JP6122397B2

JP6122397B2 - 光導波路素子およびその作製方法

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Publication number: JP6122397B2
Application number: JP2014056501A
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Inventors: 橋詰　泰彰; 泰彰橋詰; 柴田　泰夫; 泰夫柴田; 佐藤　里江子; 里江子佐藤; 菊池　順裕; 順裕菊池; 神徳　正樹; 正樹神徳
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Description

本発明は、光集積回路に用いられる光導波路素子およびその作製方法に関する。

光集積回路の小型化を実現するには、損失を小さくかつ曲げ半径を小さくすることが重要である。曲げ半径を小さくするための導波路として、例えばハイメサ構造のものが知られている（非特許文献１）。この構造を図６に示す。

図６は、従来のハイメサ構造の導波路を備える光導波路素子１００を示す図である。図６において、光導波路素子１００は、ＳＩ(Semi Insulating)−ＩｎＰ基板１０１上に、下部クラッド層１０２、コア層１０３、上部クラッド層１０４の順に積層されている。各クラッド層１０２，１０４はＩｎＰ、コア層１０３はＩｎＧａＡｓＰで形成されている。

光導波路素子１００では、導波路の両側が、コア層１０３よりも深くエッチングされており、基板面内方向の光閉じ込めは、下部クラッド層１０２、コア層１０３および上部クラッド層１０４を構成する媒質と、空気との屈折率差により実現される。

導波路幅Ｗは、１．０μｍ〜３．０μｍ程度がシングルモード条件となるため、１．０μｍ〜３．０μｍ程度とするのが一般的である。

上述したハイメサ構造の導波路では、一般に、固定ジグ上にレンズなどとともにチップを集積したり実装したりするため、劈開により導波路端面を露出させてチップにて光学測定を行うことが知られている。

一般に、ＩｎＰ系化合物半導体の導波路の端面を露出するために劈開が行われる。これは、ＩｎＰが劈開面と呼ばれる原子間結合の弱い結晶面を有しており、この結晶面に対して応力を加えて劈開すると分子レベル平滑な端面が得られるからである。このことから、多くのＩｎＰ系光部品では劈開面が光入出用の端面に用いられている。

ＩｎＰに代表される閃亜鉛結晶構造を持った化合物半導体基板では、オリエンテーションフラットを基準にした角度が０度、４５度または９０度の面が劈開面になることが広く知られている。

しかしながら、劈開に伴って、破片や異物がコア層の壁面に付着することがあり得ることから、状況次第では光の散乱損失が増加することもあり得るし、集積や実装時に、導波路への接触等によりハイメサ構造が破壊することも考えられる。そのために従来のハイメサ構造は、絶縁性のポリマーで保護されるように構成されている（非特許文献２）。

図７は、従来の導波路の構成を示す図であって、（ａ）は非印加領域Ｒ１の導波路が絶縁性のポリマーで覆われる場合の導波路の断面、（ｂ）は（ａ）に示したものよりも、ポリマーで覆われる部分が小さく設定された導波路の断面、（ｃ）は印加領域Ｒ２の導波路が絶縁性のポリマーで覆われる場合の導波路の断面、（ｄ）は光集積回路としての半導体マッハ・ツェンダ変調器を上方からみた図、を示している。

図７（ａ）に示す光導波路素子２００では、ＳＩ−ＩｎＰ基板２０１を備えており、その基板２０１上に基板面から順に、ｎ型下部クラッド層（ｎ−ＩｎＰ）２０２、ノンドープの多重量子井戸（ｉ−ＭＱＷ）コア層２０３、上部クラッド層２０４を成長させた層構造となっている。

上部クラッド層２０４は、ノンドープのＩｎＰ（ｉ−ＩｎＰ）層であってもいいし、ｉ−ＩｎＰ層の上にｐ−ＩｎＰ層を積層したものでもよい。あるいは、上部クラッド層２０４は、ｉ−ＩｎＰ層の上にｎ−ＩｎＰ層を積層して形成してもよいし、ｉ−ＩｎＰ層の上に薄いｐ−ＩｎＰ層を積層し、さらにその上にｎ−ＩｎＰ層を積層して形成するようにしても構わない。

図７（ａ）において、ポリマー２０５は、電圧が印加されて光を伝搬する導波路のハイメサ構造を保護するために、ハイメサ構造の両側に埋め込んで形成されている。ハイメサ構造は、フォトリソグラフィによる微細加工技術により形成される。

図７（ａ）の光導波路素子２００では、ポリマー２０５は、上部クラッド層２０４の全体を覆うように形成されている。これとは別に、図７（ｂ）の光導波路素子２００Ａでは、ポリマーがハイメサ構造を保護するために形成される態様として、光を伝搬する導波路の左右だけをポリマー２０５Ａで覆うようになっている。このようにしてもポリマーによるハイメサ構造を保護するという効果を得ることができる。

なお、図７（ｂ）において、ポリマー２０５Ａ以外の各層２０１〜２０４の構成は、図７（ａ）に示したものと同様である。

図７（ｃ）の光導波路素子３００では、図７（ａ）および図７（ｂ）に示したものと同様に、光導波路素子３００は、ＳＩ−ＩｎＰ基板３０１を備えており、その基板３０１上に基板面から順に、ｎ型下部クラッド層（ｎ−ＩｎＰ）３０２、ノンドープの多重量子井戸（ｉ−ＭＱＷ）コア層３０３、上部クラッド層３０４を成長させた層構造となっている。

一方、図７（ａ）および図７（ｂ）に示したものと異なり、図７（ｃ）に示した光導波路素子３００の導波路には電圧が印加される。図７（ｃ）では、導波路の直上には、ポリマー３０７が除去され、電極３０６が設けられている。接地電極３０３ａ，３０３ｂは下部クラッド層３０２上に設けられる。図７（ｃ）に示した導波路も、ポリマー３０７によって保護される。

図７（ｄ）の変調器４００は、入力導波路４０１、出力導波路４０２、１入力２出力の分波器４０３、２入力１出力の合波器４０４、導波路４０５，４０６、および電極４０７〜４１１を備える。この変調器４００は、２つの非印加領域（パッシブ領域）Ｒ１と印加領域（アクティブ領域）Ｒ２とを備える。なお、各導波路４０１，４０２，４０４，４０５は、図７（ａ）に示した導波路２００、または図７（ｂ）に示した導波路２００Ａと同様の構成である。

導波路４０５，４０６には、電圧が印加されるように構成されており、各導波路４０５，４０６上には、それぞれ、信号電極４０７，４０８と接地電極（グランド電極）４０９，４１０とが設けられている。なお、導波路４０５，４０６の構成は、図７（ｃ）に示した導波路３００と同様である。

なお、光集積回路の構成によっては、波長フィルタやアレイ導波路格子等、すべてがパッシブ領域からなるものも存在する。また、光集積回路の光入射端または光出射端には、劈開後、反射防止膜が設けられる。

Y. Shibata et al.,"Reflection characteristics and cascadability of a multi-mode interference 3 dB coupler", Optoelectronics IEE Proceedings, Vol. 149, No. 5-6, Oct-Dec 2002, pp. 217-221. N. Kikuchi et al., "80-Gb/s low-driving-voltage InP DQPSK modulator with an n-p-i-n Structure", IEEE Photonics Technology letters, Vol. 21, No. 12, June 2009, pp. 787-789.

従来のハイメサ構造の導波路では、ポリマーなどでハイメサ構造を埋め込むことにより、コア層壁面への異物の付着による光学特性の劣化やハイメサ構造の破壊を抑制するようにしている。しかしながら、導波路を保護するためのポリマーの一種であるＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）はＩｎＰと同じ結晶面を持たないため、劈開で端面を揃えることが難しい。

また、ＢＣＢの場合、ハイメサ構造の導波路の両脇の溝において、ＢＣＢと半導体との密着性が悪くなり、劈開の際に生じる応力により、劈開箇所近傍のＢＣＢのみがハイメサ構造の両脇の溝から剥離し易くなる。この剥離したＢＣＢは、劈開により二分割される素子のいずれかに不適切に付随することになる。その結果、ＢＣＢおよび半導体の端面が面一（つらいち）とならないならない可能性がある。つまり、端面が揃わず、平滑になり難い。

図８は、図７（ａ）の導波路を劈開した場合の様子を示す図である。図８に示したａ１−ａ２断面、ｂ１−ｂ２断面およびｃ１−ｃ２断面は、それぞれ図９に示してある。図９は、図８の光導波路素子の断面を示す図であって、（ａ）はａ１−ａ２断面、（ｂ）はｂ１−ｂ２断面、（ｃ）はｃ１−ｃ２断面、を示す。図８のｂ１−ｂ２は、導波路を劈開して素子端面を露出させた部分を示している。

図８および図９に示すように、光導波路素子２００では、ＳＩ−ＩｎＰ基板２０１上に、ｎ型下部クラッド層２０２、ノンドープの多重量子井戸（ｉ−ＭＱＷ）コア層２０３および上部クラッド層２０４を備えており、ポリマー２０５は、導波路のハイメサ構造を保護するために形成されている。

図８および図９（ｂ）に示すように、光導波路素子２００では、ポリマーとしてのＢＣＢ２０５が劈開面から突き出して形成される領域３０３を有する場合、または、ＢＣＢ２０５が劈開面から後退して形成される領域３０１を有する場合がある。例えば領域３０３のようにＢＣＢ２０５が突き出して形成された場合、導波路から出射した光が散乱してしまうし、あるいは、端面に反射防止膜を形成する際に薄膜が均一に形成できなくなる。

特に、反射防止（ＡＲ：Anti-reflective）膜は、例えばＳｉＯ_２やＴｉＯ_２を含む多層膜からなり、その膜厚は入力光波長の１／４に設定する必要があり、さらにコア層に密着するようにすることが要求される。このため、図８に示した領域３０３のようなＢＣＢが突き出るのは問題となる。このことは、ＢＣＢだけに限られず、基板を構成する材料と結晶構造が異なるものを保護膜とした場合には、どの保護膜であっても、上述したように端面の不具合が生じる可能性がある。

本発明は、このような問題に対処するためになされた光導波路素子およびその作製方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するための本発明は、光導波路素子であって、半導体基板上に、基板側から、下部クラッド層、コア層、および上部クラッド層の順に積層され、かつ前記コア層に入射した光を閉じ込めて伝搬するように構成された光導波路と、前記光導波路を覆うように形成された第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成された第２保護膜とを備え、前記第２保護膜は、前記光導波路素子の入射端面または／および出射端面から前記光導波路上の所定の位置まで、除去されているものである。

上記の課題を解決するための本発明は、光導波路素子の作製方法であって、半導体基板上に、基板側から、下部クラッド層、コア層、および上部クラッド層の順に積層して光導波路を形成する工程と、前記光導波路を覆うように第１保護膜を形成する工程と、前記第１保護膜の上面に第２保護膜を形成する工程と、前記光導波路素子の入射端面または／および出射端面から前記光導波路上の所定の位置まで、前記第２保護膜を除去する工程とを含むものである。

本発明によれば、従来の素子端面の不具合を抑止することができる。

本発明の実施形態における光導波路素子の概要構成を説明するための図である。図１の光導波路素子の断面例を示す図である。２つの導波路を備える場合の光導波路素子の構成例を示す平面図である。図３の光導波路素子の断面例を示す図である。印加領域の一部が出射端面の方向に突出して形成されるようにした場合の光導波路素子の構成例を示す図である。従来のハイメサ構造の導波路を含む光導波路素子の構成を示す図である。従来のハイメサ構造の導波路を含む光導波路素子の構成を示す図である。ハイメサ構造を劈開した場合の光導波路素子の従来態様を示す図である。図８の光導波路素子の断面例を示す図である。図２と同様の断面図であって、第１保護膜と第２保護膜とで形成される場合の光導波路素子の変形例を示す図である。図７と類似の光導波路素子の構成図であって、第１保護膜と第２保護膜とで形成される場合の変形例を示す図である。

以下、本発明の光導波路素子の実施形態について説明する。

[光導波路素子の構成]
図１は、本実施形態の光導波路素子１の平面構成例を示す概略図である。図１では、１本の導波路のみが示してあるが、後述するように、この実施形態の光導波路素子１では、複数本の導波路が設けられている。図２は、図１の光導波路素子１の平面構成例であって、（ａ）はｄ１−ｄ２断面、（ｂ）はｅ１−ｅ２断面、を示す。以下、図１〜図２を参照して光導波路素子１に設けられた導波路の構成を説明する。

図１に示すように、光導波路素子１は、保護膜のある領域２０と保護膜のない領域２１とを含んでおり、また、ハイメサ構造の導波路３０を備える。

領域２０では、導波路３０は、図２（ａ）に示すように、ＳＩ−ＩｎＰ基板１０を備えており、その基板１０上には、ｎ型下部クラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰコア層１２、上部クラッド層１３が順に形成されている。

そして、保護膜としてのＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）１４が基板１１の水平方向に沿って覆われている。図２の例では、ハイメサ構造の導波路幅ｗ１は２μｍ、ハイメサ構造の両側の溝の幅ｗ１１，ｗ１２は２０μｍ、溝の深度は３μｍ程度とする。

図２（ａ）で示したものと同様に、領域２１の導波路３０は、図２（ｂ）に示すように、ＳＩ−ＩｎＰ基板１１を備えており、その基板１０上には、ｎ型下部クラッド層１１、ＩｎＧａＡｓＰコア層１２、上部クラッド層１３が順に形成されている。

一方、図２（ａ）で示したものと異なり、領域２１の導波路３０は、図２（ｂ）に示すように、ＢＣＢを有しておらず、基板１０の水平方向の光の閉じ込めは空気で行われるようになっている。

光導波路素子１では、導波路の両側が、コア層１２よりも深くエッチングされており、基板面内方向の光閉じ込めは、下部クラッド層１１、コア層１２および上部クラッド層１３を構成する媒質と、空気との屈折率差により実現される。

[光導波路素子の作製方法]
以下、この光導波路素子１の作製方法について図１〜図２を参照して説明する。

先ず、ＳＩ−ＩｎＰ基板１０上に、コア層１２としてＩｎＧａＡｓＰ、下部クラッド層１１および上部クラッド層１３としてＩｎＰ基板を成長させる（図１を参照）。

次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ハイメサ構造の導波路を形成する（図２（ａ）および図２（ｂ）を参照）。

その後、例えばＢＣＢ１４を上述のＩｎＰ基板に塗布して、フォトリソグラフィとCF4/O2反応性イオンエッチング（RIE）によって、必要な部分のＢＣＢを残し、不要な部分（劈開部分）のＢＣＢを除去する。その際、後工程にて劈開を行い導波路素子端面を露出させる近傍のＢＣＢ１４が除去されることとなる（図１を参照）（非特許文献３）。図１の例では、ＢＣＢ１４を除去する領域は、上述の領域２１である。領域２１は、例えば端面から５０μｍ後退した領域である。

次に、ＢＣＢ１４を除去した領域２１のハイメサ構造の導波路を横断するように、劈開を行い、その端面に無反射膜を形成する（図１、図２（ｂ）を参照）。すなわち、光導波路素子１では、ＢＣＢが劈開面から突き出したり後退したりしないようにするため、劈開の際には、ＢＣＢ１４を領域２１から除去するようにしている。これにより、ＢＣＢの突出等が影響を与える端面の不具合が生じない。この点で、導波路からの出射光が散乱しない。また、端面に反射防止膜を形成する際にも、薄膜を均一に形成できる。

さらに、光導波路素子１では、領域２０における導波路３０はＢＣＢ１４により保護されるため、異物付着による損失増大や、接触等による破壊を防止することができる。

次に、本実施形態の光導波路素子１の具体的な寸法について、図３および図４を参照して検討する。

図３は、２つの導波路３０ａ，３０ｂを備える場合の光導波路素子１の構成例を示す平面図である。図４は、図３のｆ１−ｆ２断面を示す図である。

図３および図４において、光導波路素子１は、ＳＩ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型下部クラッド層１１、ノンドープの多重量子井戸コア層１２、上部クラッド層１３が順に積層形成されている。

そして、領域２０の導波路３０ａ，３０ｂでは、ＢＣＢ１４が形成され、領域２１の導波路３０ａ，３０ｂでは、ＢＣＢ１４が形成されておらず、基板１１の水平方向の光の閉じ込めは空気で行われるようになっている。

上述した２つの導波路３０ａ，３０ｂは、シングルモード条件を満たすようになっており、図４では、導波路３０ａ，３０ｂの各導波路幅ｗｃ１，ｗｃ２を例えば２μｍとする。導波路３０ａ，３０ｂの間隔ｄを、外部インタフェースとの都合上、５００μｍとする。

非導波路領域に形成されているハイメサ構造４０についても、導波路３０ａ，３０ｂと同様に形成されている。すなわち、ハイメサ構造４０は、ＳＩ−ＩｎＰ基板１０上に、下部クラッド層１１、コア層１２、上部クラッド層１３が順に形成されている。そして、領域２０のハイメサ構造４０では、ＢＣＢ１４が形成され、領域２１のハイメサ構造４０では、ＢＣＢ１４が形成されていない。

ハイメサ構造４０は、２つの導波路３０ａ，３０ｂの間に挟まれているが、これにより次のような効果を得ることができる。例えば、ハイメサ構造の導波路に物理的な衝撃が加わった場合、導波路領域に衝撃力が集中して導波路が破損する可能性があるが、このハイメサ構造４０によって、そのときの衝撃力が分散する。

図４において、非導波路領域のハイメサ構造４０の幅ｗｃ３は、少なくとも、導波路幅ｗｃ１，ｗｃ２と同程度以上とする必要がある。図４の例では、例えば、ハイメサ構造を形成するための溝部の幅ｗｇ１２，ｗｇ２１を全て同じ値とするが、この場合、ｗｇ１２，ｗｇ２１の値は２５０μｍ程度以下とするのが好ましい。

次に、上述した溝部の幅ｗ１２，ｗ２１の下限値を検討する。通常、上述した溝部をエッチングで形成する場合に十分な開口領域が得られないと、エッチングに用いられるガスが溝部の底部まで供給されないことになり得るため、溝部の深度が浅くなってしまうことがある。この観点から、溝部の幅ｗ１２，ｗ２１は、当該溝部の深さと同程度とするのが一般的である。図４の例では、エッチング深さｈ１，ｈ２は３μｍ程度であるので、溝部の幅ｗｇ１２，ｗ２１は３μｍ以上とするのが好ましい。

以上を総合的に考慮して、溝部の幅ｗｇ１２，ｗｇ２１は２０μｍとした。図４において、他の溝部の幅ｗｇ１１，ｗｇ２２についても、上述のｗｇ１２，ｗｇ２１と同じ値、すなわち２０μｍとした。ハイメサ構造の導波路３０ａ，３０ｂ，４０の両側の溝部の幅が同一であれば、溝部のエッチングシフトが同一となるからである。

以上説明したように、本実施形態の光導波路素子１によれば、ＢＣＢ１４が素子端面付近（劈開面付近）から除去されるように形成される。ここで、劈開では、結晶の方位に沿って劈開面が露出するため、光学測定に耐えうる滑らかな端面が形成できる。そのため、レーザ素子や変調器といった化合物半導体光部品では汎用的に用いられている。しかしながら、ＢＣＢにより保護された従来のハイメサ構造の導波路では、ＢＣＢが劈開面から突出等することにより、端面付近での不具合が生じ得る。

この観点から、光導波路素子１では、ＢＣＢ１４が劈開時に与える影響を回避できるように、ＢＣＢ１４を素子端面付近から除去されるようになっている。これにより、ＢＣＢの突出等が影響を与える端面の不具合が生じず、例えば、導波路からの出射光が散乱したりせず、また、端面に反射防止膜を形成する際にも、薄膜を均一に形成できる。

また、光導波路素子１では、領域２０の導波路３０はＢＣＢ１４により保護されるため、異物付着による損失増大や、接触等による破壊を防止することができる。

なお、本実施形態の光導波路素子１は、上述した例示に限られず、変更してもよい。

例えば、領域２０と領域２１との境界は、図５に示すようにしてもよい。図５は、領域の一部が出射端面の方向に突出して形成されるようにした場合の光導波路素子１Ａの構成例を示している。図５の光導波路素子１Ａでは、領域２１の突出部６０，６１が示してあるが、この点以外の構成は、上述した実施形態に示したものと同様である。このように構成すると、例えばＢＣＢ１４は突出部６０，６１で示す長手方向に緩やかに消失させることが可能となり、その結果、光のモードフィールドも緩やかに変化する。この点で、急激なモードフィールドの変化が発生させることなく、２つの領域２０，２１間を接続できるようになるため、損失の観点から有益である。

また、コア層は、ＩｎＧａＡｓＰとしてもよいし、多重量子井戸コア層を有するようにしてもよい。

ハイメサ構造の保護膜としてＢＣＢを用いる場合について説明したが、他のポリマー系材料を保護膜として適用してもよい。導波路としては、閃亜鉛構造を持った化合物半導体の導波路に適用するのが好ましいが、これに限られるものではない。

本実施形態において、保護膜として１種類の場合を想定して説明したが、複数の種類で形成するようにしてもよい。

図１０は、図２と同様の断面図であって、図２に示した保護膜１４が２種類で形成される態様の一例として、第１保護膜１４ａと第２保護膜１４ｂとで形成される場合の変形例を示している。図１０（ａ）は図２（ａ）と対応し、図１０（ｂ）は図２（ｂ）と対応している。

図１０に示す第２保護膜１４ｂの例として、ＢＣＢを用い、第１保護膜１４ａの例として、ＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜を用いる。各保護膜１４ａ，１４ｂは、これらの例に限られず、変更してもよい。このような保護膜１４ａ，１４ｂを形成することで、上述した実施形態の効果を奏するほか、バリア性をより一層高めることができる。

この場合、第１保護膜１４ａとして、例えば、絶縁膜となる上述のＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜などを用いることにより、水の浸入を防ぐといったバリア性の向上が期待できる。上述の絶縁膜は、規則性を有する結晶方位を持たないため、端面の不具合が生じる要因となることがあり得るが、たとえば、膜厚を２０００Å以下の薄膜に設定しておけば、下地のＩｎＰとの密着性がよく、劈開時に端面の不具合が問題となることはない。よって、上述の実施形態と同様の効果を有することが期待できる。

保護膜１４ａ，１４ｂを有する場合の光導波路素子の作製方法は、次のとおりである。すなわち、半導体基板上に形成された下部クラッド層と、コア層と、上部クラッド層との順に積層して光導波路を形成する工程と、光導波路を覆うように保護膜を形成する工程と、光導波路素子の入射端面または／および出射端面から光導波路上の所定の位置まで保護膜を除去する工程とを含む。この場合、上述の保護膜を形成する工程は、光導波路を覆うように第１保護膜１４ａを形成する工程と、第１保護膜１４ａの上面に形成された第２保護膜１４ｂを形成する工程とを有し、上述の保護膜を除去する工程では、光導波路素子の入射端面または／および出射端面から光導波路上の所定の位置まで、第２保護膜１４ｂを除去する。

なお、保護膜１４ａ，１４ｂを有する場合の光導波路素子の作製方法として、保護膜１４ａがＳｉＯ_２膜、保護膜１４ｂがＢＣＢとした場合のものは、下記の参考文献に記載されているものとほぼ同様であるため、説明を省略する。

［参考文献］八木英樹 et al., “BCB 平坦化プロセスによる1.3μm 波長帯 AlGaInAs/InP リッジ導波路型レーザ”, 2009年7月SEIテクニカルレビュー第175 号、pp. 120-123。

また、保護膜１４ａとして、導波路と同種の材料である半絶縁（ＳＩ）のＩｎＰを再成長させたものを用いても良い。この場合、２種類の保護膜を用いる構成として、従来例の図７で示したものに対応して、図１１のような構成例が考えられる。

図１１は、図７と類似の光導波路素子の構成図であって、保護膜２０５が２種類で形成される態様の一例として、第１保護膜２０５ａと第２保護膜２０５ｂとで形成される場合の態様を示している。図１０（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図７（ａ）〜（ｄ）と対応している。

図１１に示す第２保護膜２０５ｂの例として、ＢＣＢを用い、第１保護膜２０５ａの例として、ＳＩ-ＩｎＰ膜を用いる。このような保護膜２０５ａ，２０５ｂを形成することで、上述した実施形態の効果を奏するほか、バリア性をより一層高めることができる。

本実施形態では、出射側を劈開する場合のみを例にとって説明したが、入射側の端面を劈開する場合にも入射端面付近の保護膜を除去するようにしてもよいし、入射端面付近および出射端面付近の保護膜を除去するようにしてもよい。このようにしても各端面付近で上述した実施形態で説明した効果を奏することができる。

本実施形態では、光導波路素子１の構造が図７（ａ）に示したものに相当する場合について説明したが、これに限るものではない。光導波路素子１の構造として、例えば図７（ｂ）、図７（ｃ）に示したものに相当する場合でも、上述した実施形態で説明した効果を奏することができる。

１光導波路素子
１０基板
１１下部クラッド層
１２コア層
１３上部クラッド層
１４ＢＣＢ（保護膜）
１４ａ第１保護膜
１４ｂ第２保護膜

Claims

光導波路素子であって、
半導体基板上に、基板側から、下部クラッド層、コア層、および上部クラッド層の順に積層され、かつ前記コア層に入射した光を閉じ込めて伝搬するように構成された光導波路と、
前記光導波路を覆うように形成された第１保護膜と、
前記第１保護膜の上面に形成された第２保護膜と
を備え、
前記第２保護膜は、前記光導波路素子の入射端面または／および出射端面から前記光導波路上の所定の位置まで、除去されていることを特徴とする光導波路素子。
光導波路素子の作製方法であって、
半導体基板上に、基板側から、下部クラッド層、コア層、および上部クラッド層の順に積層して光導波路を形成する工程と、
前記光導波路を覆うように第１保護膜を形成する工程と、
前記第１保護膜の上面に第２保護膜を形成する工程と、
前記光導波路素子の入射端面または／および出射端面から前記光導波路上の所定の位置まで、前記第２保護膜を除去する工程と
を含むことを特徴とする光導波路素子の作製方法。