secr Defence | Fluid-borne particle detector |
NL1036684A1 (nl) * | 2008-03-20 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2002962A1 (nl) * | 2008-06-11 | 2009-12-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
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