JP6118896B2 - レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法 - Google Patents
レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6118896B2 JP6118896B2 JP2015515011A JP2015515011A JP6118896B2 JP 6118896 B2 JP6118896 B2 JP 6118896B2 JP 2015515011 A JP2015515011 A JP 2015515011A JP 2015515011 A JP2015515011 A JP 2015515011A JP 6118896 B2 JP6118896 B2 JP 6118896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- laser
- main pulse
- dichroic element
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 claims description 50
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 29
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/145—Beam splitting or combining systems operating by reflection only having sequential partially reflecting surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/141—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本出願は、代理人整理番号PA1164PRVである2012年5月31日出願の「レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法」という名称の米国特許仮出願出願番号第61/654,003号に対する優先権を主張し、かつ代理人整理番号PA1164USである2012年6月27日出願の「レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法」という名称の米国一般特許出願出願番号第13/535,148号に対する優先権を主張するものであり、これらの特許の内容全体は、これにより引用によって本明細書に組み込まれる。
12 レーザ源
16 照射領域
18 ターゲット材料送出システム
24 ビーム調整ユニット
Claims (22)
- ビーム経路に沿って第1の波長を有する第1のレーザ光を生成するとともに前記ビーム経路に沿って第2の波長を有する第2のレーザ光を生成するレーザ源と、ビームスプリッタモジュールと、を備えるシステムであって、
前記ビームスプリッタモジュールは、
前記ビーム経路に沿った前記第1のレーザ光を受け入れるとともに前記第1の波長を有する前記第1のレーザ光を通過させ、かつ、前記ビーム経路に沿った前記第2のレーザ光を受け入れるとともに前記第2の波長を有する前記第2のレーザ光を反射させる第1の二色性要素と、
前記第1の二色性要素から反射された前記第2のレーザ光を受け入れるとともに前記受け入れた第2のレーザ光を反射させる第1のミラーと、
前記第1のミラーから反射された前記第2のレーザ光を受け入れるとともに前記受け入れた第2のレーザ光を反射させる第2のミラーと、
前記第1のレーザ光を前記第1の二色性要素から受け入れるとともに前記第1の波長を有する前記第1のレーザ光を通過させ、かつ、前記第2のミラーから反射された前記第2のレーザ光を受け入れるとともに前記第2の波長を有する前記第2のレーザ光を反射させる第2の二色性要素と、を有し、
前記第1の波長を有する前記第1のレーザ光を通過させる前記第2の二色性要素は、前記第1のレーザ光を照射部位の近くのターゲット材料まで通し、
前記第2の波長を有する前記第2のレーザ光を反射させる前記第2の二色性要素は、前記第2のレーザ光を前記照射部位に反射させる、システム。 - 前記レーザ源は、シードレーザである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のレーザ光は、プレパルスビームであり、
前記第2のレーザ光は、主パルスビームである、請求項1に記載のシステム。 - 前記第1の波長を有する前記第1のレーザ光を通して前記第2の波長を有する前記第2のレーザ光を反射させる前記第1の二色性要素と、前記第1の波長を有する前記第1のレーザ光を通して前記第2の波長を有する前記第2のレーザ光を反射させる前記第2の二色性要素と、の各々が、前記第1の二色性要素及び前記第2の二色性要素上の二色性コーティングによって達成される、請求項3に記載のシステム。
- 前記第1のミラーは、平坦な反射面を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のミラーは、湾曲した反射面を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のミラーは、平坦な反射面を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のミラーは、湾曲した反射面を有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のミラーは、変形可能ミラーである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のミラーは、調節可能ミラーである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のミラーは、調節可能ミラーである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のミラーは、変形可能ミラーである、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1のミラーは、調節可能ミラー及び変形可能ミラーの両方である、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2のミラーは、調節可能ミラー及び変形可能ミラーの両方である、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の二色性要素は、調節可能である、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2の二色性要素は、調節可能である、請求項1に記載のシステム。
- ビーム経路に沿って第1の波長を有するレーザプレパルスを発生させる段階と、
前記レーザプレパルスを第1の二色性要素及び第2の二色性要素に通して照射部位の近くのターゲット材料まで通過させる段階と、
前記ビーム経路に沿って第2の波長を有するレーザ主パルスを発生させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第1の二色性要素によって第1のミラーまで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第1のミラーから第2のミラーまで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第2のミラーから前記第2の二色性要素まで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第2の二色性要素から前記照射部位まで反射させる段階と、
を含む、方法。 - 前記レーザ主パルスを前記第1のミラーから第2のミラーまで反射させる段階は、前記反射されるレーザ主パルスのビーム特性を変更するために前記第1のミラーの形状を動的に変える段階を更に含む、請求項17に記載の方法。
- 前記レーザ主パルスを前記第2のミラーから前記第2の二色性要素まで反射させる段階は、前記レーザ主パルスを前記照射部位と位置合せさせるように前記第2のミラーを調節する段階を更に含む、請求項17に記載の方法。
- 前記レーザ主パルスを前記第1のミラーから第2のミラーまで反射させる段階は、前記レーザ主パルスを前記照射部位と位置合せさせるように前記第1のミラーを調節する段階を更に含む、請求項17に記載の方法。
- 前記レーザ主パルスを前記第2のミラーから前記第2の二色性要素まで反射させる段階は、前記反射されるレーザ主パルスのビーム特性を変更するために前記第2のミラーの形状を動的に変える段階を更に含む、請求項17に記載の方法。
- レーザパルス源をパルス反射から保護する方法を実行するプロセッサによって実行可能であるプログラムが具現化された持続性コンピュータ可読媒体であって、
前記方法は、
ビーム経路に沿って第1の波長を有するレーザプレパルスを発生させる段階と、
前記レーザプレパルスを第1の二色性要素及び第2の二色性要素に通して照射部位の近くのターゲット材料まで通過させる段階と、
前記ビーム経路に沿って第2の波長を有するレーザ主パルスを発生させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第1の二色性要素によって第1のミラーまで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第1のミラーから第2のミラーまで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第2のミラーから前記第2の二色性要素まで反射させる段階と、
前記レーザ主パルスを前記第2の二色性要素から前記照射部位まで反射させる段階と、
を含む、持続性コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261654003P | 2012-05-31 | 2012-05-31 | |
US61/654,003 | 2012-05-31 | ||
US13/535,148 US8681427B2 (en) | 2012-05-31 | 2012-06-27 | System and method for separating a main pulse and a pre-pulse beam from a laser source |
US13/535,148 | 2012-06-27 | ||
PCT/US2013/039124 WO2013180886A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-05-01 | System and method for separating a main pulse and a pre-pulse beam from a laser source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015525475A JP2015525475A (ja) | 2015-09-03 |
JP6118896B2 true JP6118896B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=49669948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015515011A Active JP6118896B2 (ja) | 2012-05-31 | 2013-05-01 | レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8681427B2 (ja) |
EP (1) | EP2856583B1 (ja) |
JP (1) | JP6118896B2 (ja) |
KR (1) | KR102109396B1 (ja) |
TW (1) | TWI574585B (ja) |
WO (1) | WO2013180886A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012209837A1 (de) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Anregungslichtquelle mit einer Laserstrahlquelle und einer Strahlführungsvorrichtung zum Manipulieren des Laserstrahls |
DE102014008355B4 (de) * | 2014-06-04 | 2018-05-03 | Innovavent Gmbh | Optisches System zum Homogenisieren der Intensität von Laserstrahlung |
TWI489141B (zh) * | 2014-06-13 | 2015-06-21 | 中強光電股份有限公司 | 照明裝置 |
JP6441946B2 (ja) | 2014-09-08 | 2018-12-19 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム |
CN105511231B (zh) * | 2014-10-16 | 2019-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置 |
CN105573062B (zh) * | 2014-10-17 | 2018-03-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置 |
US9516729B2 (en) * | 2014-12-16 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Variable radius mirror dichroic beam splitter module for extreme ultraviolet source |
WO2017059314A1 (en) * | 2015-02-27 | 2017-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Optical isolation module |
US9832855B2 (en) * | 2015-10-01 | 2017-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Optical isolation module |
US9713240B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-07-18 | Asml Netherlands B.V. | Stabilizing EUV light power in an extreme ultraviolet light source |
US9820368B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
US10663866B2 (en) * | 2016-09-20 | 2020-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Wavelength-based optical filtering |
US10451890B2 (en) * | 2017-01-16 | 2019-10-22 | Cymer, Llc | Reducing speckle in an excimer light source |
US10429729B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-10-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation modification methods and systems |
US11237491B2 (en) * | 2018-04-24 | 2022-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Reflective optical element for a radiation beam |
US11212903B2 (en) * | 2018-08-31 | 2021-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for generating extreme ultraviolet radiation |
NL2024323A (en) | 2018-12-18 | 2020-07-07 | Asml Netherlands Bv | Sacrifical device for protecting an optical element in a path of a high-power laser beam |
US20220201831A1 (en) | 2019-04-04 | 2022-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system |
WO2022237952A1 (en) | 2021-05-10 | 2022-11-17 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Euv excitation light source and euv light source |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897562A (en) * | 1989-05-01 | 1990-01-30 | Allied-Signal Inc. | Process and apparatus for efficient sum and difference frequency generation |
WO2001020651A1 (fr) | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition pourvu d'un dispositif laser |
US7027155B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-04-11 | Gsi Lumonics Corporation | Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure |
US7491954B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US20060255298A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-11-16 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source with pre-pulse |
US7928416B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-04-19 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
EP1482347A4 (en) | 2002-02-06 | 2007-02-28 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | METHOD AND DEVICE FOR ADJUSTING A VARIABLE SHAPE MIRROR AND PROCESSING PROGRAM FOR IMPLEMENTING SAID ADJUSTMENT METHOD |
US8654438B2 (en) * | 2010-06-24 | 2014-02-18 | Cymer, Llc | Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source |
DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
JP4512747B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2010-07-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | レーザープラズマから輻射光を発生させる方法、該方法を用いたレーザープラズマ輻射光発生装置 |
US7643529B2 (en) | 2005-11-01 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Laser system |
JP4586781B2 (ja) | 2006-09-14 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 位相差補償板、位相差補償器、液晶表示装置および投射型画像表示装置 |
JP5179776B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2013-04-10 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源用ドライバレーザ |
JP5833806B2 (ja) | 2008-09-19 | 2015-12-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
WO2010096823A1 (en) | 2009-02-23 | 2010-08-26 | The Goverment Of The U.S.A., As Represented By The Secretary Of The Navy | System and method for generating eye-safe high intensity optical pulses with two backward- shifting raman cells |
PL2441310T3 (pl) | 2009-06-12 | 2020-04-30 | Nokia Technologies Oy | Sposób i urządzenie umożliwiające komunikację węzła przekaźnikowego |
US8648999B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-02-11 | Cymer, Llc | Alignment of light source focus |
US8439902B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-05-14 | Wavelight Gmbh | Apparatus and method for processing material with focused electromagnetic radiation |
US8462425B2 (en) | 2010-10-18 | 2013-06-11 | Cymer, Inc. | Oscillator-amplifier drive laser with seed protection for an EUV light source |
US9500953B2 (en) * | 2011-12-06 | 2016-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
JP2013228530A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Seiko Epson Corp | プロジェクター |
-
2012
- 2012-06-27 US US13/535,148 patent/US8681427B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-01 JP JP2015515011A patent/JP6118896B2/ja active Active
- 2013-05-01 WO PCT/US2013/039124 patent/WO2013180886A1/en active Application Filing
- 2013-05-01 KR KR1020147036609A patent/KR102109396B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-01 EP EP13797925.8A patent/EP2856583B1/en active Active
- 2013-05-10 TW TW102116676A patent/TWI574585B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130321926A1 (en) | 2013-12-05 |
JP2015525475A (ja) | 2015-09-03 |
EP2856583A4 (en) | 2016-03-30 |
KR20150018843A (ko) | 2015-02-24 |
WO2013180886A1 (en) | 2013-12-05 |
EP2856583A1 (en) | 2015-04-08 |
TW201352073A (zh) | 2013-12-16 |
KR102109396B1 (ko) | 2020-05-13 |
US8681427B2 (en) | 2014-03-25 |
TWI574585B (zh) | 2017-03-11 |
EP2856583B1 (en) | 2022-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6118896B2 (ja) | レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法 | |
JP6843038B2 (ja) | Euv光源内のシードレーザをブラッグaomで保護するためのシステム及び方法 | |
JP5893014B2 (ja) | Euv光源のためのプレパルスを有する主発振器−電力増幅器駆動レーザ | |
US8283643B2 (en) | Systems and methods for drive laser beam delivery in an EUV light source | |
JP6049628B2 (ja) | 高損傷閾値周波数変換システム | |
JP5932306B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
TWI559635B (zh) | 用於極端紫外光(euv)光源之驅動雷射輸送系統 | |
JP6967509B2 (ja) | 光学アイソレーションモジュール | |
JP2013546172A (ja) | Euv光源のためのシード保護を備える発振器−増幅器駆動レーザー | |
US20090250637A1 (en) | System and methods for filtering out-of-band radiation in EUV exposure tools | |
JP6441946B2 (ja) | レーザシステム | |
JP5921548B2 (ja) | リソグラフィ装置、euv放射発生装置、およびデバイス製造方法 | |
KR102647219B1 (ko) | 레이저 시스템에서 이득 요소를 격리시키기 위한 시스템 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150821 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6118896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |