CN103154664A - 确定结构的不对称性的方法 - Google Patents

确定结构的不对称性的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103154664A
CN103154664A CN2011800487888A CN201180048788A CN103154664A CN 103154664 A CN103154664 A CN 103154664A CN 2011800487888 A CN2011800487888 A CN 2011800487888A CN 201180048788 A CN201180048788 A CN 201180048788A CN 103154664 A CN103154664 A CN 103154664A
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
angle
grating construction
optical grating
storage medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011800487888A
Other languages
English (en)
Inventor
M-F·施
金仁教
X·张
L·波斯拉夫斯基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
KLA Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, KLA Tencor Corp filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN103154664A publication Critical patent/CN103154664A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry
    • G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/129—Using chemometrical methods
    • G01N2201/1296—Using chemometrical methods using neural networks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

描述了确定结构的不对称性的方法。方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。然后确定所述第一信号与所述第二信号之间的差异。基于使用所述第一信号、所述第二信号和所述差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。

Description

确定结构的不对称性的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及光学计量领域，并且，尤其涉及确定结构的不对称性的方法。
背景技术
对于过去的许多年，严格耦合波方法（RCWA）和类似算法已经被广泛地用于衍射结构的研究和设计。在RCWA方法中，给定数量的非常薄的平面光栅平板约等于周期性结构的轮廓。特别地，RCWA包括三个主要步骤，即，光栅内场的傅立叶展开、以衍射信号为特征的常量系数矩阵特征值和特征向量的计算，及由边界匹配条件推导出的线性系统的解决办法。RCWA将问题分为三个截然不同的空间区域：1）支持入射平面波场和以所有反射的衍射阶次求和的周围区域，2）光栅结构和基本的非模式层，其中波场被看作与每个衍射阶次关联的模式的叠加，以及3）包括传送的波场的基体。
由于通常是满足能量守恒的，RCWA解决办法的精确度部分依赖于在波场的空间谐波扩展中保持的项的数目。保持的项的数目为在计算期间所考虑的衍射阶次的数目的函数。用于给定的假设轮廓的模拟衍射信号的有效产生包括在用于衍射信号的横磁（TM）和/或横电（TE）组件的每个波长处的衍射阶次的最优集合的选择。精确地说，选择的衍射阶次越多，模拟就越精确。然而，衍射阶次的数目越大，就越需要用于计算模拟衍射信号的估算（computation）。并且，估算时间是所使用的阶次的数目的非线性函数。
本发明的实施方式包括确定结构的不对称性。
在实施方式中，方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。方法还包括确定第一信号与第二信号之间的差异。方法还包括基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号之间的差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。
在另一实施方式中，机器可存取存储介质具有存储在其上的指令，该指令使数据处理系统执行确定结构的不对称性的方法。该方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。方法还包括确定第一信号与第二信号之间的差异。方法还包括基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号之间的差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。
附图说明
图1根据本发明的实施方式描述了表示用于确定和利用用于自动化处理和设备控制的结构参数的操作的示例性序列的流程图。
图2是根据本发明的实施方式的用于确定和利用用于自动化处理和设备控制的结构参数的系统的示例性框图。
图3根据本发明的实施方式描述了表示以确定结构的不对称性的方法进行操作的流程图。
图4A根据本发明的实施方式描述了具有在x-y平面中变化的轮廓的周期性光栅。
图4B根据本发明的实施方式描述了具有在x-方向而不是在y-方向变化的轮廓的周期性光栅。
图5根据本发明的实施方式示出了具有不对称的左右隔板宽度的结构的成角度的视图。
图6根据本发明的实施方式示出了在其上具有图5的结构的晶片的自顶向下的平面图，其由在第一方位角（AZ1）测量，然后旋转180度以在第二方位角（AZ2）测量而得到。
图7根据本发明的实施方式示出了表示基于来自图6中的在第一方位角（AZ1）测量值与第二方位角（AZ2）测量值之间确定差值的计算的绘图。
图8根据本发明的实施方式示出了表示基于来自图6中的在第一方位角（AZ1）测量值与第二方位角（AZ2）测量值之间确定差值的计算的绘图。
图9根据本发明的实施方式示出了具有不同的左右壁角度的不对称性光栅目标。
图10根据本发明的实施方式示出了图9的光栅目标及测量的方位角的自顶向下视图。
图11根据本发明的实施方式示出了图9的光栅目标及在90和-90度进行的方位测量的自顶向下视图。
图12包括显示在SWA_L=85°和SWA_L=86°的两个壁角度的测量的灵敏度的绘图1200和1202。
图13是根据本发明的显示对于差分信号（由“Az（90）－Az（-90）”表示）与阶次信号（由“Az=90”和“Az=-90”表示）相比SWA_L与SWA_L的灵敏度之间的相关系数的绝对值减少更快的绘图1300。
图14根据本发明的实施方式表示了具有二维组件和三维组件二者的结构的剖面图。
图15是根据本发明的实施方式示出用于确定半导体晶片上的结构轮廓的光学计量的利用的体系结构图示。
图16根据本发明的实施方式示出了示例性计算机系统的框图。
具体实施方式
于此描述了确定结构的不对称性的方法。在以下的描述中，为了提供对本发明实施方式的透彻理解，陈述了许多具体的细节，诸如结构的不对称性的示例。对本领域技术人员显而易见的是本发明的实施方式可以在没有这些特定细节的情况下而实施。在其他实例中，诸如图形化（patterned）材料层的制作堆栈的已知的处理步骤并未具体描述，这是为了不会不必要地使本发明的实施方式难于理解。并且，应当理解的是图中所示的各种实施方式是说明性的表示而非必要的按比例的绘图。
于此公开了确定结构的不对称性的方法。在一个实施方式中，方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。然后确定第一信号与第二信号之间的差异。基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号之间的差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。根据本发明的实施方式，以及与传统方法的对比，通过包括计算中的不同，测量的结构的不对称被保持为相反于被平均以提供另外的无代表性的不对称结构模拟。
衍射信号的阶次可以被模拟为从周期性结构中获得。关于周期性结构的法向量（normal）N，零阶代表等于假设入射光束的入射角的角度的衍射信号。较高的衍射阶次被指定为+1、+2、+3、-1、-2、-3，等。还可以考虑被称为衰减（evanescent）阶次的其他阶次。根据本发明的实施方式，产生模拟衍射信号以用于光学计量。例如，诸如结构侧壁角度的轮廓参数可以被模仿以用于光学计量。在晶片结构中诸如折射率索引和消光系数（n&k）的材料的光学性能也可以被模仿以用于光学计量。
根据本发明的实施方式，通过获得半导体装置结构的不对称性，用于散射测量信号的不同临界尺寸（CD）参数间的相关性被降低，或者这些参数的灵敏度被增加。该方法使用回归或优化方法可以改进CD测量的精确度。例如，在散射测量CD测量中的传统方法是通过将模拟散射测量信号与从单个或多个方位角中测量的信号匹配以使用回归或优化方法来查找最佳CD参数。这类传统方法的缺点在于不能打破在不对称半导体装置的不同位置中的相同（或类似）类型的CD参数之间的相关性。例如，对于具有不对称的左右壁角度或不对称的左右隔板宽度的不规则四边形光栅，传统方法具有不规则四边形的左右侧的两个壁角度或两个隔板宽度之间的几乎全相关。因此，使用传统的光学散射测量这些高度相关的CD参数不能精确地被测量。
随着半导体装置特征规模越小，装置结构变得更加复杂。例如，需要监测在平版印刷和蚀刻处理中可能的未对准。根据本发明的实施方式，在不同方位（Az）角处或不同的入射角（AOI）处测量的散射仪信号的不同包含于CD参数的回归或优化中以获得更多的关于装置结构的不对称性的信息。因此，在几何轮廓中的诸如左右壁角或左右隔板宽度的不对称特征可以被更加精确地测量。
不对称因子可以基于差分信号被定义以测量给定结构的不对称的角度。例如，在一个实施方式中，根据方程式1，可能的定义为差分信号的平均平方级：
Figure BDA00003022170500051
其中di为差分信号，且i＝1,…,n。
基于计算的模拟衍射阶次可以表示用于图形化膜（诸如图形化的半导体膜或光阻材料层）的轮廓参数，还可以被用于校正自动化处理或设备控制。图1根据本发明的实施方式描述了表示用于确定和利用诸如轮廓参数的结构参数以用于自动化处理和设备控制的操作的示例性系列的流程图100。
参照流程图100的操作102，库或训练的机器学习系统（MLS）被开发以从测量的衍射信号集合中提取轮廓参数。在操作104，结构中的至少一个轮廓参数使用库或训练的MLS确定。在操作106，至少一个轮廓参数被传送至配置成执行处理步骤的制造集群，其中该处理步骤可以在测量步骤104进行之前或之后的半导体制作处理流中实行。在操作108，至少一个传送的轮廓参数被用于修改设置用于由制造集群执行的处理步骤的过程变量或设备。
针对机器学习系统和算法的更加具体的描述，参见序列号为No.10/608,300，名称为OPTICAL METROLOGY OF STRUCTURESFORMED ON SEMICONDUCTOR WAFERS USING MACHINE LEARNINGSYSTEMS，申请日为2003年6月27日的美国专利申请，该申请的全部以引用的方式结合于此。针对用于二维重复结构的衍射阶次优化的描述，参见序列号为No.11/388,265，名称为OPTIMIZATION OF DIFFRACTION ORDERSELECTION FOR TWO-DIMENSIONAL STRUCTURES，申请日为2006年3月24日的美国专利申请，该申请的全部以引用的方式结合于此。
图2是根据本发明的实施方式的用于确定和利用诸如轮廓参数的结构参数以用于自动化处理和设备控制的系统200的示例性框图。系统200包括第一制造集群202和光学计量系统204。系统200还包括第二制造集群206。虽然第二制造集群206在图2中被描述为在第一制造集群202之后，应当认识到的是在系统200中（以及如在制造处理流中）第二制造集群206可以位于第一制造集群202的前面。
诸如揭露和研发应用于晶片的光阻层的光刻法处理可以使用第一制造集群202来执行。在一个示例性实施方式中，光学计量系统204包括光学计量工具208和处理器210。光学计量工具208被配置成测量从结构中获得的衍射信号。如果测量的衍射信号与模拟的衍射信号匹配，则轮廓参数的一个或多个值被确定为与模拟的衍射信号相关联的轮廓参数的一个或多个值。
在一个示例性实施方式中，光学计量系统204还可以包括库212，该库212具有多个模拟的衍射信号和与该多个模拟的衍射信号相关联的一个或多个轮廓参数的多个值。如以上所述，库可以预先产生。计量处理器210可以对比从结构中获得的测量的衍射信号与库中的多个模拟的衍射信号。当查找到匹配的模拟的衍射信号时，与库中的匹配的模拟的衍射信号相关联的轮廓参数的一个或多个值被假定为在晶片应用中使用的轮廓参数的一个或多个值以制造该结构。
系统200还包括计量处理器216。在一个示例性实施方式中，处理器210可以传送一个或多个轮廓参数的一个或多个值至计量处理器216。计量处理器216然后可以基于使用光学计量系统204所确定的一个或多个轮廓参数的一个或多个值来调整第一制造集群202的一个或多个处理参数或设备的设置（setting）。计量处理器216还可以基于使用光学计量系统204所确定的一个或多个轮廓参数的一个或多个值来调整第二制造集群206的一个或多个处理参数或设备的设置。如以上所注意的，制造集群206可以在制造集群202之前或之后处理晶片。在另一示例性实施方式中，处理器210被配置成使用测量的衍射信号的集合作为机器学习系统214的输入以及使用轮廓参数作为机器学习系统214的期望输出来训练机器学习系统214。
在本发明的一个方面，结构中的不对称是基于计算来确定的，该计算是使用来自结构的光学计量的测量的计算。例如，图3根据本发明的实施方式描述了表示以确定结构的不对称性的方法进行的操作的流程图。
参照流程图300的操作302，确定结构的不对称性的方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。
根据本发明的实施方式，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一和第二方位角处被测量。在另一实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一入射角和第二入射角处被测量。在另一实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一偏振/分析角和第二偏振/分析角处被测量。在另一实施方式中，第一信号和第二信号被测量以分别用于光栅结构的第一测量目标和第二测量目标。在另一实施方式中，光学散射测量是诸如但不限于光学椭圆偏振光谱测量（SE）、光束轮廓反射测量（BPR）和增强型紫外线反射测量（eUVR）的技术。
在实施方式中，针对光栅结构，测量第一信号和第二信号包括使用三维光栅结构。术语“三维光栅结构”于此被用于涉及具有在二维中变化的x-y轮廓以及在z方向上的深度的结构。例如，图4A根据本发明的实施方式描述了具有在x-y平面中变化的轮廓的周期性光栅400。周期性光栅的轮廓在z方向上根据x-y轮廓变化。
在实施方式中，针对光栅结构，测量第一信号和第二信号包括使用二维光栅结构。术语“二维光栅结构”于此被用于涉及具有仅在一个维度上变化的x-y轮廓以及在z方向上的深度的结构。例如，图4B根据本发明的实施方式描述了具有在x-方向而不在y-方向变化的轮廓的周期性光栅。周期性光栅的轮廓在z方向上根据x轮廓变化。应当理解的是对于二维结构的y方向上缺少变化不必是无限的，但模式中的任何中断（break）被考虑是长距离的，如，y方向上模式中的任何中断实质上与x方向上模式的中断相比被隔开的更远。
参照流程图300的操作304，确定结构的不对称性的方法还包括确定第一信号与第二信号之间的差异。例如，在实施方式中，在两个类似信号之间得到差异，诸如两个不同的方位角测量值之间的差值或两个不同的入射角测量值之间的差值。
参照流程图300的操作306，确定结构的不对称性的方法还包括基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号的差异来确定光栅结构的不对称结构参数。
根据本发明的实施方式，不对称结构参数是侧壁角度，并且其中光栅结构具有拥有第一侧壁角的第一侧壁和拥有不同的第二侧壁角的第二侧壁。在实施方式中，不对称结构参数是诸如但不限于上圆角(top corner rounding)、底部基础或临界尺寸（CD）倾斜（pitch）位移一者。在实施方式中，光栅结构由第一材料构成，并进一步包括由不同的第二材料构成的侧壁隔板，并且其中不对称结构参数是诸如但不限于侧壁隔板宽度或侧壁隔板高度一者。在特定的实施方式中，每个侧壁仅包括单个侧壁隔板。但是，在另一特定的实施方式中，每个侧壁包括两个或更多的侧壁隔板。在另一实施方式中，不对称结构参数为由第一材料构成的光栅结构，且进一步包括分别由不同的第二材料和第三材料构成的左右侧壁隔板。
在实施方式中，计算为回归计算。在一个这类实施方式中，确定结构参数进一步包括在计算中同时使用的一个或多个非差分信号，该一个或多个非差分信号为诸如但不限于方位角、入射角、偏振/分析角或额外测量目标一者。
在实施方式中，确定结构的不对称性的方法进一步包括通过使用诸如但不限于反馈技术、前馈技术和原位控制技术的技术基于不对称结构参数来改变处理工具的参数。在实施方式中，不对称因子可以被用于更精确地建立装置结构轮廓和CD计量工具配方（recipe）中的几何结构。例如，如果不对称因子比提供的阈值（如工具噪声级）小，那么结构可以通过对称轮廓而被模型化。另外，在实施方式中，轮廓为具有与不对称因子相对应的不对称的角度的不对称。在实施方式中，通过测量“已知”不对称结构，差分信号和不对称因子被用作CD计量工具校验、诊断和特征的一部分。不对称因子被用于确定工具作用，这需要比预定的规范数量少以将来适用于通用的不对称结构测量。
根据本发明的实施方式，确定结构的不对称性的方法进一步包括将模拟光谱与样本光谱进行对比。在一个实施方式中，衍射阶次的集合被模拟以代表来自由椭圆偏振（ellipsometric）光学计量系统产生的三维光栅结构的衍射信号，椭圆偏振光学计量系统诸如以下与图15相关联的描述的光学计量系统1500。但是，应当理解的是相同的概念和原理同样适用于其他光学计量系统，诸如反射测量（reflectometric）系统。所代表的衍射信号可以说明了诸如但不限于轮廓、尺寸或材料组成的三维光栅结构的特征。
以上所描述的方法的操作的细节在以下示例中阐述。在第一示例中，根据本发明的实施方式，如图5所描述的，提供了具有不对称的左右隔板宽度的结构500。特别地，以说明为目的，参考图5，每个中心结构502在其右侧壁上具有薄隔板层504。如图6所描述的，具有结构500的晶片600在第一方位角（AZ1）处被测量且然后以180度旋转以在第二方位角（AZ2）处被测量。信号的差异基于这两个测量来计算，分别如图7和图8的绘图700和绘图800所示。不对称因子可以根据方程式2定义：
η = Σ i = 1 n Δ α 2 ( λ i ) + Σ i = 1 n Δ β 2 ( λ i )    （方程式2）
在第一示例的特定实施方式中，中心结构由硅组成，而侧壁隔板由氧化硅或二氧化硅组成。该结构在两个相反上的方向被测量。如果侧壁厚度相等，如，如果该结构关于隔板侧壁厚度是对称的，那么计算的两个测量值之间的差值为零。但是，如果隔板侧壁厚度不同，导致不对称的结构，那么两个测量值之间的差值为非零，提供了偏移（offset）。那么计算的偏移包括在光学计量测量值或模拟值或二者中，以提供测量装置的结构轮廓的更加真实的指示。
在第二示例中，根据本发明的实施方式，提供了具有不同左右墙壁角的不对称光栅目标900，如图9中所描述的。参照图9，由散射仪测量的参数包括临界尺寸（CD）、高度、膜厚度、左侧壁角（SWA_L）和右侧壁角（SWA_R）。测量的方位角被定义为光栅目标900的自顶向下视图，如图10中所描述的，其中方位角的值被定义为逆时针方向的正值。
再次参照图9和图10，传统的方法通常在0度方位角处分别测量目标900或1000，因为该方法将良好的灵敏度展示给所有以上列出的参数。然后，回归将被用于寻找这些参数的最优值，其最小化理论上计算的模型光谱与所测量的光谱之间的距离（由一些目标函数（cost function）定义）。但是，回归结果通常不是精确的，因为SWA_L和SWA_R的敏感性几乎被完全修正。此外，传统方法可能包括在90（或-90）度方位角处并单独使用这些光谱或与在回归中的0度方位角处的光谱一起测量目标。因为SWA_L和SWA_R的敏感性与90（或-90）度方位角光谱为较少地相关，所以该方法被使用。但是，相关度的降低是非常小的且在测量精度中没有显著的帮助。
相比之下，在本发明的一个或多个实施方式中，目标900在90和-90度方位角处都被测量，如图11中目标1100所示。两个不对称光栅目标1100的光谱的差异被确定并被用于回归计算。因此，由于相关度的降低SWA_L和SWA_R可以更精确地被确定。两个在SWA_L=85°和SWA_R=86°处的墙壁角的敏感度展示在图12中的绘图1200和1202中。不同的光谱由其本身在回归中单独地或与一个或多个在0、90、-90度方位角测量的光谱一起而被使用以获得最佳敏感度和最低相关度。
本发明的一个或多个实施方式可以被一般化为：依赖测量结构的属性，具有方位角=
Figure BDA00003022170500111
和AOI＝θ1的测量值1与具有方位角=和AOI＝θ2的测量值2之间的差分光谱或多个这类来自具有不同方位角和/或AOI’s的测量值对的差分光谱包括在回归中以降低相关度和/或提高CD参数的敏感度。这些差分光谱可以在回归中通过其自身或与其他传统非差分光谱一起被使用以获得最佳敏感度和最低相关度。
按照本发明的一个或多个实施方式，以上描述的方法的优势在于具有降低在不对称半导体装置结构的不同位置处的相同（或类似）类型的CD参数的相关度的能力。在一个实施方式中，SWA_L和SWA_R的敏感度之间的相关系数的绝对值对于差分信号（由“Az（90）-Az（-90）”表示）降低的速度比规则信号（由“Az=（90）”和“Az=-90”表示）快，如图13的绘图1300所示。
在实施方式中，为了改进临界尺寸测量值的精确度，差分散射仪信号与通过取得两个信号的差值来计算的每个光谱一起被使用，该两个信号在半导体装置临界尺寸的回归中的两个不同的方位角和/或两个不同的入射角处测量得到。在半导体装置变得越来越复杂的今天，有越来越多的依靠光学CD（OCD）计量来监控临界尺寸的不对称结构。差分散射仪信号可以提供比传统信号更多的关于不对称结构的不对称信息。这些新的信号可以能够测量许多不对称参数，该许多不对称参数在今天由于高的参数相关度或低的参数灵敏度而不能被精确测量。新的信号还可以被用于大大改善在大量不对称结构上获得结果的时间（time-to-result），否则需要变通方案和/或采用反复试验的方法。
本发明的实施方式还适用于各种膜堆栈（film stack）。例如，在实施方式中，用于确定CD轮廓的不对称性的方法被执行以用于包括在基底上形成的绝缘膜、半导体膜和金属膜的膜堆栈。在实施方式中，膜堆栈包括单个层或多个层。并且，在本发明的实施方式中，分析或测量的光栅结构包括三维组件和二维组件二者。例如，基于模拟的衍射数据的计算的效率可以通过利用二维组件对整个结构的更简单的贡献和其中的衍射数据而被优化。图14根据本发明的实施方式表示了具有二维组件和三维组件二者的结构的剖面图。参照图14，结构1400具有在基底1406之上的二维组件1402和三维组件1404。二维组件的光栅沿着方向2延伸（run），而三维组件的光栅沿着方向1和方向2延伸。在一个实施方式中，方向1垂直于方向2，如图14所描述的。在另一实施方式中，方向1不垂直于方向2。
图15是根据本发明的实施方式示出利用光学计量确定半导体晶片上的结构轮廓的体系结构图示。光学计量系统1500包括将计量光束1504投影在晶片1508的目标结构1506处的计量光束源1502。计量光束1504以入射角θ被投影在目标结构1506。衍射光束1510由计量光束接收器1512测量。衍射光束数据1514被传送至轮廓应用服务器1516。轮廓应用服务器1516将测量的衍射光束数据1514与模拟的衍射光束数据的库1518进行比较，该衍射光束数据的库1518代表目标结构和分辨率的临界尺寸的不同组合。
根据本发明的实施方式，模拟衍射光束数据的至少一个部分基于为两个或多个方位角确定的差值。根据本发明的另一实施方式，模拟衍射光束数据的至少一个部分基于为两个或多个入射角确定的差值。在一个示例性实施方式中，最佳匹配所测量的衍射光束数据1514的库1518实例被选择。应当理解的是虽然衍射光谱或信号和相关的假设轮廓的库经常被用于示出一些概念和原理，但是本发明同样可应用于包括模拟衍射信号和轮廓数据的相关集合的数据空间，诸如在回归、神经网络和用于轮廓提取的类似方法。所选择的库1516实例的假设轮廓和相关的临界尺寸被假定与目标结构1506的特征的实际横截面轮廓和临界尺寸相对应。光学计量系统1500可以利用反射仪、椭偏仪或者其他光学计量装置来测量衍射光束或信号。
为了便于描述本发明的实施方式，椭偏光学计量系统被用于说明以上概念和原理。应当理解的是相同的概念和原理同样应用于其他光学计量系统，诸如反射测量（reflectometric）系统。以类似的方式，半导体晶片可以被用于说明该概念的应用。并且，方法和过程同样可应用于其他具有重复结构的工件。
本发明可以作为计算机程序产品或软件而被提供，其可以包括具有存储在其上的指令的机器可读介质，该机器可读介质可以被用于根据本发明为计算机系统（或其他电子装置）编写程序以执行过程。机器可读介质包括任何用于存储或传送以机器（如，计算机）可读形式的信息的机构。例如，机器可读（如，计算机可读）介质包括机器（如，计算机）可读存储介质（如，只读存储器（“ROM”）、随机存取存储器（“RAM”）、磁盘存储介质、光存储介质、闪存存储器装置，等）、机器（如，计算机）可读传输介质（电、光、声或其他形式的传播信号（如，载波、红外信号、数字信号，等）），等。
图16以计算机系统1600的示例形式示出了机器的图解示意，在该计算机系统中用于使机器执行任何一个或多个于此所讨论的方法的指令集合可以被实行。在可替代的实施方式中，机器可以被连接（如，网络连接）至局域网（LAN）、内联网、外联网或因特网的其他机器。机器可以以客户端-服务器网络环境中服务器或客户端机器能力操作，或作为对等（分布式的）网络环境中的对等机器来操作。机器可以为个人计算机（PC）、平板PC、机顶盒（STB）、个人数字助理（PDA）、蜂窝电话、网络应用（web appliance）、服务器、网络路由器、开关或桥，或任何能够实行指定将由该机器进行的动作的指令集合（有序或其他）的机器。进一步地，当仅单个机器被示出时，术语“机器”还应当被认为包括任何机器（如，计算机）集，该机器集单独地或共同地实行指令的集合（或多个集合）以执行于此所讨论的任何一个或多个方法。
示例性计算机系统1600包括处理器1602、主存储器1604（如，只读存储器（ROM）、闪存存储器、诸如同步DRAM（SDRAM）或Rambus DRAM（RDRAM）的动态随机存取存储器（DRAM），等）、静态存储器1606（如，闪存存储器、静态随机存取存储器（SRAM），等）和辅助存储器1618（如，数据存储装置），这些装置经由总线1630相互进行通信。
处理器1602代表一个或多个通用处理装置，诸如微处理器、中央处理单元，等等。更特别地，处理器1602可以为复杂指令集计算（CISC）微处理器、精简指令集计算（RISI）微处理器、超长指令字（VLIW）微处理器、实施其他指令集合的处理器或实施指令集合的组合的处理器。处理器1602还可以为一个或多个专用处理装置，诸如特定用途集成电路（ASIC）、场可编程门阵列（FPGA）、数字信号处理器（DSP）、网络处理器，等等。处理器1602被配置成实行处理逻辑1626以用于执行于此所讨论的操作。
计算机系统1600可以进一步包括网络接口装置1608。计算机系统1600还可以包括视频显示单元1610（如，液晶显示器（LCD）或阴极射线管（CRT））、字母数字输入装置1612（如，键盘）、光标控制装置1614（如，鼠标）和信号产生装置1616（如，扬声器）。
辅助存储器1618可以包括机器可存取存储介质（或更具体地计算机可读存储介质）1631，在其上存储了体现于此所讨论的一个或多个方法或函数的指令的一个或多个集合（如，软件1622）。在计算机系统1600实行期间，软件1622还可以全部或至少部分存在于主存储器1604和/或处理器1602中，主存储器1604和处理器1602还构成及其可读存储介质。软件1622可以进一步经由网络接口装置1608通过网络1620被传送或接收。
当机器可存取存储介质1631在示例性实施方式中显示为单个介质时，术语“机器可读存储介质”应当被认为包括存储一个或多个指令集的单个介质或多个介质（如，集中式或分布式数据库，和/或相关的高速缓存和服务器）。术语“机器可读存储介质”还应当被认为包括任何介质，该任何介质能够存储或编码指令的集合以用于机器实行并且使机器执行本发明的任何一个或多个方法。术语“机器可读存储介质”相应地应当被认为包括但不限于固态存储器，以及光介质和磁介质。
根据本发明的实施方式，机器可存取存储介质具有存储在其上的指令，这些指令使数据处理系统执行确定结构的不对称性的方法。该方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。该方法还包括确定第一信号与第二信号之间的差异。该方法还包括基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号之间的差异的计算来确定光栅结构的不对称结构参数。
在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一方位角和第二方位角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一入射角和第二入射角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一偏振/分析角和第二偏振/分析角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号被测量以分别用于光栅结构的第一测量目标和第二测量目标。在一个实施方式中，不对称结构参数是侧壁角，并且其中光栅结构具有拥有第一侧壁角的第一侧壁和拥有不同的第二侧壁角的第二侧壁。在一个实施方式中，不对称结构参数是诸如但不限于上圆角、底部基础或临界尺寸（CD）倾斜位移一者。在一个实施方式中，光栅结构由第一材料构成，且进一步包括由不同的第二材料构成的侧壁隔板，并且其中不对称结构参数是诸如但不限于侧壁隔板宽度或侧壁隔板高度一者。在另一实施方式中，不对称结构参数为由第一材料构成的光栅结构，且进一步包括由分别不同的第二材料和第三材料构成的左右侧壁隔板。
在一个实施方式中，计算为回归计算。在一个特定实施方式中，确定结构参数进一步包括在计算中同时使用一个或多个非差分信号，该一个或多个非差分信号为诸如但不限于方位角、入射角、偏振/分析角和额外测量目标一者。在一个实施方式中，光学散射测量是诸如但不限于光学椭圆偏振光谱测量（SE）、光束轮廓反射测量（BPR）或增强型紫外线反射测量（eUVR）的技术。在一个实施方式中，方法进一步包括通过使用诸如但不限于反馈技术、前馈技术和原位控制技术的技术基于不对称结构参数改变处理工具的参数。
应当理解的是在本发明实施方式的精神和范围之内以上方法可以在各种环境情况下被应用。例如，在实施方式中，以上描述的测量可以在存在或不存在背景光的情况下执行。在实施方式中，以上描述的方法在半导体、太阳能、发光二级管（LED）或相关的制造过程中被执行。在实施方式中，以上描述的方法被用于单独的或集成的计量工具中。在实施方式中，以上描述的方法被用于单个或多个测量目标回归中。
因此，确定结构的不对称性的方法已经被公开。根据本发明的实施方式，方法包括针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号。然后确定第一信号与第二信号间的不同。光栅结构的不对称结构参数基于使用第一信号、第二信号和第一信号与第二信号间的不同的计算来确定。在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一方位角和第二方位角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一入射角和第二入射角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号分别在光栅结构的第一偏振/分析角和第二偏振/分析角处被测量。在一个实施方式中，第一信号和第二信号被测量以分别用于光栅结构的第一测量目标和第二测量目标。

Claims (25)

1.一种用于确定结构的不对称性的方法，该方法包括：
针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号；
确定所述第一信号与所述第二信号之间的差异；以及
基于使用所述第一信号、所述第二信号和所述差异的计算来确定所述光栅结构的不对称结构参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一方位角和第二方位角处被测量。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一入射角和第二入射角处被测量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一偏振/分析角和第二偏振/分析角处被测量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号和所述第二信号被测量以分别用于所述光栅结构的第一测量目标和第二测量目标。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述不对称结构参数是侧壁角，以及其中所述光栅结构具有拥有第一侧壁角的第一侧壁和拥有不同的第二侧壁角的第二侧壁。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述不对称结构参数选自由以下各项构成组：上圆角、底部基础、临界尺寸（CD）倾斜位移构成的组中选择。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光栅结构由第一材料构成，并进一步包括由不同的第二材料构成的侧壁隔板，以及其中所述不对称结构参数选自由侧壁隔板宽度和侧壁隔板高度构成的组。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述光栅结构由第一材料构成，并进一步包括由第二材料组成的第一侧壁隔板及由第三材料组成的且在所述第一侧壁隔板的对面侧壁的第二侧壁隔板，以及其中所述不对称结构参数为所述第二材料与所述第三材料之间的构成差异。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算是回归计算。
11.根据权利要求10所述的方法，其中确定所述结构参数进一步包括在所述计算中同时使用一个或多个非差分信号，所述一个或多个非差分信号选自由使用方位角、入射角、偏振/分析角和额外的测量目标所确定的信号构成的组。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学散射测量是选自由以下各项构成的组中的技术：光学椭圆偏振光谱测量（SE）、光束轮廓反射测量（BPR）和增强型紫外线反射测量（eUVR）。
13.根据权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：
通过使用选自由反馈技术、前馈技术和原位控制技术构成的组中的的技术，基于所述不对称结构参数来改变过程工具的参数。
14.一种具有存储在其上的指令的机器可存取存储介质，该指令使数据处理系统执行确定结构的不对称性的方法，该方法包括：
针对光栅结构，测量由光学散射测量获得的第一信号和不同的第二信号；
确定所述第一信号与所述第二信号之间的差异；以及
基于使用所述第一信号、所述第二信号和所述差异的计算，确定所述光栅结构的不对称结构参数。
15.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一方位角和第二方位角处被测量。
16.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一入射角和第二入射角处被测量。
17.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述第一信号和所述第二信号分别在所述光栅结构的第一偏振/分析角和第二偏振/分析角处被测量。
18.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述第一信号和所述第二信号被测量以分别用于所述光栅结构的第一测量目标和第二测量目标。
19.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述不对称结构参数是侧壁角，以及其中所述光栅结构具有拥有第一侧壁角的第一侧壁和拥有不同的第二侧壁角的第二侧壁。
20.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述不对称结构参数选自由上圆角、底部基础和临界尺寸（CD）倾斜位移构成的组。
21.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述光栅结构由第一材料构成，并进一步包括由不同的第二材料构成的侧壁隔板，以及其中所述不对称结构参数选自由侧壁隔板宽度和侧壁隔板高度构成的组。
22.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述计算是回归计算。
23.根据权利要求22所述的存储介质，其中确定所述结构参数进一步包括在所述计算中同时使用一个或多个非差分信号，所述一个或多个非差分信号选自由使用方位角、入射角、偏振/分析角和额外的测量目标所确定的信号构成的组合。
24.根据权利要求14所述的存储介质，其中所述光学散射测量是选自由以下各项构成的组中的技术：光学椭圆偏振光谱测量（SE）、光束轮廓反射测量（BPR）和增强型紫外线反射测量（eUVR）。
25.根据权利要求14所述的存储介质，该方法进一步包括：
通过使用选自由反馈技术、前馈技术和原位控制技术构成的组中的技术，基于所述不对称结构参数来改变过程工具的参数。
CN2011800487888A 2010-10-08 2011-10-06 确定结构的不对称性的方法 Pending CN103154664A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/900,863 2010-10-08
US12/900,863 US9239522B2 (en) 2010-10-08 2010-10-08 Method of determining an asymmetric property of a structure
PCT/US2011/055163 WO2012048156A2 (en) 2010-10-08 2011-10-06 Method of determining an asymmetric property of a structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103154664A true CN103154664A (zh) 2013-06-12

Family

ID=45924890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011800487888A Pending CN103154664A (zh) 2010-10-08 2011-10-06 确定结构的不对称性的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9239522B2 (zh)
EP (1) EP2625487B1 (zh)
JP (1) JP6140075B2 (zh)
KR (1) KR102002180B1 (zh)
CN (1) CN103154664A (zh)
WO (1) WO2012048156A2 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8798966B1 (en) * 2007-01-03 2014-08-05 Kla-Tencor Corporation Measuring critical dimensions of a semiconductor structure
JP5604275B2 (ja) * 2010-12-02 2014-10-08 富士通テン株式会社 相関低減方法、音声信号変換装置および音響再生装置
US10255385B2 (en) 2012-03-28 2019-04-09 Kla-Tencor Corporation Model optimization approach based on spectral sensitivity
US9518936B2 (en) 2012-11-30 2016-12-13 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for determining lithographic quality of a structure
CN103162712B (zh) * 2013-03-21 2016-08-10 中国人民解放军63908部队 圆光栅测角偏差处理及轴系歪斜补偿方法
US10386729B2 (en) 2013-06-03 2019-08-20 Kla-Tencor Corporation Dynamic removal of correlation of highly correlated parameters for optical metrology
US9383661B2 (en) 2013-08-10 2016-07-05 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for determining focus
US10935893B2 (en) 2013-08-11 2021-03-02 Kla-Tencor Corporation Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets
US9588066B2 (en) * 2014-01-23 2017-03-07 Revera, Incorporated Methods and systems for measuring periodic structures using multi-angle X-ray reflectance scatterometry (XRS)
WO2015193904A1 (en) * 2014-06-19 2015-12-23 Nova Measuring Instruments Ltd. Test structure design for metrology measurements in patterned samples
CN104083869A (zh) * 2014-07-11 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 多人游戏机及显示系统
KR102512180B1 (ko) 2015-04-28 2023-03-20 케이엘에이 코포레이션 계산 효율적인 x 선 기반의 오버레이 측정
JP6926403B2 (ja) * 2016-05-31 2021-08-25 株式会社ニコン 位置検出装置及び位置検出方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法
CN112067559B (zh) * 2019-06-11 2023-06-13 南开大学 材料光学常数的确定方法、材料数据库的扩展方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1041035A (zh) * 1988-09-05 1990-04-04 太原工业大学 激光精密测量物体直线度装置及其测量方法
US20020135781A1 (en) * 2001-03-26 2002-09-26 Bhanwar Singh Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate feedback or feedforward process control data associated therewith
US20040257588A1 (en) * 2000-12-19 2004-12-23 Shchegrov Andrei V. Parametric profiling using optical spectroscopic systems
CN1879004A (zh) * 2003-09-12 2006-12-13 安格盛光电科技公司 线轮廓不对称测量
US20090027691A1 (en) * 2006-03-21 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method with Reduced Scribe Lane Usage for Substrate Measurement

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462818B1 (en) * 2000-06-22 2002-10-08 Kla-Tencor Corporation Overlay alignment mark design
US7515279B2 (en) 2001-03-02 2009-04-07 Nanometrics Incorporated Line profile asymmetry measurement
JP4938219B2 (ja) * 2001-12-19 2012-05-23 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 光学分光システムを使用するパラメトリック・プロフィーリング
JP2003224057A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US7061627B2 (en) * 2002-03-13 2006-06-13 Therma-Wave, Inc. Optical scatterometry of asymmetric lines and structures
US20040267397A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Srinivas Doddi Optical metrology of structures formed on semiconductor wafer using machine learning systems
US7092096B2 (en) * 2004-02-20 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical scatterometry method of sidewall spacer analysis
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
KR100703200B1 (ko) 2005-06-29 2007-04-06 한국산업기술대학교산학협력단 인트라 부호화 장치 및 방법
KR20070016210A (ko) 2005-08-02 2007-02-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 표면 측정 방법
US7425867B2 (en) * 2005-09-30 2008-09-16 Agere Systems Inc. Differential input/differential output converter circuit
US7428060B2 (en) 2006-03-24 2008-09-23 Timbre Technologies, Inc. Optimization of diffraction order selection for two-dimensional structures
GB0801375D0 (en) * 2008-01-25 2008-03-05 Secr Defence Fluid-borne particle detector
NL1036684A1 (nl) * 2008-03-20 2009-09-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2002962A1 (nl) * 2008-06-11 2009-12-14 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1041035A (zh) * 1988-09-05 1990-04-04 太原工业大学 激光精密测量物体直线度装置及其测量方法
US20040257588A1 (en) * 2000-12-19 2004-12-23 Shchegrov Andrei V. Parametric profiling using optical spectroscopic systems
US20020135781A1 (en) * 2001-03-26 2002-09-26 Bhanwar Singh Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate feedback or feedforward process control data associated therewith
CN1879004A (zh) * 2003-09-12 2006-12-13 安格盛光电科技公司 线轮廓不对称测量
US20090027691A1 (en) * 2006-03-21 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method with Reduced Scribe Lane Usage for Substrate Measurement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
谢甫珍: "光栅衍射缝间干涉因子次极大强度对称性的菲涅耳半波带法证明", 《激光杂志》 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012048156A3 (en) 2012-08-02
JP6140075B2 (ja) 2017-05-31
KR102002180B1 (ko) 2019-07-19
WO2012048156A2 (en) 2012-04-12
EP2625487B1 (en) 2019-08-14
EP2625487A4 (en) 2018-01-17
KR20130120470A (ko) 2013-11-04
US20120086940A1 (en) 2012-04-12
JP2013540272A (ja) 2013-10-31
US9239522B2 (en) 2016-01-19
EP2625487A2 (en) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103154664A (zh) 确定结构的不对称性的方法
US8214771B2 (en) Scatterometry metrology target design optimization
CN103403724B (zh) 用于基于库的临界尺寸cd计量的精确和快速的神经网络训练
US10325004B1 (en) Method of optimizing an optical parametric model for structural analysis using optical critical dimension (OCD) metrology
CN102918464B (zh) 衬底上结构的测量
US7525673B2 (en) Optimizing selected variables of an optical metrology system
CN101331378B (zh) 在光学计量中为重复结构选择单位元配置
TW201439494A (zh) 用於計量學及檢測之有限結構及有限照明的電磁模型化方法
US9523800B2 (en) Computation efficiency by iterative spatial harmonics order truncation
CN101410692A (zh) 二维结构的衍射级选择的优化方法
US8762100B1 (en) Numerical aperture integration for optical critical dimension (OCD) metrology
CN103443900B (zh) 用于计量的宽处理范围库
CN106030282A (zh) 用于光学度量衡的自动波长或角度修剪
CN106471353A (zh) 用于光学计量的高度相关参数的相关性的动态移除
CN101359611B (zh) 对光学计量系统的选定变量进行优化
EP2567209B1 (en) Determination of material optical properties for optical metrology of structures
US8560270B2 (en) Rational approximation and continued-fraction approximation approaches for computation efficiency of diffraction signals
Yang et al. Lithography process controllers and photoresist monitoring by signal response metrology (SRM)
Ku et al. Accuracy of diffraction-based overlay metrology using a single array target
Ku et al. Optimal measurement method for scatterometer-based overlay metrology
Ku et al. Improved diffraction-based overlay metrology by use of two dimensional array target

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Free format text: FORMER OWNER: KLA TENCOR CORP.

Effective date: 20150617

Owner name: KLA TENCOR CORP.

Free format text: FORMER OWNER: TOKYO ELECTRON LTD.

Effective date: 20150617

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: California, USA

Applicant after: KLA-TENCOR Corp.

Address before: California, USA

Applicant before: KLA-TENCOR Corp.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM:

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: KLA TENCOR CORP. TO: KLA TENCOR CORP.

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150617

Address after: California, USA

Applicant after: KLA-TENCOR Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: Tokyo Electron Ltd.

Applicant before: KLA-TENCOR Corp.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130612