JP6119465B2 - インプリントモールド及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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図1に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド1は、基材(例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、シリコン基板等)2と、基材2の一面上のパターン形成面PSにおける第1パターン領域PA1に設けられたライン状の微細凸状パターン(以下、「第1ラインパターン」という。)3と、パターン形成面PSにおける第2パターン領域PA2に設けられたライン状の微細凸状パターン(以下、「第2ラインパターン」という。)4とを備える。
図8(A)に示すように、第1ラインパターン3の一端部31が矩形状(先端部32が第1ラインパターン3のライン方向に略直交する平面)であると、当該インプリントモールド1を用いたインプリント処理にてインプリント樹脂が濡れ広がるときに、第1ラインパターン3の側壁部34,34に沿って第1ラインパターン3から第2ラインパターン4に向かうインプリント樹脂の流れF1,F1が、第1ラインパターン3の先端部32に沿って折れ曲がり、第1ラインパターン3の先端部32近傍にて合流する。
続いて、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
2…基材
3…第1ラインパターン
31…一端部
4…第2ラインパターン
41…一端部
PA1…第1パターン領域
PA2…第2パターン領域
Claims (5)
- 基材と、前記基材上の第1パターン領域に形成されている第1ラインパターンと、前記第1パターン領域に隣接する第2パターン領域に形成されている第2ラインパターンとを備えるインプリントモールドであって、
前記第1ラインパターン及び前記第2ラインパターンは、それらのライン方向が相互に略平行に、かつ前記第1ラインパターン及び前記第2ラインパターンのそれぞれの一端部が相互に対向するように、前記第1パターン領域及び前記第2パターン領域のそれぞれに形成されており、
前記第1ラインパターンの一端部に対向する前記第2ラインパターンの一端部は、前記インプリントモールドの平面視において、前記第1ラインパターンに向かって先細形状に形成されていることを特徴とするインプリントモールド。 - 前記インプリントモールドの平面視における前記第2ラインパターンのライン方向に平行な線分であって、前記第1ラインパターンの一端部に対向する前記第2ラインパターンの一端部における先端部を通る線分が、隣接する前記第1ラインパターン間に位置することを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールド。
- 前記第2ラインパターンの幅は、前記第1ラインパターンの幅よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリントモールド。
- 前記第2ラインパターンの一端部に対向する前記第1ラインパターンの一端部は、前記インプリントモールドの平面視において、前記第2ラインパターンに向かって先細形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のインプリントモールド。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のインプリントモールドを用いたインプリント工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記インプリント工程は、
半導体基板上に離散的に供給された被転写材料と前記インプリントモールドとを接触させて、前記半導体基板上に前記被転写材料を濡れ広げ、その状態で前記被転写材料を硬化させる工程と、
前記硬化した被転写材料から前記インプリントモールドを剥離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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