JP6056914B2 - Lead frame with resin, semiconductor device and lighting device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を載置する樹脂付リードフレーム、この樹脂付リードフレームを有する半導体装置、この半導体装置を有する照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame with resin on which a semiconductor element is placed, a semiconductor device having the lead frame with resin, a lighting device having the semiconductor device, a method for manufacturing the lead frame with resin, and a method for manufacturing the semiconductor device.

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有する半導体装置を含むものがある。   2. Description of the Related Art Conventionally, lighting devices that use LED (light emitting diode) elements as light sources have been used for various home appliances, OA equipment, display lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, and displays. Some of such lighting devices include a semiconductor device having an LED element.

また、半導体チップを搭載する薄型の半導体装置（パッケージ）としては、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものやＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプ等、下面実装型のパッケージが知られている。   Also, as a thin semiconductor device (package) on which a semiconductor chip is mounted, for example, a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type or an SON (Small Outline Non-leaded Package) type package is known. It has been.

このような下面実装型のパッケージとして、例えば特許文献１により、リードフレーム上に貫通孔を有するリフレクタ部材が設けられ、リフレクタ部材の貫通孔内においてリードフレーム上に光半導体素子が搭載されて、リフレクタ部材の内部に封止樹脂が封止されている光半導体素子用パッケージが知られている。このうち、リードフレームの表面には、光の反射率を高くするために、Ａｇ（銀）めっきが施されている。   As such a bottom-mount package, for example, according to Patent Document 1, a reflector member having a through hole is provided on a lead frame, and an optical semiconductor element is mounted on the lead frame in the through hole of the reflector member. An optical semiconductor element package in which a sealing resin is sealed inside a member is known. Among these, Ag (silver) plating is applied to the surface of the lead frame in order to increase the light reflectivity.

特開２０１１−６６０２５号公報JP 2011-66025 A

ところで、光半導体素子としてＬＥＤ、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、光半導体素子を封止する封止樹脂が強い光にさらされる。このため近年、封止樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような封止樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、光半導体素子用パッケージ内部のＡｇめっきにまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。そして、Ａｇは容易に硫化水素ガスなどと反応するため、硫化銀などの生成物が形成され、Ａｇめっきが変色する場合がある。また、発光により発生する熱によって、Ａｇめっき内に母材の銅が拡散し、Ａｇめっきによる光の反射率が低下する場合がある。この結果、Ａｇめっきの反射率を可視領域全域において著しく低下させるという問題が生じている。   By the way, when using LED, especially high-intensity LED as an optical semiconductor element, the sealing resin which seals an optical semiconductor element is exposed to strong light. Therefore, in recent years, weather resistance has been required for the sealing resin, and the demand for using a silicone resin as such a sealing resin is increasing. However, when a silicone resin is used, gas barrier properties tend to be inferior, so corrosive gases such as oxygen and hydrogen sulfide gas in the air penetrate into the Ag plating inside the package for optical semiconductor elements. Since Ag easily reacts with hydrogen sulfide gas or the like, a product such as silver sulfide is formed, and the Ag plating may be discolored. In addition, due to heat generated by light emission, copper as a base material may diffuse into the Ag plating, and the light reflectance due to Ag plating may decrease. As a result, there is a problem that the reflectance of Ag plating is remarkably lowered in the entire visible region.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and a resin-attached lead frame, a semiconductor device, a lighting device, a resin-made lead frame manufacturing method, and a semiconductor capable of efficiently reflecting light from an LED element An object is to provide a method for manufacturing a device.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、リードフレーム上に設けられ、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention relates to a lead frame with resin for mounting an LED element, a lead frame having a frame terminal portion protruding upward and connected to the LED element, and an upper surface of the frame terminal portion of the lead frame provided on the lead frame. And a resin part for reflection for reflecting the light from the LED element.

本発明は、リードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein a reflective metal layer functioning as a reflective layer for reflecting light from the LED element is provided on the upper surface of the frame terminal portion of the lead frame.

本発明は、反射用樹脂部は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the reflective resin portion has a resin placement portion on which the LED element is placed.

本発明は、リードフレームは、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、リードフレームのフレーム載置部の上面は、反射用樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   In the present invention, the lead frame further includes a frame mounting portion that protrudes upward to mount the LED element, and the upper surface of the frame mounting portion of the lead frame is exposed from the reflective resin portion. This is a lead frame with resin.

本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   According to the present invention, there is provided a lead with resin, wherein a second reflective metal layer functioning as a reflective layer for reflecting light from the LED element is provided on the upper surface of the frame mounting portion of the lead frame. It is a frame.

本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面は、粗面化されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein a surface of the lead frame that contacts the reflective resin portion is roughened.

本発明は、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the reflection resin portion is provided around the frame terminal portion of the lead frame and has a reflection side wall extending upward.

本発明は、リードフレームは、第１の部分と、第１の部分に離間した第２の部分とを有し、リードフレームのフレーム端子部は、第１の部分および第２の部分にそれぞれ設けられており、第１の部分の外側および第２の部分の外側に、連結部がそれぞれ連結され、各連結部の下面は、第１の部分の下面および第２の部分の下面より上方に位置していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   In the present invention, the lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion, and the frame terminal portion of the lead frame is provided in each of the first portion and the second portion. The connecting portion is connected to the outside of the first portion and the outside of the second portion, and the lower surface of each connecting portion is located above the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion. A lead frame with resin, characterized in that

本発明は、上述した樹脂付リードフレームと、樹脂付リードフレームに載置され、リードフレームのフレーム端子部に接続されたＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置である。   The present invention is a semiconductor device comprising the above-described lead frame with resin and an LED element mounted on the lead frame with resin and connected to the frame terminal portion of the lead frame.

本発明は、照明基板と、照明基板上に配置された上述した半導体装置と、照明基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置である。   The present invention is an illuminating device comprising: an illuminating substrate; the above-described semiconductor device disposed on the illuminating substrate; and a cover provided on the illuminating substrate and covering the semiconductor device.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板から、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームを形成する工程と、リードフレーム上に、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させるように、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部を設ける工程と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame with resin for mounting an LED element, and a step of preparing a metal substrate and a lead frame having a frame terminal portion protruding upward from the metal substrate and connected to the LED element are formed. And a step of providing, on the lead frame, a reflecting resin portion for reflecting light from the LED element so as to expose the upper surface of the frame terminal portion of the lead frame. This is a manufacturing method of a lead frame with resin.

本発明は、反射用樹脂部が設けられたリードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention further includes a step of forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer for reflecting light from the LED element on the upper surface of the frame terminal portion of the lead frame provided with the reflective resin portion. This is a method for manufacturing a lead frame with a resin characterized by the following.

本発明は、リードフレームを形成する工程において、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有するように、リードフレームが形成され、反射用樹脂部を設ける工程において、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム載置部の上面を露出させることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   According to the present invention, in the step of forming the lead frame, the lead frame is formed so as to further include a frame mounting portion that protrudes upward to mount the LED element, and in the step of providing the reflecting resin portion, the reflecting resin is provided. The portion is a method of manufacturing a lead frame with resin, wherein the top surface of the frame mounting portion of the lead frame is exposed.

本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention further includes a step of forming a second reflective metal layer functioning as a reflective layer for reflecting light from the LED element on the upper surface of the frame mounting portion of the lead frame. This is a manufacturing method of a lead frame with resin.

本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面を粗面化する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention is a method of manufacturing a lead frame with a resin, further comprising a step of roughening a surface of the lead frame in contact with the reflective resin portion.

本発明は、上述した樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを準備する工程と、半導体リードフレームにＬＥＤ素子を載置する工程と、載置されたＬＥＤ素子をリードフレームのフレーム端子部に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。   The present invention includes a step of preparing a lead frame with a resin by the above-described method of manufacturing a lead frame with a resin, a step of placing an LED element on a semiconductor lead frame, and a frame terminal portion of the lead frame with the placed LED element. And a step of connecting to the semiconductor device.

本発明によれば、リードフレーム上にＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部が設けられていることにより、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる。   According to the present invention, the reflection resin portion for reflecting the light from the LED element is provided on the lead frame, so that the light from the LED element can be efficiently reflected.

本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図。Sectional drawing which shows the lead frame with resin by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。1 is an overall plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図２のII部拡大図）。FIG. 3 is a partial enlarged plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention (an enlarged view of a portion II in FIG. 2). 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図。1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。The top view which shows the semiconductor device by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the lead frame with resin by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the semiconductor device by one embodiment of this invention. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 1) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 変形例１による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the lead frame with a resin by the modification 1. FIG. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例２）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 2) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例３）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 3) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例４）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 4) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 照明装置を示す概略図。Schematic which shows an illuminating device. 照明装置を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows an illuminating device. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例５）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 5) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 変形例５による半導体装置を示す平面図。FIG. 10 is a plan view showing a semiconductor device according to Modification 5. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例６）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 6) of the lead frame with a resin and a semiconductor device. 変形例６による半導体装置を示す平面図。FIG. 10 is a plan view showing a semiconductor device according to Modification 6; 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例７）を示す平面図。The top view which shows the modification (modification 7) of the lead frame with resin and a semiconductor device. 樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例８）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 8) of the lead frame with resin and a semiconductor device.

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。また、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Further, in the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale and the vertical / horizontal dimensional ratio are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

樹脂付リードフレームの構成
まず、図１により、樹脂付リードフレーム４０について説明する。ここで、樹脂付リードフレーム４０は、ＬＥＤ素子２１（図４参照）を載置するために用いられるものであり、図1に示すように、リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射用樹脂部（外側樹脂部）２３と、を備えている。 Configuration of resin coated leadframe First, FIG. 1, will be described resin with the lead frame 40. Here, the lead frame 40 with resin is used for mounting the LED element 21 (see FIG. 4), and is provided on the lead frame 10 and the lead frame 10, as shown in FIG. And a reflecting resin portion (outer resin portion) 23 for reflecting light from the LED element 21.

このうち、リードフレーム１０は、本体部１１と、本体部１１の周囲（全面）に形成されためっき層１２とを備えている。   Among these, the lead frame 10 includes a main body portion 11 and a plating layer 12 formed on the periphery (entire surface) of the main body portion 11.

本体部１１は、銅または銅合金からなっている。後述するフレーム端子部１５を含む本体部１１の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。   The main body 11 is made of copper or a copper alloy. Although the thickness of the main body part 11 including the frame terminal part 15 described later depends on the configuration of the semiconductor device 20, it can be set to 0.05 mm to 0.5 mm.

なお、本体部１１の厚みは、例えば０．０５ｍｍを下回ると、リードフレーム１０自体の強度が充分ではなくなってしまう。またＬＥＤ素子２１から発生する熱をリードフレーム１０の平面方向に充分に逃がすことが出来なくなってしまう。他方、本体部１１の厚みが０．５ｍｍを上回ると、エッチングやプレス加工の設計自由度が低下してしまう。また、半導体装置２０が厚くかつ重くなってしまう。   If the thickness of the main body 11 is less than 0.05 mm, for example, the strength of the lead frame 10 itself will not be sufficient. Further, the heat generated from the LED element 21 cannot be sufficiently released in the plane direction of the lead frame 10. On the other hand, when the thickness of the main body part 11 exceeds 0.5 mm, the design freedom of etching and press working is reduced. Further, the semiconductor device 20 becomes thick and heavy.

めっき層１２は、本体部１１の全面を覆うように形成されている。このことにより、リードフレーム１０の製造工程におけるめっき工程の効率化を図っている。また、めっき層１２は、反射機能を有する必要はないが、ワイヤボンディング性およびはんだ接合性を有することが望ましい。めっき層１２の材料としては、一般的に半導体用リードフレームで使用される材料、例えばニッケル／パラジウム／金のめっき層を挙げることができる。この場合、めっき層１２のめっき厚は、ニッケル０．１μｍ〜１μｍ／パラジウム０．０１μｍ〜０．５μｍ／金０．００１μｍ〜０．１μｍとされることが望ましい。なお、後述する図２および図３においては、図面を明瞭にするために、めっき層１２を省略している。   The plating layer 12 is formed so as to cover the entire surface of the main body 11. Thereby, the efficiency of the plating process in the manufacturing process of the lead frame 10 is achieved. Moreover, although the plating layer 12 does not need to have a reflecting function, it is desirable to have wire bonding property and solder bonding property. Examples of the material of the plating layer 12 include materials generally used in semiconductor lead frames, such as nickel / palladium / gold plating layers. In this case, the plating thickness of the plating layer 12 is preferably set to 0.1 μm to 1 μm of nickel / 0.01 μm to 0.5 μm of palladium / 0.001 μm to 0.1 μm of gold. In FIGS. 2 and 3 to be described later, the plating layer 12 is omitted for the sake of clarity.

次に、リードフレーム１０の平面形状について説明する。図２および図３に示すように、リードフレーム１０の本体部１１は、枠体１３と、枠体１３内に多面付けで（多列および多段に、マトリックス状に）配置された複数の単位リードフレーム１４と、を有している。各単位リードフレーム１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応するものである。   Next, the planar shape of the lead frame 10 will be described. As shown in FIGS. 2 and 3, the main body 11 of the lead frame 10 includes a frame 13 and a plurality of unit leads arranged in a multifaceted manner (multiple rows and multiple stages in a matrix) in the frame 13. Frame 14. Each unit lead frame 14 corresponds to an individual semiconductor device 20.

図１および図３に示すように、各単位リードフレーム１４は、第１の部分（ダイパッド）２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分（リード部）２６と、を有している。なお、図３において、二点鎖線で囲まれた領域が、単位リードフレーム１４に相当する。このように、リードフレーム１０が複数の単位リードフレーム１４を有することにより、半導体装置２０の製造コストを低減するとともに、組立効率を高めている。そして、第１の部分２５および第２の部分２６に、上方に突出してＬＥＤ素子２１に接続されるフレーム端子部１５がそれぞれ設けられている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 3, each unit lead frame 14 has a first portion (die pad) 25 and a second portion (lead portion) 26 spaced from the first portion 25. Yes. In FIG. 3, a region surrounded by a two-dot chain line corresponds to the unit lead frame 14. As described above, the lead frame 10 having the plurality of unit lead frames 14 reduces the manufacturing cost of the semiconductor device 20 and increases the assembly efficiency. The first portion 25 and the second portion 26 are respectively provided with frame terminal portions 15 that protrude upward and are connected to the LED elements 21.

また、第１の部分２５の外側および第２の部分２６の外側に、連結部２７がそれぞれ連結されている。各連結部２７は、載置されるＬＥＤ素子２１から離れる方向（単位リードフレーム１４における外側）に延びるように形成されている。すなわち、図３に示すように、各単位リードフレーム１４内の第１の部分２５は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。同様に、各単位リードフレーム１４内の第２の部分２６は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。なお、本実施の形態においては、各連結部２７の下面は、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面と同一平面上に位置し、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面と同一平面上に位置している。   In addition, connecting portions 27 are connected to the outside of the first portion 25 and the outside of the second portion 26, respectively. Each connecting portion 27 is formed to extend in a direction away from the LED element 21 to be placed (outside in the unit lead frame 14). That is, as shown in FIG. 3, the first portion 25 in each unit lead frame 14 is connected to the first portion 25 and the second portion 26 in the other adjacent unit lead frames 14, respectively. Are connected by Similarly, the second portion 26 in each unit lead frame 14 is connected to the first portion 25 and the second portion 26 in other adjacent unit lead frames 14 by connecting portions 27, respectively. In the present embodiment, the lower surface of each connecting portion 27 is located on the same plane as the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26, and the upper surface of each connecting portion 27 is the first surface. The upper surface of the second portion 25 and the upper surface of the second portion 26 are coplanar.

第１の部分２５の下面は、第１のアウターリード部２８を構成し、第２の部分２６の下面は、第２のアウターリード部２９を構成している。第１のアウターリード部２８および第２のアウターリード部２９（より正確には、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に形成されためっき層１２の下面）は、それぞれ反射用樹脂部２３から外方に露出し、外部の電極８３（図１４参照）に接続されるようになっている。   The lower surface of the first portion 25 constitutes a first outer lead portion 28, and the lower surface of the second portion 26 constitutes a second outer lead portion 29. The first outer lead portion 28 and the second outer lead portion 29 (more precisely, the lower surface of the plating layer 12 formed on the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26) are respectively reflected. The resin portion 23 is exposed to the outside and is connected to an external electrode 83 (see FIG. 14).

反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面を露出させるようになっている。すなわち、反射用樹脂部２３は、ＬＥＤ素子２１を載置する樹脂載置部２３ｂを含む反射用底部２３ｃと、反射用底部２３ｃ上に設けられ、上方に延びる反射用側壁２３ｄと、を有している。このうち反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面（より正確には、フレーム端子部１５上のめっき層１２の上面）が露出されるようになっている。すなわち、各フレーム端子部１５の上面は、反射用樹脂部２３によって覆われていない。また、反射用側壁２３ｄは、上面が露出した各フレーム端子部１５の周囲に設けられて、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように形成されている。これら反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより、ＬＥＤ素子２１を収容する樹脂凹部２３ａが形成され、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより反射するようになっている。また、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６との間にも充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。このような反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。   The reflection resin portion 23 exposes the upper surface of the frame terminal portion 15 of the lead frame 10. That is, the reflection resin portion 23 includes a reflection bottom portion 23c including a resin placement portion 23b on which the LED element 21 is placed, and a reflection side wall 23d provided on the reflection bottom portion 23c and extending upward. ing. Of these, the upper surface of each frame terminal portion 15 of the lead frame 10 (more precisely, the upper surface of the plating layer 12 on the frame terminal portion 15) is exposed at the bottom portion 23c for reflection. That is, the upper surface of each frame terminal portion 15 is not covered with the reflective resin portion 23. Further, the reflecting side wall 23d is provided around each frame terminal portion 15 whose upper surface is exposed, and is formed so as to surround the LED element 21. The bottom 23c for reflection and the side wall 23d for reflection form a resin recess 23a that accommodates the LED element 21, and the light from the LED element 21 is reflected by the bottom 23c for reflection and the side wall 23d for reflection. ing. The reflecting resin portion 23 is also filled between the first portion 25 and the second portion 26 of the lead frame 10, and the first portion 25 and the second portion 26 are electrically connected to each other. Is insulated. Such a reflective resin portion 23 is integrated with the lead frame 10.

反射用樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射用樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射用樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。樹脂凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。樹脂凹部２３ａの側壁の断面形状は、図１のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。   The reflection resin portion 23 is formed by, for example, injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 10. The shape of the reflecting resin portion 23 can be variously realized by designing a mold used for injection molding or transfer molding. For example, the overall shape of the reflecting resin portion 23 can be a rectangular parallelepiped, a cylindrical shape, a cone shape, or the like. The bottom surface of the resin recess 23a can be circular, elliptical, polygonal, or the like. The cross-sectional shape of the side wall of the resin recess 23a may be constituted by a straight line as shown in FIG. 1 or may be constituted by a curve.

反射用樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、反射用底部２３ｃおよび反射用側壁２３ｄにおいて、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。   As the thermoplastic resin or thermosetting resin used for the reflecting resin portion 23, it is particularly desirable to select a resin having excellent heat resistance, weather resistance, and mechanical strength. As the types of thermoplastic resins, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyetherimide, etc., the types of thermosetting resins are silicone resins, epoxy resins, Acrylic resins, polyurethane, and the like can be used. Furthermore, by adding any one of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the LED in the bottom portion 23c for reflection and the side wall 23d for reflection is added. The reflectance of light from the element 21 can be increased, and the light extraction efficiency of the entire semiconductor device 20 can be increased.

半導体装置の構成
次に、図４および図５により、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。本実施の形態による半導体装置２０は、ＬＥＤ電球等からなる後述の照明装置８０（図１３参照）に組み込まれて使用されるものである。 Configuration of Semiconductor Device Next, an embodiment of a semiconductor device using the lead frame with resin 40 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. The semiconductor device 20 according to the present embodiment is used by being incorporated in an illuminating device 80 (see FIG. 13), which will be described later, composed of an LED bulb or the like.

図４および図５に示すように、半導体装置２０は、樹脂付リードフレーム４０と、樹脂付リードフレーム４０の反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂに載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に充填されている。なお、図５においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。   As shown in FIGS. 4 and 5, the semiconductor device 20 includes a lead frame 40 with resin, an LED element 21 placed on the resin placement portion 23 b of the resin portion 23 for reflection of the lead frame 40 with resin, and leads Bonding wires (conductive portions) 22 that electrically connect the frame terminal portions 15 of the frame 10 and the LED elements 21 are provided. The LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a translucent sealing resin portion 24. The sealing resin portion 24 is filled in the resin recess 23 a of the reflective resin portion 23. In FIG. 5, the sealing resin portion 24 is omitted for the sake of clarity.

以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。   Hereinafter, the respective constituent members constituting such a semiconductor device 20 will be sequentially described.

ＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられている各種ＬＥＤ素子を使用することが可能である。ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。   As LED element 21, it is possible to use various LED elements generally used conventionally. The LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do.

ＬＥＤ素子２１は、素子端子部２１ａを有している。また、ＬＥＤ素子２１は、接着剤（一例として、銀ペースト、エポキシダイボンド剤、シリコーンダイボンド剤）により、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃ上に固定されている。   The LED element 21 has an element terminal portion 21a. Further, the LED element 21 is fixed on the reflection bottom portion 23c of the reflection resin portion 23 by an adhesive (for example, a silver paste, an epoxy die bond agent, or a silicone die bond agent).

ボンディングワイヤ２２は、例えば金または銅等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０のフレーム端子部１５に接続されている。   The bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold or copper, and one end thereof is connected to the element terminal portion 21 a of the LED element 21 and the other end is connected to the frame terminal portion 15 of the lead frame 10. ing.

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光と熱にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂（シロキサン結合を有する高分子）からなることが好ましい。   For the sealing resin portion 24, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the semiconductor device 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED is used as the LED element 21, the sealing resin portion 24 is exposed to strong light and heat, and therefore the sealing resin portion 24 is made of a silicone resin (polymer having a siloxane bond) having high weather resistance. It is preferable to become.

樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図１に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。 Manufacturing Method of Resin-Included Leadframe Next, a manufacturing method of the resin-attached leadframe 40 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１（加工前の本体部１１）を準備する。この金属基板３１は、銅または銅合金からなっている。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, as shown to Fig.6 (a), the flat metal substrate 31 (main-body part 11 before a process) is prepared. The metal substrate 31 is made of copper or a copper alloy. In addition, it is preferable to use what the metal substrate 31 performed the degreasing | defatting etc. to the both surfaces, and performed the washing process.

次に、金属基板３１の表裏にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させる（図６（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。   Next, photosensitive resists 32a and 33a are applied to the front and back of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 6B). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known resists can be used.

次いで、感光性レジスト３２ａ、３３ａを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｃ））。   Next, the photosensitive resists 32a and 33a are exposed through a desired photomask and then developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 6C). ).

具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分と、ハーフエッチングを行う部分（フレーム端子部１５以外の部分）に、開口部３２ｂを形成する。同様に、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に、開口部３３ｂを形成する。   Specifically, on the surface side of the metal substrate 31, openings 32b are formed in a portion where through etching is performed and a portion where half etching is performed (portion other than the frame terminal portion 15). Similarly, on the back side of the metal substrate 31, an opening 33b is formed in a portion where through etching is performed.

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｄ））。腐蝕液としては、例えば塩化第二鉄水溶液を使用することができ、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 6D). As the corrosive liquid, for example, an aqueous ferric chloride solution can be used, and the etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 31 by spray etching.

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図６（ｅ））。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are peeled and removed (FIG. 6E).

このように、金属基板３１にエッチングを施すことにより、各々がフレーム端子部１５を含む複数の第１の部分２５および第２の部分２６有するリードフレーム１０（多面付リードフレーム）（図２および図３参照）が形成される。   In this way, by etching the metal substrate 31, a lead frame 10 (multi-sided lead frame) having a plurality of first portions 25 and second portions 26 each including the frame terminal portion 15 (FIG. 2 and FIG. 2) 3) is formed.

その後、形成されたリードフレーム１０の本体部１１の周囲に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（例えばニッケル／パラジウム／金）を析出させて、本体部１１の全面にめっき層１２を形成する（図６（ｆ））。ニッケルめっきの電解めっき用めっき液としては、スルファミン酸ニッケルを主成分としたニッケルめっき液を用いることができる。また、パラジウムめっきの電解めっき用めっき液としては、塩化パラジウムを主成分としたパラジウムめっき液を、金めっきの電解めっき用めっき液としては、シアン化金を主成分とした金めっき液を用いることができる。このようにして、図１に示すようなリードフレーム１０が得られる。   Thereafter, electrolytic plating is performed around the main body 11 of the formed lead frame 10. Thereby, a metal (for example, nickel / palladium / gold) is deposited on the main body 11 to form the plating layer 12 on the entire surface of the main body 11 (FIG. 6F). As a plating solution for electrolytic plating of nickel plating, a nickel plating solution mainly composed of nickel sulfamate can be used. In addition, a palladium plating solution containing palladium chloride as a main component is used as a plating solution for electrolytic plating of palladium plating, and a gold plating solution containing gold cyanide as a main component is used as a plating solution for electrolytic plating of gold plating. Can do. In this way, the lead frame 10 as shown in FIG. 1 is obtained.

そして、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図６（ｇ））。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成された、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を得ることができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。   Then, a reflective resin portion 23 is formed on the lead frame 10 by injection molding or transfer molding a thermosetting resin or a thermoplastic resin to the lead frame 10 (FIG. 6G). Thereby, the resin-attached lead frame 40 shown in FIG. 1 in which the reflecting resin portion 23 and the lead frame 10 are integrally formed can be obtained. At this time, by appropriately designing a mold used for injection molding or transfer molding, a resin concave portion 23a is formed in the reflective resin portion 23, and the frame terminal portion 15 of the lead frame 10 is formed on the reflective bottom portion 23c. The upper surface is exposed outward (upward).

半導体装置の製造方法
次に、図４および図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）により説明する。 Method for Manufacturing Semiconductor Device Next, a method for manufacturing the semiconductor device 20 shown in FIGS. 4 and 5 will be described with reference to FIGS.

まず、上述した工程により（図６（ａ）−（ｇ））、フレーム端子部１５を含むリードフレーム１０を有する樹脂付リードフレーム４０を準備する。   First, the resin-attached lead frame 40 having the lead frame 10 including the frame terminal portion 15 is prepared by the above-described steps (FIGS. 6A to 6G).

次に、反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、接着剤を用いて、ＬＥＤ素子２１を樹脂載置部２３ｂ上に載置して固定する（図７（ａ））。   Next, the LED element 21 is mounted on the resin placement portion 23 b of the reflection resin portion 23. In this case, the LED element 21 is mounted and fixed on the resin mounting portion 23b using an adhesive (FIG. 7A).

次に、ＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａと、リードフレーム１０のフレーム端子部１５とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｂ））。   Next, the element terminal portion 21a of the LED element 21 and the frame terminal portion 15 of the lead frame 10 are electrically connected to each other by a bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 7B).

その後、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を形成し、封止樹脂部２４によりリードフレーム１０のフレーム端子部１５、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止する（図７（ｃ））。   Thereafter, a sealing resin portion 24 is formed in the resin concave portion 23a of the reflective resin portion 23, and the frame terminal portion 15, the LED element 21, and the bonding wire 22 of the lead frame 10 are sealed by the sealing resin portion 24 ( FIG. 7 (c)).

次に、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する（図７（ｄ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、図７（ｄ）の紙面に対して垂直な方向に移動させることにより、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７を切断する。なお図７（ｄ）において、ダイシングに限らず、プレスにより各半導体装置２０を個片化しても良い。   Next, the lead frame 10 is separated for each semiconductor device 20 by dicing the reflective resin portion 23 and the connecting portion 27 between the LED elements 21 (FIG. 7D). At this time, the lead frame 10 is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then moved, for example, in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. Thus, the reflecting resin portion 23 and the connecting portion 27 between the LED elements 21 are cut. In FIG. 7D, the semiconductor devices 20 may be singulated without being limited to dicing.

このようにして、図４および図５に示す半導体装置２０が得られる（図７（ｅ））。   In this way, the semiconductor device 20 shown in FIGS. 4 and 5 is obtained (FIG. 7E).

本実施の形態の作用効果
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用効果について説明する。 Operational Effects of the Present Embodiment Next , operational effects of the present embodiment having such a configuration will be described.

すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば反射用樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。また、封止樹脂部２４として耐候性が良好なシリコーン樹脂を使用する場合には、ガスバリア性が劣るため、空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが封止樹脂部２４内を浸透するおそれがある。腐食性ガスが半導体装置２０内に浸透すると、リードフレーム１０の本体部１１上に銀めっき層を形成していた場合には、この銀めっきが、腐食性ガスと反応して変色し、光の反射率が低下する。また、銀めっき層内には、発光により発生する熱によって母材の銅が拡散して、銀めっき層による光の反射率が低下するおそれがある。   That is, after a certain time has elapsed since the semiconductor device 20 was manufactured, for example, between the reflecting resin portion 23 and the sealing resin portion 24, corrosiveness such as oxygen or hydrogen sulfide gas in the air enters the semiconductor device 20. Gas may permeate. Further, when a silicone resin having good weather resistance is used as the sealing resin portion 24, the gas barrier property is inferior, so that corrosive gases such as oxygen and hydrogen sulfide gas in the air penetrate into the sealing resin portion 24. There is a risk. When the corrosive gas penetrates into the semiconductor device 20, if a silver plating layer is formed on the main body 11 of the lead frame 10, the silver plating reacts with the corrosive gas and discolors, Reflectivity decreases. Further, in the silver plating layer, the base copper may diffuse due to heat generated by light emission, and the light reflectance by the silver plating layer may be reduced.

これに対して本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられている。このことにより、ＬＥＤ素子２１からの光を、当該反射用底部２３ｃによって反射させることができる。とりわけ、反射用樹脂部２３は、光の反射率が比較的高い銀めっきよりも高い反射率（反射用樹脂部２３を形成する樹脂の種類にもよるが、一般に、硫酸バリウムの反射率を１００％として全反射測定した場合、可視光領域において銀の反射率は９０％程度、反射用樹脂部２３の反射率は９０〜１０２％程度）を有しているため、ＬＥＤ素子２１を載置する載置部が銀により形成されている場合に比べて、光の反射率を向上させることができる。また、反射用樹脂部２３は、腐食性ガスによって変色しにくいため、光の反射率の低下を抑制することができる。さらに、反射用樹脂部２３として、耐熱性の優れた樹脂（例えば、ポリフタルアミド、液晶ポリマー、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の熱劣化を抑制することができ、耐光性の優れた樹脂（例えば、フェニル基のような耐光性の低い官能基が少ないポリフェニレンサルファイドなどの樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の光劣化を抑制することができる。この結果、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。   On the other hand, according to the present embodiment, the reflection bottom portion 23 c of the reflection resin portion 23 is provided on the lead frame 10. Thereby, the light from the LED element 21 can be reflected by the reflection bottom 23c. In particular, the reflective resin portion 23 has a higher reflectance than silver plating having a relatively high light reflectance (depending on the type of resin forming the reflective resin portion 23, in general, the reflectance of barium sulfate is 100. %, The reflectance of silver is about 90% in the visible light region, and the reflectance of the reflecting resin portion 23 is about 90 to 102%. Therefore, the LED element 21 is placed. Compared with the case where the mounting portion is made of silver, the light reflectance can be improved. Moreover, since the resin part 23 for reflection is hard to discolor with corrosive gas, it can suppress the fall of the reflectance of light. Further, by using a resin having excellent heat resistance (for example, polyphthalamide, liquid crystal polymer, epoxy resin, silicone resin) as the reflective resin portion 23, thermal degradation of the reflective resin portion 23 is suppressed. And can suppress the photodegradation of the reflecting resin portion 23 by using a resin having excellent light resistance (for example, a resin such as polyphenylene sulfide having a low light resistance functional group such as a phenyl group). Can do. As a result, the light from the LED element 21 can be reflected efficiently.

また、本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができるため、リードフレーム１０の第１の部分２５および第２の部分２６に反射機能を持たせることは不要となる。ところで、リードフレーム１０のめっき層１２を銀めっきで構成した場合には、銀はイオンマイグレーションを起こしやすいため、リードフレーム１０のアウターリード部２８、２９の間（端子間）でショート（短絡）が起こりやすいという問題がある。また、銀と、反射用樹脂部２３を形成する樹脂とは接着性が劣るため、銀めっきと反射用樹脂部２３との間で界面剥離のおそれがあり、耐湿信頼性、耐熱信頼性といったパッケージ性能が低下するという問題もある。これに対して本実施の形態によれば、上述したように、ＬＥＤ素子２１からの光は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができる。このことにより、めっき層１２として、光の反射機能を持たせるために高価でパッケージ性能が劣る銀めっきを施すことは不要となり、その代わりに、パッケージ性能に優れ、安価な層（例えば、ニッケル／パラジウム／金めっき層）を選択することができる。このため、パッケージ性能に優れ、かつ安価な半導体装置２０を得ることができる。   In addition, according to the present embodiment, the light from the LED element 21 can be reflected by the reflecting bottom 23c of the reflecting resin portion 23, so that the first portion 25 and the second portion of the lead frame 10 can be reflected. It is not necessary to provide the reflecting function to 26. By the way, when the plating layer 12 of the lead frame 10 is formed by silver plating, since silver easily causes ion migration, there is a short (short circuit) between the outer lead portions 28 and 29 (between terminals) of the lead frame 10. There is a problem that is likely to occur. Further, since the adhesiveness between silver and the resin forming the reflective resin portion 23 is inferior, there is a risk of interfacial delamination between the silver plating and the reflective resin portion 23, and a package such as moisture resistance reliability and heat resistance reliability. There is also a problem that performance decreases. On the other hand, according to the present embodiment, as described above, the light from the LED element 21 can be reflected by the reflecting bottom portion 23c of the reflecting resin portion 23. As a result, it is not necessary to apply silver plating that is expensive and inferior in package performance in order to provide a light reflecting function as the plating layer 12. Instead, an inexpensive layer (for example, nickel / Palladium / gold plating layer) can be selected. For this reason, it is possible to obtain a semiconductor device 20 that is excellent in package performance and inexpensive.

また、本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられていることにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接触面積を増大することができる。このため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大することができ、強固な半導体装置２０を得ることができる。   In addition, according to the present embodiment, the contact area between the lead frame 10 and the reflection resin portion 23 is increased by providing the reflection bottom portion 23 c of the reflection resin portion 23 on the lead frame 10. be able to. For this reason, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased, and a strong semiconductor device 20 can be obtained.

変形例
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１〜変形例８）について、図８乃至図２０を参照して説明する。図８乃至図２０において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。 Modified Examples Various modified examples (modified examples 1 to 8) of the lead frame according to the present embodiment will be described below with reference to FIGS. 8 to 20, the same parts as those of the embodiment shown in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

（変形例１）
図８は、本実施の形態の一変形例（変形例１）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。図８に示す樹脂付リードフレーム４０において、図１乃至図７に示す実施の形態と異なり、リードフレーム１０の本体部１１の全面にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられている。この反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１は、例えば、銀めっき層により構成することができる。また、反射用金属層５１の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。 (Modification 1)
FIG. 8 shows a lead frame 40 with resin and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 1) of the present embodiment. In the lead frame with resin 40 shown in FIG. 8, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 7, the plating layer 12 is not formed on the entire surface of the main body 11 of the lead frame 10. A reflective metal layer 51 that functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21 is provided on the upper surface of the portion 15. The reflective metal layer 51 is formed so as to extend in the lateral direction from the upper surface of the frame terminal portion 15. The reflective metal layer 51 desirably has wire bonding properties in addition to the reflective function. Such a reflective metal layer 51 can be composed of, for example, a silver plating layer. The thickness of the reflective metal layer 51 is desirably 1 μm to 10 μm.

第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。アウター用金属層５２は、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から、横方向に延びるように形成されている。   An outer metal layer 52 made of the same material and thickness as the reflective metal layer 51 is provided on the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26. The outer metal layer 52 is formed to extend in the lateral direction from the lower surface of the corresponding first portion 25 or the lower surface of the second portion 26.

図８に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図９（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。なお、このうち、図９（ａ）−（ｅ）に示す工程は、図６（ａ）−（ｅ）に示す工程と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。   A method for manufacturing the resin-attached lead frame 40 shown in FIG. 8 will be described with reference to FIGS. Of these steps, the steps shown in FIGS. 9A to 9E are the same as the steps shown in FIGS. 6A to 6E, and a detailed description thereof will be omitted here.

図９（ｆ）に示すように、エッチング用レジスト３２、３３を除去したリードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とを一体に形成することができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、フレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。   As shown in FIG. 9F, the lead frame 10 from which the etching resists 32 and 33 are removed is subjected to reflection molding on the lead frame 10 by injection molding or transfer molding of a thermosetting resin or thermoplastic resin. Resin portion 23 is formed. Thereby, the resin part 23 for reflection and the lead frame 10 can be formed integrally. At this time, by appropriately designing a mold used for injection molding or transfer molding, a resin concave portion 23a is formed in the reflective resin portion 23, and the upper surface of the frame terminal portion 15 is outward in the reflective bottom portion 23c. Be exposed (upward).

その後、反射用樹脂部２３が設けられたリードフレーム１０のうち、反射用樹脂部２３から露出した部分に電解めっきを施す。すなわち、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に、金属（例えば銀）を析出させて、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成する。反射用金属層５１およびアウター用金属層５２が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。このようにして、図８に示すような樹脂付リードフレーム４０が得られる。なお、この場合、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面および連結部２７の下面以外の面は、反射用樹脂部２３によって覆われているため、めっき用レジスト層の形成が不要となる。また、反射用樹脂部２３をレジストとしてめっきが施されるため、反射用金属層５１が、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成され、アウター用金属層５２が、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から横方向に延びるように形成される。   Thereafter, electrolytic plating is performed on a portion of the lead frame 10 provided with the reflective resin portion 23 that is exposed from the reflective resin portion 23. That is, metal (for example, silver) is deposited on the upper surface of each frame terminal portion 15 of the lead frame 10, the lower surface of the first portion 25, and the lower surface of the second portion 26, and the reflective metal layer 51 and the outer metal. Layer 52 is formed. When the reflective metal layer 51 and the outer metal layer 52 are made of silver plating, a silver plating solution mainly composed of silver cyanide and potassium cyanide can be used as the plating solution for electrolytic plating. In this way, a lead frame with resin 40 as shown in FIG. 8 is obtained. In this case, the upper surface of the frame terminal portion 15 of the lead frame 10, the lower surface of the first portion 25, the lower surface of the second portion 26, and the surface other than the lower surface of the connecting portion 27 are covered with the reflective resin portion 23. Therefore, it is not necessary to form a resist layer for plating. Further, since plating is performed using the reflective resin portion 23 as a resist, the reflective metal layer 51 is formed so as to extend laterally from the upper surface of the frame terminal portion 15, and the outer metal layer 52 corresponds to the corresponding first layer. It is formed so as to extend laterally from the lower surface of the first portion 25 or the lower surface of the second portion 26.

この変形例１によれば、露出したフレーム端子部１５の上面においても、反射用金属層５１によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。   According to the first modification, the light from the LED element 21 can be reflected by the reflective metal layer 51 even on the exposed upper surface of the frame terminal portion 15. For this reason, the light from the LED element 21 can be reflected efficiently.

また、変形例１によれば、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面（リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面、連結部２７の下面以外の面）に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていない。このことにより、リードフレーム１０の本体部１１と反射用樹脂部２３とは、銀めっき層を介在させることなく接合される。このため、本体部１１が銅または銅合金からなる場合、銅は銀などと異なり、樹脂中の多くの官能基と配位結合が可能であることから、銅と反射用樹脂部２３とは一般に接着性が良好となり、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、樹脂との接着性を向上させるために、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、例えば、カップリング剤処理や、下地めっきを行っても良い。さらに、反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成されているため、アンカー効果によってリードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。   Further, according to the first modification, the surface of the lead frame 10 that contacts the reflecting resin portion 23 (the upper surface of the frame terminal portion 15 of the lead frame 10, the lower surface of the first portion 25, the lower surface of the second portion 26, the connection On the surface other than the lower surface of the portion 27, a silver plating layer having poor adhesion to the resin forming the reflective resin portion 23 is not formed. As a result, the main body portion 11 and the reflective resin portion 23 of the lead frame 10 are joined without interposing a silver plating layer. For this reason, when the main body part 11 is made of copper or a copper alloy, copper is different from silver or the like, and can coordinate with many functional groups in the resin. Adhesiveness is improved, and the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased. In this case, in order to improve the adhesiveness with the resin, for example, a coupling agent treatment or base plating may be performed on the surface of the lead frame 10 in contact with the reflective resin portion 23. Further, since the reflective metal layer 51 is formed so as to extend in the lateral direction from the upper surface of the frame terminal portion 15, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased by the anchor effect. .

なお、変形例１において、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面の表面粗さは、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢ０６０１−１９９４）で、０．１μｍ〜１０μｍの範囲（２００μｍ長さ）であることが好ましい。   In the first modification, the surface of the lead frame 10 that contacts the reflective resin portion 23 may be roughened. As a result, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased. In this case, the surface roughness of the surface in contact with the reflective resin portion 23 of the lead frame 10 is the maximum height roughness Ry (JISB0601-1994) and is in the range of 0.1 μm to 10 μm (200 μm length). preferable.

リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面を粗面化する場合、エッチング後のリードフレーム１０（図９（ｅ）参照）に対して、リードフレーム１０の本体部１１の全面を粗面化する。この場合、例えば過酸化水素溶液などの薬液を用いて粗面化してもよく、あるいは、本体部１１の全面にニッケル粗化めっきを施して粗面化してもよい。続いて、粗面化されたリードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図９（ｆ）参照）。次に、フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面を、平坦化する。この場合、金型をこれらの面に押し当てて平坦化してもよく、または、これらの面を、反射用樹脂部２３をマスクとして、過硫酸などで微量にエッチングして平坦化してもよい。その後、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成し（図９（ｇ）参照）、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が粗面化された樹脂付リードフレーム４０が得られる。   When the surface of the lead frame 10 in contact with the reflective resin portion 23 is roughened, the entire surface of the main body 11 of the lead frame 10 is roughened with respect to the lead frame 10 after etching (see FIG. 9E). To do. In this case, for example, the surface may be roughened using a chemical solution such as a hydrogen peroxide solution, or the entire surface of the main body 11 may be roughened by nickel roughening. Subsequently, the reflecting resin portion 23 is formed on the roughened lead frame 10 (see FIG. 9F). Next, the upper surface of the frame terminal portion 15, the lower surface of the first portion 25, and the lower surface of the second portion 26 are flattened. In this case, the mold may be pressed against these surfaces to be flattened, or these surfaces may be flattened by etching with a small amount of persulfuric acid using the reflective resin portion 23 as a mask. Thereafter, the reflective metal layer 51 and the outer metal layer 52 are formed (see FIG. 9G), and the lead frame 40 with resin having a roughened surface in contact with the reflective resin portion 23 of the lead frame 10 is obtained. It is done.

（変形例２）
図１０は、本実施の形態の一変形例（変形例２）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例２においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。このフレーム載置部５３の上面（より正確には、フレーム載置部５３上のめっき層１２の上面）は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃから露出している。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。このようなフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができる。 (Modification 2)
FIG. 10 shows a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 2) of the present embodiment. In the second modification, the lead frame 10 has a frame placement portion 53 that protrudes upward and places the LED element 21 thereon. The upper surface of the frame mounting portion 53 (more precisely, the upper surface of the plating layer 12 on the frame mounting portion 53) is exposed from the reflecting bottom portion 23c of the reflecting resin portion 23. The LED element 21 is fixed to the frame mounting portion 53 with solder or die bonding paste. Such a frame mounting portion 53 can be formed in the same manner as the frame terminal portion 15 shown in FIG.

この変形例２によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。   According to the second modification, the heat generated from the LED element 21 can be radiated through the frame mounting portion 53.

（変形例３）
図１１は、本実施の形態の一変形例（変形例３）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例３は、変形例１と変形例２とを組み合わせたものとなっている。 (Modification 3)
FIG. 11 shows a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 3) of the present embodiment. Modification 3 is a combination of Modification 1 and Modification 2.

すなわち、変形例３においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。また、変形例３においては、リードフレーム１０の本体部１１にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられ、フレーム載置部５３の上面に、反射用金属層５１と同様な第２の反射用金属層５４が設けられている。反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成され、第２の反射用金属層５４は、フレーム載置部５３の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。   That is, in Modification 3, the lead frame 10 has a frame mounting portion 53 that protrudes upward and mounts the LED element 21. In the third modification, the plating layer 12 is not formed on the main body portion 11 of the lead frame 10, and the reflection for reflecting the light from the LED element 21 on the upper surface of the frame terminal portion 15 of the lead frame 10. A reflective metal layer 51 that functions as a layer is provided, and a second reflective metal layer 54 similar to the reflective metal layer 51 is provided on the upper surface of the frame mounting portion 53. The reflective metal layer 51 is formed so as to extend in the lateral direction from the upper surface of the frame terminal portion 15, and the second reflective metal layer 54 is formed so as to extend in the lateral direction from the upper surface of the frame mounting portion 53. Has been. The LED element 21 is fixed to the frame mounting portion 53 with solder or die bonding paste.

反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましく、第２の反射用金属層５４は、反射機能のほかに、ダイボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４は、銀めっき層により構成することが好ましい。また、反射用金属層５１の厚さおよび第２の反射用金属層５４の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。   The reflective metal layer 51 desirably has wire bonding properties in addition to the reflective function, and the second reflective metal layer 54 desirably has die bondability in addition to the reflective function. The reflective metal layer 51 and the second reflective metal layer 54 are preferably composed of a silver plating layer. The thickness of the reflective metal layer 51 and the thickness of the second reflective metal layer 54 are preferably 1 μm to 10 μm.

また、変形例１と同様に、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。   In the same manner as in the first modification, the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26 have outer layers made of the same material and thickness as the reflective metal layer 51 and the second reflective metal layer 54. A metal layer 52 is provided.

図１１に示すフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができ、反射用金属層５１、第２の反射用金属層５４およびアウター用金属層５２は、図９に示す変形例１と同様にして、これらの層を同時に形成することができる。   The frame mounting portion 53 shown in FIG. 11 can be formed in the same manner as the frame terminal portion 15 shown in FIG. 6, and the reflective metal layer 51, the second reflective metal layer 54, and the outer metal layer 52 are These layers can be formed at the same time as in the first modification shown in FIG.

この変形例３によれば、露出したフレーム端子部１５の上面およびフレーム載置部５３の上面においても、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができ、半導体装置２０としての光の反射率を向上させることができる。   According to the third modification, the light from the LED element 21 is also reflected by the reflective metal layer 51 and the second reflective metal layer 54 on the exposed upper surface of the frame terminal portion 15 and the upper surface of the frame mounting portion 53. Therefore, the reflectance of light as the semiconductor device 20 can be improved.

また、変形例３によれば、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていないため、リードフレーム１０の本体部１１が銅または銅合金からなる場合、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。さらに、各反射用金属層５１、５４によるアンカー効果によって、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。   Further, according to Modification 3, as in Modification 1, a silver plating layer having poor adhesion to the resin forming the reflection resin portion 23 is formed on the surface of the lead frame 10 in contact with the reflection resin portion 23. Therefore, when the main body 11 of the lead frame 10 is made of copper or a copper alloy, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased. Furthermore, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased by the anchor effect of the reflective metal layers 51 and 54.

また、変形例３によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。   Further, according to the third modification, the heat generated from the LED element 21 can be radiated through the frame mounting portion 53.

なお、変形例３において、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。   In Modification 3, as in Modification 1, the surface of the lead frame 10 in contact with the reflective resin portion 23 may be roughened. As a result, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflective resin portion 23 can be increased.

（変形例４）
図１２は、本実施の形態の一変形例（変形例４）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例４においては、リードフレーム１０の各連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置している。また、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面より上方に位置している。そして、連結部２７の下方に、反射用樹脂部２３が回り込むように形成されている。このような連結部２７は、リードフレーム１０のエッチング時に、金属基板３１の連結部２７に対応する部分の裏面側にエッチング用レジスト層３３の開口部を形成してハーフエッチングすることにより、形成することができる（図６（ｃ）参照）。 (Modification 4)
FIG. 12 shows a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 4) of the present embodiment. In Modification 4, the lower surface of each connecting portion 27 of the lead frame 10 is located above the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26. The upper surface of each connecting portion 27 is located above the upper surface of the first portion 25 and the upper surface of the second portion 26. The reflection resin portion 23 is formed below the connecting portion 27 so as to go around. Such a connecting portion 27 is formed by forming an opening portion of the etching resist layer 33 on the back side of the portion corresponding to the connecting portion 27 of the metal substrate 31 and half-etching at the time of etching the lead frame 10. (See FIG. 6C).

この変形例４によれば、リードフレーム１０の連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されているため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。   According to the fourth modification, since the reflecting resin portion 23 is formed below the connecting portion 27 of the lead frame 10, the bonding strength between the lead frame 10 and the reflecting resin portion 23 can be increased.

ところで、変形例４を含む本実施の形態による半導体装置２０は、図１３に示すように、ＬＥＤ電球等からなる照明装置８０に組み込まれて使用される。図１３において、符号８１、８２は、それぞれ照明装置８０の照明基板およびカバーを示している。照明装置８０の照明基板８１上には、本実施の形態による半導体装置２０が複数個（図１３では３個）取り付けられている。より具体的には、図１４に示すように、半導体装置２０の第１アウターリード部２８および第２アウターリード部２９は、半田接続部８４を介して、照明基板８１上に設けられた外部の電極８３に接続され、半導体装置２０が、照明基板８１上に取り付けられている。また、カバー８２は、照明基板８１上においてこれら半導体装置２０を覆うように設けられている。   By the way, as shown in FIG. 13, the semiconductor device 20 according to the present embodiment including the modified example 4 is used by being incorporated in an illumination device 80 including an LED bulb or the like. In FIG. 13, reference numerals 81 and 82 denote an illumination board and a cover of the illumination device 80, respectively. A plurality (three in FIG. 13) of semiconductor devices 20 according to the present embodiment are mounted on the lighting substrate 81 of the lighting device 80. More specifically, as shown in FIG. 14, the first outer lead portion 28 and the second outer lead portion 29 of the semiconductor device 20 are externally provided on the illumination board 81 via the solder connection portion 84. The semiconductor device 20 is connected to the electrode 83 and attached to the illumination substrate 81. The cover 82 is provided on the illumination substrate 81 so as to cover these semiconductor devices 20.

照明装置８０を点灯した場合、各半導体装置２０のＬＥＤ素子２１が発光し、ＬＥＤ素子２１からの光は、カバー８２を通過して外方に照射される。このとき、ＬＥＤ素子２１からの光は、主としてＬＥＤ素子２１から（何にも反射することなく）直接カバー８２を通過して外方に照射される（符号Ｌ１）。他方、ＬＥＤ素子２１からの光の一部は、カバー８２内部で反射した後、照明基板８１で反射したり（符号Ｌ２）、半導体装置２０と照明基板８１とを接続している半田接続部８４（図１４参照）で反射したりする（符号Ｌ３）。とりわけ、半田は光の反射率が低いため、半田接続部８４が半導体装置２０から外方に突出するように形成されている場合には、多くの光が半田接続部８４で反射するようになり、照明装置８０の光の取り出し効率が低下するおそれがある。 When the lighting device 80 is turned on, the LED element 21 of each semiconductor device 20 emits light, and the light from the LED element 21 passes through the cover 82 and is irradiated outward. At this time, the light from the LED element 21 is irradiated to the outside mainly through the cover 82 (without being reflected by anything) from the LED element 21 (reference numeral L 1 ). On the other hand, a part of the light from the LED element 21 is reflected inside the cover 82 and then reflected by the illumination board 81 (reference numeral L 2 ), or a solder connection part connecting the semiconductor device 20 and the illumination board 81. 84 (see FIG. 14) (reference L 3 ). In particular, since solder has a low light reflectivity, when the solder connection portion 84 is formed to protrude outward from the semiconductor device 20, a large amount of light is reflected by the solder connection portion 84. There is a possibility that the light extraction efficiency of the lighting device 80 may be reduced.

これに対して変形例４によれば、リードフレーム１０の第１の部分２５または第２の部分２６の外側に連結された連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置し、連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されている。このことにより、図１５に示すように、半田接続部８４を形成するための半田が、その濡れ性により、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面において、連結部２７の下方まで延びることを防止し、半田接続部８４が、半導体装置２０の外方に突出することを防止できる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光が、半田接続部８４で反射することを抑制することができ、照明装置８０の光の取り出し効率を向上させることができる。   On the other hand, according to the fourth modification, the lower surface of the connecting portion 27 connected to the outside of the first portion 25 or the second portion 26 of the lead frame 10 is the lower surface of the first portion 25 and the second portion. A reflecting resin portion 23 is formed above the lower surface of the portion 26 and below the connecting portion 27. As a result, as shown in FIG. 15, the solder for forming the solder connection portion 84 is below the connecting portion 27 on the lower surface of the first portion 25 and the lower surface of the second portion 26 due to its wettability. It is possible to prevent the solder connection portion 84 from protruding outward from the semiconductor device 20. For this reason, it can suppress that the light from LED element 21 reflects in the solder connection part 84, and can improve the extraction efficiency of the light of the illuminating device 80. FIG.

（変形例５）
図１５および図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例５）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例５は、ボンディングワイヤ２２が一本の例を示しており、リードフレーム１０の第１の部分２５に設けられたフレーム端子部１５に、ＬＥＤ素子２１が載置され、第２の部分２６に設けられたフレーム端子部１５に、ボンディングワイヤ２２が接続されており、第１の部分２５側のフレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図１０参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側のフレーム端子部１５に固定されている。なお、図１６（後述する図１８および図１９も同様）においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。 (Modification 5)
FIGS. 15 and 16 show a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (modification 5) of the present embodiment. The modification 5 shows an example in which the bonding wire 22 is one, and the LED element 21 is placed on the frame terminal portion 15 provided in the first portion 25 of the lead frame 10, and the second portion 26. The bonding wire 22 is connected to the frame terminal portion 15 provided on the frame terminal portion 15, and the frame terminal portion 15 on the first portion 25 side also serves as the frame placement portion 53 (see FIG. 10). In this case, the LED element 21 is fixed to the frame terminal portion 15 on the first portion 25 side by solder or die bonding paste. In FIG. 16 (the same applies to FIGS. 18 and 19 described later), the sealing resin portion 24 is omitted for the sake of clarity.

（変形例６）
図１７および図１８は、本実施の形態の一変形例（変形例６）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例６は、フリップチップ方式の樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、ＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６とに跨って載置されており、各フレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図８参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだボールにより、各フレーム端子部１５に固定されている。 (Modification 6)
17 and 18 show a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 6) of the present embodiment. Modification 6 shows a flip-chip type lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20. That is, the LED element 21 is placed across the first portion 25 and the second portion 26 of the lead frame 10, and each frame terminal portion 15 has a frame placement portion 53 (see FIG. 8). I also use it. In this case, the LED element 21 is fixed to each frame terminal portion 15 with solder balls.

（変形例７）
図１９は、本実施の形態の一変形例（変形例７）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例７は、ＬＥＤ素子２１と共に、静電破壊素子５５が搭載された樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、リードフレーム１０は、本実施の形態によるフレーム端子部１５と同様な、静電破壊素子５５用のフレーム端子部５６を更に有し、当該フレーム端子部５６が、静電破壊素子５５を載置するためのフレーム載置部を兼用している。この場合、静電破壊素子５５は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側の対応するフレーム端子部５６に固定されている。また、静電破壊素子５５は、ボンディングワイヤ５７によって、第２の部分２６側の対応するフレーム端子部５６に接続されている。 (Modification 7)
FIG. 19 shows a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 7) of the present embodiment. Modification 7 shows the lead frame 40 with resin and the semiconductor device 20 on which the electrostatic breakdown element 55 is mounted together with the LED element 21. That is, the lead frame 10 further includes a frame terminal portion 56 for the electrostatic breakdown element 55 similar to the frame terminal portion 15 according to the present embodiment, and the frame terminal portion 56 mounts the electrostatic breakdown element 55. It is also used as a frame placement part for placing. In this case, the electrostatic breakdown element 55 is fixed to the corresponding frame terminal portion 56 on the first portion 25 side by solder or die bonding paste. The electrostatic breakdown element 55 is connected to a corresponding frame terminal portion 56 on the second portion 26 side by a bonding wire 57.

（変形例８）
図２０は、本実施の形態の一変形例（変形例８）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例８においては、反射用樹脂部２３は、反射用側壁２３ｄを有しておらず、樹脂凹部２３ａが形成されていない。この場合、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０上において平坦状に形成され、反射用底部２３ｃの樹脂載置部２３ｂ上に載置されるＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２は、反射用樹脂部２３上で平坦状に形成された封止樹脂部２４により覆われる。 (Modification 8)
FIG. 20 shows a lead frame with resin 40 and the semiconductor device 20 according to a modification (Modification 8) of the present embodiment. In the modification 8, the reflection resin part 23 does not have the reflection side wall 23d, and the resin recessed part 23a is not formed. In this case, the reflection resin portion 23 is formed flat on the lead frame 10, and the LED element 21 and the bonding wire 22 placed on the resin placement portion 23b of the reflection bottom portion 23c are formed of the reflection resin portion. 23 is covered with a sealing resin portion 24 formed in a flat shape.

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明による樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。   As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, the lead frame with a resin, the semiconductor device, the lighting device, the method for manufacturing the lead frame with a resin, and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present invention are the same as the above embodiments. It is not limited at all, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

１０ リードフレーム
１１ 本体部
１２ めっき層
１５ フレーム端子部
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 反射用樹脂部
２３ａ 樹脂凹部
２３ｂ 樹脂載置部
２３ｃ 反射用底部
２３ｄ 反射用側壁
２４ 封止樹脂部
２５ 第１の部分
２６ 第２の部分
２７ 連結部
３１ 金属基板
４０ 樹脂付リードフレーム
５１ 反射用金属層
５３ フレーム載置部
５４ 第２の反射用金属層
８０ 照明装置
８１ 照明基板
８２ カバー DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Main body part 12 Plating layer 15 Frame terminal part 20 Semiconductor device 21 LED element 22 Bonding wire 23 Reflective resin part 23a Resin recessed part 23b Resin mounting part 23c Reflective bottom part 23d Reflective side wall 24 Sealing resin part 25 1st 1 part 26 2nd part 27 connecting part 31 metal substrate 40 lead frame with resin 51 metal layer for reflection 53 frame mounting part 54 second metal layer for reflection 80 illumination device 81 illumination substrate 82 cover

Claims (16)

ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、
前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、
前記リードフレームの前記反射用樹脂部に接する面は、粗面化され、
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、を有し、
前記第１の部分の下面は、第１のアウターリード部を構成し、前記第２の部分の下面は、第２のアウターリード部を構成し、
前記第１のアウターリード部および前記第２のアウターリード部は、それぞれ前記反射用樹脂部から外方に露出し、
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、平坦化され、
前記反射用樹脂部は、前記フレーム端子部の上面を露出させる反射用底部を有し、
上方から見たときに、前記反射用底部の表面積は、前記フレーム端子部の表面積よりも大きいことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 In the lead frame with resin for mounting the LED element,
A lead frame having a frame terminal connected to the LED element ;
A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
The surface in contact with the reflective resin portion of the lead frame is roughened,
The lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion;
The lower surface of the first portion constitutes a first outer lead portion, and the lower surface of the second portion constitutes a second outer lead portion,
The first outer lead portion and the second outer lead portion are respectively exposed outward from the reflective resin portion,
The lower surface of the first part and the lower surface of the second part are planarized ;
The reflective resin portion has a reflective bottom portion that exposes an upper surface of the frame terminal portion,
The resin-attached lead frame , wherein when viewed from above, a surface area of the reflecting bottom portion is larger than a surface area of the frame terminal portion . ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームの前記反射用樹脂部に接する面は、粗面化され、The surface in contact with the reflective resin portion of the lead frame is roughened,
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、を有し、The lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion;
前記第１の部分の下面は、第１のアウターリード部を構成し、前記第２の部分の下面は、第２のアウターリード部を構成し、The lower surface of the first portion constitutes a first outer lead portion, and the lower surface of the second portion constitutes a second outer lead portion,
前記第１のアウターリード部および前記第２のアウターリード部は、それぞれ前記反射用樹脂部から外方に露出し、The first outer lead portion and the second outer lead portion are respectively exposed outward from the reflective resin portion,
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、平坦化され、The lower surface of the first part and the lower surface of the second part are planarized;
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面にアウター用金属層が設けられ、An outer metal layer is provided on the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記アウター用金属層は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面から横方向に延びるように形成され、The outer metal layer is formed to extend laterally from the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記リードフレームは、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部を更に有し、The lead frame further includes a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part,
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成され、The reflective resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion,
前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有し、The lead frame has a frame terminal portion protruding upward and connected to the LED element,
前記反射用樹脂部は、前記リードフレームの前記フレーム端子部の上面を露出させ、The reflective resin portion exposes an upper surface of the frame terminal portion of the lead frame,
前記リードフレームの前記フレーム端子部は、前記第１の部分および前記第２の部分にそれぞれ設けられており、The frame terminal portion of the lead frame is provided in each of the first portion and the second portion,
前記フレーム端子部の上面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記フレーム端子部の上面に反射用金属層が設けられ、The upper surface of the frame terminal portion is exposed from the reflective resin portion, and a reflective metal layer is provided on the upper surface of the frame terminal portion,
前記反射用金属層は、前記フレーム端子部の上面から横方向に延びるように形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The lead frame with resin, wherein the reflective metal layer is formed so as to extend laterally from an upper surface of the frame terminal portion. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームの前記反射用樹脂部に接する面は、粗面化され、The surface in contact with the reflective resin portion of the lead frame is roughened,
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、を有し、The lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion;
前記第１の部分の下面は、第１のアウターリード部を構成し、前記第２の部分の下面は、第２のアウターリード部を構成し、The lower surface of the first portion constitutes a first outer lead portion, and the lower surface of the second portion constitutes a second outer lead portion,
前記第１のアウターリード部および前記第２のアウターリード部は、それぞれ前記反射用樹脂部から外方に露出し、The first outer lead portion and the second outer lead portion are respectively exposed outward from the reflective resin portion,
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、平坦化され、The lower surface of the first part and the lower surface of the second part are planarized;
前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有し、The lead frame has a frame terminal portion protruding upward and connected to the LED element,
前記反射用樹脂部は、前記リードフレームの前記フレーム端子部の上面を露出させ、The reflective resin portion exposes an upper surface of the frame terminal portion of the lead frame,
前記リードフレームの前記フレーム端子部は、前記第１の部分および前記第２の部分にそれぞれ設けられており、The frame terminal portion of the lead frame is provided in each of the first portion and the second portion,
前記フレーム端子部の上面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記フレーム端子部の上面に反射用金属層が設けられ、The upper surface of the frame terminal portion is exposed from the reflective resin portion, and a reflective metal layer is provided on the upper surface of the frame terminal portion,
前記反射用金属層は、前記フレーム端子部の上面から横方向に延びるように形成され、The reflective metal layer is formed to extend laterally from the upper surface of the frame terminal portion,
前記リードフレームは、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部を更に有し、The lead frame further includes a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part,
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The lead frame with resin, wherein the reflection resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームの前記反射用樹脂部に接する面は、粗面化され、The surface in contact with the reflective resin portion of the lead frame is roughened,
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、を有し、The lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion;
前記第１の部分の下面は、第１のアウターリード部を構成し、前記第２の部分の下面は、第２のアウターリード部を構成し、The lower surface of the first portion constitutes a first outer lead portion, and the lower surface of the second portion constitutes a second outer lead portion,
前記第１のアウターリード部および前記第２のアウターリード部は、それぞれ前記反射用樹脂部から外方に露出し、The first outer lead portion and the second outer lead portion are respectively exposed outward from the reflective resin portion,
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、平坦化され、The lower surface of the first part and the lower surface of the second part are planarized;
前記反射用樹脂部は、前記ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The said resin part for reflection has the resin mounting part which mounts the said LED element, The lead frame with resin characterized by the above-mentioned. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームの前記反射用樹脂部に接する面は、粗面化され、The surface in contact with the reflective resin portion of the lead frame is roughened,
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、を有し、The lead frame has a first portion and a second portion spaced apart from the first portion;
前記第１の部分の下面は、第１のアウターリード部を構成し、前記第２の部分の下面は、第２のアウターリード部を構成し、The lower surface of the first portion constitutes a first outer lead portion, and the lower surface of the second portion constitutes a second outer lead portion,
前記第１のアウターリード部および前記第２のアウターリード部は、それぞれ前記反射用樹脂部から外方に露出し、The first outer lead portion and the second outer lead portion are respectively exposed outward from the reflective resin portion,
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、平坦化され、The lower surface of the first part and the lower surface of the second part are planarized;
前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、The lead frame further includes a frame placement portion that projects upward and places the LED element,
前記リードフレームの前記フレーム載置部の上面は、前記反射用樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The lead frame with resin, wherein an upper surface of the frame mounting portion of the lead frame is exposed from the reflective resin portion. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、
前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部と、を有し、
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面にアウター用金属層が設けられ、
前記アウター用金属層は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面から横方向に延びるように形成され、
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成され、
前記反射用樹脂部は、前記フレーム端子部の上面を露出させる反射用底部を有し、
上方から見たときに、前記反射用底部の表面積は、前記フレーム端子部の表面積よりも大きいことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 In the lead frame with resin for mounting the LED element,
A lead frame having a frame terminal connected to the LED element ;
A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
The lead frame includes a first part, a second part spaced apart from the first part, and a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part, respectively. Have
The lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion are exposed from the reflective resin portion, and an outer metal layer is provided on the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
The outer metal layer is formed to extend laterally from the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
The reflective resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion ,
The reflective resin portion has a reflective bottom portion that exposes an upper surface of the frame terminal portion,
The resin-attached lead frame , wherein when viewed from above, a surface area of the reflecting bottom portion is larger than a surface area of the frame terminal portion . ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部と、を有し、The lead frame includes a first part, a second part spaced apart from the first part, and a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part, respectively. Have
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面にアウター用金属層が設けられ、The lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion are exposed from the reflective resin portion, and an outer metal layer is provided on the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記アウター用金属層は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面から横方向に延びるように形成され、The outer metal layer is formed to extend laterally from the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成され、The reflective resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion,
前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有し、The lead frame has a frame terminal portion protruding upward and connected to the LED element,
前記反射用樹脂部は、前記リードフレームの前記フレーム端子部の上面を露出させ、The reflective resin portion exposes an upper surface of the frame terminal portion of the lead frame,
前記リードフレームの前記フレーム端子部は、前記第１の部分および前記第２の部分にそれぞれ設けられており、The frame terminal portion of the lead frame is provided in each of the first portion and the second portion,
前記フレーム端子部の上面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記フレーム端子部の上面に反射用金属層が設けられ、The upper surface of the frame terminal portion is exposed from the reflective resin portion, and a reflective metal layer is provided on the upper surface of the frame terminal portion,
前記反射用金属層は、前記フレーム端子部の上面から横方向に延びるように形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The lead frame with resin, wherein the reflective metal layer is formed so as to extend laterally from an upper surface of the frame terminal portion. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部と、を有し、The lead frame includes a first part, a second part spaced apart from the first part, and a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part, respectively. Have
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面にアウター用金属層が設けられ、The lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion are exposed from the reflective resin portion, and an outer metal layer is provided on the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記アウター用金属層は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面から横方向に延びるように形成され、The outer metal layer is formed to extend laterally from the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成され、The reflective resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion,
前記反射用樹脂部は、前記ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The said resin part for reflection has the resin mounting part which mounts the said LED element, The lead frame with resin characterized by the above-mentioned. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、In the lead frame with resin for mounting the LED element,
リードフレームと、A lead frame;
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、A reflective resin portion provided on the lead frame for reflecting light from the LED element;
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部と、を有し、The lead frame includes a first part, a second part spaced apart from the first part, and a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part, respectively. Have
前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面にアウター用金属層が設けられ、The lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion are exposed from the reflective resin portion, and an outer metal layer is provided on the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記アウター用金属層は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面から横方向に延びるように形成され、The outer metal layer is formed to extend laterally from the lower surface of the first portion and the lower surface of the second portion,
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成され、The reflective resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion,
前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、The lead frame further includes a frame placement portion that projects upward and places the LED element,
前記リードフレームの前記フレーム載置部の上面は、前記反射用樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂付リードフレーム。The lead frame with resin, wherein an upper surface of the frame mounting portion of the lead frame is exposed from the reflective resin portion. ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、
上方に突出して前記ＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、
前記リードフレームに設けられ、前記リードフレームの前記フレーム端子部の上面を露出させ、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備え、
前記リードフレームは、第１の部分と、前記第１の部分に離間した第２の部分と、前記第１の部分の外側および前記第２の部分の外側にそれぞれ連結された連結部と、を有し、
前記フレーム端子部の上面は、前記反射用樹脂部から露出し、前記フレーム端子部の上面に反射用金属層が設けられ、
前記反射用金属層は、前記フレーム端子部の上面から横方向に延びるように形成され、
前記第１の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第２の部分の側とは反対側の方向に延びており、
前記第２の部分の外側に連結された前記連結部は、前記第１の部分の側とは反対側の方向に延びており、
前記リードフレームの前記フレーム端子部は、前記第１の部分および前記第２の部分にそれぞれ設けられており、
前記連結部の下面は、前記第１の部分の下面および前記第２の部分の下面より上方に位置し、
前記反射用樹脂部は、前記連結部の上方および下方に回り込むように形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。 In the lead frame with resin for mounting the LED element,
A lead frame having a frame terminal portion protruding upward and connected to the LED element;
A reflective resin portion provided on the lead frame, exposing an upper surface of the frame terminal portion of the lead frame, and reflecting light from the LED element;
The lead frame includes a first part, a second part spaced apart from the first part, and a connecting part connected to the outside of the first part and the outside of the second part, respectively. Have
The upper surface of the frame terminal portion is exposed from the reflective resin portion, and a reflective metal layer is provided on the upper surface of the frame terminal portion,
The reflective metal layer is formed to extend laterally from the upper surface of the frame terminal portion,
The connecting portion connected to the outside of the first portion extends in a direction opposite to the second portion;
The connecting portion connected to the outside of the second part extends in a direction opposite to the side of the first part,
The frame terminal portion of the lead frame is provided in each of the first portion and the second portion,
The lower surface of the connecting portion is located above the lower surface of the first part and the lower surface of the second part,
The lead frame with resin, wherein the reflection resin portion is formed to wrap around above and below the connecting portion. 前記反射用樹脂部は、前記ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする請求項１、２、３、６、７および１０のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。 The lead with resin according to any one of claims 1 , 2 , 3, 6 , 7, and 10 , wherein the reflection resin portion has a resin placement portion on which the LED element is placed. flame. 前記リードフレームは、上方に突出して前記ＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、
前記リードフレームの前記フレーム載置部の上面は、前記反射用樹脂部から露出していることを特徴とする請求項１、２、３、６、７および１０のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。 The lead frame further includes a frame placement portion that projects upward and places the LED element,
Upper surface of the frame mounting portion of the lead frame according to claim 1, characterized in that is exposed from the reflective resin portion, the resin coated lead according to any one of 2, 3, 6, 7 and 10 flame. 前記リードフレームの前記フレーム載置部の上面に、前記ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする請求項５、９および１２のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。 The second reflective metal layer functioning as a reflective layer for reflecting the light from the LED element is provided on the upper surface of the frame mounting portion of the lead frame . The lead frame with resin as described in any one of 9 and 12 . 前記反射用樹脂部は、前記リードフレームの前記フレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする請求項１、２、３、６、７および１０のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。 The said reflection resin part is provided in the circumference | surroundings of the said frame terminal part of the said lead frame, and has the reflection side wall extended upwards, The 1, 2, 3, 6, 7, and 10 characterized by the above-mentioned. The lead frame with resin as described in any of the above. 請求項１乃至１４のいずれかに記載の前記樹脂付リードフレームと、
前記樹脂付リードフレームに載置され、前記リードフレームに接続された前記ＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。 The lead frame with resin according to any one of claims 1 to 14 ,
A semiconductor device comprising: the LED element mounted on the lead frame with resin and connected to the lead frame. 照明基板と、
前記照明基板上に配置された請求項１５に記載の前記半導体装置と、前記照明基板上に設けられ、前記半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置。 A lighting board;
It said semiconductor device according to claim 15 which is arranged on the illumination substrate, provided in front Symbol illumination substrate, the illumination device characterized by comprising a cover for covering the semiconductor device.
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