JP6115836B2 - Lead frame with resin, lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing lead frame with resin - Google Patents

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Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するために用いられる樹脂付リードフレーム、リードフレーム、このようなリードフレームを備えた半導体装置、および樹脂付リードフレームの製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame with resin used for mounting an LED element, a lead frame, a semiconductor device provided with such a lead frame, and a method for manufacturing a lead frame with resin.

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームとＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。   2. Description of the Related Art Conventionally, lighting devices that use LED (light emitting diode) elements as light sources have been used for various home appliances, OA equipment, display lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, and displays. Some such lighting devices include a semiconductor device having a lead frame and LED elements.

このような半導体装置として、例えば特許文献１には、ＰＬＣＣタイプの半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤダイを封止するドーム形カプセル材料とを有している。   As such a semiconductor device, for example, Patent Document 1 discloses a PLCC type semiconductor device. In Patent Document 1, a PLCC type semiconductor device has a structure that holds a lead frame and a dome-shaped capsule material that seals an LED die.

特開２００７−４９１６７号公報JP 2007-49167 A

ところで近年、ＬＥＤ素子を含む半導体装置を更に薄型化することが求められている。このため、ＬＥＤ素子を薄型の半導体装置（例えばＳＯＮタイプ）内に搭載することが行われている。しかしながら、このような薄型の半導体装置においては、外側樹脂部とリードフレームとの接触面積が非常に小さいため、外側樹脂部がダイパッドとリード部との間から脱落しやすいという問題がある。   In recent years, there has been a demand for further thinning of semiconductor devices including LED elements. For this reason, LED elements are mounted in thin semiconductor devices (for example, SON type). However, in such a thin semiconductor device, since the contact area between the outer resin portion and the lead frame is very small, there is a problem that the outer resin portion is easily dropped from between the die pad and the lead portion.

さらに、ＬＥＤ素子をモールドする樹脂（封止樹脂部）は透明であることが必須であり、リードフレームとの密着性が十分な材質を選択するのは困難である。したがって、ＬＥＤ素子を含む半導体装置においては、通常の半導体用樹脂モールドパッケージより樹脂の脱落防止に関してより改善したリードフレームが要求される。   Furthermore, it is essential that the resin (sealing resin part) for molding the LED element is transparent, and it is difficult to select a material having sufficient adhesion with the lead frame. Therefore, in a semiconductor device including an LED element, a lead frame that is more improved in terms of preventing resin from dropping than a normal resin mold package for a semiconductor is required.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、外側樹脂部がダイパッドとリード部との間の空間から脱落することを防止することが可能な樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and the resin-attached lead frame, lead frame, and semiconductor capable of preventing the outer resin portion from falling out of the space between the die pad and the lead portion. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for manufacturing a lead frame with resin.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えた樹脂付リードフレームにおいて、ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention provides a lead frame with a resin including a die pad on which an LED element is placed and a lead portion provided around the die pad through a space. The die pad and the lead portion face each other through the space. The lead with resin characterized by having an opposing surface, wherein the opposing surface of the die pad and the opposing surface of the lead part are formed in an uneven shape, and an outer resin part is provided to fill a space between the die pad and the lead part It is a frame.

本発明は、リード部の対向面のうち、その上端と、リード部の厚さ方向略中央部とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   According to the present invention, a protrusion protruding toward the space is formed on the upper end of the opposing surface of the lead portion and the substantially central portion in the thickness direction of the lead portion, so that the opposing surface of the lead portion is uneven. A lead frame with resin, wherein

本発明は、リード部の対向面のうち、その上端と、その下端とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   According to the present invention, the opposing surface of the lead portion is formed in a concavo-convex shape by forming protrusions protruding toward the space at the upper end and the lower end of the opposing surface of the lead portion. It is the lead frame with a resin characterized.

本発明は、ダイパッドは、ベース部と、ベース部からリード部側に向けて延びるとともにベース部より薄肉の延伸部とを有し、ダイパッドの対向面は延伸部の先端に形成され、このダイパッドの対向面に突起が形成されることにより、ダイパッドの対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   In the present invention, the die pad has a base portion and an extending portion that extends from the base portion toward the lead portion side and is thinner than the base portion, and the opposing surface of the die pad is formed at the tip of the extending portion. The lead frame with a resin is characterized in that the opposing surface of the die pad is formed in an uneven shape by forming protrusions on the opposing surface.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えたリードフレームにおいて、ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、空間内に充填される外側樹脂部の脱落を防止することを特徴とするリードフレームである。   The present invention relates to a lead frame including a die pad on which an LED element is placed and a lead portion provided around the die pad via a space, wherein the die pad and the lead portion face each other through the space. A lead frame is characterized in that the opposing surface of the die pad and the opposing surface of the lead portion are each formed in a concavo-convex shape to prevent the outer resin portion filled in the space from falling off.

本発明は、リードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームのリード部とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有するとともに、リードフレームのダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部と、外側樹脂部の凹部内に充填され、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備えたことを特徴とする半導体装置である。   The present invention has a lead frame, an LED element placed on the die pad of the lead frame, a conductive part that electrically connects the lead part of the lead frame and the LED element, and a recess surrounding the LED element, An outer resin portion that fills a space between the die pad of the lead frame and the lead portion, and a sealing resin portion that is filled in the recess of the outer resin portion and seals the LED element and the conductive portion. This is a semiconductor device.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部と、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部とを有する樹脂付リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施す工程と、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設ける工程とを備え、エッチングを施す工程において、ダイパッドとリード部にそれぞれ空間を介して互いに対向する対向面が形成され、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention provides a lead frame with a resin having a die pad on which an LED element is placed, a lead portion provided around the die pad via a space, and an outer resin portion filling a space between the die pad and the lead portion. In the manufacturing method, a step of preparing a metal substrate, a step of forming an etching resist layer on each of the front and back surfaces of the metal substrate, a step of etching the front and back surfaces of the metal substrate using the etching resist layer as an anticorrosion film, and a die pad A step of providing an outer resin portion that fills a space between the lead portion and the lead portion, and in the etching step, the die pad and the lead portion are formed with opposing surfaces facing each other through the space, In the method of manufacturing a lead frame with resin, the opposing surfaces of the lead portions are each formed in an uneven shape.

本発明によれば、ダイパッドの対向面とリード部の対向面をそれぞれ凹凸状に形成しているので、ダイパッドとリード部との間から外側樹脂部が脱落することを防止することができる。このことにより、ＬＥＤ素子を含む半導体装置を更に薄型化することができる。   According to the present invention, since the opposing surface of the die pad and the opposing surface of the lead portion are formed in an uneven shape, it is possible to prevent the outer resin portion from falling off between the die pad and the lead portion. Thereby, the semiconductor device including the LED element can be further reduced in thickness.

本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図。Sectional drawing which shows the lead frame with resin by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図。Sectional drawing which shows the semiconductor device by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the lead frame by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図。The figure which shows an etching process among the manufacturing methods of the lead frame by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the lead frame with resin by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device by the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置を示す断面図。Sectional drawing which shows the lead frame by the 2nd Embodiment of this invention, the lead frame with resin, and a semiconductor device. 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図。The figure which shows an etching process among the manufacturing methods of the lead frame by the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置を示す断面図。Sectional drawing which shows the lead frame by the 3rd Embodiment of this invention, the lead frame with resin, and a semiconductor device.

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

リードフレームの構成
まず、図１により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレームを示す断面図である。 Construction of the lead frame initially, to FIG. 1, will be outlined in the lead frame according to the present embodiment. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a lead frame according to the present embodiment.

図１に示すように、ＬＥＤ用リードフレーム１０（以下、リードフレーム１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。   As shown in FIG. 1, an LED lead frame 10 (hereinafter also referred to as a lead frame 10) is used for mounting an LED element 21 (described later). Such a lead frame 10 includes a die pad 11 having a placement surface 11 a on which the LED element 21 is placed, and a lead portion 12 provided around the die pad 11 via a space 13.

ダイパッド１１およびリード部１２は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ダイパッド１１およびリード部１２の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このダイパッド１１およびリード部１２の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。   The die pad 11 and the lead part 12 are formed by etching one metal substrate. Examples of the material for the die pad 11 and the lead portion 12 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), and the like. The thicknesses of the die pad 11 and the lead portion 12 are preferably 0.05 mm to 0.5 mm, although depending on the configuration of the semiconductor device.

ダイパッド１１は、ベース部１１ｂと、ベース部１１ｂからリード部１２側に向けて延びる延伸部１１ｃとを有している。このうちベース部１１ｂの裏面（下面）には、図示しない外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が設けられている。また延伸部１１ｃは、ベース部１１ｂより薄肉となっており、後述する外側樹脂部２３から外方に露出しない部分である。延伸部１１ｃの厚みは、例えば０．０２５ｍｍ〜０．２５ｍｍとすることができる。   The die pad 11 has a base portion 11b and an extending portion 11c extending from the base portion 11b toward the lead portion 12 side. Among these, the 1st outer lead part 27 connected to the external electrode which is not shown in figure is provided in the back surface (lower surface) of the base part 11b. The extending portion 11c is thinner than the base portion 11b and is a portion that is not exposed outward from the outer resin portion 23 described later. The extending portion 11c can have a thickness of 0.025 mm to 0.25 mm, for example.

リード部１２の表面（図１の上面）には、後述するボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成されている。またリード部１２の裏面（図１の下面）には、図示しない外部の電極に接続される第２アウターリード部２８が設けられている。   A bonding surface 12a to which a bonding wire 22 described later is connected is formed on the surface of the lead portion 12 (upper surface in FIG. 1). A second outer lead portion 28 connected to an external electrode (not shown) is provided on the back surface (lower surface in FIG. 1) of the lead portion 12.

ところでダイパッド１１とリード部１２とは、それぞれ空間１３を介して互いに対向する対向面１４、１５を有している。   Incidentally, the die pad 11 and the lead portion 12 have opposing surfaces 14 and 15 that face each other with a space 13 therebetween.

このうちダイパッド１１の対向面１４は、上述した延伸部１１ｃの先端に形成されている。この対向面１４の上端（表面側）と下端とに、それぞれ突起１６ａ、１６ｂが形成されており、これら突起１６ａ、１６ｂは、いずれも空間１３内に向けて突出している。このように対向面１４に突起１６ａ、１６ｂが形成されていることにより、対向面１４は凹凸状に形成されている。   Among these, the opposing surface 14 of the die pad 11 is formed at the tip of the extending portion 11c described above. Protrusions 16 a and 16 b are respectively formed on the upper end (front surface side) and the lower end of the facing surface 14, and both the protrusions 16 a and 16 b protrude toward the space 13. Thus, by forming the protrusions 16a and 16b on the opposing surface 14, the opposing surface 14 is formed in an uneven shape.

一方、リード部１２の対向面１５には、その上端（表面側）と、リード部１２の厚さ方向略中央部とに、それぞれ突起１７ａ、１７ｂが形成されている。これら突起１７ａ、１７ｂは、いずれも空間１３内に向けて突出している。そして対向面１５に突起１７ａ、１７ｂが形成されていることにより、対向面１５は凹凸状に形成されている。   On the other hand, on the facing surface 15 of the lead portion 12, protrusions 17a and 17b are formed at the upper end (front surface side) and the substantially central portion in the thickness direction of the lead portion 12, respectively. These protrusions 17 a and 17 b protrude toward the space 13. And since the protrusions 17a and 17b are formed on the opposing surface 15, the opposing surface 15 is formed in an uneven shape.

このようにダイパッド１１の対向面１４とリード部１２の対向面１５とが、それぞれ凹凸状に形成されていることにより、後述するように、空間１３内に充填される外側樹脂部２３の脱落を防止することができる。さらにダイパッド１１の延伸部１１ｃは表面側に形成されており、ダイパッド１１の載置面１１ａの面積を広くとることができ、ＬＥＤ素子２１の光を反射する光反射面を広くすることができるという利点を有する。   As described above, since the opposing surface 14 of the die pad 11 and the opposing surface 15 of the lead portion 12 are formed in a concavo-convex shape, the outer resin portion 23 filled in the space 13 is removed as described later. Can be prevented. Furthermore, the extending portion 11c of the die pad 11 is formed on the front surface side, so that the area of the mounting surface 11a of the die pad 11 can be increased, and the light reflecting surface that reflects the light of the LED element 21 can be increased. Have advantages.

樹脂付リードフレームの構成
次に図２により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図２は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。 Configuration of Lead Frame with Resin Next, an outline of the lead frame with resin according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a lead frame with resin according to the present embodiment.

図２に示すように、樹脂付リードフレーム３０は、図１に示すリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えている。これらリードフレーム１０と外側樹脂部２３とは、互いに一体に結合されている。   As shown in FIG. 2, the lead frame 30 with resin includes the lead frame 10 shown in FIG. 1 and an outer resin portion 23 that fills the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12 of the lead frame 10. . The lead frame 10 and the outer resin portion 23 are integrally coupled to each other.

このうち外側樹脂部２３は、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３に埋設された埋設樹脂部２３ａと、リードフレーム１０の上方に突設する突設樹脂部２３ｂとからなっている。   Of these, the outer resin portion 23 includes an embedded resin portion 23 a embedded in the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12, and a protruding resin portion 23 b that protrudes above the lead frame 10.

埋設樹脂部２３ａは、上面２３ｄと下面２３ｅとを有している。このうち上面２３ｄは、ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａと略同一平面上に位置している。また下面２３ｅは、ダイパッド１１の第１アウターリード部２７およびリード部１２の第２アウターリード部２８と略同一平面上に位置している。   The embedded resin portion 23a has an upper surface 23d and a lower surface 23e. Among these, the upper surface 23 d is located on substantially the same plane as the mounting surface 11 a of the die pad 11 and the bonding surface 12 a of the lead portion 12. Further, the lower surface 23 e is located on substantially the same plane as the first outer lead portion 27 of the die pad 11 and the second outer lead portion 28 of the lead portion 12.

一方、突設樹脂部２３ｂは、ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａを取り囲むように形成されるとともに、凹部２３ｃを有している。なお突設樹脂部２３ｂの高さは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが可能である。   On the other hand, the protruding resin portion 23b is formed so as to surround the mounting surface 11a of the die pad 11 and the bonding surface 12a of the lead portion 12, and has a concave portion 23c. The height of the protruding resin portion 23b can be set to 0.1 mm to 0.5 mm.

さらにリードフレーム１０の表面には、めっき層２５が形成されている。めっき層２５は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものである。めっき層２５の構成は、反射層として機能するものであれば問わないが、例えば下地層としての銅めっき層と、銅めっき層上の反射用銀めっき層とからなっていても良い。なおめっき層２５の厚みは、例えば１μｍ〜５μｍとすることが好ましい。   Further, a plating layer 25 is formed on the surface of the lead frame 10. The plating layer 25 functions as a reflection layer for reflecting the light from the LED element 21. The configuration of the plating layer 25 is not limited as long as it functions as a reflection layer. For example, the plating layer 25 may include a copper plating layer as a base layer and a reflective silver plating layer on the copper plating layer. In addition, it is preferable that the thickness of the plating layer 25 shall be 1 micrometer-5 micrometers, for example.

なお樹脂付リードフレーム３０において、リードフレーム１０の表面にこのようなめっき層２５を形成しない構成も可能である。   In addition, in the lead frame 30 with resin, the structure which does not form such a plating layer 25 on the surface of the lead frame 10 is also possible.

半導体装置の構成
次に、図３により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図３は、本実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。 Configuration of Semiconductor Device Next, the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the semiconductor device (SON type) according to the present embodiment.

図３に示すように、半導体装置２０は、図１に示すリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０のリード部１２とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。   As shown in FIG. 3, the semiconductor device 20 includes a lead frame 10 shown in FIG. 1, an LED element 21 placed on the placement surface 11 a of the die pad 11 of the lead frame 10, and a lead portion 12 of the lead frame 10. And a bonding wire (conductive portion) 22 that electrically connects the LED element 21 to each other.

このうちリードフレーム１０の表面には、めっき層２５が形成されている。めっき層２５は、上述したようにＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものである。   Among these, the plating layer 25 is formed on the surface of the lead frame 10. The plating layer 25 functions as a reflection layer for reflecting the light from the LED element 21 as described above.

また外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）により、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３が充填されている。さらに外側樹脂部２３（突設樹脂部２３ｂ）により、ＬＥＤ素子２１およびボンディングワイヤ２２が取り囲まれている。   Further, the outer resin portion 23 (embedded resin portion 23a) fills the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12 of the lead frame 10. Further, the LED element 21 and the bonding wire 22 are surrounded by the outer resin portion 23 (projecting resin portion 23b).

さらにＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内に充填されている。   Further, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24. The sealing resin portion 24 is filled in the recess 23 c of the outer resin portion 23.

以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。   Hereinafter, the respective constituent members constituting such a semiconductor device 20 will be sequentially described.

リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。このリードフレーム１０の構成については、図１を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。   The lead frame 10 includes a die pad 11 and a lead portion 12 provided around the die pad 11 via a space 13. Since the configuration of the lead frame 10 has already been described with reference to FIG. 1, detailed description thereof is omitted here.

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。   The LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do. As such an LED element 21, those conventionally used in general can be used.

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内において、ダイパッド１１の載置面１１ａ上（厳密にはめっき層２５上）に固定されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。   The LED element 21 is fixed on the mounting surface 11a of the die pad 11 (strictly on the plating layer 25) in the recess 23c of the outer resin portion 23 by solder or die bonding paste. When using a die bonding paste, it is possible to select a die bonding paste made of an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０のリード部１２のボンディング面１２ａ上に接続されている。   The bonding wire 22 is made of a material having good conductivity, such as gold, and one end thereof is connected to the terminal portion 21 a of the LED element 21 and the other end is connected to the bonding surface 12 a of the lead portion 12 of the lead frame 10. Has been.

外側樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、外側樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。凹部２３ｃの底面は、円形、楕円形、角丸の矩形または多角形等とすることができる。凹部２３ｃの側壁の断面形状は、図３のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。   The outer resin portion 23 is formed, for example, by injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin on the lead frame 10. The shape of the outer resin portion 23 can be variously realized by designing a mold used for injection molding or transfer molding. For example, the overall shape of the outer resin portion 23 can be a rectangular parallelepiped shape, a cylindrical shape, a cone shape, or the like. The bottom surface of the recess 23c can be a circle, an ellipse, a rounded rectangle, a polygon, or the like. The cross-sectional shape of the side wall of the recess 23c may be constituted by a straight line as shown in FIG. 3, or may be constituted by a curve.

外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度に優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレート等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ｃの底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。   As the thermoplastic resin used for the outer resin portion 23, it is desirable to select a thermoplastic resin that is particularly excellent in heat resistance, weather resistance and mechanical strength. As the kind of the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, silicone, epoxy, polyetherimide, polybutylene terephthalate, or the like can be used. Furthermore, by adding any one of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the light is emitted from the light emitting element on the bottom and side surfaces of the recess 23c. It is possible to increase the light reflectivity and increase the light extraction efficiency of the entire semiconductor device 20.

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。   For the sealing resin portion 24, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the semiconductor device 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED is used as the LED element 21, the sealing resin portion 24 is preferably made of a silicone resin having high weather resistance because the sealing resin portion 24 is exposed to strong light.

リードフレームの製造方法
次に、図１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図４（ａ）−（ｄ）および図５（ａ）−（ｃ）を用いて説明する。図４（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であり、図５（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図である。 Manufacturing Method of Lead Frame Next, a manufacturing method of the lead frame 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4 (a)-(d) and FIGS. FIGS. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating the lead frame manufacturing method according to the present embodiment, and FIGS. 5A to 5C illustrate the lead frame manufacturing method according to the present embodiment. It is a figure which shows an etching process among these.

まず図４（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, as shown in FIG. 4A, a flat metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, a metal substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy) or the like can be used as described above. In addition, it is preferable to use what the metal substrate 31 performed the degreasing | defatting etc. on both surfaces, and performed the washing process.

次に、金属基板３１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。   Next, a photosensitive resist is applied to the front and back surfaces of the metal substrate 31, dried, exposed through a desired photomask, and then developed to form etching resist layers 32 and 33 (FIG. 4B). ). In addition, a conventionally well-known thing can be used as a photosensitive resist.

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図４（ｃ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、これは金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 4C). Corrosion liquid can be suitably selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, an aqueous ferric chloride solution is usually used, and this can be performed by spray etching from both surfaces of the metal substrate 31.

このエッチング工程の間、図５（ａ）−（ｂ）の矢印に示すように、腐蝕液は、エッチング用レジスト層３２、３３の開口部３２ａ、３３ａから進入し、金属基板３１の表面から内部に向けて金属基板３１を腐食していく。   During this etching process, as shown by the arrows in FIGS. 5A and 5B, the corrosive liquid enters from the openings 32a and 33a of the etching resist layers 32 and 33 and enters the inside from the surface of the metal substrate 31. The metal substrate 31 is corroded toward the surface.

その後、図５（ｃ）に示すように、腐蝕液によって金属基板３１が厚さ方向に貫通して空間１３が形成され、同時に、空間１３を介してダイパッド１１とリード部１２とが形成される。この場合、ダイパッド１１の対向面１４は、突起１６ａ、１６ｂが形成されることにより凹凸状となる。同様に、リード部１２の対向面１５は、突起１７ａ、１７ｂが形成されることにより凹凸状となる。   Thereafter, as shown in FIG. 5C, the metal substrate 31 penetrates in the thickness direction by the etching liquid to form the space 13, and at the same time, the die pad 11 and the lead portion 12 are formed through the space 13. . In this case, the opposing surface 14 of the die pad 11 becomes uneven due to the formation of the protrusions 16a and 16b. Similarly, the opposing surface 15 of the lead portion 12 becomes uneven due to the formation of the protrusions 17a and 17b.

次いで、図４（ｄ）に示すように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えたリードフレーム１０（図１参照）が得られる。   Next, as shown in FIG. 4D, the etching resist layers 32 and 33 are peeled off and removed. In this way, the lead frame 10 (see FIG. 1) including the die pad 11 and the lead portion 12 provided around the die pad 11 via the space 13 is obtained.

樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図２に示す樹脂付リードフレーム３０の製造方法について、図６（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図６（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図である。 2. Manufacturing Method of Lead Frame with Resin Next, a manufacturing method of the lead frame with resin 30 shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (d) are cross-sectional views showing a method for manufacturing a lead frame with resin according to the present embodiment.

まず、上述したリードフレーム１０の表面および裏面に、各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３４、３５を設ける（図６（ａ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３４には、めっき層２５の形成部位に相当する箇所に開口部３４ａが形成され、この開口部３４ａからはダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３５は、リードフレーム１０の裏面全体を覆っている。   First, plating resist layers 34 and 35 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the lead frame 10 described above (FIG. 6A). Of these, an opening 34 a is formed in the plating resist layer 34 on the surface side at a location corresponding to the formation site of the plating layer 25, and the mounting surface 11 a of the die pad 11 and the bonding of the lead portion 12 are bonded from the opening 34 a. The surface 12a is exposed. On the other hand, the plating resist layer 35 on the back surface side covers the entire back surface of the lead frame 10.

次に、めっき用レジスト層３４、３５に覆われたリードフレーム１０の表面側に電解めっきを施す。これによりリードフレーム１０上であって、開口部３４ａ内に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する（図６（ｂ））。   Next, electrolytic plating is performed on the surface side of the lead frame 10 covered with the plating resist layers 34 and 35. As a result, a metal (for example, silver) is deposited on the lead frame 10 in the opening 34a to form the plating layer 25 (FIG. 6B).

次いでめっき用レジスト層３４、３５を剥離することにより、めっき層２５が形成されたリードフレーム１０を得る（図６（ｃ））。   Next, the plating resist layers 34 and 35 are peeled off to obtain the lead frame 10 on which the plating layer 25 is formed (FIG. 6C).

次に、リードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する。これにより、外側樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に結合される。   Next, the outer resin portion 23 is formed by injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin to the lead frame 10. Thereby, the outer side resin part 23 and the lead frame 10 are couple | bonded integrally.

この場合、外側樹脂部２３は、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３に充填された埋設樹脂部２３ａと、リードフレーム１０の上方に突設する突設樹脂部２３ｂとからなる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部２３に凹部２３ｃを形成するとともに、この凹部２３ｃ底面においてめっき層２５が外方に露出するようにする。   In this case, the outer resin portion 23 includes an embedded resin portion 23 a filled in the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12, and a protruding resin portion 23 b that protrudes above the lead frame 10. At this time, by appropriately designing a mold used for injection molding or transfer molding, a recess 23c is formed in the outer resin portion 23, and the plating layer 25 is exposed to the outside on the bottom surface of the recess 23c. .

このようにして、リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０（図２参照）が得られる（図６（ｄ））。   In this way, the lead frame 30 with resin (see FIG. 2) including the lead frame 10 and the outer resin portion 23 filling the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12 of the lead frame 10 is obtained (see FIG. 2). FIG. 6 (d)).

なお、本実施の形態において、金属基板３１にエッチングを施すことにより所定形状のリードフレーム１０を作製した後（図４（ａ）−（ｄ））、リードフレーム１０上にめっき層２５を形成している（図６（ａ）−（ｃ））。しかしながらこれに限らず、まず金属基板３１上にめっき層２５を形成し、その後エッチングにより金属基板３１を所定の形状に加工することにより、リードフレーム１０を作製してもよい。   In the present embodiment, after the lead frame 10 having a predetermined shape is manufactured by etching the metal substrate 31 (FIGS. 4A to 4D), the plating layer 25 is formed on the lead frame 10. (FIGS. 6A to 6C). However, the present invention is not limited thereto, and the lead frame 10 may be manufactured by first forming the plating layer 25 on the metal substrate 31 and then processing the metal substrate 31 into a predetermined shape by etching.

半導体装置の製造方法
次に、図３に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｃ）により説明する。図７（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。 Method for Manufacturing Semiconductor Device Next, a method for manufacturing the semiconductor device 20 shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the present embodiment.

まず、上述した工程により（図６（ａ）−（ｄ））、リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０を作製する。   First, the resin provided with the lead frame 10 and the outer resin portion 23 that fills the space 13 between the die pad 11 and the lead portion 12 of the lead frame 10 by the above-described steps (FIGS. 6A to 6D). The attached lead frame 30 is produced.

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド１１の載置面１１ａ上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図７（ａ））。   Next, the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11 a of the die pad 11 of the lead frame 10. In this case, the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a of the die pad 11 using a solder or a die bonding paste (die attach step) (FIG. 7A).

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部１２のボンディング面１２ａとを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｂ））。   Next, the terminal portion 21a of the LED element 21 and the bonding surface 12a of the lead portion 12 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 7B).

その後、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内に封止樹脂部２４を充填し、この封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する。このようにして、図３に示す半導体装置２０を得ることができる（図７（ｅ））。この場合、予めリードフレーム１０上に複数のＬＥＤ素子２１を搭載しておき、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をそれぞれダイシングすることにより、各半導体装置２０を作製しても良い。   Thereafter, the sealing resin portion 24 is filled in the recess 23 c of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24. In this way, the semiconductor device 20 shown in FIG. 3 can be obtained (FIG. 7E). In this case, each semiconductor device 20 may be manufactured by mounting a plurality of LED elements 21 on the lead frame 10 in advance and dicing the outer resin portion 23 between the LED elements 21.

本実施の形態の作用効果
次に、本実施の形態による作用効果について説明する。 Operational effects of the present embodiment Next, operational effects of the present embodiment will be described.

本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、ダイパッド１１の対向面１４とリード部１２の対向面１５とは、それぞれ凹凸状に形成されている。このことにより、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３において、外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）とリードフレーム１０との接触面積を大きくすることができる。したがって、外側樹脂部２３とリードフレーム１０との密着性を向上させることができ、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することができる。   In the semiconductor device 20 according to the present embodiment, as described above, the facing surface 14 of the die pad 11 and the facing surface 15 of the lead portion 12 are each formed in an uneven shape. As a result, in the space 13 between the die pad 11 and the lead part 12, the contact area between the outer resin part 23 (embedded resin part 23a) and the lead frame 10 can be increased. Therefore, the adhesion between the outer resin portion 23 and the lead frame 10 can be improved, and the outer resin portion 23 can be prevented from dropping out of the space 13.

さらに、ダイパッド１１の対向面１４およびリード部１２の対向面１５に形成された凹凸（突起１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ）によりアンカー効果が得られるので、ストレスに対する半導体装置２０の強度を向上させることかできる。したがって、半導体装置２０にストレスが加わった場合であっても、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することかできる。   Furthermore, since the anchor effect is obtained by the unevenness (protrusions 16a, 16b, 17a, 17b) formed on the facing surface 14 of the die pad 11 and the facing surface 15 of the lead portion 12, the strength of the semiconductor device 20 against stress can be improved. I can do it. Therefore, even when stress is applied to the semiconductor device 20, it is possible to prevent the outer resin portion 23 from dropping out of the space 13.

例えば、半導体装置２０のサーマルサイクル試験を実施した際、リードフレーム１０を構成する金属（例えば銅）と、外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）を構成する合成樹脂（例えばシリコーン樹脂）との間に熱膨張の差が発生するが、この場合であっても外側樹脂部２３がリードフレーム１０から剥離してしまうおそれがない。   For example, when the thermal cycle test of the semiconductor device 20 is performed, the gap between the metal (for example, copper) constituting the lead frame 10 and the synthetic resin (for example, silicone resin) constituting the outer resin portion 23 (embedded resin portion 23a). However, even in this case, there is no possibility that the outer resin portion 23 is peeled off from the lead frame 10.

このように外側樹脂部２３の脱落を防止することができることにより、リードフレーム１０の厚みを薄くすることができ、この結果、半導体装置２０の厚みを薄くすることができる。具体的には半導体装置２０の厚みを０．２ｍｍ〜０．８ｍｍとすることができる。   Since the outer resin portion 23 can be prevented from falling off in this way, the lead frame 10 can be made thinner, and as a result, the semiconductor device 20 can be made thinner. Specifically, the thickness of the semiconductor device 20 can be set to 0.2 mm to 0.8 mm.

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレーム、および半導体装置について、図８乃至図９を参照して説明する。図８乃至図９において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a lead frame, a lead frame with a resin, and a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 9, the same parts as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図８は、本実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレーム、および半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図８に示す実施の形態は、リードフレーム１０のリード部１２の対向面１５のうち、リード部１２の裏面側に突起１７ｃが形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing a lead frame, a lead frame with resin, and a semiconductor device (SON type) according to the present embodiment. The embodiment shown in FIG. 8 is different from the opposing surface 15 of the lead portion 12 of the lead frame 10 in that the protrusion 17c is formed on the back surface side of the lead portion 12, and the other configurations are described above. This is substantially the same as the embodiment shown in FIGS.

すなわち図８に示す半導体装置４０において、リードフレーム１０のリード部１２の対向面１５には、その上端（表面側）と下端（裏面側）とに、それぞれ突起１７ａ、１７ｃが形成されており、これによりリード部１２の対向面１５は凹凸状に形成されている。この突起１７ａ、１７ｃは、それぞれ空間１３内に向けて突出している。またダイパッド１１の対向面１４も、突起１６ａ、１６ｂにより凹凸状に形成されている。したがって、図１乃至図７に示す実施の形態と同様、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することができる。   That is, in the semiconductor device 40 shown in FIG. 8, the protrusions 17a and 17c are formed on the upper surface (front surface side) and the lower surface (back surface side) of the opposing surface 15 of the lead portion 12 of the lead frame 10, respectively. Thereby, the opposing surface 15 of the lead part 12 is formed in an uneven shape. The protrusions 17a and 17c protrude toward the space 13, respectively. The opposing surface 14 of the die pad 11 is also formed in an uneven shape by the protrusions 16a and 16b. Accordingly, the outer resin portion 23 can be prevented from dropping out of the space 13 as in the embodiment shown in FIGS.

図９（ａ）−（ｄ）は、金属基板３１にエッチングを施すことにより、図８に示すリードフレーム１０を作製する工程を示す図である。図９（ａ）−（ｄ）のうち、図９（ａ）−（ｃ）に示す工程は、上述した図５（ａ）−（ｃ）に示す工程と略同一である。   FIGS. 9A to 9D are views showing a process of manufacturing the lead frame 10 shown in FIG. 8 by etching the metal substrate 31. 9 (a)-(d), the steps shown in FIGS. 9 (a)-(c) are substantially the same as the steps shown in FIGS. 5 (a)-(c).

本実施の形態においては、上述した図５（ａ）−（ｃ）に示す工程（図９（ａ）−（ｃ））に加え、更に長い時間エッチングを行う。この場合、腐蝕液は、リード部１２の対向面１５のうちリード部１２の厚さ方向略中央部を中心として、金属基板３１内部を腐食していく（図９（ｄ））。   In this embodiment, in addition to the steps shown in FIGS. 5A to 5C (FIGS. 9A to 9C), etching is performed for a longer time. In this case, the corrosive liquid corrodes the inside of the metal substrate 31 around the substantially central portion in the thickness direction of the lead portion 12 in the opposing surface 15 of the lead portion 12 (FIG. 9D).

この結果、リード部１２の対向面１５は、その略中央部が内方に湾曲した形状となる。また対向面１５の上端（表面側）と下端（裏面側）は、腐蝕液による腐食の進行が相対的に遅れるため、この部分にそれぞれ突起１７ａ、１７ｃが形成される。   As a result, the opposing surface 15 of the lead portion 12 has a shape in which a substantially central portion is curved inward. Further, the upper end (front side) and the lower end (rear side) of the facing surface 15 are relatively delayed in the progress of corrosion by the corrosive liquid, and thus projections 17a and 17c are formed at these portions, respectively.

このほか、本実施の形態によるリードフレームの製造方法、樹脂付リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法については、それぞれ図４（ａ）−（ｄ）、図６（ａ）−（ｄ）、および図７（ａ）−（ｃ）を用いて説明した方法と同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。   In addition, the lead frame manufacturing method, the resin-added lead frame manufacturing method, and the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are shown in FIGS. 4A to 4D and 6A to 6D, respectively. ) And the method described with reference to FIGS. 7A to 7C, detailed description thereof is omitted here.

（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置について、図１０を参照して説明する。図１０において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。 (Third embodiment)
Next, a lead frame, a lead frame with a resin, and a semiconductor device according to a third embodiment of the invention will be described with reference to FIG. 10, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図１０は、本実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図１０に示す実施の形態は、リードフレーム１０のダイパッド１１の周囲に、リード部１２が２つ設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a lead frame, a lead frame with resin, and a semiconductor device (SON type) according to the present embodiment. The embodiment shown in FIG. 10 is different in that two lead portions 12 are provided around the die pad 11 of the lead frame 10, and other configurations are the embodiments shown in FIGS. 1 to 7 described above. The form is substantially the same.

すなわち図１０に示す半導体装置５０において、リードフレーム１０のダイパッド１１の周囲には、ダイパッド１１を挟んで互いに対向する位置に、一対のリード部１２が設けられている。各リード部１２の対向面１５には、それぞれ空間１３内に向けて突出する突起１７ａ、１７ｂが形成され、これにより各対向面１５は凹凸状に形成されている。   That is, in the semiconductor device 50 shown in FIG. 10, a pair of lead portions 12 are provided around the die pad 11 of the lead frame 10 at positions facing each other with the die pad 11 interposed therebetween. Protrusions 17a and 17b projecting into the space 13 are formed on the facing surface 15 of each lead portion 12, and thereby each facing surface 15 is formed in an uneven shape.

図１０において、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して対応する各リード部１２に接続されている。   In FIG. 10, the LED element 21 has a pair of terminal portions 21 a, and the pair of terminal portions 21 a is connected to the corresponding lead portions 12 via bonding wires 22.

本実施の形態によるリードフレームの製造方法、樹脂付リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法については、それぞれ図４（ａ）−（ｄ）、図５（ａ）−（ｃ）、図６（ａ）−（ｄ）、および図７（ａ）−（ｃ）を用いて説明した方法と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。   The lead frame manufacturing method, resin-made lead frame manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment are shown in FIGS. Since this method is substantially the same as the method described with reference to FIGS. 6 (a)-(d) and FIGS. 7 (a)-(c), detailed description thereof is omitted here.

なお本実施の形態において、半導体装置５０は１つのダイパッド１１と２つのリード部１２とを有している。しかしながらこれに限らず、半導体装置が２つ以上のダイパッド１１および／または３つ以上のリード部１２を有していても良い。   In the present embodiment, the semiconductor device 50 has one die pad 11 and two lead portions 12. However, the present invention is not limited to this, and the semiconductor device may have two or more die pads 11 and / or three or more lead portions 12.

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２ リード部
１３ 空間
１４ 対向面
１５ 対向面
１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ 突起
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 外側樹脂部
２４ 封止樹脂部
２５ めっき層
３０ 樹脂付リードフレーム
４０ 半導体装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Die pad 12 Lead part 13 Space 14 Opposing surface 15 Opposing surface 16a, 16b, 17a, 17b, 17c Protrusion 20 Semiconductor device 21 LED element 22 Bonding wire (conductive part)
23 Outer resin part 24 Sealing resin part 25 Plating layer 30 Lead frame with resin 40 Semiconductor device

Claims (1)

ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えたリードフレームと、
リードフレームのダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、
リードフレームのリード部とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有するとともに、リードフレームのダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部と、
外側樹脂部の凹部内に充填され、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、空間内に充填される外側樹脂部の脱落を防止し、
ダイパッドは、ベース部と、ベース部からリード部側に向けて延びるとともに、リードフレームの表面側に形成され、ベース部より薄肉の延伸部とを有し、
ダイパッドの対向面は延伸部の先端に形成され、
ダイパッドの対向面の下端には、前記空間内に突出する突起が形成されており、
延伸部の前記突起から前記ベース部の裏面には、連続した湾曲面が形成されており、
前記ベース部の裏面には、アウターリード部が設けられ、
前記ダイパッドの裏面のうち、前記アウターリード部よりも前記リード部の反対側に位置する箇所には、前記アウターリード部から表面側に向けて湾曲面が形成されていることを特徴とする半導体装置。 A lead frame including a die pad on which the LED element is placed, and a lead portion provided around the die pad via a space ;
LED elements placed on the die pad of the lead frame;
A conductive part that electrically connects the lead part of the lead frame and the LED element;
An outer resin portion having a recess surrounding the LED element and filling a space between the die pad of the lead frame and the lead portion;
Filled in the concave portion of the outer resin portion, and includes a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion ,
The die pad and the lead part each have opposing surfaces that face each other through a space, and the opposing surface of the die pad and the opposing surface of the lead part are each formed in a concavo-convex shape, and the outer resin part that fills the space is dropped off Prevent
The die pad has a base portion, and extends from the base portion toward the lead portion side, and is formed on the surface side of the lead frame, and has a thinned portion extending from the base portion
The opposing surface of the die pad is formed at the tip of the extension part,
A protrusion protruding into the space is formed at the lower end of the facing surface of the die pad,
A continuous curved surface is formed on the back surface of the base portion from the protrusion of the extending portion,
An outer lead portion is provided on the back surface of the base portion,
A semiconductor device , wherein a curved surface is formed from the outer lead portion toward the front surface side at a location located on the opposite side of the lead portion from the back surface of the die pad. .
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KR101747226B1 (en) * 2016-03-16 2017-06-27 해성디에스 주식회사 Semiconductor package substrate and the method for manufacturing the same
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4574868B2 (en) * 2001-01-12 2010-11-04 ローム株式会社 Semiconductor device
JP2005522863A (en) * 2002-04-11 2005-07-28 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2004247613A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing process
JP3910171B2 (en) * 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 Semiconductor light emitting device, method for manufacturing the same, and electronic imaging device

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