JP6135207B2 - 波長可変デバイス及び波長可変デバイスの作製方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る波長可変デバイス100の構造の一例である。
なお、メンブレン9の形状は、例えば、図2(A)に示す様に、波長可変デバイス100の中心から4方向に延伸している形状であっても良い。また、4方向に限定されず、3方向に、5方向に、或いはそれ以上の数の方向に、延伸している形状であっても良い。また、例えば、図3(B)に示す様に、一体型の形状であっても良い。また、矩形のみならず、メンブレン9としての機能を損なう様な形状で無く、且つ少なくとも3つ以上の異なる幅を有していれば、いかなる形状であっても良い。
波長可変デバイス100は、弾性変形可能なメンブレン9の特性を利用している。
次に、本実施の形態に係る波長可変デバイス100の動作について図4及び図5を用いて説明する。
図6乃至図8は、本実施形態に係る波長可変デバイス100の作製方法の一例を示す図である。以下、図6乃至図8を用いて、波長可変デバイス100の作製方法について説明する。なお、図6(B)の断面図は、図6(B)の平面図を、鎖線V−V'で切断した際の図である。図7(C)の断面図は、図7(C)の平面図を、鎖線W−W'で切断した際の断面図である。
露出したコンタクト層16及び第2の反射層15の側面に対しての進行速度よりも、
空隙22により露出したエッチング層14に対しての進行速度の方が速い。露出したコンタクト層16及び第2の反射層15の側面に対して行われる第2のエッチングの進行速度は、著しく遅いため、該エッチングにより、コンタクト層16及び第2の反射層15としての機能が損なわれることはないと考えて良い。
図11を用いてメンブレン9の可動部91とメンブレン9の固定部92について説明する。
2 第1の反射層
3 支持部材
4 ギャップ形成部材
5 第2の反射層
7 第1の電極
8 第2の電極
12 第1の反射層
13 第1のエッチング層(エッチング層)
14 第2のエッチング層(エッチング層)
15 第2の反射層
16 コンタクト層
17 パターン(フォトレジストのパターン)
20 開口部
100 波長可変デバイス
Claims (8)
- レーザー光が、一方の面に入射する基板と、
前記基板の他方の面に接して形成される第1の反射層と、
前記第1の反射層に接して形成され、異なる材料が積層された支持部材と、
前記第1の反射層に接し、且つ前記支持部材間に形成されるギャップ形成部材と、
前記支持部材に接し、前記支持部材を介して前記第1の反射層と対向して形成される弾性変形可能な第2の反射層と、を有し、
前記支持部材の厚さは、前記ギャップ形成部材の厚さより厚く、
前記支持部材の前記第1の反射層に接する部材の幅は、前記ギャップ形成部材の幅より広く、
前記第2の反射層の弾性変形により、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間隔を変更し、前記間隔に基づき、所定の波長を有する前記レーザー光を、前記第2の反射層から射出する
ことを特徴とする波長可変デバイス。 - レーザー光が、一方の面に入射する基板と、
前記基板の他方の面に接して形成される第1の反射層と、
前記第1の反射層に接して形成され、異なる材料が積層された支持部材と、
前記第1の反射層に接し、且つ前記支持部材間に形成されるギャップ形成部材と、
前記支持部材に接し、前記支持部材を介して前記第1の反射層と対向して形成される弾性変形可能な第2の反射層と、を有し、
前記支持部材の厚さは、前記ギャップ形成部材の厚さより厚く、
前記支持部材の前記第1の反射層に接する部材と前記ギャップ形成部材は、同一の材料で形成されており、
前記第2の反射層の弾性変形により、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間隔を変更し、前記間隔に基づき、所定の波長を有する前記レーザー光を、前記第2の反射層から射出する
ことを特徴とする波長可変デバイス。 - 前記第1の反射層に第1の電圧を印加する第1の電極と、
前記第2の反射層に第2の電圧を印加する第2の電極と、を備える
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の波長可変デバイス。 - 前記支持部材及び前記ギャップ形成部材は、少なくとも、AlGaAs材料、又はAlGaInP材料を含む
ことを特徴とする請求項2に記載の波長可変デバイス。 - 前記第1の反射層及び第2の反射層は、積層構造を有し、
前記支持部材のAl含有率は、前記第1の反射層の最上層及び前記第2の反射層の最下層のAl含有率より低い
ことを特徴とする請求項2又は請求項4のいずれか一項に記載の波長可変デバイス。 - 前記支持部材のAl含有率は、10%以下であり、前記最上層及び前記最下層のAl含有率は、10%より大きい
ことを特徴とする請求項5に記載の波長可変デバイス。 - 前記基板には、前記レーザー光の入射口又は射出口となる開口部が形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の波長可変デバイス。 - 基板上に、第1の反射層、第1のエッチング層、第2のエッチング層、第2の反射層、コンタクト層を順に積層するステップと、
前記コンタクト層上に、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーを行って、少なくとも3つの異なる幅を有するパターンを形成するステップと、
前記パターンをマスクとして、前記第1のエッチング層、前記第2のエッチング層、前記第2の反射層、前記コンタクト層に対してドライエッチングを行うステップと、
前記第1のエッチング層に対して第1のウェットエッチングを行って、最も狭い前記幅を有する前記パターンと重なる前記第1のエッチング層を除去するステップと、
前記第2のエッチング層に対して第2のウェットエッチングを行って、最も狭い前記幅より広く、且つ最も広い前記幅より狭い前記幅を有する前記パターンと重なる前記第2のエッチング層を除去するステップと、
前記パターンを除去するステップと、を有する
ことを特徴とする波長可変デバイスの作製方法。
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JP2013049224A JP6135207B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 波長可変デバイス及び波長可変デバイスの作製方法 |
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