JP6124805B2 - 発光装置用の多孔質膜 - Google Patents

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１１年３月３日に出願された米国特許仮出願第６１／４４９，０３２号に対する優先権を合衆国法典３５巻１１９条（ｅ）項に従って主張するものであり、その全体が参照により本明細書に援用されている。

（技術分野）
一部の実施形態は、多孔質膜、たとえば、発光装置などの装置用の多孔質膜に関する。

有機発光装置（ＯＬＥＤ）は、省エネルギー発光器具または装置への組み込みに有用である。残念なことに、ＯＬＥＤの効率は、出射光の生成、および該装置を逃れて照明を施す出射光の能力、両方に関するあらゆる固有の効率の悪さにより制限され得る。出射光が前記装置を逃れることができないことを閉じ込め（ｔｒａｐｐｉｎｇ）と呼ぶこともある。閉じ込めのため、装置の効率は、発光効率の約１０〜３０％に低減されることがある。光抽出は、閉じ込めを低減させることができ、したがって、効率を実質的に向上させることができる。

一部の実施形態は、多孔質膜を含み得る。多孔質膜は、約１．１から約１．８の範囲の屈折率を有する非高分子有機化合物；複数の不規則に配列されたナノ突起、ナノ粒子、もしくはそれらの集合体；および／または複数の空隙を含有し得、該複数の空隙は、該膜の体積の少なくとも約５０％である全体積を有し、および該複数の空隙の少なくとも約１０％は、約０．５μｍから約５μｍの範囲の最長寸法を有する。前記多孔質膜は、約５００ｎｍから約２０マイクロメートルの範囲の厚さを有することがあり；および／または前記空隙を含む多孔質膜の密度は、約０．５ピコグラム／μｍ^３以下であり得る。

一部の実施形態は、多孔質膜を含有する発光装置であって、該多孔質膜が、該発光装置内の部分内部反射層との第１の界面（この場合、該部分内部反射層の屈折率は、該多孔質膜の屈折率より高いことがある）と、該多孔質膜の屈折率より低い屈折率を有し得る物質との第２の界面とを含有し得、および該第２の界面が複数の不規則に配列されたナノ突起またはナノ粒子を含有し得るものである発光装置を含み得る。

一部の実施形態は、陽極または陰極の上方に配置され得る多孔質膜を含有する発光装置であって、該多孔質膜が、該陽極の屈折率および該陰極の屈折率より低い屈折率を有し得るものである発光装置を含み得る。

一部の実施形態は、発光ダイオードを含有する発光装置であって、該発光ダイオードが、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極の間に配置され得る発光層と、多孔質膜とを含有し得、該多孔質膜が、該陽極もしくは該陰極の上に配置され得るものである発光装置；または前記陽極と前記多孔質膜の間にもしくは前記陰極と前記多孔質膜の間に配置された透明層をさらに含有し得る前記発光装置を含む。

一部の実施形態において、前記多孔質膜は、有機膜を堆積させる工程、および該有機膜を約１００℃から約２９０℃の範囲の温度で加熱する工程を含む製法によって調製することができる。

一部の実施形態は、発光ダイオードを含有する発光装置であって、該発光ダイオードが、多孔質膜を含み、該多孔質膜が、内部反射層上に配置されており、該内部反射層が、陽極、陰極、該陽極と該多孔質膜の間に配置された透明層、または該陰極と該多孔質膜の間に配置された透明層からなる群より選択され、該内部反射層の屈折率が、該多孔質膜の屈折率より高く、該多孔質膜が、本明細書に記載する化合物を含有し得るものである発光装置を含み得る。

これらのおよび他の実施形態を本明細書において詳細に説明する。

図１は、粒子または突起のｘ方向寸法（ｘ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）、ｙ方向寸法（ｙ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）およびｚ方向寸法（ｚ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の決定を支援するための描画である。

図２Ａは、ｘｚ面で見たときの略長方形として、擬似平面状として、またはナノフレークとして描写することができる粒子の理想化例を図示するものである。

図２Ｂは、曲線状または波状ナノフレークとして描写することができる粒子の例を図示するものである。

図３は、その平面にある実質的にすべてが略直角である粒子の理想化例を図示するものである。

図４は、略直角でないことがある角度を有する擬似平行四辺形（ｐｓｅｕｄｏ−ｐａｒａｌｅｌｌｏｇｒａｍａｔｉｃ）粒子の理想化例である。

図５は、略カプセル形粒子の理想化例を図示するものである。

図６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１０は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１１は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１２は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１３は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１４は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１５は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図１９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２０は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２１は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２２は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２３は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２４は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２５は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図２９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３０は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３１は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３２は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３３は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３４は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３５は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図３９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４０は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４１は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４２は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４３は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４４は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４５は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図４９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５０は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５１は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５２は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５３は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５４は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図５５は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図５６は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図５７Ａ〜Ｂは、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図５８は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図５９は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図６０は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図６１は、発光装置の調製方法の実施形態における一定の工程を図解する流れ図である。

図６２Ａは、本明細書に記載する装置の実施形態に関する概要図である。

図６２Ｂは、発光装置の調製方法の実施形態における一定の工程を図解する流れ図である。

図６３は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図６４は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図６５は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図６６は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図６７は、前記装置の多孔質膜の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図６８は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図６９は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての概要図である。

図７０は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図７１は、本明細書に記載する化合物を含有する多孔質膜の厚さの関数としての電力効率のプロットである。

図７２は、透明基板の実施形態において閉じ込めを判定するために用いた方法の概要図である。

図７３は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図７４Ａ〜Ｂは、本明細書に記載する装置の一部の実施形態の写真である。

図７５は、本明細書に記載する多孔質膜の一部の実施形態の写真である。

図７６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図７７は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図７８は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図７９は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。

図８０は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図８１は、本明細書に記載する多孔質膜の実施形態の写真である。

図８２は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

図８３は、本明細書に記載する装置の一部の実施形態についての輝度の関数としての電力効率のプロットである。

本明細書に記載する多孔質膜は、ある層から別の層への光の透過を伴う様々な装置、たとえば、発光ダイオード、太陽電池、検出器などに有用であり得る。一部の実施形態において、多孔質膜は、照明などの用途用の有機発光ダイオードに効率的な光取り出しをもたらすことができる。一部の装置に関しては、基板からの９０％に近い、またはことによるとそれ以上の光抽出を達成することができる。前記多孔質膜は、容易な加工をもたらすことができ、および低コストで装置効率を向上させることができる可能性を秘めている。

一部の実施形態において、本明細書に記載する多孔質膜は、装置の層における全内部反射量を低減させることにより、装置の効率を向上させることができる。全内部反射は、閉じ込めの有意な原因であり得る。光が高屈折率材料から低屈折率材料に進むと、光は法線角度から離れて界面に向かう方向に曲がり得る。より屈折率の高い材料中の光が、より屈折率の低い材料との界面に実質的に９０°逸れる角度で遭遇すると、光の屈曲は光が界面に進入する角度より大きくなり得るので、光は、より屈折率の高い材料から出て進むのではなく、より屈折率の高い材料に戻るだろう。これは、全内部反射と呼ばれることがある。空気は、多くの材料より低い屈折率を有し得るので、装置と空気の間の多くの界面は、全内部反射に起因する損失を被り得る。さらに、光がより屈折率の高い層からより屈折率の低い層に行く装置では、全内部反射に起因する閉じ込めがあらゆる界面で発生し得る。本明細書に記載する多孔質膜を含有する装置は、低減された全内部反射または閉じ込めを有することができ、したがって、向上した効率を有することができる。

一部の実施形態において、本明細書に記載する多孔質膜は、光を吸収または出射する装置をはじめとする、ある材料から別の材料に進む光を伴う様々な装置に光散乱をもたらすことができる。光散乱は、ある装置では、光を見る角度にかかわらず色が実質的に同様であるように視野角色を一致させるのに有用であり得る。光散乱層を有さない装置は、見る人が光を見る角度によって違い色を認めるように光を出射し得る。

一部の実施形態において、本明細書に記載する多孔質膜は、光を吸収または出射する装置をはじめとする、ある材料から別の材料に進む光を伴う様々な装置のためのフィルターとしても有用であり得る。

多孔質膜としては、複数の細孔を含有する任意の膜をあげることができる。たとえば、多孔質膜は、不規則に配向した、相互に絡み合ったナノ構造を含むことがある。

一部の実施形態において、多孔質膜は、透明基板上に配置することができ、該基板内での光の全内部反射を低減させることができる。

一部の実施形態において、多孔質膜は、第１表面および第２表面を含有することがあり、この場合、該第１表面は、該第２表面の共面面積（ｃｏｐｌａｎａｒ ａｒｅａ）より実質的に大きい共面面積を有する。「共面面積」は、広義の用語であり、ある表面の共面面積を決定する１つの方法は、考慮中の表面を平滑平坦表面の上に置き、該表面の該平滑平坦表面と接触する面積を測定する方法である。

多孔質膜は、様々な構造を有し得る。一部の実施形態において、多孔質膜は、複数の不規則に配列された突起、粒子、またはそれらの集合体を含有する表面を有することがある。前記突起または粒子は、ナノメートルからミクロン範囲の１つ以上の寸法を有するナノ突起をはじめとする、ナノ突起であり得る。たとえば、ナノ突起またはナノ粒子は、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約１０００ｎｍ、約１５００ｎｍ、約２０００ｎｍ、約２５００ｎｍ、約３０００ｎｍ、またはこれらの長さのいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの長さのいずれかの間の範囲の任意の値の平均ｘ方向寸法；約５０ｎｍ、約１００ｎｍ、約３００ｎｍ、約５００ｎｍ、約７００ｎｍ、約１０００ｎｍ、約１２００ｎｍ、約１５００ｎｍ、約１８００ｎｍ、約２０００ｎｍ、またはこれらの長さのいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの長さのいずれかの間の範囲の任意の値の平均ｙ方向寸法；および／または約１０ｎｍ、約３０ｎｍ、約５０ｎｍ、約７０ｎｍ、約９０ｎｍ、約１００ｎｍ、またはこれらの長さのいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの長さのいずれかの間の範囲の任意の値の平均ｚ方向寸法を有し得る。一部の実施形態において、前記膜中の少なくとも１個の粒子、または前記膜中の粒子の平均は、約５ｎｍ、約０．０１μｍ、約０．０２μｍ、約０．０５μｍ、約０．１μｍ、約０．５μｍ、約１μｍ、約２μｍ、約５μｍ、約１０μｍ、約２０μｍ、約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍ、約２００μｍ、約５００μｍ、約１０００μｍ、またはこれらの値のいずれかによって拘束されるもしくはこれらの値のいずれかの間の任意の長さの、ｘ方向寸法、ｙ方向寸法またはｚ方向寸法を有し得る。一部の実施形態において、前記ナノ突起またはナノ粒子は、約４００ｎｍから約３０００ｎｍ、約１０００ｎｍから約３０００ｎｍ、もしくは約２０００ｎｍから約３０００ｎｍの範囲の平均ｘ方向寸法；約１００ｎｍから約２０００ｎｍ、約１００ｎｍから約１５００ｎｍ、もしくは約１００ｎｍから約１０００ｎｍの範囲の平均ｙ方向寸法；および／または約１０ｎｍから約１００ｎｍ、大体、約３０ｎｍから約９０ｎｍ、もしくは約３０ｎｍから約７０ｎｍの平均ｚ方向寸法を有し得る。一部の実施形態において、前記膜中の少なくとも１個の粒子、または前記膜中の粒子の平均は、約５ｎｍから約１０００μｍ、約０．０２μｍから約１μｍ、または約１μｍから約２００μｍの範囲のｘ方向寸法、ｙ方向寸法またはｚ方向寸法を有し得る。

一部の実施形態において、前記突起、粒子、またはそれらの集合体は、実質的に透明または実質的に半透明であることがある。

前記粒子、突起、または空隙は、不規則な形状であることがあり、図１に図示するように３つの寸法、ｘ、ｙおよびｚを定量することができる。箱が、その中に収容された粒子を（または可能な限り多くの突起を、箱の開放端の寸法を変えることなく）依然として有するができる限り小さくなるように、箱１２０・直方柱形を粒子１１０の周囲に作った場合、または開放箱・直方柱形を突起の周囲に作った場合、ｘ方向寸法は、その箱の最長寸法であり、ｙ方向寸法は、その箱の２番目に長い寸法であり、およびｚ方向寸法は、その箱の３番目に長い寸法である。

前記粒子または突起の３次元形状を、一定の面から見たときの該粒子または突起の形状を描写することにより特徴づけることができる。たとえば、粒子または突起は、ｘｙ、ｘｚまたはｙｚ面の２次元で見たとき、略長方形、略正方形、略楕円形、略円形、略三角形（ｔｒｉａｇｏｎａｌ）、略平行四辺形などであることがある。個々の形状は、幾何学的に完全である必要なく、公知の形状に適度に似ていると認識できるだけでいい。前記粒子または突起の３次元形状を、他の用語を用いて特徴づけるまたは描写することもできよう。

図２Ａは、ｘｚ面で見たとき略長方形２２０である粒子２１０の理想化例を図示するものである。この図に図示するように、粒子は、完全に長方形に見えるが、その形状は、ｘｚ面または任意の他の面で見たときに略長方形であるように長方形に似ていると認識できるだけでいい。

図２Ａに関して、粒子２１０は、ｘ方向寸法がｚ方向寸法よりはるかに大きいので、ｘｙ面で見たとき略線形と描写することもできる。この図に図示するように、粒子は、ｘ方向寸法では完全に直線形に見えるが、その形状は、ｘｚ面または任意の他の面で見たとき略線形であるように線に似ていると認識できるだけでいい。

粒子２１０をナノフレークとして描写することもできる。用語「ナノフレーク」は、形状がフレーク様であり、かつナノメートルからマイクロメートル範囲の任意の寸法を有する粒子を含む、広義の用語である。これは、１つの次元（たとえば、ｚ）に関して比較的薄く、かつ別の２つの次元（たとえば、ｘｙ）に関して比較的大きい面積を有する粒子を含み得る。

前記のより大きい面積表面は、識別できるだけでよく、平面である必要はない。たとえば、前記のより大きい面積表面が、粒子２１０のように実質的にｘｙ面内にあることもあるが、該表面の相当な部分が該面内にないような曲線状または波状であることもある。

粒子２１０を擬似平面状と描写することもできる。用語「擬似平面状」は、本質的に平面状である粒子を含む広義の用語である。たとえば、擬似平面状粒子は、実質的にｘｙ面内にある粒子のｘｙ面積と比較して相対的に些少であるｚ方向寸法を有することがある。

図２Ｂにおける粒子２５０は、曲線状または波状フレークの例である。表面の相当な部分が平面内にない場合、ナノフレークは、大きい曲線状または波状の表面２６０と該表面上の所与の点２８０に対して垂直な小さな厚さ２７０とを有する粒子を含み得る。

粒子２１０、粒子２５０およびこれらに類するものをはじめとする、任意のナノフレークまたは擬似平面状粒子または突起に関して、より大きい表面積の平方根の最小寸法に対するまたは該より大きい表面上のある点に対して垂直な厚さに対する比（たとえば、ｘｙ面積の平方根のｚ寸法に対する比）は、約３、約５、約１０、約２０、約１００、約１０００、約１０，０００、約１００，０００、またはこれらの比のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの比のいずれかの間の範囲の任意の値であり得る。一部の実施形態において、より大きい表面積の平方根の最小寸法に対するまたは該より大きい表面上のある点に対して垂直な厚さに対する比は、約３から約１００，０００、約５から約１０００、または約１０００から約１０，０００であり得る。

図３は、ｘｙ面にある実質的にすべてが略直角である粒子３１０の理想化例を図示するものである。この図には図示していないが、一部の粒子は、少なくとも１つの略直角を有することができるが、必ずしも実質的にすべてが略直角を有するとは限らないことがある。この図の粒子３１０を擬似平行四辺形と描写することもできる。擬似平行四辺形の粒子は、ｘｙ、ｘｚまたはｙｚ面の２次元で見て実質的に平行である粒子であって、２つの略線形の外縁部分を含むことができる。

前記粒子の外縁部は、複数の線形縁部分から本質的になり得る。

擬似平行四辺形の粒子、たとえば、図３に図示するものは、略直角を有することがあり、またはそれらは、略直角でないことがある角を有することがある。

図４は、略直角でないことがある角度を有する擬似平行四辺形（ｐｓｅｕｄｏ−ｐａｒａｌｅｌｌｏｇｒａｍａｔｉｃ）粒子４１０の理想化例である。

粒子または突起が、針の形状に似ていると合理的に認識できる形状を有する場合、該粒子または突起を針様と描写することができる。

粒子または突起が、繊維の形状に似ていると合理的に認識できる形状を有する場合、該粒子または突起を線維形と描写することができる。

粒子または突起が、リボンの形状に似ていると合理的に認識できる形状を有する場合、該粒子または突起をリボン形と描写することができる。これは、ある次元では細長く、別の次元では薄い平坦長方形表面を有する、粒子および突起を含み得る。前記リボン形は、湾曲しているまたはねじれていることもあるので、前記粒子は、リボン形であるために実質的に共面性である必要がない。

図５は、略カプセル形の粒子１０１０の理想化例を図示するものである。ｘｙまたはｘｚ面で見ると、粒子１０１０を略卵形と描写することもできる。ｙｚ面で見ると、粒子１０１０を略円形と描写することもできる。

粒子または突起が、棒の形状に似ていると合理的に認識できる形状を有する場合、該粒子または突起を棒形と描写することができる。これは、１つの次元が細長い粒子または突起を含み得る。棒形の粒子または突起は、実質的に直線形であることがあり、または多少の湾曲もしくは屈曲を有することもある。

ｘ、ｙおよびｚ方向寸法が同様である、たとえば、互いに同じ桁の範囲内である場合、粒子または突起を顆粒状と描写することができる。

図６〜５３は、実際の多孔質膜のＳＥＭ像を図示するものである。すべてのＳＥＭ画像は、ＦＥＩｘＴｍ「Ｉｎｓｐｅｃｔ Ｆ」ＳＥＭ；２００７年モデル、バージョン３．３．２を使用して記録した。これらの図中、「ｍａｇ」は、画像の拡大レベルを示し、「ｍｏｄｅ」は、画像を生成するために使用した検出器のタイプを示し、ここでの「ＳＥ」は、二次電子モードを表し、「ＨＶ」は、画像を生成するために使用した電子ビームの加速電圧を示し、「ＷＤ」は、検出器と撮像した実際の表面の間の作業距離を示し、「ｓｐｏｔ」は、電子ビーム径の単位なしインジケータであり、および「ｐｒｅｓｓｕｒｅ」は、画像収集時の顕微鏡チャンバ内の圧力をパスカルで示す。

図６は、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平行四辺形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーをＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。相当数の粒子が、約１０から約１００の範囲のｘｙ面積の平方根のｚ寸法に対する比も有し得る。たとえば、図中の丸で囲んだ粒子は、見える端部の長さがその面積の平方根にほぼ等しいと仮定して、約４０の比：
［ｘｙ面積］^１／２
ｚ
を有するようである。この方法は、この図の中に見える他のナノフレークに基づき、大きい面積、すなわちｘｙ面積が、ｙｚ面で見られる１辺の長さにほぼ等しい膜、たとえば、ここに図示するもの、に用いることができる。さらに、前記表面の粒子の少なくとも約５０％、約７０％または約９０％は、約１０から約１０００の範囲のｘｙ面積の平方根のｚ方向寸法に対する比を有し得る。

図７も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平行四辺形および略平行四辺形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５０μｍのスケールバーを図７のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約５００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。相当数の粒子が、約５から約１００の範囲のｘｙ面積の平方根のｚ寸法に対する比も有し得る。

図８も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平行四辺形および略平行四辺形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１００μｍのスケールバーを図８のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約５００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。相当数の粒子が、約５から約１００の範囲のｘｙ面積の平方根のｚ寸法に対する比も有し得る。

図９も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平行四辺形および略平行四辺形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５０μｍのスケールバーを図９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約５００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１０も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまる：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４μｍのスケールバーを図１０のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１１も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面、ｘｚ面および／またはｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形および針様。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１００μｍのスケールバーを図１１のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約２０μｍから約１０００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１２も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、擬似平行四辺形、および略平行四辺形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、擬似平行四辺形、および略平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形および針様。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１０μｍのスケールバーを図１２のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約１００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１３も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形、針様、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る２０μｍのスケールバーを図１３のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約２μｍから約１００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１３は、粒子または突起が、擬似花状（ｐｓｅｕｄｏｆｌｏｒａｌ）配列を有する集合体を形成することも示す。たとえば、粒子の一部が共通中心領域から突出する様子が、花に似ていると認識できる外観を与える。これらの擬似花状集合体の相当数が、約１０μｍから約５０μｍの範囲の直径を有し得る。

図１４も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略平行四辺形、および擬似平行四辺形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略平行四辺形、および擬似平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形、針様、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図１５のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．５μｍから約５０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１５も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図１５のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１６も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：針様および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図１６のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１７も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、擬似平行四辺形、略平行四辺形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、擬似平行四辺形、略平行四辺形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、繊維形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図１７のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１８も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、擬似平行四辺形、略平行四辺形、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略長方形、略平行四辺形、および擬似平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図１９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図１９も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図１９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２０も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る３０μｍのスケールバーを図２０のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約５０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２１も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５０μｍのスケールバーを図２１のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約２００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２２も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図２２のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２３も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５００ｎｍのスケールバーを図２３のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約５０ｎｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２４も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ、ｘｙ、および／ｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略卵形、略楕円形、および略円形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：棒形、略カプセル形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る３μｍのスケールバーを図２４のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２５も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起、粒子および／または集合体の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図２５のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２５は、繊維束構造を有するナノ粒子またはナノ突起の集合体も含む。一部の実施形態において、前記集合体は、それらが、末端が束の中心より大きく分岐するように、束の中心でそれを一緒に保持するストラップまたは紐を有する線維の束に似ていることがあることから、中心結合線維束構造を有すると描写することができる。

図２６も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起、粒子および／または集合体の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る２μｍのスケールバーを図２６のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２６は、線維束構造および／または中心結合線維束構造を有するナノ粒子またはナノ突起の集合体も含む。

図２７も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５００ｎｍのスケールバーを図２７のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約５ｎｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２８も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：針様および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図２８のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約１００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図２９も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略平行四辺形、少なくとも１つの略直角、および略線形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：針様および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５０μｍのスケールバーを図２９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１μｍから約５００μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３０も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：擬似平行四辺形、略平行四辺形、および略線形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：針様、および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る２０μｍのスケールバーを図３０のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約１５０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３１も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５００ｎｍのスケールバーを図３１のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約１０ｎｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３２も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ、ｘｚまたはｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、実質的にすべて略直角、および略線形。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略平行四辺形、および擬似平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：顆粒状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図３２のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３３も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図３３のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３４も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、および略長方形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形およびリボン形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る２μｍのスケールバーを図３４のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３５も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形および顆粒状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図３５のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３６も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図３６のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３７も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：棒形および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４μｍのスケールバーを図３７のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３８も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：棒形および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４μｍのスケールバーを図３８のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図３９も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：リボン形、ナノフレークおよび擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図３９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４０も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、擬似平行四辺形、略平行四辺形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略平行四辺形、および擬似平行四辺形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：リボン形、繊維形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４０のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４１も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：棒形および繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１０μｍのスケールバーを図４１のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４２も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形およびリボン形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４２のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４３も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、リボン形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５００ｎｍのスケールバーを図４３のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約５０ｎｍから約２μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４４も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：リボン形、ナノフレーク、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４４のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約１μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４５も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：リボン形、ナノフレーク、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４５のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４６も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、略線形、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：リボン形、繊維形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４μｍのスケールバーを図４６のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４７も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図４７のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４８も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、および少なくとも１つの略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、および略長方形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、リボン形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４８のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図４９も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、および少なくとも１つの略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、および略長方形。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、リボン形、および擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る１μｍのスケールバーを図４９のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０２μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図５０も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：繊維形およびリボン形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る５μｍのスケールバーを図５０のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約２０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図５１も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：顆粒、カプセル形、繊維形、リボン形、および棒形。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る３μｍのスケールバーを図５１のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０１μｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図５２も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、擬似平面状、リボン形、および顆粒状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４μｍのスケールバーを図５２のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図５３も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、擬似平面状、リボン形、および顆粒状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る３μｍのスケールバーを図５３のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約０．０５μｍから約１０μｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

図５４も、多孔質膜の実施形態の表面のＳＥＭ像を図示するものである。網羅的ではないが、次の描写がｘｙ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の描写がｙｚ面で見たときのこの図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：略線形、略長方形、少なくとも１つの略直角、および実質的にすべて略直角。網羅的ではないが、次の他の描写も、この図中の突起または粒子の少なくとも１つに当てはまり得る：ナノフレーク、リボン形、擬似平面状。

この膜のナノ粒子、ナノ突起、または空隙のサイズの目安になり得る４００ｎｍのスケールバーを図５４のＳＥＭ中に示す。この図は、相当数の粒子または空隙が、約５０ｎｍから約２０００ｎｍの範囲のｘ、ｙ、および／またはｚ方向寸法を有し得ること示す。

多孔質膜の様々な実施例に関連した画像および図の幾つかの例に関して様々な形状および寸法を本明細書中に列挙する。これらの形状および寸法は、単に、用いる専門用語の理解を与えることに役立てるために与えるものであり、いずれかの特定の実施例または図についての網羅的説明であることを意図したものではない。したがって、いずれの特定の実施例または図に関してのいずれの特定の用語の省略も、その特定の用語がその特定の実施例および図に当てはまらないことを示唆しない。

一部の実施形態において、前記個々のナノ構造の面と前記膜の間の角度は、等確率で０度と９０度の間の任意の値であることがあり、および／または好ましい特定の角度がないことがある。言い換えると、特定の一般的配列または実質的配向がこの膜のナノ構造により呈示されないことがある。

多孔質膜の厚さは様々であり得る。一部の実施形態において、多孔質膜は、ナノメートルからミクロ範囲の厚さを有し得る。たとえば、前記膜の厚さは、約５００ｎｍ、約０．１μｍ、約１μｍ、約１．３μｍ、約３μｍ、もしくは約４μｍ、約５μｍ、約７μｍ、約１０μｍ、約２０μｍ、約１００μｍ、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の厚さであり得る。一部の実施形態において、前記膜の厚さは、約５００ｎｍから約１００μｍ、約０．１μｍから約１０μｍ、または約１μｍから約５μｍであり得る。

多孔質膜は、多数の細孔または空隙を含有し得る。たとえば、多孔質膜は複数の空隙を含有し得、該空隙は、該空隙を含む該膜の体積の約５０％、約７０％、約８０％、約８５％、約９０％、約９５％もしくは約９９％であり得る全体積、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の百分率の全体積を有する。したがって、前記空隙の全体積が、前記膜の体積の５０％である場合、該膜の体積の５０％は、該膜の材料であり、そして該膜の体積の５０％は、前記複数の空隙である。一部の実施形態において、前記多孔質膜は、該膜の体積の約５０％から約９９％、約７０％から約９９％、約８０％から約９９％、または約９０％から約９９％であり得る全体積を有する複数の空隙を含有し得る。

一部の実施形態における膜は、該膜が、空隙を有さない同じ材料の膜の厚さの約２倍である、約１０倍である、約５０倍以下である、もしくは約１００倍である厚さを有するような、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の厚さ比を有するような数およびサイズの複数の空隙を含有し得る。たとえば、ある膜は、同じ材料の膜が、その膜が空隙を有さなかった場合に約８００ｎｍの厚さを有するであろうとき、約５μｍの厚さを有し得る。一部の実施形態において、前記膜は、空隙を有さない同じ材料の膜の厚さの約２倍から約１００倍、または約２から約１０倍の範囲である厚さを有し得る。

前記空隙のサイズは、様々であり得る。空隙の寸法は、粒子または突起について上で説明したように定量することができる。一部の実施形態において、前記空隙の少なくとも約１０％は、約０．５μｍ、約１μｍ、約２μｍ、約３μｍ、約４μｍ、約５μｍ、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の長さの最大寸法、すなわちｘ方向寸法を有する。一部の実施形態において、前記膜中の少なくとも１つの空隙、または前記膜中の空隙の平均は、約５ｎｍ、約０．０１μｍ、約０．０２μｍ、約０．０５μｍ、約０．１μｍ、約０．５μｍ、約１μｍ、約２μｍ、約５μｍ、約１０μｍ、約２０μｍ、約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍ、約２００μｍ、約５００μｍ、約１０００μｍ、またはこれらの値のいずれかによって拘束されるもしくはこれらの値のいずれかの間の任意の長さの、ｘ方向寸法、ｙ方向寸法またはｚ方向寸法を有し得る。一部の実施形態において、前記膜中の少なくとも１つの空隙、または前記膜中の空隙の平均は、約０．０１μｍから約５μｍ、約０．０１μｍから約１μｍ、約０．０１μｍから約１０μｍ、約０．０１μｍから約２０μｍ、約０．０１μｍから約５μｍ、約０．０２μｍから約１０μｍ、約０．０５μｍから約１０μｍ、約０．１μｍから約１０μｍ、約０．１μｍから約１００μｍ、約０．１μｍから約１５０μｍ、約０．１μｍから約２０μｍ、約０．１μｍから約５μｍ、約０．５μｍから約５０μｍ、約１μｍから約１００μｍ、約１μｍから約２０μｍ、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約５０μｍ、約１μｍから約５００μｍ、約１０μｍから約５０μｍ、約１０ｎｍから約５μｍ、約２μｍから約１００μｍ、約２０μｍから約１０００μｍ、約５ｎｍから約５μｍ、約５０ｎｍから約２μｍ、または約５０ｎｍから約５μｍの範囲のｘ方向寸法、ｙ方向寸法、またはｚ方向寸法を有し得る。多孔質膜の密度は様々であり得、空隙、材料および他の要因による影響を受け得る。一部の実施形態において、空隙を含む前記膜の密度は、約０．００５ピコグラム／μｍ^３、約０．０５ピコグラム／μｍ^３、約０．１ピコグラム／μｍ^３、約０．３ピコグラム／μｍ^３、約０．５ピコグラム／μｍ^３、約０．７ピコグラム／μｍ^３、約０．９ピコグラム／μｍ^３、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の密度であり得る。一部の実施形態において、前記空隙の包含は、大体、約０．００５ピコグラム／μｍ^３から約０．９ピコグラム／μｍ^３、約０．０５ピコグラム／μｍ^３から約０．７ピコグラム／μｍ^３、または約０．１ピコグラム／μｍ^３から約０．５ピコグラム／μｍ^３の範囲であり得る。

前記多孔質膜の材料の屈折率は、様々であり得る。一部の実施形態において、前記多孔質膜の材料の屈折率は、基板の屈折率以上であり得る。一部の実施形態において、陽極の屈折率、陰極の屈折率、陽極と多孔質層の間の透明層の屈折率、および／または陰極と多孔質層の間の透明層の屈折率は、多孔質層の屈折率より高いことがある。たとえば、前記屈折率は、約１．１．約１．５、約１．７、約１．８、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の屈折率であり得る。一部の実施形態において、前記屈折率は、約１．１から約１．８、約１．１から約１．７、または約１．１から約１．５の範囲であり得る。

一部の実施形態において、多孔質膜の粒子、突起または空隙の少なくとも１つ、少なくとも５０％または少なくとも９０％は、約０．０１μｍから約５μｍ、約０．０１μｍから約１μｍ、約０．０１μｍから約１０μｍ、約０．０１μｍから約２０μｍ、約０．０１μｍから約５μｍ、約０．０２μｍから約１０μｍ、約０．０５μｍから約１０μｍ、約０．１μｍから約１０μｍ、約０．１μｍから約１００μｍ、約０．１μｍから約１５０μｍ、約０．１μｍから約２０μｍ、約０．１μｍから約５μｍ、約０．５μｍから約５０μｍ、約１μｍから約１００μｍ、約１μｍから約２０μｍ、約１μｍから約２００μｍ、約１μｍから約５０μｍ、約１μｍから約５００μｍ、約１０μｍから約５０μｍ、約１０ｎｍから約５μｍ、約２μｍから約１００μｍ、約２０μｍから約１０００μｍ、約５ｎｍから約５μｍ、約５０ｎｍから約２μｍ、または約５０ｎｍから約５μｍの範囲のｘ、ｙおよび／またはｚ方向寸法を有し得る。

多孔質膜は、基板などの表面に有機膜を堆積させることによって調製することができる。たとえば、前記堆積は、高温および／もしくは高真空条件下で行うことができる蒸着であることがあり、または多孔質膜をドロップキャスト法もしくはスピンキャスト法によって堆積させることができる。一部の実施形態では、前記材料を実質的に透明な基板上に堆積させることができる。堆積および／またはアニール条件は、前記膜の特性に影響を及ぼし得る。

表面への前記材料の堆積速度は、様々である。たとえば、前記有機膜を、約０．１Å／秒、約０．２Å／秒、約１Å／秒、約１０Å／秒、約２０Å／秒、約６０Å／秒、約１００Å／秒、約５００Å／秒、約１０００Å／秒の速度で、またはこれらの堆積速度のいずれかによって拘束される範囲もしくはまたはこれらの堆積速度のいずれかの間の範囲の値の速度で堆積させることができる。一部の実施形態では、前記有機膜を、大体、約０．１Å／秒から約１０００Å／秒、約１Å／秒から約１００Å／秒、または約２Å／秒から約６０Å／秒の範囲の速度で堆積させることができる。

前記材料を様々な表面に堆積させて多孔質膜または有機膜を形成することができる。一部の装置については、前記材料を陽極、陰極または透明層上に堆積させることができる。

表面に堆積させた有機膜を加熱またはアニールによりさらに処理することができる。その加熱温度は、様々であり得る。たとえば、有機膜を約８０℃、約１００℃、約１１０℃、約１２０℃、約１３０℃、約１５０℃、約１８０℃、約２００℃、約２４０℃、大体、約２６０℃、約２９０℃の温度で、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の温度で加熱することができる。一部の実施形態では、有機膜を約１００℃から約２９０℃、約１００℃から約２６０℃、約８０℃から約２４０℃、約８０℃から約２００℃、約２００℃から約２６０℃、または約２００℃から約２４０℃の範囲の温度で加熱することができる。

その加熱時間も様々であり得る。たとえば、有機膜を約５分、約１５分、約３０分、約６０分、約２時間、約５時間、約１０時間、約２０時間、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の量の時間、加熱することができる。一部の実施形態では、有機膜を約５分から約２０時間、約４分から約２時間、または約５分から約３０分間、加熱することができる。一部の実施形態では、材料を約１００℃から約２６０℃で約５分から約３０分間、加熱することができる。

多孔質膜または有機膜は、非高分子有機化合物を含む材料であって、場合により置換されている芳香族環を含有し得る材料を、含有し得る。一部の実施形態において、多孔質膜または有機膜は、以下の化合物の少なくとも１つを含有し得る：

多孔質膜または有機膜において有用であり得る他の化合物としては、次の文献のうちの１つに記載されている任意の化合物があげられる：２００９年６月２９日出願の米国特許仮出願第６１／２２１，４２７号明細書（これは、その全体が参照により本明細書に援用されている）；２０１０年６月２９日出願の米国特許出願第１２／８２５，９５３号明細書（これは、その全体が参照により本明細書に援用されている）；２０１０年９月１６日出願の米国特許仮出願第６１／３８３，６０２号明細書（これは、その全体が参照により本明細書に援用されている）；２０１０年１２月２２日出願の米国特許仮出願第６１／４２６，２５９号明細書；２０１１年３月３日に発明の名称「ＳＵＢＳＴＩＴＵＴＥＤ ＢＩＰＹＲＩＤＩＮＥＳ ＦＯＲ ＵＳＥ ＩＮ ＬＩＧＨＴ−ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」で発明者Ｓｈｉｊｕｎ Ｚｈｅｎｇにより出願された米国特許仮出願第６１／４４９，００１号明細書（これは、その全体が参照により本明細書に援用されている）；および２０１１年３月３日に発明の名称「ＣＯＭＰＯＵＮＤＳ ＦＯＲ ＰＯＲＯＵＳ ＦＩＬＭＳ ＩＮ ＬＩＧＨＴ−ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」で発明者Ｓｈｉｊｕｎ ＺｈｅｎｇおよびＪｅｎｓｅｎ Ｃａｙａｓにより出願された米国特許仮出願第６１／４４９，０３４号明細書（これは、その全体が参照により本明細書に援用されている）。

一部の実施形態において、多孔質膜は、化合物−２を含有し得、ならびに約８０％の密度および／または約４μｍより厚い厚さを有し得る。一部の実施形態では、化合物−２を約１１０℃で加熱することができ、および／または加熱を約６０分間行うことができる。

一部の実施形態において、多孔質膜は、化合物−３を含有し得、ならびに約１．３μｍの厚さを有し得る。一部の実施形態では、化合物−３を約１８０℃で加熱することができ、および／または加熱を約１５分間行うことができる。

下の表１は、図６〜５４に図示した膜を調製するために用いた材料および製法を記載するものである。

一般に、装置内の１層の表面の少なくとも一部分に多孔質膜を堆積させて、取り出しまたは散乱効果を生じさせることができる。取り出しのために、多孔質膜を任意の部分内部反射層の表面の少なくとも一部の上に堆積させることができ、該反射層としては、光を内部に反射させることもでき、該部分内部反射層を通って近接層、たとえば、発光層、陽極、陰極、任意の透明層など、に光を進ませることもできる任意の層があげられる。一部の実施形態では、前記陽極と前記膜の間、前記陰極と前記膜の間などに透明層を配置することができる。

多孔質膜を含有する発光装置は、様々な構成を有することができる。たとえば、発光装置は、陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に堆積された発光層を含むことができる。

本明細書に記載する装置に関して、第１層が第２層「の上方に配置されている」場合、該第１層は、該第２層の少なくとも一部分を覆っているが、場合により、それら２層間への１層以上の追加の層の配置が可能である。第１層が第２相「の上に配置されている」場合、該第１層は、該第２層の少なくとも一部分と直接接触している。簡単に言うと、「上方に配置されている」を本明細書中で用いるいずれの状況においても、それは、「上方に配置されている、または上に配置されている」を意味すると解さねばならない。

図５５および５６を参照して、多孔質５４３０を、ＯＬＥＤ５４１０の出射面５４１５の上方に配置することができる。一部の実施形態において、多孔質膜５４３０は、ＯＬＥＤ５４１０の出射面５４１０の上に直接配置され（図５５）、取り出し膜として機能する。ＯＬＥＤ５４１０からの出射光５４４０は、多孔質膜５４３０を通過することができる。一部の実施形態では、ガラス基板５４２０をＯＬＥＤ５４１０と多孔質膜５４３０の間に配置することができ、この場合、ガラス基板５４２０は、ＯＬＥＤ５４１０の光出射面５４１５と接触している、またはＯＬＥＤ５４１０の光出射面５４１５に近接している。出射光５４４０は、ＯＬＥＤ５４１０からガラス基板５４２０を通って進み、多孔質膜５４３０から出ることができる。多孔質膜５４３０は、取り出し膜として機能する。

上で説明した装置に好適であるＯＬＥＤ５４１０は、陽極５５６０と陰極５５１０の間に配置された発光層５４２５を一般に含む。他の層、たとえば、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層、追加の発光層などが、発光層５４２５と陽極５５６０および／または陰極５５１０の間に存在することもある。図５７Ａを参照して、陽極５５６０の上方に発光層５４２５を配置し、そして発光層５４２５の上方に陰極５５１０を配置する。この装置の頂部および／または底部から光を出射させることができる。図５７Ｂは、陰極５５１０の上方に発光層５４２５を配置することができ、そしてその発光層５４２５の上方に陽極５５６０を配置することができる実施例を図示するものである。この装置の頂部および／または底部から光を出射させることができる。

一部の実施形態では、本明細書に記載する取り出し膜または多孔質層５４３０を、陽極５５６０または陰極５５１０の上方に配置することができ、したがって、光は該陽極または該陰極、（もしあれば）任意の介在層を通過し、そして該取り出し膜または多孔質層５４３０を通過する。一部の実施形態では、透明基板またはガラス基板を陽極５５６０と多孔質層５４３０の間に、または陰極５５１０と多孔質層５４３０の間に配置することができる。一部の実施形態では、多孔質層５４３０を透明基板の上に配置する。ＯＬＥＤから陽極５５６０を通して光を出射させる場合には、陽極５５６０上に透明基板を配置する。他の実施形態において、ＯＬＥＤから陰極５５１０を通して光を出射させるときには、陰極５５１０上に透明基板を配置する。

一部の実施形態では、発光層５４２５と陽極５５６０の間に、または発光層５４２５と陰極５５１０の間に、追加の層が存在することがある。図５８を参照して、電子輸送層５５３０を発光層５４２５と陰極の５５１０の間に配置することができ、正孔注入層５５５０を発光層５４２５と陽極５５６０の間に配置することができ、および正孔輸送層５５４０を発光層５４２５と正孔注入層５５５０の間に配置することができる。陽極５５６０側から光を出射させるときには、陽極５５６０の上方に多孔質層５４３０を配置することができる。一部の実施形態では、透明基板５５７０を陽極５５６０と多孔質層５４３０の間に配置することができる。この装置の底部を通してこの装置により出射される光５４４０を提供するために、発光層５４２５によって出射された光は、正孔輸送層５５４０、正孔注入層５５５０、陽極５５６０、透明基板５５７０、そして多孔質膜５４３０を通過することができる。

一部の実施形態において、陽極は反射性であり、陰極５５１０側から光を出射することができる。図５９を参照して、電子輸送層５５３０を発光層５４２５と陰極５５１０の間に配置することができ、正孔注入層５５５０を発光層５４２５と反射陽極５６１０の間に配置することができ、および正孔輸送層５５４０を発光層５４２５と正孔注入層５５５０の間に配置することができる。キャッピング層５７１０を陰極５５１０上に配置することができる。その陰極５５１０の上方に多孔質層５４３０を配置することができる。一部の実施形態では、キャッピング層５７１０を陰極５５１０上の、該陰極５５１０と多孔質層５４３０の間に配置することができる。この装置の頂部を通してこの装置により出射される光５４４０を提供するために、発光層５４２５によって出射される光は、電子輸送層５５３０、陰極５５１０、キャッピング層５７１０、そして多孔質膜５４３０を通過することができる。一部の実施形態では、ＯＬＥＤ装置を基板５６２０、たとえば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）／ガラス基板上に配置することができる。反射陽極５６１０が存在する実施形態では、基板５６２０は、反射陽極５６１０と接触していることもあり、または反射陽極５６１０に近接していることがある。この装置の頂部を通してこの装置により出射される光５４４０を提供するために、発光層５４２５によって出射され得る光は、電子輸送層５５３０、陰極５５１０、キャッピング層５７１０、そして多孔質膜５４３０を通過することができる。

一部の実施形態では、透明陽極５５６０を通して光を出射することができる。図６０を参照して、発光層５４２５を陰極５５１０と透明陽極５５６０の間に配置する。多孔質膜または層５４３０をその透明陽極５５６０上に配置する。一部の実施形態では、電子輸送層５５３０を発光層５４２５と陰極５５１０の間に配置することができ、正孔注入層５５５０を発光層５４２５と透明陽極５５６０の間に配置することができ、および正孔輸送層５５４０を発光層５４２５と正孔注入層５５５０の間に配置することができる。一部の実施形態では、ＯＬＥＤを基板５６２０、たとえば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）／ガラス基板上に配置することができる。基板５６２０は、陰極５５１０と接触していることもあり、または陰極５５１０に近接していることもある。この装置の頂部を通して出射される光５４４０を提供するために、光は発光層５４２５により出射され、正孔輸送層５５４０、正孔注入層５５５０、陽極５５６０、そして多孔質膜５４３０を通過することができる。

陽極は、従来の材料、たとえば、金属、混合金属、合金、金属酸化物もしくは混合金属酸化物、導電性ポリマー、ならびに／または無機材料、たとえば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含有する層であり得る。好適な金属の例としては、１族金属、４、５、６族の中の金属および８〜１０族遷移金属があげられる。陽極層が、光透過性であるべきである場合、１０および１１族金属、たとえば、Ａｕ、ＰｔおよびＡｇ、もしくはこれらの合金；または１２、１３および１４族金属の混合金属酸化物、たとえば、インジウム・錫・酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・酸化物（ＩＺＯ）、およびこれらに類するものを使用することができる。一部の実施形態において、陽極層は、ポリアニリンなどの有機金属であり得る。ポリアニリンの使用は、「Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ」、Ｎａｔｕｒｅ、第３５７巻、４７７〜４７９頁（１９９２年６月１１日）に記載されている。好適な高仕事関数金属および金属酸化物の例としては、Ａｕ、Ｐｔ、またはこれらの合金；ＩＴＯ；ＩＺＯ；ならびにこれらの類するものがあげられるが、それらに限定されない。一部の実施形態において、陽極層は、約１ｎｍから約１０００ｎｍの範囲の厚さを有し得る。

陰極は、陽極層より低い仕事関数を有する材料を含む層であり得る。陰極層用の好適な材料の例としては、希土類元素、ランタニドおよびアクチニドを含めて、１族のアルカリ金属、２族金属、１２族金属から選択されるもの、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの材料、ならびにそれらの組み合わせがあげられる。Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦおよびＬｉ_２Ｏを、有機層と陰極層の間に堆積させて、動作電圧を下げることもできる。一部の実施形態において、陰極は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ／Ａｇ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ、ＣｓＦ／Ａｌ、またはこれらの合金を含有し得る。一部の実施形態において、陰極層は、約１ｎｍから約１０００ｎｍの範囲の厚さを有し得る。

透明電極は、多少の光が通過できる陽極または陰極を含み得る。一部の実施形態において、透明電極は、約５０％、約８０％、約９０％、約１００％の相対透過率、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の透過率を有し得る。一部の実施形態において、透明電極は、約５０％から約１００％、約８０％から約１００％、または約９０％から約１００％の相対透過率を有し得る。

発光層は、光を出射することができる任意の層であり得る。一部の実施形態において、発光層は、発光成分および場合によりホストを含むことがある。正孔を陽極から発光層に伝達することができるように、および／または電子を陰極から発光層に伝達することができるように、装置を構成することができる。存在する場合、発光層中のホストの量は様々であり得る。たとえば、前記ホストは、前記発光層の約５０重量％、約６０重量％、約９０重量％、約９７重量％、もしくは約９９重量％であり得、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の百分率であり得る。一部の実施形態において、前記ホストは、前記発光層の約５０重量％から約９９重量％、約９０重量％から約９９重量％、または約９７重量％から約９９重量％であり得る。

一部の実施形態において、化合物１０は、発光層中のホストであり得る。

発光層中の発光成分の量は、様々であり得る。たとえば、前記発光成分は、前記発光層の重量の約０．１％、約１％、約３％、約５％、約１０％もしくは約１００％であり得、またはこれらの値のいずれかによって拘束される範囲もしくはこれらの値のいずれかの間の範囲の任意の百分率であり得る。一部の実施形態において、前記発光層は、ニート発光層である（これは、発光成分が発光層の約１００重量％であることを意味する）ことがあり、または代替的に、前記発光層は、発光成分から本質的になる。一部の実施形態において、前記発光成分は、前記発光層の約０．１重量％から約１０重量％、約０．１重量％から約３重量％、または約１重量％から約３重量％であり得る。

前記発光成分は、蛍光および／またはリン光性化合物であり得る。一部の実施形態において、前記発光成分は、リン光材料を含有する。発光化合物の一部の非限定的な例としては、次のものをあげることができる：ＰＯ−０１、ビス−｛２−［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）−ピコリナート、ビス（２−［４，６−ジフルオロフェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート、ビス（２−［４，６−ジフルオロフェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジナト）−３−（トリフルオロメチル）−５−（ピリジン−２−イル）−１，２，４−トリアゾラート、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジナト）−５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾラート、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラ（１−ピラゾリル）ボラート、ビス［２−（２’−ベンゾチエニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）；ビス［（２−フェニルキノリル）−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）；ビス［（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）；ビス［（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリノ−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）；トリス（２，５−ビス−２’−（９’，９’−ジヘキシルフルオレン）ピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）；トリス［１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）；トリス−［２−（２’−ベンゾチエチル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）；トリス［１−チオフェン−２−イルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）；およびトリス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソキノリナト−（Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（ＩＩＩ））、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］、ビス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）［Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］、ビス（２−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）［Ｉｒ（ｔ−Ｂｕｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］、ビス（２−フェニルオキサゾリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）［Ｉｒ（ｏｐ）_２（ａｃａｃ）］、トリス（２−（４−トリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３］、ビス［２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）、ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）、ビス［（２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）、トリス［２−（９．９−ジメチルフルオレン−２−イル）ピリジナト−（Ｎ，Ｃ３’）］イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［２−（９．９−ジメチルフルオレン−２−イル）ピリジナト−（Ｎ，Ｃ３’）］イリジウム（ＩＩＩ）、ビス［５−トリフルオロメチル−２−［３−（Ｎ−フェニルカルバゾリル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）、（２−ＰｈＰｙＣｚ）_２Ｉｒ（ＩＩＩ）（ａｃａｃ）など。

１．（Ｂｔｐ）_２Ｉｒ（ＩＩＩ）（ａｃａｃ）；ビス［２−（２’−ベンゾチエニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）
２．（Ｐｑ）_２Ｉｒ（ＩＩＩ）（ａｃａｃ）；ビス［（２−フェニルキノリル）−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）
３．（Ｐｉｑ）_２Ｉｒ（ＩＩＩ）（ａｃａｃ）；ビス［（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）］イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）
４．（ＤＢＱ）_２Ｉｒ（ＩＩＩ）（ａｃａｃ）；ビス［（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリノ−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（アセチルアセトナート）
５．［Ｉｒ（ＨＦＰ）_３］、トリス（２，５−ビス−２’−（９’，９’−ジヘキシルフルオレン）ピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）
６．Ｉｒ（ｐｉｑ）_３；トリス［１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）
７．Ｉｒ（ｂｔｐ）_３；トリス−［２−（２’−ベンゾチエチル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）
８．Ｉｒ（ｔｉｑ）_３、トリス［１−チオフェン−２−イルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）
９．Ｉｒ（ｆｌｉｑ）_３；トリス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）イソキノリナト−（Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（ＩＩＩ））

発光層の厚さは、様々であり得る。一部の実施形態において、発光層は、約１ｎｍから約１５０ｎｍまたは約２００ｎｍの範囲の厚さを有し得る。

正孔輸送層は、少なくとも１つの正孔輸送材料を含有し得る。正孔輸送材料の例としては、次のものをあげることができる：芳香族置換アミン、カルバゾール、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、たとえば、ポリ（９−ビニルカルバゾール）；ポリフルオレン；ポリフルオレンコポリマー；ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−ａｌｔ−ベンゾチアジアゾール）；ポリ（パラフェニレン）；ポリ［２−（５−シアノ−５−メチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン］；ベンジジン；フェニレンジアミン；フタロシアニン金属錯体；ポリアセチレン；ポリチオフェン；トリフェニルアミン；銅フタロシアニン；１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）シクロヘキサン；２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン；３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル［１，２，４］トリアゾール；３，４，５−トリフェニル−１，２，３−トリアゾール；４，４’，４’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）；４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）；４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）；４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）；１，３−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾール−ベンゼン（ｍＣＰ）；ビス［４−（ｐ，ｐ’−ジトリル−アミノ）フェニル］ジフェニルシラン（ＤＴＡＳｉ）；２，２’−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１’−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）；Ｎ，Ｎ’Ｎ’’−１，３，５−トリカルバゾリルベンゼン（ｔｒｉｃａｒｂａｚｏｌｏｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）（ｔＣＰ）；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン；これらの組み合わせ；または正孔輸送材料として有用であることが当該技術分野において公知の任意の他の材料。

電子輸送層は、少なくとも１つの電子輸送材料を含有し得る。電子輸送材料の例としては、次のものをあげることができる：２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）；１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ｔ−ブチル−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＯＸＤ−７）、１，３−ビス［２−（２，２’−ピピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン；３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）；２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（バトクプロインまたはＢＣＰ）；アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノラート）（Ａｌｑ３）；および１，３，５−トリス（２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾリル）ベンゼン；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）；３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（バトクプロインまたはＢＣＰ）；および１，３，５−トリス［２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−ｚ−イル］ベンゼン（ＴＰＢＩ）。一部の実施形態において、前記電子輸送層は、アルミニウムキノラート（Ａｌｑ_３）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、フェナントロリン、キノキサリン、１，３，５−トリス［Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−ｚ−イル］ベンゼン（ＴＰＢＩ）、これらの誘導体もしくは組み合わせ、または電子輸送材料として有用であることが当該技術分野において公知の任意の他の材料であり得る。

正孔注入層は、電子を注入することができる任意の材料を含み得る。正孔注入材料の一部の例としては、次のものから選択される、場合により置換されている化合物をあげることができる：ポリチオフェン誘導体、たとえば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ベンジジン誘導体、たとえば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン）、トリフェニルアミンもしくはフェニレンジアミン誘導体、たとえば、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−１，４−フェニレンジアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（ナフチレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、オキサジアゾール誘導体、たとえば、１，３−ビス（５−（４−ジフェニルアミノ）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）ベンゼン、ポリアセチレン誘導体、たとえば、ポリ（１，２−ビス−ベンジルチオ−アセチレン）、フタロシアニン金属錯体誘導体、たとえば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、これらの組み合わせ、または正孔注入材料として有用であることが当該技術分野において公知の任意の他の材料。一部の実施形態において、正孔注入材料は、依然として正孔を輸送できるが、従来の正孔輸送材料の正孔移動度より実質的に低い正孔移動度を有することがある。

様々な方法を用いて多孔質膜層を発光装置に設けることができる。図６１は、用いることができる方法の例を図示するものである。第１工程５９１０は、透明基板上に多孔質膜の材料を堆積させることを含む。次に、その透明基板上に堆積された材料に対する自由選択の加熱工程５９３０を行って、多孔質膜を生じさせることができる。次に、工程５９５０において結合媒体を使用してその基板にＯＬＥＤを結合する。

結合媒体は、ガラス基板に類似した屈折率を有する、およびガラス基板をＯＬＥＤに接着などにより貼着させることができる、任意の材料であってよい。例としては、屈折率整合油または両面粘着テープをあげることができる。一部の実施形態において、ガラス基板は、約１．５の屈折率を有することがあり、および結合媒体は、約１．４の屈折率を有することがある。これにより、光損失なく、光がガラス基板および結合媒体を通って来ることが可能になり得る。

一部の実施形態では、前記多孔質膜の材料をＯＬＥＤ上に直接堆積させることができる。その堆積された材料に対する自由選択の加熱工程を行って多孔質膜を生じさせることもできる。

一部の実施形態において、その加熱温度は、許容され得ない程の悪影響をＯＬＥＤに及ぼさない、十分に低いものであり得る。前記多孔質膜の材料が化合物−１を含む一定の実施形態では、アニール（すなわち、加熱工程）が必要ないこともある。

発光装置は、環境損傷、たとえば、湿気、機械的変形などに起因する損傷、から多孔質膜要素を保護するための封止層または保護層をさらに含むことがある。たとえば、多孔質膜と環境の間に保護バリアを設けるように保護層を設置することができる。

多孔質膜を封止または保護するための多くの方法があるが、図６２Ａは、封止された装置の構造の概略図であり、図６２Ｂは、その装置を調製するために用いることができる１つの方法を示す。この方法の場合、工程６２００は、透明基板５５７０上に多孔質膜５４３０を配置することを含み、工程６２０１は、透明シート６２１０を多孔質膜５４３０の上方に貼着する貼着することを含む。透明シート６２１０を多孔質膜５４３０の上方に配置したら、工程６２０２に示すように透明シート６２１０および透明基板５５７０の縁部をシール材６２２０によって互いにシールすることができる。シール材６２２０は、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ、または別の架橋性材料であり得る。場合により、透明シート６２１０と多孔質材料５４３０の間に間隙６２８０が存在することがある。保護層６２５０および透明基板５５７０の縁部をシールせずに、保護層（すなわち、透明シート）で多孔質膜５４３０をコーティングすることもできる。次に、工程６２０５では、その封止された多孔質膜を結合媒体５９６０によってＯＬＥＤ５４１０に結合させることができる。必要に応じて、追加の層を前記発光装置に含めることができる。これらの追加の層としては、電子注入層（ＥＩＬ）、正孔ブロック層（ＨＢＬ）、および／または励起子ブロック層（ＥＢＬ）をあげることができる。

存在する場合、電子注入層は、発光装置内の様々な位置、たとえば、陰極層と光出射層の間の任意の位置にあり得る。一部の実施形態において、電子注入材料（単数または複数）の最低空軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルは、光出射層からの電子の受け取りを防止するほど高い。他の実施形態において、電子注入材料（単数または複数）のＬＵＭＯと陰極層の仕事関数の間のエネルギー差は、電子注入層による陰極から発光層への電子の効率的注入を可能にするほど小さい。多数の好適な電子注入材料が当業者に公知である。好適な電子注入材料の例としては、次のものから選択される、場合によっては置換されている化合物を挙ることができるが、それらに限定されない：ＬｉＦ、ＣｓＦ、上記の電子輸送材料にドープされたＣｓ、またはそれらの誘導体もしくは組み合わせ。

存在する場合、正孔ブロック層は、発光装置内の様々な位置、たとえば、陰極と発光層の間の任意の位置にあり得る。正孔ブロック層に含めることができる様々な好適な正孔ブロック材料が当業者に公知である。好適な正孔ブロック材料（単数または複数）としては、次のものから選択される、場合によっては置換されている化合物があげられるが、それらに限定されない：バトクプロイン（ＢＣＰ）、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾール、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル−［１，２，４］トリアゾール、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）−シクロヘキサンなど、およびこれらの組み合わせ。

存在する場合、励起子ブロック層は、発光装置内の様々な位置、たとえば、発光層と陽極の間の任意の位置にあり得る。一部実施形態において、励起子ブロック層を構成する材料（単数または複数）のバンドギャップエネルギーは、励起子の拡散を実質的に防止するほど大きいだろう。励起子ブロック層に含めることができる多数の好適な励起子ブロック材料が当業者に公知である。励起子ブロック層を構成することができる材料（単数または複数）の例としては、次のものから選択される、場合によっては置換されている化合物があげられる：アルミニウムキノラート（Ａｌｑ_３）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）およびバトクプロイン（ＢＣＰ）、ならびに励起子の拡散を実質的に防止するのに十分な大きさのバンドギャップを有する他の材料（単数または複数）。

５−ブロモニコチノイルクロリド：
塩化チオニル（２５ｍＬ）中の５−ブロモニコチン酸（１０ｇ）の混合物に無水ＤＭＦ（０．５ｍＬ）を添加した。全体を一晩、還流させた。室温（ＲＴ）に冷却した後、過剰な塩化チオニルを減圧下で除去した。白色固体（１１ｇ）を得、それをさらに精製せずに次の工程に用いた。

５−ブロモ−Ｎ−（２−ブロモフェニル）ニコチンアミド：
無水ジクロロメタン（１００ｍＬ）中の５−ブロモニコチノイルクロリド（７．５ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（５．８６ｇ、３３ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（１４ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）の混合物をアルゴン下で一晩撹拌した。得られた混合物を水で処理し、ジクロロメタン（２００ｍＬｘ２）で抽出した。有機相を回収し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させた。有機相を１５０ｍＬに濃縮した後、白色結晶質固体を破壊した。濾過およびヘキサンによる洗浄によって白色固体（１０．０ｇ、収率８５％）を得た。

２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
無水１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）中の５−ブロモ−Ｎ−（２−ブロモフェニル）ニコチンアミド（３．４４ｇ、９．７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．１０６ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（３．９１ｇ、１２ｍｍｏｌ）および１，１０−フェナントロリン（０．２０ｇ、１．１２ｍｍｏｌ）の混合物を１００℃で一晩加熱した。ＲＴに冷却した後、その混合物を酢酸エチル（２００ｍＬ）に注入し、その後、水で洗浄した。水性相を酢酸エチル（２００ｍＬｘ２）で抽出し、有機相を回収し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、フラッシュクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル ３：１）によって精製して、薄黄色固体（２．０ｇ、収率７５％）を得た。

化合物−１：
ＤＭＳＯ中の２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（５５０ｍｇ、２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（６００ｍｇ、６．１ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２５４ｍｇ、１ｍｍｏｌ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（７３ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、アルゴン雰囲気下で一晩、９０℃で加熱した。冷却後、全体を水に注入し、濾過により固体を得、それをイソプロパノール、塩化メチレンで洗浄した。白色固体を生成物である化合物−１として得た（２５０ｍｇ、収率６４％）。

２−（３−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
無水１，４−ジオキサン（１１０ｍＬ）中の３−ブロモベンゾイルクロリド（１０．０ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（７．９１ｇ、４６ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（３０ｇ、９２ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．４３７ｇ、２．３ｍｍｏｌ）および１，１０−フェナントロリン（０．８２９ｇ、４．６ｍｍｏｌ）の混合物を１２０℃で８時間加熱した。ＲＴに冷却した後、その混合物を酢酸エチル（３００ｍＬ）に注入し、水（２５０ｍＬ）で処理した。その水溶液をジクロロメタン（３００ｍＬ）で抽出した。有機相を回収し、併せ、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させた。ショートシリカゲルカラム（ヘキサン／酢酸エチル ３：１）による精製によって固体を得、それをヘキサンで洗浄して、薄黄色固体（９．５４ｇ、収率７６％）を得た。

２−（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
無水１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）中の２−（３−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（２．４ｇ、８．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２．２９ｇ、９．０ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．２７ｇ、０．３７ｍｍｏｌ）および酢酸カリウム（２．０ｇ、９．０ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、その後、８０℃で一晩加熱した。ＲＴに冷却した後、その混合物を酢酸エチル（１００ｍＬ）に注入した。濾過後、その溶液をシリカゲルに吸着させ、フラッシュクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ４：１）によって精製して、白色固体（収率７５％で、２．１ｇ）を得た。

化合物−２：
ジオキサン／水（４０ｍＬ／８ｍＬ）中の３，５−ジブロモピリジン（０．３８ｇ、１．６ｍｍｏｌ）、２−（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（１．０４ｇ、３．１ｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．２０ｇ、０．１７ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（０．９６ｇ、７．０ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、９０℃で一晩、アルゴン下で加熱した。ＲＴに冷却した後、沈殿を濾過し、メタノールで洗浄して、白色固体（収率９５％で、０．７３ｇ）を得た。

１，３−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼン：
１，３−ジブロモベンゼン（２．５ｇ、１０．６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（６．０ｇ、２３．５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）_２Ｃｌ_２（．９ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、および酢酸カリウム（７．１ｇ、７２．１ｍｍｏｌ）を５０ｍＬの１，４−ジオキサンに溶解した。その反応混合物をアルゴンで脱気し、その後、アルゴン下で１８時間、８５℃に加熱した。反応混合物を濾過し、酢酸エチルでの抽出を行った。有機相を水およびブラインで洗浄した。抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、濃縮した。１：９ 酢酸エチル：ヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲルカラムにより、その得られた残留物を精製した。溶剤を除去し、その生成物をジクロロメタン／メタノールから再結晶させて、生成物をオフホワイト固体として得た（３．００８ｇ、収率８６％）。

５−ブロモニコチノイルクロリド：
塩化チオニル（２５ｍＬ）中の５−ブロモニコチン酸（１０ｇ）の混合物に無水ＤＭＦ（０．５ｍＬ）を添加した。全体を、一晩、加熱して還流させた。ＲＴに冷却した後、過剰な塩化チオニルを減圧下で除去した。白色固体（１１ｇ）を得、それをさらに精製せずに次の工程に用いた。

５−ブロモ−Ｎ−（２−ブロモフェニル）ニコチンアミド：
無水ジクロロメタン（１００ｍＬ）中の５−ブロモニコチノイルクロリド（７．５ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（５．８６ｇ、３３ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（１４ｍＬ、１００ｍｍｏｌ）の混合物をアルゴン下で一晩撹拌した。得られた混合物を水で処理し、ジクロロメタン（２００ｍＬ×２）で抽出した。有機相を回収し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させた。１５０ｍＬに濃縮した後、白色結晶質固体を破壊した。濾過およびヘキサンによる洗浄によって白色固体（１０．０ｇ、収率８５％）を得た。

２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
無水１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）中の５−ブロモ−Ｎ−（２−ブロモフェニル）ニコチンアミド（３．４４ｇ、９．７ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．１０６ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（３．９１ｇ、１２ｍｍｏｌ）および１，１０−フェナントロリン（０．２０ｇ、１．１２ｍｍｏｌ）の混合物を１００℃で一晩加熱した。ＲＴに冷却した後、その混合物を酢酸エチル（２００ｍＬ）に注入し、その後、水で洗浄した。水性相を酢酸エチル（２００ｍＬ×２）で抽出し、有機相を回収し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、フラッシュクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル ３：１）によって精製して、薄黄色固体（２．０ｇ、収率７５％）を得た。

化合物−３：
ジオキサン／水（３０ｍＬ／６ｍＬ）中の１，３−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼン（０．６３ｇ、１．９２ｍｍｏｌ）、２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（１．０５ｇ、３．８３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．２１９ｇ、０．１９ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（１．１ｇ、８ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、８５℃で一晩、アルゴン下で加熱した。ＲＴに冷却した後、沈殿を濾過し、メタノール（３００ｍＬ×３）で洗浄し、真空下で乾燥させて、白色固体（０．８８ｇ、収率９８％）を得た。

２−（４−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（Ｘ１）：
無水１，４−ジオキサン（８０ｍＬ）中の４−ブロモベンゾイルクロリド（４．８４ｇ、２２ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（３．８ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．２１ｇ、１．１ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（１４．３ｇ、４４ｍｍｏｌ）および１，１０−フェナントロリン（０．３９８ｇ、２．２ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、アルゴン下で一晩、約１２５℃で加熱した。その混合物を冷却し、酢酸エチル（〜２００ｍＬ）に注入し、濾過した。濾液をシリカゲルに吸着させ、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ４：１）によって精製し、ヘキサンにより沈殿させて、白色固体（収率８７％で、５．２ｇ）を得た。

２−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（Ｘ２）：
無水１，４−ジオキサン（８０ｍＬ）中のＸ１（４．４５ｇ、１６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボラン（４．０９ｇ、１６．１ｍｍｏｌ）、無水酢酸カリウム（３．１４ｇ、３２ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（０．４８ｇ、０．６６ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、約８５℃で約４８時間、アルゴン下で加熱した。ＲＴに冷却した後、その混合物を酢酸エチル（〜２００ｍＬ）に注入し、濾過した。濾液をシリカゲルに吸着させ、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル ４：１）によって精製して、白色固体（収率８１％で、４．１５ｇ）を得た。

４’−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルビフェニル−４−アミン（２２）：
ジ−ｐ−トリルアミン（６．０ｇ、３０．４ｍｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル（２３．７ｇ、７６．０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（７．２６ｇ、９１．２ｍｍｏｌ）および［１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２）（６６６ｍｇ、０．９１２ｍｍｏｌ、３ｍｏｌ％）を無水トルエン（約２５０ｍＬ）に添加し、アルゴン中で３０分間脱気した。得られた混合物を約８０℃で約６時間加熱し、その後、ＴＬＣ分析は、ジ−ｐ−トリルアミンの大部分が消費されたことを示した。ＲＴに冷却した後、その混合物を重炭酸ナトリウム飽和水溶液に注入し、酢酸エチルで２回洗浄した。有機層をプールし、水およびブラインで洗浄し、その後、ＭｇＳＯ_４で乾燥させた。濾過後、その抽出液をロータリーエバポレータで濃縮乾固させ、その後、シリカゲルに負荷した。フラッシュカラム（１００％ヘキサンからヘキサン中１％塩化メチレンへの勾配）により、結果として、ＣＤＣｌ_３中での^１Ｈ ＮＭＲによって確認して９．４ｇ（７２％）の白色固体を得た。

化合物−４：
ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ（１０ｍＬ／６ｍＬ）中のＸ２（０．６６ｇ、２．０５ｍｍｏｌ）、化合物２２（０．８０ｇ、１．８７ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（０．７０８ｇ、６．６８ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．０６５ｇ、５６．１ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、８０℃で一晩、アルゴン雰囲気下で加熱した。冷却後、混合物をジクロロメタン（１００ｍＬ）に注入し、水（２ｘ２００ｍＬ）およびブライン（１００ｍＬ）で洗浄した。有機相を回収し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、その後、フラッシュクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル ４０：１から９：１）によって精製して、固体（収率９３％で、０．９３６ｇ）を得た。

４’−ブロモ−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン（Ｘ３）：
ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ（２８ｍＬ／１７ｍＬ）中の（４−（ジフェニルアミノ）フェニル）ボロン酸（１．５ｇ、５．１９ｍｍｏｌ）、４−ヨード−１−ブロモベンゼン（１．３３ｇ、４．７１ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（１．７８ｇ、１６．８ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．１６３ｇ、０．１４１ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、一晩、アルゴン雰囲気下で還流させながら加熱した。冷却後、混合物をジクロロメタン（１５０ｍＬ）に注入し、その後、水（２ｘ１５０ｍＬ）およびブライン（１００ｍＬ）で洗浄した。有機相をＮａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、フラッシュカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル ５０：１）で精製し、その後、ジクロロメタン／メタノール中で再結晶させて、白色固体（収率８７％で、１．６４ｇ）を得た。

化合物−５：
ＴＨＦ／Ｈ_２Ｏ（２１ｍＬ／１２．５ｍＬ）中のＸ３（１．４０ｇ、３．５ｍｍｏｌ）、化合物１０（１．５２ｇ、３．８５ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（１．３２ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（１２１ｍｇ、０．１０５ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、一晩、アルゴン雰囲気下で還流させながら加熱した。ＲＴに冷却した後、混合物をジクロロメタン（１５０ｍＬ）に注入し、その後、水（１５０ｍＬ）およびブライン（１５０ｍＬ）で洗浄した。有機相をＮａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、シリカゲルに吸着させ、フラッシュカラムクロマトグラフィー（溶離剤として、ヘキサン／酢酸エチル ５：１から２：１、その後、ジクロロメタン）を用いて精製した。生成物を回収し、アセトン／ヘキサンから再結晶させて、固体（１．６９ｇ）を得た。それをジクロロメタン／酢酸エチル中で再び再結晶させて、固体（１．４ｇ、収率６８％）を得た。

４−（５−ブロモピリジン−２−イル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（１）。
４−（ジフェニルアミノ）フェニルボロン酸（７．００ｇ、２４．２ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−ヨードピリジン（７．５６ｇ、２６．６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．４０ｇ、１．２１ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（９．１８ｇ、８６．６ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（８４ｍＬ）およびＴＨＦ（１４０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら１．５時間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、８０℃で１９時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、１９：１ ヘキサン−ＥｔＯＡｃ）により出発原料の消費を確認し次第、その反応物をＲＴに冷却し、ＥｔＯＡｃ（５００ｍＬ）上に注いだ。その後、有機部分を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。その粗製生成物をフラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、２：１ ヘキサン−ジクロロメタン）によって精製して、化合物１（９．５４ｇ、９８％）を薄黄色の結晶質固体として得た。

Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４−（５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン−２−イル）アニリン（２）。
１（６．００ｇ、１５．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（４．１８ｇ、１６．４ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（０．６５６ｇ、０．８９７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４．４０ｇ、４４．９ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（９０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら５０分間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、８０℃で６７時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、４：１ ヘキサン−アセトン）により出発原料の消費を確認し次第、その反応物をＲＴに冷却し、濾過し、大量にＥｔＯＡｃ（約２００ｍＬ）を用いて濾過物（ｆｉｌｔｒａｎｔ）を洗浄した。その後、有機部分を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏ、飽和ＮＨ_４Ｃｌおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。その後、その粗製物をヘキサン（約３００ｍＬ）に溶かし、不溶物を濾過して除去し、濾液を濃縮して、２（６．３４ｇ、９５％）を黄色フォームとして得、それをさらに精製せずに先の工程に持って行った。

２−（５−ブロモピリジン−２−イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（９）。
２−アミノチオフェノール（５．０１ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−ホルミルピリジン（７．４４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）およびエタノール（４０ｍＬ）の混合物を、大気に開放したまま３日間、加熱して還流させた（１００℃）。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、２９：１ ヘキサン−アセトン）により出発原料の消費を確認し次第、その反応物をＲＴに冷却し、得られた混合物を濾過し、大量にエタノールを用いて濾過物を洗浄して、９（５．６２ｇ、４８％）をオフホワイト固体として得た。

４−（６’−ベンゾ［ｄ］チアゾール−２−イル）−３，３’−ビピリジン−６−イル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（化合物−６）。
９（３．０５ｇ、７．５９ｍｍｏｌ）、２（３．４０ｇ、７．５９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．４３８ｇ、０．３７９ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（７．４２ｇ、７０．０ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（７０ｍＬ）およびＴＨＦ（１１５ｍＬ）の混合物を撹拌しながら１．２５時間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、８０℃で６５時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、ＣＨ_２Ｃｌ_２）により出発原料の消費を確認し次第、その反応物をＲＴに冷却し、ＣＨ_２Ｃｌ_２（４００ｍＬ）上に注いだ。その後、有機部分を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１００％ＣＨ_２Ｃｌ_２から４９：１ ＣＨ_２Ｃｌ_２−アセトン）によるその粗製生成物の精製により、化合物−６（３．９８ｇ、８２％）を黄色固体として得た。

９−（４−ブロモフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（４）。
カルバゾール（６．３０ｇ、３７．７ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン（１５．９９ｇ、５６．５２ｍｍｏｌ）、銅粉（４．７９ｇ、７５．４ｍｍｏｌ）、Ｋ_２ＣＯ_３（２０．８３ｇ、１５０．７ｍｍｏｌ）および無水ＤＭＦ（１００ｍＬ）の混合物を撹拌しながら１時間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、１３０℃で４２時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、４：１ ヘキサン−ジクロロメタン）によって出発原料の消費を確認し次第、その混合物をＲＴに冷却し、濾過し、大量にＥｔＯＡｃ（約２００ｍＬ）を用いてその濾過物を洗浄し、得られた濾液を真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、ヘキサン）によるその粗製生成物の精製により、４（１１．７ｇ、９６％）を淡黄色固体として得た。

９−（４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（５）。
４（１１．６４ｇ、３６．１２ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１９．２６ｇ、７５．８５ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（１．５９ｇ、２．１７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１０．６４ｇ、１０８．４ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（２００ｍＬ）の混合物を撹拌しながら２時間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、８０℃で６７時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、ヘキサン）により出発原料の消費を確認し次第、その混合物をＲＴに冷却し、シリカゲルショートプラグに通して濾過し、大量にＥｔＯＡｃ（約４００ｍＬ）を用いて濾過物を洗浄した。その後、有機部分を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏ、およびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、７：３から１：１ ヘキサン−ジクロロメタン）によるその粗製生成物の精製により、５（１０．８ｇ、８１％）を無色固体として得た。

９−（４−（５−ブロモピリジン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（６）。
１についての手順に従って、５（４．８４ｇ、１３．１ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−ヨードピリジン（３．７２ｇ、１３．１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７５７ｇ、０．６５５ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（４．９７ｇ、４６．９ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（４５ｍＬ）およびＴＨＦ（７５ｍＬ）により、フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１：１ ヘキサン−ジクロロメタン）およびその後のＥｔＯＡｃでの倍散の後、６（４．７３ｇ、９０％）を無色固体として得た。

９−（４−（５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン−２−イル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（７）。
２についての手順に従って、６（６．２２ｇ、１５．６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（４．３５ｇ、１７．１ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（０．６８４ｇ、０．９３５ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４．５９、４６．７ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（９３ｍＬ）により、７（６．５５ｇ、９４％）を茶色がかった灰色の固体として得た。

２−（６’−（４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−３，３’−ビピリジン−６−イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（化合物−７）。
７（０．８４１ｇ、１．８９ｍｍｏｌ）、９（０．５４９ｇ、１．８９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０９ｍｇ、９４．２μｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（１．５９ｇ、１５．０ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（１５ｍＬ）およびＴＨＦ（２５ｍＬ）の混合物を撹拌しながら２０分間、アルゴンで脱気した。その後、その撹拌反応混合物をアルゴン下、８０℃で１８時間維持した。ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、ＣＨ_２Ｃｌ_２）により出発原料の消費を確認し次第、その混合物をＲＴに冷却し、ＣＨＣｌ_３（３００ｍＬ）上に注いだ。その後、有機部分を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏ、およびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１００％ＣＨ_２Ｃｌ_２から４９：１ ＣＨ_２Ｃｌ_２−アセトン）によるその粗製生成物の精製により、化合物−７（０．７２ｇ、７２％）を薄黄色固体として得た。

２−（６’−（４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）−３，３’−ビピリジン−６−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（化合物−８）。
化合物−７についての手順に従って、７（０．８６８ｇ、１．９５ｍｍｏｌ）、１０（０．５３５ｇ、１．９５ｍｍｏｌ）（これは、９についての手順と同じ手順に従って作製する）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１１２ｍｇ、９７．２μｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（１．５９ｇ、１５．０ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（１５ｍＬ）およびＴＨＦ（２５ｍＬ）の混合物により、フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１００％ ＣＨ_２Ｃｌ_２から１９：１ ＣＨ_２Ｃｌ_２−アセトン）後、化合物−８（０．８１ｇ、８１％）を白色固体として得た。

２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（Ｘ４）：
２−アミノチオフェノール（５００ｍｇ、３．９９ｍｍｏｌ）と５−ブロモ−３−ピリジンカルボキシアルデヒド（７４３ｍｇ、３．９９ｍｍｏｌ）の混合物にエタノール（１０ｍＬ）を添加した。その後、その混合物を一晩、周囲空気下で加熱して還流させた（１００℃）。冷却後、混合物を真空下で乾燥させ、その後、塩化メチレン（１００ｍＬ）に再溶解した。溶液を水（１００ｍＬ）およびブライン（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。その粗製材料をシリカのプラグ（ヘキサン中の１６％酢酸エチル）に通し、メタノールから沈殿させて、５６４ｍｇの材料を収率４９％で得た。

２，２’−（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン）（Ｘ５）：
１，３−ジブロモ−５−メチルベンゼン（５．０ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１１．３ｇ、４４．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２（１．６ｇ、２．２ｍｍｏｌ）、および酢酸カリウム（１３．３ｇ、１３６．０ｍｍｏｌ）を７５ｍＬの１，４−ジオキサンに溶解した。その反応混合物をアルゴンで脱気し、その後、アルゴン下で１８時間、８５℃に加熱した。反応混合物を濾過し、酢酸エチルでの抽出を行った。有機相を水およびブラインで洗浄し、その後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、濃縮した。１：４ 酢酸エチル：ヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲルカラムにより、その得られた残留物を精製して、生成物をオフホワイト固体として得た（０．３９９ｇ、収率５８％）。

化合物−９：
ＴＨＦ／水（３０ｍＬ／１７ｍＬ）中の２，２’−（５−メチル−１，３−フェニレン）ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン）（０．７４７ｇ、２．１７ｍｍｏｌ）、２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］チアゾール（１．３９ｇ、４．７７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．１６５ｇ、０．１４３ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム（１．８１ｇ、１７．０ｍｍｏｌ）の混合物を脱気し、一晩、アルゴン下で還流させながら加熱した（８５℃）。ＲＴに冷却した後、その混合物を濾過し、固体を水、メタノールおよびＴＨＦで洗浄した。固体を回収し、濾液を水（１５０ｍＬ）に添加し、ジクロロメタン（１５０ｍＬ×２）で抽出した。その有機溶液をＮａ_２ＳＯ_４で乾燥させ、シリカゲルに負荷し、ヘキサン／アセトン（４：１から３：１）を使用してフラッシュカラムにより精製した。所望の画分を回収し、第１濾過からの固体と併せた。その固体を熱ジクロロメタンで洗浄し、濾過し、メタノールで洗浄して、０．９１ｇの生成物を収率８２％で得た。

化合物−１０ ３，５−ジ（［１，１’−ビフェニル］−３−イル）ピリジン：
３，５−ジブロモピリジン（１．２３５ｇ、５．２１５ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビフェニル］−３−イルボロン酸（２．１６９ｇ、１０．９５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．３６２ｇ、０．３１３ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（２．５４４ｇ、２４．００ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（２４ｍＬ）およびＴＨＦ（４０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら４３分間、アルゴンで脱気した。その後、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、７：３ ヘキサン−酢酸エチル）により出発原料の消費が確認されるまで（４日間）、撹拌しながらその反応混合物をアルゴン下、８０℃で維持した。完了したら、反応物をＲＴに冷却し、ジクロロメタン（約２５０ｍＬ）上に注いだ。その後、有機部分をＨ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１００％ジクロロメタン）によるその粗製生成物の精製によって、化合物−１０（１．３８ｇ、６９％）をオフホワイト固体として得た。

２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
５−ブロモニコチノイルクロリド（１３．４６ｇ、６１．０４ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（１０．００ｇ、５８．１３ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（３７．８８ｇ、１１６．３ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．５５４ｇ、２．９０７ｍｍｏｌ）、１，１０−フェナントロリン（１．０４８ｇ、５．８１３ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（１１０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら１時間、アルゴンで脱気した。その後、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、１：１ ヘキサン−ジクロロメタン）により出発原料の消費が確認されるまで（４８時間）、撹拌しながらその反応混合物をアルゴン下、１２０℃で維持した。ＲＴに冷却し次第、ジクロロメタン（約２００ｍＬ）をその反応物に添加し、その混合物を濾過し、大量にジクロロメタン（約２００ｍＬ）および酢酸エチル（約２００ｍＬ）を用いてその濾過物を洗浄し、濾液を真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１００％ジクロロメタンから２９：１−ジクロロメタン：アセトン）によるその粗製生成物の精製によって、２−（５−（ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（７．３２ｇ、４６％）を薄褐色結晶質固体として得た。

２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（７．１１９ｇ、２５．８８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（７．２２９ｇ、２８．４７ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（０．９４７ｇ、１．２９４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（７．６１９ｇ、７７．６３ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（１５０ｍＬ）の混合物を、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、９：１ ジクロロメタン：アセトン）により出発原料の消費が確認されるまで（３日間）、撹拌しながらアルゴン下、１００℃で維持した。ＲＴに冷却し次第、ジクロロメタン（約３００ｍＬ）をその反応物に添加し、その混合物を濾過し、濾過物をジクロロメタン（約１００ｍＬ）で洗浄した。その後、濾液（ｆｉｌｔｒａｔｅ）を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。その粗生成物を熱ヘキサンからの濾過によって精製し、得られた濾液を濃縮して、再結晶により、２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（６．４２３ｇ、７７％）をオレンジ色がかった褐色の固体として得た。

５，５”−ビス（ベンゾ［ｄ］オキサゾール−２−イル）−３，３’：５’，３”−テルピリジン（化合物１１）：
２−（５−ブロモピリジン−３−イル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（２．０００ｇ、６．２０８ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモピリジン（０．７００３ｇ、２．９５６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．２０５ｇ、０．１７７ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（３．１８ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（１５ｍＬ）およびＴＨＦ（２５ｍＬ）の混合物を撹拌しながら２７分間、アルゴンで脱気した。その後、その反応混合物をアルゴン下、８５℃で１６時間維持した。ＲＴに冷却し次第、反応混合物を濾過し、大量にＨ_２Ｏおよびメタノールを用いてその濾過物を洗浄して、化合物−１１（１．３６ｇ、９９％）をオフホワイト固体として得た。

２−（３−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
３−ブロモベンゾイルクロリド（６．００５ｇ、２７．３６ｍｍｏｌ）、２−ブロモアニリン（４．７０７ｇ、２７．３６ｍｍｏｌ）、Ｃｓ_２ＣＯ_３（１７．８３ｇ、５４．７３ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．２６１ｇ、１．３７ｍｍｏｌ）、１，１０−フェナントロリン（０．４９３ｇ、２．７４ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら４０℃で３０分間、アルゴンで脱気した。その後、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、４：１ ヘキサン−酢酸エチル）により出発原料の消費が確認されるまで（２４時間）、撹拌しながらその反応混合物をアルゴン下、１２０℃で維持した。ＲＴに冷却し次第、その混合物を濾過し、大量に酢酸エチル（約３５０ｍＬ）を用いてその濾過物を洗浄した。その後、濾液を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、４：１−ヘキサン：酢酸エチル）によるその粗製生成物の精製によって、２−（３−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（７．５０ｇ、１００％）をオフホワイト固体として得た。

２−（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール：
２−（３−ブロモフェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（７．５００ｇ、２７．３６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（７．２９６ｇ、２８．７３ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（１．００１ｇ、１．３６８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（６．１７６ｇ、６２．９３ｍｍｏｌ）および無水１，４−ジオキサン（７１ｍＬ）の混合物を撹拌しながら４０℃で３７分間、アルゴンで脱気した。その後、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、２：１ ヘキサン−ジクロロメタン）により出発原料の消費が確認されるまで（２１時間）、撹拌しながらその反応混合物をアルゴン下、１００℃で維持した。ＲＴに冷却し次第、その混合物を濾過し、大量に酢酸エチル（約７００ｍＬ）を用いてその濾液を洗浄した。その後、濾液を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、９：１−ジクロロメタン：ヘキサンから１９：１−ジクロロメタン：アセトン）によるその粗生成物の精製によって、２−（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（６．７６ｇ、７７％）をオフホワイト固体として得た。

３，３”−ビス（ベンゾ［ｄ］オキサゾール−２−イル）−１，１’：３’，１”−テルフェニル（化合物１２）。
２−（３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］オキサゾール（２．２５ｇ、７．０１ｍｍｏｌ）、１，３−ジヨードベンゼン（１．１０１ｇ、３．３３７ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１９３ｇ、０．１６７ｍｍｏｌ）、Ｎａ_２ＣＯ_３（２．５５５ｇ、２４．１１ｍｍｏｌ）、Ｈ_２Ｏ（２４ｍＬ）およびＴＨＦ（４０ｍＬ）の混合物を撹拌しながら３３分間、アルゴンで脱気した。その後、ＴＬＣ（ＳｉＯ_２、９：１ ヘキサン−アセトン）により出発原料の消費が確認されるまで（２２時間）、撹拌しながらその反応混合物をアルゴン下、８０℃で維持した。完了したら、反応物をＲＴに冷却し、ジクロロメタン（約３５０ｍＬ）上に注いだ。その後、その得られた混合物を濾過し、濾液を飽和ＮａＨＣＯ_３、Ｈ_２Ｏおよびブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、濾過し、真空下で濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー（ＳｉＯ_２、１９：１−ジクロロメタン：ヘキサンから１００％ジクロロメタン）によるその粗製生成物の精製によって、化合物−１２（０．９８ｇ、６３％）を薄黄色固体として得た。

（装置実施例）
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ＳｏｕｒｃｅＭｅｔｅｒおよびＮｅｗｐｏｒｔ ２８３２−Ｃ電力計および８１８ＵＶ検出器を用いてＩ−Ｖ−Ｌ特性を調べた。

（対照実施例１）
（ＯＬＥＤ Ａ（装置Ａ）調製）
図６３に示す概略図に従って、ＯＬＥＤ Ａ ６４０１を調製した。ＯＬＥＤ Ａ ６４０１は、透明基板６４００上に配置された陽極６４１０、その上に配置された正孔注入層６４２０、その上に配置された正孔輸送層６４３０、その上に配置された発光層６４４０、その上に配置された電子輸送層６４５０、その上に配置された陰極６４６０を備えていた。

ＯＬＥＤ Ａなどの装置の層は、様々な材料を含有し得るが、ＯＬＥＤ Ａの場合、陰極６４６０は、ＬｉＦ／Ａｌであり、電子輸送層６４５０は、ＴＰＢＩであり、発光層６４４０は、エミッタとして約５％ＰＯ−０１、およびホストとして化合物−１０を含有し、正孔輸送層６４３０は、α−ＮＰＤであり、正孔注入層６４２０は、ＰＥＤＯＴであり、陽極６４１０は、ＩＴＯであり、ならびに透明基板６４００は、ガラスであった。

ＯＬＥＤ Ａを次の手順によって調製した。前もって清浄にしておいたＩＴＯ／ガラスの頂部にＰＥＤＯＴ正孔注入層をスピンコートし、その後、３０ｎｍの厚さのα−ＮＰＤ正孔輸送層を約１Å／秒の蒸着速度で真空蒸着させた。黄色エミッタＰＯ−０１とホストである化合物−１０のそれぞれ約０．０５および約１Å／秒の蒸着速度での共蒸着によって発光層を付加して、約３０ｎｍの厚さを有する発光層を形成した。ＴＰＢＩを約１Å／秒で約３０ｎｍの厚さに蒸着させた。ＬｉＦをＥＴＬの頂部に０．１Å／秒の蒸着速度で約１ｎｍの厚さに蒸着させ、続いてＡｌを２Å／秒の速度で約１００ｎｍの厚さに蒸着させた。このチャンバのベース真空は、約３ｘ１０^−７トルであった。

（比較例２）
図６４に示す概略図に従って、装置Ｂ ６５０１を調製した。５０ｎｍの厚さを有するα−ＮＰＤの層６５００をＯＬＥＤ Ａ６４０１の透明基板６４００の底面にコーティングした。このα−ＮＰＤ ６５００は、平滑な形態を特徴とした。

装置Ｂは、５０ｎｍの厚さのα−ＮＰＤ層をガラス基板の外面に約４ｘ１０^−７トルの真空下、約２Å／秒の蒸着速度で蒸着させたことを除き、装置Ａと同じ手順によって調製した。

図６５は、装置Ｂと比較した場合のＯＬＥＤ Ａについての輝度（Ｂ）の関数としての電力効率のプロットである。このプロットは、装置Ｂが、得られる輝度範囲に関してＯＬＥＤ Ａと比較して約２％の電力効率減少を有することを示す。したがって、平滑なα−ＮＰＤ層は、装置効率を向上させないようであった。

（比較例３）
図６６に示す概略図に従って、装置Ｃ ６７０１を調製した。約５０ｎｍの厚さを有する化合物−９の層６７００をＯＬＥＤ Ａ６４０１の透明基板６４００の底面にコーティングした。図６７に図示する化合物−９の層６７００は、高多孔質でない規則的ナノ構造を特徴とした。

装置Ｃは、６００ｎｍの厚さの化合物−９層をガラス基板の外面の頂部に約４ｘ１０^−７トルの真空下、約２Å／秒の蒸着速度で蒸着させたことを除き、装置Ａと同じ手順によって調製した。

図６８は、装置Ｃと比較した場合のＯＬＥＤ Ａについての輝度（Ｂ）の関数としての電力効率のプロットである。このプロットは、装置Ｃが、得られる輝度範囲に関してＯＬＥＤ Ａと同様の電力効率を有することを示す。したがって、化合物−９の規則正しいナノ構造は、装置効率を向上させないようであった。

（装置実施例１）
図６９に示す概略図に従って、装置Ｄ ７０００を調製した。３μｍの厚さを有する化合物−２の層７０１０をＯＬＥＤ Ａ ６４０１の透明基板６４００の底面にコーティングした。化合物−２の層７０１０のＳＥＭは、図５４に図示し、上で説明している。

装置Ｄは、６００ｎｍの厚さの化合物−２の層をガラス基板の外面に蒸着させたことを除き、装置Ａと同じ手順によって調製した。蒸着速度を記録する蒸着源付近に備え付けられた膜厚センサによって、その厚さを判定した。膜厚センサによって得られる厚さは、その膜が稠密であるという仮定に依存する。材料を、約４ｘ１０^−７トルの真空下で、稠密材料の約２Å／ｓに対応する速度で蒸着させた。ＳＥＭおよび厚さ測定値は、蒸着された化合物−２層が高多孔質であり、無孔質膜の厚さの約５倍である約３μｍの厚さを有することを示した。

図７０は、装置Ｄと比較した場合のＯＬＥＤ Ｄについての輝度（Ｂ）の関数としての電力効率のプロットである。全範囲にわたって、装置Ｄの効率は、ＯＬＥＤ Ａのほぼ２倍高かった。したがって、この実施例において、複数の不規則に配列されたナノ突起またはナノ粒子を含有する多孔質膜は、装置効率の相当な向上をもたらした。
装置実施例２

（装置実施例２）
化合物−２層の厚さを変えて、装置Ｄと同様の装置の電力効率を得た。図７１は、化合物−２層の一定範囲の厚さに対する１０００ｃｄ／ｍ２での電力効率のプロットである。図７１は、ＰＥ効率が、約３μｍ以上の厚さで約１．９４倍になることを示す。

多孔質膜による透明基板からの光抽出効率を以下の方法によって決定した。この実験の構成を図７２に図示する。

図７２の左側に示すように、ＯＬＥＤ装置Ａのガラス基板６４１０と光検出センサ６４０７（Ｓｉ光ダイオード）の表面の間に空気６４０５しかないＯＬＥＤ Ａ ６４０１の電力効率を得た。ＯＬＥＤの発光層から出射される一部の光は、ガラスの屈折率（ｎ＝１．５）と空気の屈折率（ｎ＝１）の不整合のため、ガラス基板内に閉じ込められて残存することとなる（ガラスモード）。

次に、透明基板の屈折率と同じである約１．５の屈折率を有する油６４０３にＯＬＥＤ Ａを浸漬した。油６４０３が装置６４０１と光検出センサ６４０７（Ｓｉ光ダイオード）の間の間隙を満たしたので、ガラスの中に閉じ込められたすべての光は、ガラス−油界面を通過した。したがって、Ｓｉ光ダイオード検出器は、理想的場合ではあろうが、１００％光抽出の光の量を受け取る。

図７３は、油に浸漬したＯＬＥＤ Ａの効率および浸漬なしに直接得た効率（参照）のプロットである。浸漬した装置の電力効率は、浸漬なしの装置の電力効率の約２倍（たとえば、１０００ｃｄ／ｍ^２で２．１８倍）である。浸漬した装置の電力効率のすべてが、透明基板からの１００％光抽出を表すと仮定すると、装置Ｄは、約８９％（たとえば、１．９４／２．１８＝０．８９）の光抽出効率を有する。

図７４は、点灯されたＯＬＥＤ Ａ（Ａ）および点灯された装置Ｄ（Ｂ）の写真である。

（装置実施例３）
化合物−３をガラス基板上に堆積させた。その基板上の膜の写真を図７５のスライド１として示す。この膜のＳＥＭを図７６に図示する。このＳＥＭの外観は、図５１のものに似ており、図５１に関して列挙した形状および寸法のすべてが図７６に当てはまり得る。この膜における粒子または突起の少なくとも一部は、約３００ｎｍのｘ方向寸法、約５０ｎｍのｙ方向寸法、および／または約５０ｎｍのｚ方向寸法を有し得る。

化合物−３もガラス基板上に堆積させ、その後、約２００℃で約５分間加熱した。この加熱した膜の写真を図７５のスライド２として示す。この膜のＳＥＭを図７７に図示する。このＳＥＭの外観は、図５２のものに似ており、図５１に関して列挙した形状および寸法のすべてが図７７に当てはまり得る。この膜における粒子または突起の少なくとも一部は、約８００ｎｍのｘ方向寸法、約３００ｎｍのｙ方向寸法、および／または約５０ｎｍのｚ方向寸法を有し得る。

また、化合物−３をガラス基板上に堆積させ、その後、約２００℃で約３０分間加熱した。この加熱した膜の写真を図７５のスライド５として示す。この膜のＳＥＭを図７８に図示する。このＳＥＭの外観は、図５３のものに似ており、図５３に関して列挙した形状および寸法のすべてが図７８に当てはまり得る。この膜における粒子または突起の少なくとも一部は、約９００ｎｍのｘ方向寸法、約３００ｎｍのｙ方向寸法、および／または約５０ｎｍのｚ方向寸法を有し得る。

また、化合物−３をガラス基板上に堆積させ、その後、約２４０℃で約５分間加熱した。この加熱した膜の写真を図７５のスライド６として示す。この膜のＳＥＭを図７９に図示する。このＳＥＭの外観は、図６のものに似ており、図６に関して列挙した形状および寸法のすべてが図７９に当てはまり得る。この膜における粒子または突起の少なくとも一部は、約２２００ｎｍのｘ方向寸法、約１２００ｎｍのｙ方向寸法、および／または約５０ｎｍのｚ方向寸法を有し得る。

また、化合物−３をガラス基板上に堆積させ、その後、約３００℃で約５分間加熱した。これは、膜の相当量を蒸発させたようである。この加熱した膜の写真を図７５のスライド７として示す。

上で説明したように調製した膜をＯＬＥＤ Ａの透明基板の外面上にコーティングし、図８０に示すようにその電力効率を輝度の関数として測定した。このプロットは、化合物−３の堆積および約２００から約２４０℃での約５から約３０分以上の間の加熱により、この装置の効率を実質的に向上させるような有意な多孔質膜効果を有する膜が得られることを示す。たとえば、２００℃で約３０分間の膜の加熱は、約２０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で電力効率を約１．８２倍向上させた。

（装置実施例４）
装置Ｄでの化合物−２の層と同じ方法により真空蒸着によって化合物−２をポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）可撓性基板上にコーティングして、約６ｕｍの厚さを有する層を形成した。このコーティングを有する基板を１１０℃で１時間加熱した。図８１は、このコーティングした可撓性基板の写真である。

そのコーティングした可撓性基板を、屈折率整合油を使用してＯＬＥＤ Ａに結合させて、装置Ｅを得た。図８２は、ＯＬＥＤ Ａと比較した場合の装置Ｅの輝度の関数としての電力効率のプロットである。多孔質膜を有する装置Ｅは、多孔質膜のないＯＬＥＤ Ａより有意に高い効率を有する。たとえば、装置Ｅの電力効率は、２０００ｃｄ／ｍ^２でＯＬＥＤ Ａより１．８倍大きい。

（装置実施例５）
（装置Ｆ）
図６２に関して説明したとおり。高散乱層（化合物層、３ｕｍ厚、１１０℃で１時間）を透明基板（ガラス）の頂部に蒸着させた。その後、結合媒体として屈折率整合油を使用して、この光散乱膜を装置Ａの底部に結合させて、装置Ｆを形成した。

（装置Ｇ）
封止層または保護層を次のように装置Ｆに付加させて装置Ｇを得た：エポキシ樹脂を光散乱層の縁部周囲に塗布し、それを硬化させることにより、透明基板と、別の透明カバーガラスである封止／保護層との間に間隙を造った。

図８３は、ＯＬＥＤ Ａ、装置Ｆおよび装置Ｇについての輝度の関数としての電力効率のプロットである。このプロットは、封止された装置（装置Ｇ）が、封止されていない装置（装置Ｆ）と同様の光取り出し効率を示すことを示す。

本請求項を一定の好ましい実施形態および実施例に関連して説明したが、本請求項の範囲が、具体的に開示した実施形態を超えて、他の代替実施形態および／または使用ならびに明白な変形およびそれらの等価物にわたることは、当業者には理解されるであろう。

Claims (26)

1. 発光装置であって、
   陽極または陰極の上方に配置された多孔質膜を含有し；
   陽極と陰極の間に配置された発光層を有し、；
   該多孔質膜が、該陽極の屈折率および該陰極の屈折率より低い屈折率を有し；
   前記多孔質膜が、
   

   

   
   からなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含有する、発光装置。
2. 前記多孔質膜が、前記陽極または前記陰極上に配置されている、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記多孔質膜と前記陽極の間にまたは前記多孔質膜と前記陰極の間に透明層をさらに含有する、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記透明層の屈折率が、前記多孔質膜の屈折率より高い、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記多孔質膜が、
   

   

   
   を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記多孔質膜が、
   

   

   
   を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 多孔質膜を含有する発光装置であって、
   該多孔質膜が、
   該発光装置内の部分内部反射層との第１の界面（この場合、該部分内部反射層の屈折率は、該多孔質膜の屈折率より高い）と、
   該多孔質膜の屈折率より低い屈折率を有する物質との第２の界面とを含有し；および
   該第２の界面が、複数の不規則に配列されたナノ突起またはナノ粒子を含有する、発光装置。
8. 前記ナノ突起またはナノ粒子が、４００ｎｍから３０００ｎｍの範囲の平均ｘ方向寸法を有する、請求項７に記載の発光装置。
9. 前記ナノ突起またはナノ粒子が、１０ｎｍから１００ｎｍの範囲の平均ｚ方向寸法を有する、請求項７または８に記載の発光装置。
10. 前記ナノ突起またはナノ粒子が、１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲の平均ｙ方向寸法を有する、請求項９に記載の発光装置。
11. 前記ナノ突起またはナノ粒子が、ナノフレークを含む、請求項７に記載の発光装置。
12. 前記多孔質膜が、０．１μｍから１０μｍの範囲の厚さを有する、請求項７に記載の発光装置。
13. 前記多孔質膜が、１μｍから５μｍの範囲の厚さを有する、請求項７に記載の発光装置。
14. 前記多孔質膜が、該多孔質膜の体積の５０％から９９％である全体積を有する複数の細孔を含有する、請求項７〜１３のいずれか一項に記載の発光装置。
15. 陽極または陰極上に有機膜を堆積させる工程、
    ただし、該有機膜が、
    

    

    からなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む、；および
    該有機膜を１００℃から２９０℃の範囲の温度で加熱する工程を含む、発光装置のための多孔質膜の製造方法。
16. 前記有機膜を加熱する工程が、２００℃から２６０℃の範囲の温度で加熱されることを含む、請求項１５に記載の製造方法。
17. 前記有機膜を堆積する工程が、０．１Å／秒から１０００Å／秒の速度でおこなわれる、請求項１５または１６に記載の製造方法。
18. １．１から１．８の範囲の屈折率を有する非高分子有機化合物を含有する多孔質膜であって、
    複数の不規則に配列されたナノ突起、ナノ粒子、またはそれらの集合体；
    該膜の体積の少なくとも５０％である全体積を有する複数の空隙であって、その少なくとも１０％が０．５μｍから５μｍの範囲の最長寸法を有するものである複数の空隙を含有し；
    ５００ｎｍから２０マイクロメートルの範囲の厚さを有し；および
    前記空隙を含む多孔質膜の密度が、０．５ピコグラム／μｍ^３以下である、多孔質膜。
19. 前記非高分子有機化合物が、芳香族環を含有する、請求項１８に記載の多孔質膜。
20. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、ｘｙ面から見たとき、略長方形、略正方形、略平行四辺形、擬似平行四辺形である、または少なくとも１つの略直角を有する、請求項１８に記載の多孔質膜。
21. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、ｘｙ面、ｘｙ面、またはｙｚ面から見たとき、略楕円形、略円形、または略卵形である、請求項１８に記載の多孔質膜。
22. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、ｙｚ面から見たとき略線形である、請求項１８に記載の多孔質膜。
23. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、ナノフレーク、擬似平面状、またはリボン形である、請求項１８に記載の多孔質膜。
24. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、針様または繊維形状である、請求項１８に記載の多孔質膜。
25. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、棒形またはカプセル形である、請求項１８に記載の多孔質膜。
26. 前記ナノ突起、ナノ粒子またはそれらの集合体の少なくとも一部分が、顆粒状である、請求項１８に記載の多孔質膜。
    

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