JP6131712B2 - 二核金属錯体化合物、及びこれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、二核金属錯体化合物、及びこれを発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称することもある。）に関する。

有機ＥＬ素子は、次世代ディスプレイ及び次世代照明として有望視され、国内外で活発に研究開発が行われている（例えば、特許文献１）。この理由として、視認性が優れていること、応答速度が非常に速いこと、バックライト不要のため薄くできること、等が挙げられる（例えば、非特許文献１）。今後、有機ＥＬ素子の普及に向けて、さらなる研究開発が急務である。

典型的な有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に挟まれた状態で少なくとも一つの発光層が配置されており、電流を印加することにより、陽極からは正孔が、陰極からは電子が発光層に注入される。この際、注入された正孔は陰極へ、電子は陽極へ移動する。この移動の際、電子と正孔とが同じ分子上に局在した時、励起子を形成する。この励起子が緩和される際、光が放射される。放射される光は蛍光と燐光に分けられるが、熱的なエネルギー緩和の起きやすさが異なるため、量子効率が異なる。蛍光型では、一重項励起状態を経由するため、有機ＥＬ素子の内部量子効率は２５％が限界といわれている。一方、燐光型では、三重項励起状態を経由するため、理論上内部量子効率が１００％まで高められることが知られている。したがって、近年では燐光型の有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている（例えば、特許文献２）。

前述の発光層については数多くの検討がなされ、現状多くの発光層は電子や正孔の電荷輸送を担当する材料（ホスト材料）と、発光を担当するドーパント（ゲスト材料）から成る。ゲスト材料はイリジウムや白金などの原子を有する錯体であることが多く、重原子効果により燐光を発しやすい化合物であることが多い。このゲストはホストに対し少量を添加し、均一に分散されている（例えば、非特許文献１）。

前述の通り、燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、ホスト材料のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯのエネルギーギャップは大きくなくてはならない。なぜなら、三重項励起状態のエネルギーギャップは一重項励起状態のエネルギーギャップより小さいからである。従って、燐光発光性ゲスト材料の三重項エネルギーを効率的に素子内に閉じ込めるためには、ホスト材料の三重項励起状態よりもエネルギーギャップの小さい燐光発光性ゲスト材料を用いる必要がある（例えば、特許文献２）。

本発明は、ゲスト材料に関する発明である。このゲスト化合物として、有機ＥＬ素子の高効率化や色純度の向上、長寿命化を目的に、種々の金属錯体化合物が報告されている（例えば、特許文献３、４）。

これまで金属二核錯体化合物、特にイリジウムの二核錯体化合物については数多くの検討が行われており（例えば、非特許文献２〜４）、こうした金属二核錯体化合物が有機ＥＬ素子として有用な錯体化合物の１つであることも分かっている（例えば、特許文献５）。さらに、ビイミダゾールを架橋配位子としたイリジウム二核錯体化合物としては、例えば、２，４−ジフルオロフェニルピリジナト、２，６’−ジフルオロビピリジナトを配位子とする二種の錯体化合物が開示されている（例えば、特許文献６）。

国際公開第２０１３／０４６４５５号公報 特開２０１３−３５７５２号公報 特開２０１１−１３６９４７号公報 特開２００８−１４７３５４号公報 特開２００３−７３３８８号公報 国際公開第２０１２／０７４１１１号公報

ＴＨＥ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＴＩＭＥＳ ２０１０， Ｎｏ．２(通巻２１６号), ２−８. Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． １９９０， ２９， ４６９９−４７０２． Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． ＳＯＣ． １９８４， １０６， ３０２７−３０２９． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， １９８５， ４， １１０７−１１１４．

前述の通り、燐光発光性ゲスト材料の三重項エネルギーを効率的に素子内に閉じ込めるためには、ホスト材料の三重項励起状態よりもエネルギーギャップの小さい燐光発光性ゲスト材料を用いる必要がある。さらに、ホストからゲストへ電子が移動するためには、分子の対称性や三重項励起状態のエネルギーギャップが近接していることなど、数多くの条件を満たさなければならない。こうした条件を満たすために、各種置換基の導入により、分子の対称性や電子密度を調整することは可能であるが、体系的な知見が蓄積されていないことが現状である。したがって、前述の文献には、シリル基やゲルミル基の導入方法、及びその導入による最大輝度や電流効率の向上について明示も示唆もされていない。
前述の文献では、シリル基やゲルミル基の導入の効果の検討どころか、有機ＥＬ素子としての評価自体が全く行われていないものもあり、二核金属錯体化合物の有機ＥＬ素子としての有用性についてはほとんど明らかになっていない。有機ＥＬ素子としての評価が行われたものについても、最大輝度、電流効率などについては必ずしも十分と言えるものではない。特許文献６では二核金属錯体化合物が十分に有用であることは示されているが、より高い電流効率を有する有機ＥＬ素子、及びこれに用いる発光材料の提案が切望されていた。

本発明の課題は、一般式（１）で示される二核金属錯体化合物によって解決される。

（式中、Ｍ^１及びＭ^２は、同一又は異なっていても良く、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔを示す。ＡはＳｉ又はＧｅを示し、ピリジン環の３〜６位いずれの炭素と結合していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。ＺはＣＨ又はＮを示す。）

本発明の課題は、陰極と陽極との間に有機化合物層を備える、単層又は多層の有機ＥＬ素子であって、前記一般式（１）の二核金属錯体化合物を含有することを特徴とする有機ＥＬ素子によっても解決される。

本発明の課題は、下記一般式（３）で示されるピリジン化合物と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属を含むハロゲン化物とを反応させ、下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物を製造し、次いで塩基の存在下、ハロゲン化二核金属錯体化合物と、下記一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物とを反応させることを特徴とする、下記一般式（６）で示される二核金属錯体化合物の製造方法によっても解決される。

（式中、Ａ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は前記と同義である。）

（式中、Ａ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は前記と同義である。Ｘはハロゲン原子を示す。）

（式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は前記と同義である。）

（式中、Ａ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は前記と同義である。）

本発明の課題は下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物によっても解決される。

（式中、Ｘ、Ａ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は前記と同義である。）

本発明の課題は、有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）の二核金属錯体化合物を使用することによっても解決される。

前述の通り、ホスト材料やゲスト材料に置換基を導入することによって、有機ＥＬ素子の輝度や色、電流効率等が顕著に向上することが期待された。本発明では、検討を進めた結果、数ある置換基の中からシリル基とゲルミル基を選択し、これらを導入した二核金属錯体化合物を合成した。さらに、この二核金属錯体化合物を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の電流効率を向上させることを実現した。
本発明により、最大輝度、電流効率などが良好な二核金属錯体化合物を発光層に含む有機ＥＬ素子を提供することができる。

実施例の有機ＥＬ素子の構成図である。

＜二核金属錯体化合物＞
本発明の二核金属錯体化合物は、下記の一般式（１）の二核金属錯体化合物である。以下、本化合物について詳細に説明する。

（式中、Ｍ^１及びＭ^２は、同一又は異なっていても良く、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔを示す。ＡはＳｉ又はＧｅを示し、ピリジン環の３〜６位いずれの炭素と結合していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。ＺはＣＨ又はＮを示す。）

前記一般式（１）記載の置換基ＡはＳｉ又はＧｅのいずれでも良いが、好ましくはＳｉである。

前記一般式（１）記載の置換基Ａはピリジン環上の３〜６位いずれの炭素原子と結合していても良いが、下記一般式（２）で示されるように、ピリジン環の４位の炭素と結合していることが好ましい。

（式中、Ｍ^１及びＭ^２は、同一又は異なっていても良く、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔを示す。ＡはＳｉ又はＧｅを示す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。ＺはＣＨ又はＮを示す。）

前記Ｍ^１及びＭ^２は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔであり、好ましくはＲｈ、Ｉｒであり、更に好ましくはＩｒである。なお、Ｍ^１及びＭ^２は、同一又は異なっていても良いが、同一であることが好ましい。

前記Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、シクロブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基などの直鎖状、分枝鎖状または環状の炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントラセニル基等の炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基、更に好ましくはメチル基又はフェニル基である。前記のアルキル基及びアリール基上の任意の水素原子は後述のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、これらのＲ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一あっても異なっていても良いが、少なくとも２つの置換基はアルキルキ基であることが好ましく、少なくとも２つのアルキル基はメチル基であることが更に好ましい。また、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。

前記水素原子の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

前記水素原子の置換基であるアルキル基としては、炭素数１〜２０、特に炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、及びドデシル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。

前記水素原子の置換基であるシクロアルキル基としては、炭素数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。

前記水素原子の置換基であるアルケニル基としては、炭素数２〜２０、特に炭素数２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、及びドデセニル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。

前記水素原子の置換基であるアリール基としては、炭素数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基（及びその異性体）、キシリル基（及びその異性体）、ナフチル基（及びその異性体）、及びジメチルナフチル基（及びその異性体）等が挙げられる。

前記水素原子の置換基であるアラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、及びビフェニルメチル基などが挙げられる。

前記水素原子の置換基であるアルコキシ基としては、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、及びデカノキシ基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。

前記水素原子の置換基であるアリールオキシ基としては、炭素数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、及びジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。

前記Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７としては、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−オクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖状、分枝鎖状または環状の炭素数１〜１０のアルキル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が挙げられ、より好ましくは水素原子又は炭素数１〜５の直鎖状、分枝鎖状または環状のアルキル基、更に好ましくは水素原子又はメチル基である。なお、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、同一であっても異なっていても良いが、同一であることが好ましい。また、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７のうち、隣接しているＲ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。

前記ＺがＣＨの場合にはベンゼン骨格、ＺがＮの場合にはピリジン骨格を形成する。

なお、本発明の二核イリジウム錯体化合物は、特許文献６記載の方法に準じて製造することができる。

＜有機ＥＬ素子＞
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機化合物層を備え、単層又は多層の素子であって、前記の一般式（１）の二核金属錯体化合物を発光層に含むものである。

＜素子構成＞
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は本発明の二核金属錯体化合物、特にはイリジウム錯体化合物を含有するものである。本発明の二核金属錯体化合物は、通常、発光材料として使用される。
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の二核金属錯体化合物が例えば発光層等において使用される以外、公知の構造、材料を使用することができる。

本発明の有機ＥＬ素子は、好ましくは一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機ＥＬ素子であり、本発明の二核金属錯体化合物を、有機化合物薄層のうちの少なくとも１層に含むものである。なお、有機化合物層とは、バッファ層、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等である。この中で、本発明の二核金属錯体化合物は発光層に含まれることが好ましい。

単層型の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入したホール、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための有機化合物層に用いられる材料、例えば、ホール輸送材料や電子輸送材料を含有してもよい。

多層型の有機ＥＬ素子としては、例えば、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）や（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）等の多層構成が挙げられるが、他に（陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／金属酸化物層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／電子輸送層／陰極）等の多層構成も挙げられ、その構成はこれらに限定されるものではない。

また、バッファ層、ホール輸送層、電子輸送層、及び発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であってもよい。又、ホール輸送層、電子輸送層は、それぞれの層で、注入機能を有する層（ホール注入層及び電子注入層）と輸送機能を有する層（ホール輸送層及び電子輸送層）を別々に設けることもできる。

本発明の有機ＥＬ素子では、発光層における二核金属錯体化合物が、前記電極間に電圧を印加することにより燐光を発光することを特徴とする。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成要素に関して、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）の素子構成を例に詳細に説明する。

本発明の有機ＥＬ素子において有機層の発光層のホスト材料として使用される材料は、公知のホスト材料の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、２，２’―ジ〔４’’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１’−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、ジフェニルジ（ｏ−トリル）シラン、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、４、４’、４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４９，１０−ビス−〔１，１，３’，１’〕ターフェニル−５’−イル−アントラセン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の二核金属錯体は、通常、発光層においてホスト材料と組み合わせて使用され、その場合、発光材料である本発明の二核金属錯体はホスト材料に対して、好ましくは０．００５質量％〜４０質量％、より好ましくは３質量％〜４０質量％、更に好ましくは３質量％〜１０質量％の量で使用される。

ホール阻止層として使用される材料（以下、ホール阻止材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（トリフェニルシラノラート）アルミニウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

電子輸送層として使用される材料（以下、電子輸送材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、フルオレン、フェナントロリン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等や、それらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体を挙げることができる。金属錯体化合物としては、具体的には、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノラート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。又、上記の含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４’−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４ートリアゾール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。さらに、ポリマー有機発光素子に使用されるポリマー材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

一方、ホール輸送層として使用される材料（以下、ホール輸送材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、ｐ，ｐ’−［Ｎ，Ｎ’−テトラ（ｐ−トルイル）ジアニリノ−ｏ，ｏ’−ビフェニル］（３ＤＴＡＰＢＰ）等の芳香族ジアミン化合物、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン、４，４’，４’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン、及びポリビニルカルバゾール等の高分子材料が挙げられるが、これに限定されるものではない。

又、有機ＥＬ素子には、ホールの注入性向上のために、ホール輸送層と陽極との間にバッファ層を設けることができる。バッファ層に用いる材料としては、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。バッファ層に用いる材料として、より好適には、上記ホール輸送材料に酸化モリブデンを１質量％〜３０質量％ドープしたものが使用されるが、これらに限定されるものではない。

陽極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅＶ前後より大きいもの、例えば、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることが出来る。ただし、陽極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陰極に使用される導電性材料の仕事関数より０．１ｅＶ以上大きなものを用いることが望ましい。

陰極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅＶ前後より小さいもの、例えば、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等又はそれらの合金を用いることが出来る。ここで合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。ただし、陰極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陽極に使用される導電性材料の仕事関数より０．１ｅＶ以上小さいものを用いることが望ましい。

陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。

本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入性向上のために、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることも出来る。電子注入層に用いる材料として、例えば、ＬｉＦ等のアルカリ金属フッ化物；ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２等のアルカリ土類金属フッ化物；Ｌｉ_２Ｏ等のアルカリ金属酸化物；ＲａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いることが出来るが、これらに限定されるものではない。

本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。又、基板も透明であることが望ましい。

透明電極は、例えば、前記の導電性材料を使用して、蒸着又はスパッタリング等の方法で、所定の透光性を確保するように設定して形成することができる。

発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。

基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィルムが好適に使用される。

透明性樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、又はシリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護してもよい。

また、有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、又はスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。各層の膜厚は特に制限されないが、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍ、更に好ましくは０．５ｎｍ〜０．２μｍである。

湿式成膜法の場合、各層に使用する材料をエタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、クロロベンゼン、イオン交換水等の溶媒に溶解又は分散させたものを用いて、薄膜を調製（成膜）することが出来る。

＜製造方法＞
本願発明の一般式（６）で示される二核金属錯体化合物の製造方法は下記の反応工程式（１）で示される。

（式中、Ｍ^１及びＭ^２は、同一又は異なっていても良く、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔを示す。ＡはＳｉ又はＧｅを示し、ピリジン環の３〜６位いずれの炭素と結合していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前記のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。Ｘ^１及びＸ^２はハロゲン原子を示す。ハロゲン化二核金属錯体化合物中の２つのＸはＸ^１又はＸ^２を示し、同一又は異なっていても良い。ｍはＭ^１Ｘ^１ _ｍ中のＭ^１に対するＸ^１の元素比を表し、ｎはＭ^２Ｘ^２ _ｎ中のＭ^２に対するＸ^２の元素比を表す。ｍ及びｎは１〜５の整数である。）

本製造方法の一つ目の工程は前記一般式（３）で示されるピリジン化合物とＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選ばれる少なくとも１種の金属を含むハロゲン化物とを反応させ、前記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物を製造する。この工程は錯体合成工程と称することもある。
二つ目の工程は塩基の存在下でハロゲン化二核金属錯体化合物と前記一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物とを反応させ、前記一般式（６）で示される二核金属錯体化合物を製造する。この工程は配位子交換工程と称することもある。
これら二工程について順次説明する。ただし、Ａ、Ｍ^１、Ｍ^２、Ｒ^１〜Ｒ^７については前記と同義である。

（錯体合成工程）
反応工程式（１）中のＭ^１及びＭ^２は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ又はＰｔであり、好ましくはＲｈ、Ｉｒであり、更に好ましくはＩｒである。Ｍ^１及びＭ^２は同一又は異なっていても良い。

反応工程式（１）中のＸ^１及びＸ^２はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、好ましくは塩素原子、臭素原子であり、更に好ましくは塩素原子である。Ｘ^１及びＸ^２は同一又は異なっていても良い。また、ハロゲン化二核金属錯体化合物中の２つのＸはＸ^１又はＸ^２を示し、同一又は異なっていても良い。ｍはＭ^１Ｘ^１ _ｍ中のＭ^１に対するＸ^１の元素比を表し、ｎはＭ^２Ｘ^２ _ｎ中のＭ^２に対するＸ^２の元素比を表す。ｍ及びｎは同一又は異なっていても良く、１〜５の整数である。

金属のハロゲン化物Ｍ^１Ｘ^１ _ｍ及びＭ^２Ｘ^２ _ｎとしてはＩｒＣｌ_３、ＩｒＢｒ_３、ＰｄＣｌ_２、ＰｔＣｌ_４などが挙げられるが、好ましくはＩｒＣｌ_３である。また、Ｍ^１Ｘ^１ _ｍ及びＭ^２Ｘ^２ _ｎは水和物でもよい。

錯体合成工程で使用するハロゲン化物Ｍ^１Ｘ^１ _ｍ及びＭ^２Ｘ^２ _ｎの使用量の合計は、一般式（３）で示されるピリジン化合物１モルに対して、好ましくは０．３モル〜０．６モル、更に好ましくは０．４モル〜０．５モルである。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応後における反応液からの未反応の原料の分離や副生成物の生成の抑制を容易にすることができる。

本工程の反応においては、溶媒の存在下で行うことが望ましく、使用する溶媒としては、反応を阻害しないものならば特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、エトキシエタノールなどのアルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；Ｎ，Ｎ’−ジメチル尿素などの尿素類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類；塩化メチレン、ジクロロエタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、水が挙げられるが、好ましくはアルコール類が使用される。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記溶媒の使用量は、反応の均一性や攪拌性により適宜調節するが、一般式（３）で示されるピリジン化合物１ｇに対して、好ましくは５ｍｌ〜３０ｍｌ、更に好ましくは１０ｍｌ〜２０ｍｌである。この範囲とすることで、良好な攪拌性を維持しながら、副生成物の生成を抑制することができる。

本工程の反応における反応温度は、使用する溶媒によって適宜調節するが、好ましくは７０℃〜１５０℃、更に好ましくは１００℃〜１３０℃であり、反応圧力は特に制限されない。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応による副生成物の発生を抑制することができる。

本工程の反応は空気中、不活性ガス中いずれにおいても行うことができるが、不活性ガス中で行うことが好ましい。なお、不活性ガスとは、窒素ガス、アルゴンガスなどが挙げられる。

本発明の錯体合成工程によって一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物が得られる。これは、反応終了後、例えば、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、晶析、カラムクロマトグラフィーなどの一般的な方法によって単離・精製される。

（配位子交換工程）
配位子交換工程で使用する、一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物の使用量は、一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物１モルに対して、好ましくは０．８モル〜２．０モル、更に好ましくは１．０モル〜１．５モルである。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応後における反応液からの未反応の原料の分離や副生成物の生成の抑制を容易にすることができる。

本工程において使用する塩基は、具体的には、例えば、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウムなどの金属アルコキシド；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどの金属水酸化物；ギ酸ナトリウム、ギ酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどのカルボン酸塩；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどの炭酸塩；炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの炭酸水素塩；トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジンなどのアミン類；ピリジンなどの含窒素複素環化合物類；カリウムヘキサメチルジシラジド等の金属アミド；メチルリチウム、ブチルリチウム、ｔ-ブチルリチウム等のアルキルリチウムが挙げられるが、好ましくは金属アルコキシド、カルボン酸塩、炭酸塩、更に好ましくは金属アルコキシドが使用される。なお、これらの塩基は単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記塩基の使用量は、一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物１モルに対して、好ましくは１．５モル〜３．０モル、更に好ましくは２．０モル〜２．５モルである。なお、塩基は水溶液やアルコールなどの有機溶媒溶液（例えば、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液）として使用しても良い。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応後における反応液からの塩基の除去を容易とすることができる。

本工程の反応においては、溶媒の存在下で行うことが望ましく、使用する溶媒としては、反応を阻害しないものならば特に限定されず、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、エトキシエタノールなどのアルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；Ｎ，Ｎ’−ジメチル尿素などの尿素類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素類；塩化メチレン、ジクロロエタンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、水が挙げられるが、好ましくはエーテル類が使用される。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。

前記溶媒の使用量は、反応の均一性や攪拌性により適宜調節するが、一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物１ｇに対して、好ましくは５０ｍｌ〜２００ｍｌ、更に好ましくは１００ｍｌ〜１５０ｍｌである。この範囲とすることで、良好な攪拌性を維持しながら、副生成物の生成を抑制することができる。

本工程の反応における反応温度は、使用する溶媒によって適宜調節するが、好ましくは１０℃〜１２０℃、より好ましくは２０℃〜８０℃、更に好ましくは２０℃〜４０℃であり、反応圧力は特に制限されない。この範囲とすることで、高い反応速度を維持しながら、反応による副生成物の発生を抑制することができる。

本工程の反応は空気中、不活性ガス中いずれにおいても行うことができるが、不活性ガス中で行うことが好ましい。なお、不活性ガスとは、窒素ガス、アルゴンガスなどが挙げられる。

本発明の配位子交換工程によって前記一般式（６）で示される二核金属錯体化合物が得られる。これは、反応終了後、例えば、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、晶析、カラムクロマトグラフィーなどの一般的な方法によって単離・精製される。

＜用途＞
本発明に係る有機ＥＬ素子は、公知の方法で、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機ＥＬ素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。

本発明に係る有機ＥＬ素子は、具体的には、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。

以下に実施例を挙げて、更に本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。

参考例１（２−クロロ−４−ジメチルフェニルシリル−ピリジンの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた５０ｍｌシュレンク管に、２−クロロ−４−ヨードピリジン１．６８ｇ（７．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル２１ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ノルマルブチルリチウム（１．６Ｍ／ヘキサン）４．４ｍｌ（７．０ｍｍｏｌ）を加え１時間攪拌した後、ジメチルフェニルシリルクロライド１．２ｍｌ（７．０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら室温（２０℃〜３０℃）で１６時間反応させた。反応後、反応液に水を加え、水層を酢酸エチルで抽出した。さらに、得られた水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を合わせて水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；３０／１））で精製し、黄色液体である目的物を１．１４ｇ得た。（単離収率；６６％）
なお、得られた２−クロロ−４−ジメチルフェニルシリル−ピリジンは、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；８．３０（ｄｄ，１Ｈ）、７．５２−７．４９（ｍ，２Ｈ）、７．４４−７．３６（ｍ，４Ｈ）、７．３０−７．２８（ｍ，１Ｈ）、０．５８（ｓ，６Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）２４７（Ｍ^＋）

参考例２（２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジンの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた１００ｍｌシュレンク管に、２−クロロ−４−ジメチルフェニルシリル−ピリジン１．１ｇ（４．４ｍｍｏｌ）、２，４−ジフルオロピリジンボロン酸７０６ｍｇ（４．４４ｍｍｏｌ）テトラヒドロフラン２２ｍｌ、炭酸カリウム６１４ｍｇ（４．４４ｍｍｏｌ）、水９ｍｌ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２５４ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら８０℃〜９０℃で２２時間反応させた。反応後、反応液に水を加え、水層を酢酸エチルで抽出した。さらに、得られた水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を合わせて水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；７／１））で精製し、黄色液体である目的物を７９５ｍｇ得た。（単離収率；５５％）
なお、得られた２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジンは、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；８．６５−８．５８（ｍ，２Ｈ）、７．９３−７．９２（ｍ，１Ｈ）、７．５７−７．５２（ｍ，２Ｈ）、７．４３−７．３３（ｍ，４Ｈ）、６．９８−６．９５（ｍ，１Ｈ）、０．６２（ｓ，６Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）３２６（Ｍ^＋）

実施例１（Ｍ^１＝Ｍ^２＝Ｉｒ、Ａ＝Ｓｉ、Ｒ^１＝Ｒ^２＝メチル基、Ｒ^３＝フェニル基、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝メチル基、Ｘ＝Ｃｌ；ジ−μ−クロロテトラキス−２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジンジイリジウムの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた５０ｍｌシュレンク管に、２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジン７９０ｍｇ（２．４２ｍｍｏｌ）、三塩化イリジウム三水和物３５９ｍｇ（０．９７ｍｍｏｌ）及びエトキシエタノール１０ｍｌを加え、攪拌しながら１１５〜１２５℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温（２０℃〜３０℃）まで冷却し、減圧下で濃縮した。得られた濃縮物をメタノールで洗浄した後に乾燥させ、黄色固体として目的物を６６７ｍｇ得た（単離収率；７８％）。
なお、得られたジ−μ−クロロテトラキス−２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジンジイリジウム、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；９．０４（ｄ，４Ｈ）、８．４０（ｓ，４Ｈ）、７．５８−７．５６（ｍ，８Ｈ）、７．５１−７．４３（ｍ，１２Ｈ）、７．０６−７．０４（ｍ，４Ｈ）、５．１３（ｓ，４Ｈ）、０．６５（ｓ，１２Ｈ）、０．６１（ｓ，１２Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）１７５６（Ｍ^＋）

実施例２（Ｍ^１＝Ｍ^２＝Ｉｒ、Ａ＝Ｓｉ、Ｒ^１＝Ｒ^２＝メチル基、Ｒ^３＝フェニル基、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝メチル基、Ｚ＝Ｎ、Ｘ＝Ｃｌ；テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ），略称；［Ｉｒ（ｄｆｐｙｄｍｐｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２）の合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた５０ｍｌシュレンク管に、６，６’,７，７’−テトラメチル−２，２’−ビイミダゾール２９ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン２０ｍｌ、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（ｔ−ＢｕＯＫ（８５質量％品））２８ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）を加え、室温（２０℃〜３０℃）で１時間攪拌した後、ジ−μ−クロロテトラキス（２’，６’−ジフルオロ−５−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジナト）ジイリジウム（ＩＩＩ）１７６ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を加え攪拌しながら２４時間反応させた。反応後、テトラヒドロフランを減圧留去し、得られた残留物に塩化メチレンを加え、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮し、得られた反応粗生成物をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：塩化メチレン／酢酸エチル、容量比；３／１）によって精製し、薄黄色固体である目的物を１０７ｍｇ得た。（単離収率；５４％）
得られた目的物は２種類の異性体混合物で、その生成比は異性体１：異性体２＝５０：５０と考えられた。なお、テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−ジメチルシリルフェニル−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））８．２９（ｓ，４Ｈ）, ８．２４（ｓ，４Ｈ），７．８６（ｄ，４Ｈ），７．６４（ｄ，４Ｈ），７．５２−７．３５（ｍ，４０Ｈ），７．００−６．９８（ｄ，４Ｈ），６．８１−６．７９（ｄ，４Ｈ），６．０３（ｓ，８Ｈ），５．９２−５．９０（ｍ，８Ｈ），２．００−１．９９（ｓ，２４Ｈ），０．６０−０．５３（ｓ，４８Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：１９７４ Ｍ^＋

参考例３（２−クロロ−４−トリメチルシリル−ピリジンの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた１００ｍｌシュレンク管に、２−クロロ−４−ヨードピリジン４．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル６０ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ノルマルブチルリチウム（１．６Ｍ／ヘキサン）１２．５ｍｌ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え２時間攪拌した後、トリメチルシリルクロライド２．７ｍｌ（２１．０ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら室温（２０℃〜３０℃）で１５時間反応させた。反応後、反応液に水を加え、水層を酢酸エチルで抽出した。さらに、得られた水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を合わせて水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；４０／１））で精製し、黄色液体である目的物を２．９８ｇ得た。（単離収率；８０％）
なお、得られた２−クロロ−４−トリメチルシリル−ピリジンは、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；８．３０（ｄ，１Ｈ）、７．４２（ｓ，１Ｈ）、７．３１（ｄ，１Ｈ）、０．２９（ｓ，９Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）１８５（Ｍ^＋）

参考例４（２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジンの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた１００ｍｌシュレンク管に、２−クロロ−４−トリメチルシリル−ピリジン８００ｍｇ（４．３ｍｍｏｌ）、２，４−ジフルオロピリジンボロン酸８２２ｍｇ（５．２ｍｍｏｌ）トルエン３０ｍｌ、エタノール１５ｍｌ、炭酸ナトリウム２．１９ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム２４２ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら７５℃〜８０℃で１５時間反応させた。反応後、反応液に水を加え、水層を酢酸エチルで抽出した。さらに、得られた水層を酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を合わせて水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；７／１））で精製し、黄色液体である目的物を１．０ｇ得た。（単離収率；８７％）
なお、得られた２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジンは、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；８．７０−８．６０（ｍ，２Ｈ）、７．９３−７．９２（ｍ，１Ｈ）、７．４２−７．４１（ｍ，１Ｈ）、７．００−６．９７（ｍ，１Ｈ）、０．３３（ｓ，９Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）２６４（Ｍ^＋）

実施例３（Ｍ^１＝Ｍ^２＝Ｉｒ、Ａ＝Ｓｉ、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝メチル基、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝メチル基、Ｘ＝Ｃｌ；ジ−μ−クロロテトラキス−２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジンジイリジウムの合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた３０ｍｌシュレンク管に、２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジン６６１ｍｇ（２．５ｍｍｏｌ）、三塩化イリジウム三水和物３７０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）及びエトキシエタノール１０ｍｌを加え、攪拌しながら１１５℃〜１２５℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温（２０℃〜３０℃）まで冷却し、減圧下で濃縮し、得られた濃縮物をジエチルエーテルで洗浄した後に乾燥させ、黄色固体として目的物を６２６ｍｇ得た（単離収率；８３％）。
なお、得られたジ−μ−クロロテトラキス−２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジンジイリジウム、以下の物性値で示される化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，δ（ｐｐｍ））；９．０２（ｄ，４Ｈ）、８．４５（ｓ，４Ｈ）、７．０６（ｄ，４Ｈ）、５．１５（ｍ，４Ｈ）、０．６６（ｓ，３６Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ；（Ｍ／Ｚ）１５０８（Ｍ^＋）

実施例４（Ｍ^１＝Ｍ^２＝Ｉｒ、Ａ＝Ｓｉ、Ｒ^１＝Ｒ^２＝Ｒ^３＝メチル基、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝メチル基、Ｚ＝Ｎ、Ｘ＝Ｃｌ；テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ），略称；［Ｉｒ（ｄｆｐｙｔｍｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２）の合成）

アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた５０ｍｌシュレンク管に、６，６’,７，７’−テトラメチル−２，２’−ビイミダゾール４４ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン３０ｍｌ、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（ｔ−ＢｕＯＫ（８５質量％品））４２ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）を加え、室温（２０℃〜３０℃）で１時間攪拌した後、ジ−μ−クロロテトラキス（２’，６’−ジフルオロ−５−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジナト）ジイリジウム（ＩＩＩ）２２６ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を加え攪拌しながら２４時間反応させた。反応後、テトラヒドロフランを減圧留去し、得られた残留物に塩化メチレンを加え、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮し、得られた反応粗生成物をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：塩化メチレン）によって精製し、薄黄色固体である目的物を１７１ｍｇ得た。（単離収率；６６％）
得られた目的物は２種類の異性体混合物で、その生成比は異性体１：異性体２＝５０：５０と考えられた。なお、テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−トリメチルシリル−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃ_４Ｄ_８Ｏ，δ（ｐｐｍ））８．３９（ｓ，４Ｈ）, ８．３３（ｓ，４Ｈ），８．００（ｄ，４Ｈ），７．６３（ｄ，４Ｈ），７．３４−７．３２（ｄｄ，４Ｈ），７．１１−７．０９（ｄｄ，４Ｈ），６．０９−６．０８（ｓ，８Ｈ），５．９５−５．９０（ｍ，８Ｈ），２．０２（ｓ，２４Ｈ），０．３３−０．３１（ｓ，７２Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：１７２７（Ｍ＋Ｈ）^＋

実施例５（Ｉｒ（ｄｆｐｙｄｍｐｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２の有機ＥＬ素子の作成）
イーエッチシー製インジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯと略す）被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に５×１０^−４Ｐａ以下の真空度で、順次、次のようにホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５、電子注入層６、アルミニウム電極７を真空蒸着により成膜して有機ＥＬ素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記基板上に、ホール輸送材料であるｐ，ｐ’−［Ｎ，Ｎ’−テトラ（ｐ−トルイル）ジアニリノ−ｏ，ｏ’−ビフェニル］（以下、３ＤＴＡＰＢＰと略す）を膜厚６０ｎｍで成膜し、ホール輸送層３を形成した後、発光層４として質量比３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）（以下、３５ＤＣｚＰＰｙと略す）：二核イリジウム錯体Ｉｒ（ｄｆｐｙｄｍｐｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２（実施例２と同様な方法で合成）＝９５：５を膜厚４０ｎｍで成膜した。次いで、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと略す）を膜厚４０ｎｍで成膜し、電子輸送層５を形成した。更に電子輸送層の上に、フッ化リチウム（以下、ＬｉＦと略す）を膜厚０．５ｎｍで成膜し、電子注入層６を形成した。その上にアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍで成膜し、電極７を形成した。
本素子の層構成を簡略化して示すと、
陽極２： ＩＴＯ（１３０ｎｍ）
ホール輸送層３： ３ＤＴＡＰＢＰ（６０ｎｍ）
発光層４： ３５ＤＣｚＰＰｙ：二核イリジウム錯体（１）（４０ｎｍ、質量比９５／５）
電子輸送層５： ＴＡＺ（４０ｎｍ）
電子注入層６： ＬｉＦ（０．５ｎｍ）
陰極７： Ａｌ（１００ｎｍ）
である。
前記素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し、電極間電圧を上げていくと、＋８Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の水青色発光を開始し、＋２７Ｖにおいて３７８９ｃｄ／ｍ^２で発光した。電流効率は＋１６Ｖで３．９３ｃｄ／Ａであった。
この素子の発光色を、プレサイスゲージ社製有機ＥＬ評価装置ＥＬ１００３を用いて測定した。電極間電圧＋２０Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．１２３，ｙ＝０．２６９であった（ＣＩＥ（国際照明委員会）表色系より）。

実施例６（Ｉｒ（ｄｆｐｙｔｍｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２の有機ＥＬ素子の作成）
二核イリジウム錯体Ｉｒ（ｄｆｐｙｄｍｐｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２をＩｒ（ｄｆｐｙｔｍｓｐｙ）_２ＢＩｍ］_２（実施例４と同様な方法で合成）に変更した以外は実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極２を陽極、Ａｌ電極７を陰極として通電し、電極間電圧を上げていくと、＋８Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の水青色発光を開始し、＋１６Ｖにおいて１６５９ｃｄ／ｍ^２で発光した。電流効率は＋１６Ｖで２．２６ｃｄ／Ａであった。
電極間電圧＋１６Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．１１５，ｙ＝０．２００であった。

比較例１（Ｍ^１＝Ｍ^２＝Ｉｒ、Ａ＝無し、Ｒ^４＝Ｒ^５＝Ｒ^６＝Ｒ^７＝メチル基、Ｚ＝Ｎ；（テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ）の有機ＥＬ素子の作成）
二核イリジウム錯体（１）を（テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−２、３’−ビピリジナト）（μ−テトラメチルビベンゾイミダゾリル）ジイリジウム（ＩＩＩ）に変更した以外は実施例５と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し、電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の水青色発光を開始し、＋２４Ｖにおいて６４５ｃｄ／ｍ^２で発光した。電流効率は＋１６Ｖで１．４０ｃｄ／Ａであった。
電極間電圧＋１６Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．２２９、ｙ＝０．２３２であった。

本発明により、最大輝度、電流効率などが良好な二核金属錯体化合物を発光層に含む有機ＥＬ素子を提供することができる。

１．硝子基板
２．ＩＴＯ透明電極
３．ホール輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．電子注入層
７．アルミニウム電極

Claims (11)

1. 下記一般式（１）で示される二核金属錯体化合物。
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。ＺはＣＨ又はＮを示す。）
2. 陰極と陽極との間に有機化合物層を備える、単層又は多層の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項１に記載の錯体化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 請求項２記載の素子が、バッファ層、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 発光層に、更に、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）を含む請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 発光層における二核金属錯体化合物と３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）との含有率が、４０：６０〜３：９７質量％である請求項３〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 発光層における二核金属錯体化合物が、前記電極間に電圧を印加することにより燐光を発光することを特徴とする、請求項３〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 下記一般式（３）で示されるピリジン化合物と、Ｉｒを含むハロゲン化物とを反応させることを特徴とする、下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物の製造方法。
   （式中、ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。）
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｘはハロゲン原子を示す。）
8. 塩基の存在下、下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物と、下記一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物とを反応させることを特徴とする、下記一般式（６）で示される二核金属錯体化合物の製造方法。
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｘはハロゲン原子を示す。）
   （式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。）
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。）
9. 下記一般式（３）で示されるピリジン化合物と、Ｉｒを含むハロゲン化物とを反応させ、下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物を製造し、次いで塩基の存在下でハロゲン化二核金属錯体化合物と、下記一般式（５）で示されるビイミダゾール化合物とを反応させることを特徴とする、下記一般式（６）で示される二核金属錯体化合物の製造方法。
   （式中、ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。）
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｘはハロゲン原子を示す。）
   （式中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。）
   （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は同一又は異なっていても良く、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子を示す。なお、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合して環を形成していても良い。）
10. 下記一般式（４）で示されるハロゲン化二核金属錯体化合物。
    （式中、Ｍ^１及びＭ^２は、いずれもＩｒを示す。ＡはＳｉを示し、ピリジン環の４位の炭素と結合している。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なっていても良く、少なくとも２つはアルキル基である。Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 及びＲ ^３ は炭素数６〜１４のアリール基又は炭素原子数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。前述のアリール基及びアルキル基上の任意の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基で置換されていても良い。なお、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は互いに結合して環を形成していても良い。Ｘはハロゲン原子を示す。）
11. 有機エレクトロルミネッセンス素子における、請求項１に記載の二核金属錯体化合物の使用。