JP5737605B2 - LED lead frame or substrate and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびにこのようなＬＥＤ用リードフレームまたは基板を有する半導体装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted and a manufacturing method thereof, and a semiconductor device having such an LED lead frame or substrate and a manufacturing method thereof.

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ用基板とＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。   2. Description of the Related Art Conventionally, lighting devices that use LED (light emitting diode) elements as light sources have been used for various home appliances, OA equipment, display lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, displays, and the like. Some of such lighting devices include a semiconductor device having an LED substrate and LED elements.

このような半導体装置として、例えば特許文献１には、Ｃｕ基板の一面側に凹部を形成して、ＬＥＤ素子をこの凹部に搭載し、該凹部側に配設された絶縁層上に接続用のＣｕ配線層を形成し、ＬＥＤの端子部とＣｕ配線層とをワイヤボンディング接続し、樹脂封止したものが記載されている。また特許文献１において、Ｃｕ配線層表面にはＡｇめっきが施されている。   As such a semiconductor device, for example, in Patent Document 1, a concave portion is formed on one surface side of a Cu substrate, an LED element is mounted on the concave portion, and a connection is provided on an insulating layer disposed on the concave portion side. It is described that a Cu wiring layer is formed, LED terminal portions and Cu wiring layers are connected by wire bonding, and resin-sealed. Moreover, in patent document 1, Ag plating is given to the Cu wiring layer surface.

特開２００６−２４５０３２号公報JP 2006-245032 A

ところで、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤ用半導体装置を封止する樹脂が強い光にさらされる。このため近年、樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、リードフレーム表面のＡｇ層にまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。この結果、リードフレーム表面のＡｇ層が変色し、Ａｇ層の反射率を著しく低下させるという問題が生じている。   By the way, especially when using high-intensity LED, resin which seals the semiconductor device for LED is exposed to strong light. For this reason, in recent years, weather resistance has been required for resins, and the demand for using silicone resins as such resins has increased. However, when a silicone resin is used, gas barrier properties tend to be inferior, so corrosive gases such as oxygen and hydrogen sulfide gas in the air penetrate into the Ag layer on the lead frame surface. As a result, there is a problem that the Ag layer on the lead frame surface is discolored and the reflectance of the Ag layer is remarkably lowered.

これに対して、本発明者らは、リードフレーム表面の金属層として、Ａｇ層に代えて合金層を用いた半導体装置を開発している。この半導体装置においては、合金層を用いることによりＬＥＤ素子からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子からの光の反射特性を維持することが可能となる。   In contrast, the present inventors have developed a semiconductor device using an alloy layer instead of the Ag layer as the metal layer on the surface of the lead frame. In this semiconductor device, it is possible to efficiently reflect the light from the LED element by using the alloy layer, and to maintain the reflection characteristics of the light from the LED element by suppressing the corrosion caused by the gas.

しかしながら、このような半導体装置に熱を加えた場合、基板（本体部）に含まれる銅が合金層表面へ拡散し、半田濡れ性やボンディング性を劣化させるおそれがある。また、合金が銀合金であるため、合金層から内部へ向けて酸素が透過することにより、本体部の銅が酸化して剥離が生じるおそれがある。このため、リードフレーム表面の合金層と本体部の銅基材との間のＡｇ層を比較的厚く（例えば１〜５μｍ程度）して酸素の透過を減らすことにより、このような銅の酸化を遅らせている。   However, when heat is applied to such a semiconductor device, copper contained in the substrate (main body portion) may diffuse to the surface of the alloy layer, which may deteriorate solder wettability and bonding properties. Further, since the alloy is a silver alloy, oxygen permeates from the alloy layer toward the inside, so that copper in the main body may be oxidized and peeled off. Therefore, the copper layer is oxidized by reducing the oxygen permeation by making the Ag layer between the alloy layer on the lead frame surface and the copper base material of the main body relatively thick (for example, about 1 to 5 μm). Delayed.

しかしながら、合金層と銅基材との間のＡｇ層を例えば１〜５μｍ程度まで厚くした場合、製造時にＡｇ層の厚みのばらつきが大きくなるため、ダイボンディング、ワイヤボンディングなどの組立工程における、製造マージンが少なくなってしまう。このため、半導体装置を製造する装置の速度を速めることができないという問題が生じている。   However, when the Ag layer between the alloy layer and the copper base is thickened to, for example, about 1 to 5 μm, the variation in the thickness of the Ag layer becomes large at the time of manufacture, so manufacturing in assembly processes such as die bonding and wire bonding The margin will be reduced. For this reason, the problem that the speed of the apparatus which manufactures a semiconductor device cannot be increased has arisen.

加えて、下面実装型リードフレームタイプのパッケージにおいて、リフレクター（外側樹脂部）を樹脂成型する場合には、めっき厚のばらつきの大きさが原因となり、金型を金属面に押し当てることによりキズが発生したり、金型と金属面とのギャップへ樹脂もれが生じ、これによりバリが発生したりすることが大きな問題となっている。   In addition, when molding a reflector (outer resin part) in a bottom-mount type lead frame type package, due to the large variation in plating thickness, scratches are caused by pressing the mold against the metal surface. It is a big problem that it occurs or a resin leaks into the gap between the mold and the metal surface, thereby causing burrs.

また、チップ搭載面からパッケージ上面（発光面）までの距離は、チップ厚などにより一定の厚さが必要であるが、反射金属が厚い場合には、パッケージの高さが高くなる問題があった。   In addition, the distance from the chip mounting surface to the upper surface of the package (light emitting surface) needs to be constant depending on the chip thickness and the like, but when the reflective metal is thick, there is a problem that the height of the package becomes high. .

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、耐熱性を高めるとともに、反射用金属層と本体部との間の層を薄くすることが可能なＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and has an LED lead frame or substrate capable of improving heat resistance and making the layer between the reflective metal layer and the main body thin, and its substrate It is an object to provide a manufacturing method, a semiconductor device, and a manufacturing method thereof.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。   The present invention provides an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a main body having a mounting surface on which the LED element is mounted, and a mounting surface of the main body, and reflects light from the LED element. A reflective metal layer that functions as a reflective layer, the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, the reflective metal layer and the main body are An intermediate intervening layer is provided between the two, and the intermediate intervening layer is a lead frame or substrate having a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.

本発明は、反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。   The present invention is the lead frame or the substrate, wherein the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold, and the balance is composed of silver and inevitable impurities.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。   The present invention provides an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a main body having a mounting surface on which the LED element is mounted, and a mounting surface of the main body, and reflects light from the LED element. A reflective metal layer that functions as a reflective layer, the reflective metal layer is made of an alloy of platinum and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, the reflective metal layer and the main body are An intermediate intervening layer is provided between the two, and the intermediate intervening layer is a lead frame or substrate having a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.

本発明は、反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。   The present invention is the lead frame or the substrate, wherein the reflective metal layer contains 10 to 40% by weight of platinum and the balance is composed of silver and inevitable impurities.

本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。   The present invention is the lead frame or the substrate, wherein the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置である。   The present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a mounting surface on which an LED element is mounted, an LED element mounted on the mounting surface of the lead frame or the main body portion of the substrate, and a lead frame. Alternatively, a conductive portion that electrically connects the substrate and the LED element, and a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion, the LED lead frame or the mounting surface of the main body portion of the substrate, the LED A reflective metal layer that functions as a reflective layer for reflecting light from the element is provided, the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, and the reflective metal An intermediate intervening layer is provided between the layer and the main body, and the intermediate intervening layer includes a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the main body.

本発明は、反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。   The present invention is the semiconductor device characterized in that the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置である。   The present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a mounting surface on which an LED element is mounted, an LED element mounted on the mounting surface of the lead frame or the main body portion of the substrate, and a lead frame. Alternatively, a conductive portion that electrically connects the substrate and the LED element, and a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion, the LED lead frame or the mounting surface of the main body portion of the substrate, the LED A reflective metal layer that functions as a reflective layer for reflecting the light from the element is provided, the reflective metal layer is made of an alloy of platinum and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, and the reflective metal An intermediate intervening layer is provided between the layer and the main body, and the intermediate intervening layer includes a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the main body.

本発明は、反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。   The present invention is the semiconductor device characterized in that the reflective metal layer contains 10 to 40% by weight of platinum and the balance is composed of silver and inevitable impurities.

本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする半導体装置である。   The present invention is the semiconductor device, wherein the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer.

本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。   The present invention is the semiconductor device characterized in that the sealing resin portion is made of a silicone resin.

本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。   The present invention further includes an outer resin portion that surrounds the LED element and has a recess, and the sealing resin portion is filled in the recess of the outer resin portion.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。   The present invention relates to a method for manufacturing an LED lead frame or substrate for manufacturing an LED lead frame or substrate for mounting an LED element, and a step of preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element; A step of forming an intermediate intervening layer on the part and a step of forming a reflecting metal layer functioning as a reflecting layer on the intermediate intervening layer, the reflecting metal layer comprising an alloy of gold and silver. The body part is made of copper or a copper alloy, and the intermediate intervening layer has a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the body part side.

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。   The present invention relates to a method for manufacturing an LED lead frame or substrate for manufacturing an LED lead frame or substrate for mounting an LED element, and a step of preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element; A step of forming an intermediate intervening layer on the part and a step of forming a reflecting metal layer functioning as a reflecting layer on the intermediate intervening layer, the reflecting metal layer comprising an alloy of platinum and silver. The intermediate intervening layer has a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the main body side, and is a method for manufacturing an LED lead frame or substrate.

本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。   The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, a step of preparing a main body having a mounting surface on which an LED element is mounted, a step of forming an intermediate intervening layer on the main body, and an intermediate intervening layer. A step of forming a reflective metal layer that functions as a reflective layer, a step of placing the LED element on the mounting surface of the main body, and connecting the LED element and the main body by a conductive portion; and the LED element and the conductive portion And a step of sealing with a translucent sealing resin part, the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body part is made of copper or a copper alloy, and the intermediate intervening layer is A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.

本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。   The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, a step of preparing a main body having a mounting surface on which an LED element is mounted, a step of forming an intermediate intervening layer on the main body, and an intermediate intervening layer. A step of forming a reflective metal layer that functions as a reflective layer, a step of placing the LED element on the mounting surface of the main body, and connecting the LED element and the main body by a conductive portion; and the LED element and the conductive portion And a step of sealing with a translucent sealing resin part, the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body part is made of copper or a copper alloy, and the intermediate intervening layer is A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.

本発明によれば、反射用金属層と本体部との間に中間介在層を設け、中間介在層は本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有しているので、本体部に含まれる銅が反射用金属層表面へ拡散することを防止できるとともに、反射用金属層の表面から本体部へ向けて酸素が透過することを防止することができる。このことにより、半導体装置の耐熱性を高めるとともに、反射用金属層と本体部との間の中間介在層の厚みを薄くすることができる。   According to the present invention, the intermediate intervening layer is provided between the reflective metal layer and the main body portion, and the intermediate intervening layer has the nickel layer and the gold layer arranged in order from the main body portion side. Can be prevented from diffusing to the surface of the reflective metal layer, and oxygen can be prevented from permeating from the surface of the reflective metal layer toward the main body. As a result, the heat resistance of the semiconductor device can be increased and the thickness of the intermediate intervening layer between the reflective metal layer and the main body can be reduced.

本発明の一実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a lead frame or a substrate according to an embodiment of the present invention. リードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of a lead frame or a board | substrate. 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図４のIII−III線断面図）。Sectional drawing which shows the semiconductor device by one embodiment of this invention (III-III sectional view taken on the line of FIG. 4). 本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。The top view which shows the semiconductor device by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the lead frame by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the semiconductor device by one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態によるリードフレームの作用を示す断面図。Sectional drawing which shows the effect | action of the lead frame by one embodiment of this invention. 半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 1) of a semiconductor device. 半導体装置の変形例（変形例２）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 2) of a semiconductor device. 半導体装置の変形例（変形例３）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 3) of a semiconductor device. 半導体装置の変形例（変形例４）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 4) of a semiconductor device. 半導体装置の変形例（変形例５）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 5) of a semiconductor device. 半導体装置の変形例（変形例６）を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification (modification 6) of a semiconductor device.

以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.

ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
まず、図１および図２により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図１および図２においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。 Configuration of LED Lead Frame or Substrate First, an outline of an LED lead frame or substrate will be described with reference to FIGS. In FIG. 1 and FIG. 2, for the sake of convenience, the LED lead frame or the substrate is shown in a rectangular shape in order to explain the layer structure of the LED lead frame or the substrate.

図１に示すように、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０（以下、リードフレーム１０、あるいは基板１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものであり、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた反射用金属層１２とを備えている。   As shown in FIG. 1, an LED lead frame or substrate 10 (hereinafter also referred to as a lead frame 10 or a substrate 10) is used for mounting an LED element 21 (described later). Is provided with a main body part 11 having a mounting surface 11 a for mounting the light source and a reflective metal layer 12 provided on the mounting surface 11 a of the main body part 11.

このうち本体部１１は金属板からなっており、その材料は銅または銅合金からなっている。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０の場合で０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、基板１０の場合で０．００５ｍｍ〜０．０３ｍｍとすることが好ましい。   Among these, the main-body part 11 consists of a metal plate, and the material consists of copper or a copper alloy. The thickness of the main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm in the case of the lead frame 10 and 0.005 mm to 0.03 mm in the case of the substrate 10 although it depends on the configuration of the semiconductor device.

反射用金属層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０の最表面側に位置している。この反射用金属層１２は白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金、または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。   The reflective metal layer 12 functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21, and is located on the outermost surface side of the LED lead frame or the substrate 10. This reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag), or an alloy of gold (Au) and silver (Ag), and has a high visible light reflectivity, and oxygen and sulfide. High corrosion resistance against hydrogen gas.

反射用金属層１２が白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ白金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。   When the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag), the alloy preferably contains 10 to 40% by weight of platinum with the balance being made of silver and inevitable impurities. In particular, it is more preferable to have a composition containing 20% by weight of platinum and the balance of silver and inevitable impurities.

一方、反射用金属層１２が金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。   On the other hand, when the reflective metal layer 12 is made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag), this alloy may contain 5 to 50% by weight of gold, with the balance being composed of silver and inevitable impurities. It is more preferable to have a composition comprising, in particular, 20% by weight of gold and the balance of silver and inevitable impurities.

反射用金属層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ〜０．２μｍとされることが好ましい。   The thickness of the reflective metal layer 12 is extremely thin, and specifically, it is preferably 0.005 μm to 0.2 μm.

また、本体部１１と反射用金属層１２との間には、中間介在層１５が設けられている。中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６（Ｃｕ）と、ニッケル層１７（Ｎｉ）と、金層１８（Ａｕ）とを有している。   An intermediate intervening layer 15 is provided between the main body 11 and the reflective metal layer 12. The intermediate intervening layer 15 has a copper layer 16 (Cu), a nickel layer 17 (Ni), and a gold layer 18 (Au) arranged in this order from the main body 11 side.

このうち銅層１６は、ニッケル層１７のための下地層として用いられるものであり、ニッケル層１７と本体部１１との接合性を高める機能を有している。この銅層１６は、例えば電解めっきにより形成することができる。この銅層１６の厚みは、０．００５μｍ〜０．８μｍとすることが好ましい。   Among these, the copper layer 16 is used as a base layer for the nickel layer 17 and has a function of improving the bonding property between the nickel layer 17 and the main body 11. The copper layer 16 can be formed by, for example, electrolytic plating. The thickness of the copper layer 16 is preferably 0.005 μm to 0.8 μm.

またニッケル層１７は、銅層１６上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、例えば０．５μｍ〜１μｍの厚みを有している。   The nickel layer 17 is formed on the copper layer 16 by using, for example, an electrolytic plating method, and has a thickness of, for example, 0.5 μm to 1 μm.

また金層１８は、ニッケル層１７上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、極めて薄い層からなっており、例えば０．００２μｍ〜０．１μｍの厚みを有している。   The gold layer 18 is formed on the nickel layer 17 by using, for example, an electrolytic plating method, and is made of an extremely thin layer, and has a thickness of, for example, 0.002 μm to 0.1 μm.

また、図２に示すように、銅層１６を設けない構成も可能である。この場合、中間介在層１５は、本体部１１上に設けられたニッケル層１７と、ニッケル層１７上に設けられた金層１８とを有している。   Moreover, as shown in FIG. 2, the structure which does not provide the copper layer 16 is also possible. In this case, the intermediate intervening layer 15 has a nickel layer 17 provided on the main body 11 and a gold layer 18 provided on the nickel layer 17.

半導体装置の構成
次に、図３および図４により、図１に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。図３は、本発明の一実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図であり、図４は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図である。 Configuration of Semiconductor Device Next, an embodiment of a semiconductor device using the LED lead frame or substrate shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor device (SON type) according to one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing the semiconductor device according to one embodiment of the present invention.

図３および図４に示すように、半導体装置２０は、ＬＥＤ用リードフレーム１０と、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the semiconductor device 20 includes an LED lead frame 10, an LED element 21 placed on the placement surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10, the lead frame 10, and the LED. A bonding wire (conductive portion) 22 that electrically connects the element 21 is provided.

また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。   Moreover, the outer side resin part 23 which has the recessed part 23a is provided so that the LED element 21 may be surrounded. The outer resin portion 23 is integrated with the lead frame 10. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24. The sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23 a of the outer resin portion 23. Hereinafter, the respective constituent members constituting such a semiconductor device 20 will be sequentially described.

リードフレーム１０は、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた中間介在層１５と、中間介在層１５上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。中間介在層１５は、本体部１１側から順に、銅層１６と、ニッケル層１７と、金層１８とを有している。また、リードフレーム１０の表面（上面）には、リードフレーム１０と外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。   The lead frame 10 is provided on the main body part 11 having the mounting surface 11a, the intermediate intervening layer 15 provided on the main body part 11, and the intermediate intervening layer 15 for reflecting the light from the LED element 21. A reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer. The intermediate intervening layer 15 includes a copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer 18 in order from the main body 11 side. In addition, a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the lead frame 10 for improving the adhesion between the lead frame 10 and the outer resin portion 23.

このリードフレーム１０の層構成については、図１を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０の層構成としては、図２に示すものを用いても良い。   Since the layer configuration of the lead frame 10 is the same as the configuration already described with reference to FIG. 1, detailed description thereof is omitted here. As the layer structure of the lead frame 10, the structure shown in FIG. 2 may be used.

本実施の形態において、リードフレーム１０の本体部１１は、ＬＥＤ素子２１側の第１の部分２５（ダイパッド）と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６（リード部）とを有している。これら第１の部分２５と第２の部分２６との間には、外側樹脂部２３が充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。また第１の部分２５の底面に第１のアウターリード部２７が形成され、第２の部分２６の底面に第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。   In the present embodiment, the main body portion 11 of the lead frame 10 includes a first portion 25 (die pad) on the LED element 21 side and a second portion 26 (lead portion) spaced from the first portion 25. doing. An outer side resin portion 23 is filled between the first portion 25 and the second portion 26, and the first portion 25 and the second portion 26 are electrically insulated from each other. A first outer lead portion 27 is formed on the bottom surface of the first portion 25, and a second outer lead portion 28 is formed on the bottom surface of the second portion 26. The first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 are exposed outward from the outer resin portion 23, respectively.

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。   The LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do. As such an LED element 21, those conventionally used in general can be used.

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内において本体部１１の載置面１１ａ上（厳密には反射用金属層１２上）に固定されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。   The LED element 21 is fixed on the mounting surface 11a of the main body 11 (strictly on the reflective metal layer 12) in the recess 23a of the outer resin portion 23 by solder or die bonding paste. When using a die bonding paste, it is possible to select a die bonding paste made of an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０の本体部１１の第２の部分２６表面上に接続されている。   The bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold, and one end thereof is connected to the terminal portion 21 a of the LED element 21, and the other end is the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 of the lead frame 10. Connected on top.

外側樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、外側樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図３のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。   The outer resin portion 23 is formed, for example, by injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 10. The shape of the outer resin portion 23 can be variously realized by designing a mold used for injection molding or transfer molding. For example, the overall shape of the outer resin portion 23 can be a rectangular parallelepiped shape, a cylindrical shape, a cone shape, or the like. The bottom surface of the recess 23a can be circular, elliptical, polygonal, or the like. The cross-sectional shape of the side wall of the recess 23a may be constituted by a straight line as shown in FIG. 3, or may be constituted by a curve.

外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側面において、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。   Regarding the thermoplastic resin or thermosetting resin used for the outer resin portion 23, it is particularly preferable to select a resin having excellent heat resistance, weather resistance and mechanical strength. As the types of thermoplastic resins, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyetherimide, etc., the types of thermosetting resins are silicone resins, epoxy resins, And polyurethane can be used. Furthermore, by adding any one of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the LED element 21 can be formed on the bottom and side surfaces of the recess 23a. Thus, it becomes possible to increase the light extraction efficiency of the entire semiconductor device 20.

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。   For the sealing resin portion 24, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the semiconductor device 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED is used as the LED element 21, the sealing resin portion 24 is preferably made of a silicone resin having high weather resistance because the sealing resin portion 24 is exposed to strong light.

ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
次に、図３および図４に示す半導体装置２０に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０の製造方法について、図５（ａ）−（ｇ）により説明する。 Manufacturing Method of LED Lead Frame Next, a manufacturing method of the LED lead frame 10 used in the semiconductor device 20 shown in FIGS. 3 and 4 will be described with reference to FIGS.

まず図５（ａ）に示すように、金属基板からなる本体部１１を準備する。この本体部１１としては、上述のように銅または銅合金からなる金属基板を使用することができる。なお本体部１１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, as shown in FIG. 5A, a main body 11 made of a metal substrate is prepared. As the main body 11, a metal substrate made of copper or a copper alloy as described above can be used. In addition, it is preferable to use what the main-body part 11 performed the degreasing | defatting etc. on both surfaces, and performed the washing process.

次に、本体部１１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図５（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。   Next, a photosensitive resist is applied to the front and back surfaces of the main body 11 and dried, exposed through a desired photomask, and then developed to form etching resist layers 32 and 33 (FIG. 5B). ). In addition, a conventionally well-known thing can be used as a photosensitive resist.

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として本体部１１に腐蝕液でエッチングを施す（図５（ｃ））。腐蝕液は、使用する本体部１１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、本体部１１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、本体部１１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the main body portion 11 is etched with an etching solution (FIG. 5C). The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the main body 11 to be used. For example, when copper is used as the main body 11, an aqueous ferric chloride solution is usually used and sprayed from both surfaces of the main body 11. It can be performed by etching.

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、第１の部分（ダイパッド）２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分（リード部）２６とを有する本体部１１が得られる（図５（ｄ））。またこの際、ハーフエッチングにより本体部１１の表面（上面）に溝１９が形成される。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are peeled and removed. In this way, the main body 11 having the first part (die pad) 25 and the second part (lead part) 26 spaced from the first part 25 is obtained (FIG. 5D). At this time, a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the main body 11 by half etching.

次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設ける（図５（ｅ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３０は、反射用金属層１２の形成部位に相当する箇所に開口部３０ａが形成され、この開口部３０ａからは本体部１１の載置面１１ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３１は、本体部１１の裏面全体を覆っている。   Next, plating resist layers 30 and 31 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the main body 11 (FIG. 5E). Of these, the plating resist layer 30 on the front side has an opening 30a formed at a location corresponding to the formation site of the reflective metal layer 12, and the mounting surface 11a of the main body 11 is exposed from the opening 30a. Yes. On the other hand, the resist layer 31 for plating on the back surface covers the entire back surface of the main body 11.

次に、本体部１１の表面側に、中間介在層１５と反射用金属層１２とを形成する（図５（ｆ））。   Next, the intermediate intervening layer 15 and the reflective metal layer 12 are formed on the surface side of the main body 11 (FIG. 5F).

この際、まずめっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（銅）を析出させて、本体部１１上に銅層１６を形成する。銅層１６を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。   In this case, first, electrolytic plating is performed on the surface side of the main body 11 covered with the resist layers 30 and 31 for plating. As a result, metal (copper) is deposited on the main body 11 to form the copper layer 16 on the main body 11. As a plating solution for electrolytic plating for forming the copper layer 16, a copper plating solution mainly composed of copper cyanide and potassium cyanide can be used.

続いて、同様にして、電解めっきにより銅層１６上に金属（ニッケル）を析出させて、ニッケル層１７を形成する。ニッケル層１７を形成する電解めっき用めっき液としては、高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき液を用いることができる。   Subsequently, in the same manner, metal (nickel) is deposited on the copper layer 16 by electrolytic plating to form the nickel layer 17. As a plating solution for electroplating for forming the nickel layer 17, a nickel sulfamate plating solution having a high nickel concentration can be used.

次いで、電解めっきによりニッケル層１７上に金属（金）を析出させて、金層１８を形成する。金層１８を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした金めっき液を用いることができる。   Next, metal (gold) is deposited on the nickel layer 17 by electrolytic plating to form the gold layer 18. As a plating solution for electrolytic plating for forming the gold layer 18, a gold plating solution mainly composed of gold cyanide and potassium cyanide can be used.

これら銅層１６、ニッケル層１７および金層１８により、中間介在層１５が構成される。   These copper layer 16, nickel layer 17 and gold layer 18 constitute an intermediate intervening layer 15.

さらに中間介在層１５の金層１８上に金属（白金族）を析出させて、反射用金属層１２を形成する（図５（ｆ））。   Further, a metal (platinum group) is deposited on the gold layer 18 of the intermediate intervening layer 15 to form the reflective metal layer 12 (FIG. 5 (f)).

上述したように、反射用金属層１２は、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっている。ここで反射用金属層１２が白金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、合金のスパッタ、イオンプレーティングまたは蒸着などにより形成することができる。   As described above, the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag) or an alloy of gold (Au) and silver (Ag). Here, when the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver, the reflective metal layer 12 can be formed by sputtering, ion plating, vapor deposition, or the like of the alloy.

一方、反射用金属層１２が金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、合金のスパッタ、イオンプレーティング、蒸着に加えて、電解めっきにより形成することができる。この場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。   On the other hand, when the reflective metal layer 12 is made of an alloy of gold and silver, the reflective metal layer 12 can be formed by electrolytic plating in addition to sputtering, ion plating, and vapor deposition of the alloy. In this case, as the plating solution for electrolytic plating, a silver plating solution mainly composed of silver cyanide, gold cyanide and potassium cyanide can be used.

次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、図３および図４に示す半導体装置２０に用いられるリードフレーム１０を得ることができる（図５（ｇ））。   Next, the lead frame 10 used in the semiconductor device 20 shown in FIGS. 3 and 4 can be obtained by removing the plating resist layers 30 and 31 (FIG. 5G).

なお、図５（ａ）−（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図５（ａ）−（ｄ））、本体部１１上に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２を形成している（図５（ｅ）−（ｇ））。しかしながら、これに限らず、まず本体部１１上に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２を形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。   In FIGS. 5A to 5G, the main body 11 is made into a predetermined shape by etching (FIGS. 5A to 5D), and then a copper layer 16 and an intermediate interposition are formed on the main body 11. The layer 15 and the reflective metal layer 12 are formed (FIGS. 5E to 5G). However, the present invention is not limited to this, and first, the copper layer 16, the intermediate intervening layer 15, and the reflective metal layer 12 may be formed on the main body 11, and then the main body 11 may be processed into a predetermined shape by etching.

あるいは、図５（ａ）−（ｄ）の工程でエッチングにより本体部１１を所定の形状に加工した後、図５（ｅ）−（ｇ）の部分めっきの工程に代えて、本体部の全面に銅層１６、中間介在層１５、および反射用金属層１２の各層を順にめっきにより形成してもよい。   Alternatively, after the main body portion 11 is processed into a predetermined shape by etching in the steps of FIGS. 5A to 5D, the entire surface of the main body portion is replaced with the partial plating step of FIGS. 5E to 5G. Alternatively, the copper layer 16, the intermediate intermediate layer 15, and the reflective metal layer 12 may be formed in order by plating.

半導体装置の製造方法
次に、図３および図４に示す半導体装置２０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）により説明する。 Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, a manufacturing method of the semiconductor device 20 shown in FIGS. 3 and 4 will be described with reference to FIGS.

まず、上述した工程により（図５（ａ）−（ｇ））、載置面１１ａを有する本体部１１と、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２と、反射用金属層１２と本体部１１との間に設けられた中間介在層１５とを備えたリードフレーム１０を作製する（図６（ａ））。   First, by the above-described steps (FIGS. 5A to 5G), the main body 11 having the mounting surface 11a and the reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21. Then, the lead frame 10 including the reflective metal layer 12 and the intermediate intervening layer 15 provided between the main body portion 11 is manufactured (FIG. 6A).

次に、このリードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図６（ｂ））。これにより、外側樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成される。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部２３に凹部２３ａを形成するとともに、この凹部２３ａ底面において反射用金属層１２が外方に露出するようにする。   Next, the outer resin portion 23 is formed by injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin to the lead frame 10 (FIG. 6B). Thereby, the outer side resin part 23 and the lead frame 10 are integrally formed. At this time, by appropriately designing a mold used for injection molding or transfer molding, a concave portion 23a is formed in the outer resin portion 23, and the reflective metal layer 12 is exposed to the outside on the bottom surface of the concave portion 23a. To.

次に、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（反射用金属層１２上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図６（ｃ））。   Next, the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10. In this case, the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a (on the reflective metal layer 12) of the main body 11 using solder or die bonding paste (die attach step) (FIG. 6 (c). )).

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図６（ｄ））。   Next, the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 6D).

その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図６（ｅ））。   Thereafter, the sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23a of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24 (FIG. 6E).

次に、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図６（ｆ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３を垂直方向に切断する。   Next, the outer resin portion 23 between the LED elements 21 is diced to separate the lead frame 10 for each LED element 21 (FIG. 6F). At this time, the lead frame 10 is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then the outer resin portion 23 between the LED elements 21 is cut in the vertical direction by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone.

このようにして、図３および図４に示す半導体装置２０を得ることができる（図６（ｇ））。   In this way, the semiconductor device 20 shown in FIGS. 3 and 4 can be obtained (FIG. 6G).

本実施の形態の作用効果
次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、反射用金属層１２と本体部１１との間に中間介在層１５を設け、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。このことにより、以下のような作用効果が得られる。 Operational effects of the present embodiment Next, operational effects of the present embodiment will be described. In the semiconductor device 20 according to the present embodiment, as described above, the intermediate intervening layer 15 is provided between the reflective metal layer 12 and the main body 11, and the intermediate intervening layer 15 is disposed in order from the main body 11 side. A copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer 18. As a result, the following effects can be obtained.

半導体装置２０を製造する際、例えばダイボンディング時（図６（ｃ））、あるいはワイヤボンディング時（図６（ｄ））に、リードフレーム１０に対して熱が加えられる場合がある。具体的には、ダイボンディング時には、例えばはんだ接合の場合に３００℃〜４００℃程度の熱が加えられる場合があり、例えばペースト接続の場合に１５０℃〜２００℃程度の熱が加えられる場合があり、ワイヤボンディング時には、例えば１５０℃〜２５０℃程度の熱が加えられる場合がある。   When manufacturing the semiconductor device 20, for example, heat may be applied to the lead frame 10 during die bonding (FIG. 6C) or wire bonding (FIG. 6D). Specifically, during die bonding, heat of about 300 ° C. to 400 ° C. may be applied in the case of solder bonding, for example, and heat of about 150 ° C. to 200 ° C. may be applied in the case of paste connection, for example. In wire bonding, for example, heat of about 150 ° C. to 250 ° C. may be applied.

この場合、図７に示すように、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、上層のニッケルと合金を形成する。本実施の形態においては、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）はニッケルとの合金となり、濃度勾配を伴い安定化する。結果として、ニッケル層１７によってその拡散が止められ、金層１８より上方に向かうことがない。   In this case, as shown in FIG. 7, the copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 forms an alloy with the upper nickel layer. In the present embodiment, copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 becomes an alloy with nickel and is stabilized with a concentration gradient. As a result, the diffusion is stopped by the nickel layer 17 and does not go upward from the gold layer 18.

ここで、本体部が銅合金であり、かつ銅層１６を設けない場合、ニッケルの合金形成時に銅合金の銅以外の成分による拡散が阻害され、カーケンダルボイドを生じる場合があるが、銅層１６を設けることで、このボイドを防止できる。   Here, when the main body portion is a copper alloy and the copper layer 16 is not provided, diffusion due to components other than copper of the copper alloy may be hindered during the formation of the nickel alloy, which may cause a Kirkendall void. By providing 16, this void can be prevented.

したがって、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、反射用金属層１２の表面へ拡散することが防止されるので、銅（Ｃｕ）の拡散によって反射用金属層１２の表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。   Accordingly, since the copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 is prevented from diffusing to the surface of the reflective metal layer 12, the solder on the surface of the reflective metal layer 12 is diffused by the diffusion of copper (Cu). It is possible to prevent wettability and bonding performance from being deteriorated.

また、ニッケル層１７からのニッケル（Ｎｉ）は、上方のＡｕに向けて拡散（パイルアップ）する。ここで、パイルアップとはＡｕ結晶の転位の間を、Ａｕの熱的な振動による結晶間の動き（再結晶）により、わずかなＮｉ原子が移動し、Ａｕの表面に極局部にＮｉが出現することをいう。この拡散は金層１８と反射金属層１２との界面で止められ、反射用金属層１２に向かうことがないので、ニッケル（Ｎｉ）の拡散によって反射用金属層１２の表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。   Further, nickel (Ni) from the nickel layer 17 diffuses (pile-up) toward the upper Au. Here, pile-up refers to the movement of crystals between Au crystals caused by thermal vibrations (recrystallization) between Au crystals, so that a few Ni atoms move, and Ni appears on the surface of Au in the local region. To do. This diffusion is stopped at the interface between the gold layer 18 and the reflective metal layer 12, and does not go toward the reflective metal layer 12. Therefore, the diffusion of nickel (Ni) causes solder wettability and bonding on the surface of the reflective metal layer 12. It can prevent that property falls.

さらにまた、銀および銀合金は空気中の酸素を透過し、下地の金属を酸化させ、接着性を低下させるが、金は酸素を透過しないため、空気中からの酸素（Ｏ２）は金層１８で止められ、本体部１１およびニッケル層１７に向かうことがないので、反射用金属層１２の表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ２）が浸透することを防止することができる。これにより、空気中からの酸素（Ｏ２）によってニッケル層１７が酸化し、ニッケル層１７と反射用金属層１２との間の接着強度が低下して、反射用金属層１２がニッケル層１７から剥離することを防止することができる。 Furthermore, silver and silver alloys transmit oxygen in the air, oxidize the underlying metal and reduce adhesion, but gold does not transmit oxygen, so oxygen (O 2 ) from the air is the gold layer. Since it stops at 18 and does not go to the main body 11 and the nickel layer 17, it is possible to prevent oxygen (O 2 ) from penetrating from the surface of the reflective metal layer 12 toward the main body 11. As a result, the nickel layer 17 is oxidized by oxygen (O 2 ) from the air, the adhesive strength between the nickel layer 17 and the reflective metal layer 12 is reduced, and the reflective metal layer 12 is removed from the nickel layer 17. Peeling can be prevented.

このように、本実施の形態によれば、本体部１１または銅層１６に含まれる銅（Ｃｕ）が反射用金属層１２の表面へ拡散することを防止できるとともに、反射用金属層１２の表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ２）が透過することを防止できる。このことにより、半導体装置２０の耐熱性が高められるとともに、反射用金属層１２と本体部１１との間の中間介在層１５の厚みを薄くすることができる。 Thus, according to the present embodiment, copper (Cu) contained in the main body 11 or the copper layer 16 can be prevented from diffusing to the surface of the reflective metal layer 12, and the surface of the reflective metal layer 12 can be prevented. Oxygen (O 2 ) can be prevented from permeating toward the main body portion 11. As a result, the heat resistance of the semiconductor device 20 is enhanced, and the thickness of the intermediate intervening layer 15 between the reflective metal layer 12 and the main body 11 can be reduced.

ところで、本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。この反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。このことにより、以下のような作用効果が得られる。   Incidentally, in the semiconductor device 20 according to the present embodiment, as described above, the reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a of the main body 11. The reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver. As a result, the following effects can be obtained.

すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば外側樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。本実施の形態によれば、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２を設け、この反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなっている。このことにより、半導体装置２０内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（反射用金属層１２）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。   That is, after a certain time has elapsed since the semiconductor device 20 was manufactured, a corrosive gas such as oxygen or hydrogen sulfide gas in the air enters the semiconductor device 20 from between the outer resin portion 23 and the sealing resin portion 24, for example. May penetrate. According to the present embodiment, the reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the reflective metal layer 12 is an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver. It is made up of. As a result, even when corrosive gas permeates into the semiconductor device 20, the reflective layer (reflective metal layer 12) is less likely to be discolored or corroded, and the reflectance may be reduced. Absent.

また本実施の形態によれば、反射層は反射用金属層１２からなり、高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。   In addition, according to the present embodiment, the reflective layer is made of the reflective metal layer 12 and has high reflection characteristics, so that the light from the LED element 21 can be efficiently reflected.

さらに本実施の形態によれば、反射用金属層１２を極めて薄く形成したことにより、比較的高価な白金または金を用いる場合であってもコストの上昇幅が少ない。さらに、反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなることにより、反射用金属層１２の材料として白金または金のみを使用する場合と比較して、製造コストを抑制することができる。   Furthermore, according to the present embodiment, since the reflective metal layer 12 is formed extremely thin, even if relatively expensive platinum or gold is used, the cost increase is small. Furthermore, since the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where only the platinum or gold is used as the material of the reflective metal layer 12. Can be suppressed.

さらに本実施の形態によれば、中間介在層１５の厚みを薄く（例えば約１μｍ〜２μｍ）することができるので、相対的に厚い銀層（Ａｇ層）を用いる場合と比較して、製造コストを低減することができる。   Further, according to the present embodiment, since the thickness of the intermediate intervening layer 15 can be reduced (for example, about 1 μm to 2 μm), the manufacturing cost is compared with the case where a relatively thick silver layer (Ag layer) is used. Can be reduced.

さらに、本実施の形態によれば、図５（ｇ）に示すように部分的な金属処理を行なうことにより、全面に金属処理を行なう場合と比較して、製造コストを低減することが出来る。   Furthermore, according to the present embodiment, by performing a partial metal treatment as shown in FIG. 5G, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the metal treatment is performed on the entire surface.

さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２、中間介在層１５が薄いため、必然的に厚みのばらつきを減少できるため、外側樹脂部２３の成型を行うときに、金型を金属面に押し当てることにより発生するキズを低減することができ、金型と金属面とのギャップへ樹脂もれが生じることによるバリを低減することができる。   Furthermore, according to the present embodiment, since the reflective metal layer 12 and the intermediate intervening layer 15 are thin, the variation in thickness can inevitably be reduced. Therefore, when the outer resin portion 23 is molded, the mold is made of metal. Scratches generated by pressing against the surface can be reduced, and burrs caused by resin leakage in the gap between the mold and the metal surface can be reduced.

さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２、中間介在層１５が薄いため、半導体装置２０を薄くすることができる。   Furthermore, according to the present embodiment, since the reflective metal layer 12 and the intermediate intermediate layer 15 are thin, the semiconductor device 20 can be thinned.

変形例
以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図８乃至図１３を参照して説明する。図８乃至図１３において、図３および図４に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。 Modified Examples Hereinafter, modified examples of the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 13, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

（変形例１）
図８は、半導体装置の変形例１（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図８に示す実施の形態は、導電部としてはんだボールまたは金バンプ４１ａ、４１ｂを用いる点が異なるものであり、他の構成は上述した図３および図４に示す実施の形態と略同一である。 (Modification 1)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing Modification 1 (SON type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 8 is different in that solder balls or gold bumps 41a and 41b are used as the conductive portions, and the other configuration is substantially the same as the embodiment shown in FIGS. .

図８に示す半導体装置４０（変形例１）において、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ（反射用金属層１２）上に、ＬＥＤ素子２１が載置されている。この場合、ＬＥＤ素子２１は、本体部１１の第１の部分２５（ダイパッド）と第２の部分２６（リード部）とに跨って載置されている。   In the semiconductor device 40 (Modification 1) shown in FIG. 8, the LED element 21 is placed on the placement surface 11 a (the reflective metal layer 12) of the main body 11 of the lead frame 10. In this case, the LED element 21 is placed across the first portion 25 (die pad) and the second portion 26 (lead portion) of the main body 11.

またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボールまたは金バンプ（導電部）４１ａ、４１ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。なお、図８に示すように、はんだボールまたは金バンプ４１ａ、４１ｂのうち、一方のはんだボールまたは金バンプ４１ａは第１の部分２５に接続され、他方のはんだボールまたは金バンプ４１ｂは第２の部分２６に接続されている。   The LED element 21 is connected to the reflective metal layer 12 of the lead frame 10 by solder balls or gold bumps (conductive portions) 41a and 41b instead of the bonding wires 22 (flip chip method). As shown in FIG. 8, one of the solder balls or gold bumps 41a and 41b is connected to the first portion 25, and the other solder ball or gold bump 41b is connected to the second solder ball or gold bump 41b. Connected to portion 26.

（変形例２）
図９は、半導体装置の変形例２（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図９に示す実施の形態は、基板１０の構成等が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。 (Modification 2)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing Modification 2 (LGA type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 9 is different from the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 in the configuration of the substrate 10 and the like.

図９に示す半導体装置５０（変形例２）において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。   In the semiconductor device 50 (Modification 2) shown in FIG. 9, the substrate 10 is provided on the main body 11 having the mounting surface 11 a on which the LED element 21 is mounted and the mounting surface 11 a of the main body 11. And a reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer for reflecting light from the light source.

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。   An intermediate intervening layer 15 is provided between the reflective metal layer 12 and the main body 11, and the intermediate intervening layer 15 is arranged in order from the main body 11 side, a copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer. 18.

本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）５１と、第１の部分５１から離間した第２の部分（端子部）５２とを有している。これら第１の部分５１と第２の部分５２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分５１と第２の部分５２とは互いに電気的に絶縁されている。   The main body 11 has a first part (die pad) 51 on which the LED element 21 is placed, and a second part (terminal part) 52 spaced from the first part 51. The sealing resin portion 24 is filled between the first portion 51 and the second portion 52, and the first portion 51 and the second portion 52 are electrically insulated from each other.

また第１の部分５１の底面に第１の外部端子５３が設けられ、第２の部分５２の底面に第２の外部端子５４が設けられている。第１の外部端子５３および第２の外部端子５４は、それぞれ封止樹脂部２４から外方に露出している。なお図９において、本体部１１は、１つのめっき層または複数のめっき層を積層した構成からなっていても良い。   A first external terminal 53 is provided on the bottom surface of the first portion 51, and a second external terminal 54 is provided on the bottom surface of the second portion 52. The first external terminal 53 and the second external terminal 54 are respectively exposed outward from the sealing resin portion 24. In FIG. 9, the main body 11 may have a configuration in which one plating layer or a plurality of plating layers are stacked.

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分５１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。また基板１０の第２の部分５２とＬＥＤ素子２１とは、ボンディングワイヤ（導電部）２２によって電気的に接続されている。すなわちボンディングワイヤ２２の一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続され、ボンディングワイヤ２２の他端が第２の部分５２の表面上に接続されている。   In this case, the LED element 21 is placed on the placement surface 11 a of the main body 11 in the first portion 51. Further, the second portion 52 of the substrate 10 and the LED element 21 are electrically connected by a bonding wire (conductive portion) 22. That is, one end of the bonding wire 22 is connected to the terminal portion 21 a of the LED element 21, and the other end of the bonding wire 22 is connected to the surface of the second portion 52.

他方、透光性の封止樹脂部２４は、基板１０の上側部分、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止している。   On the other hand, the translucent sealing resin portion 24 seals the upper portion of the substrate 10, the LED element 21, and the bonding wire 22.

なお図９において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３および図４と同様にＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。   Although the outer resin portion 23 is not provided in FIG. 9, the present invention is not limited to this, and the outer resin portion 23 may be provided so as to surround the LED element 21 as in FIGS. 3 and 4.

（変形例３）
図１０は、半導体装置の変形例３（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図１０に示す実施の形態は、リードフレーム１０の構成が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。 (Modification 3)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing Modification 3 (PLCC type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 10 is different from the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 in the configuration of the lead frame 10.

図１０に示す半導体装置６０（変形例３）において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。   In the semiconductor device 60 shown in FIG. 10 (Modification 3), the lead frame 10 is provided on the main body 11 having the mounting surface 11a on which the LED element 21 is mounted, and on the mounting surface 11a of the main body 11, and the LED 10 The reflective metal layer 12 functions as a reflective layer for reflecting light from the element 21.

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。   An intermediate intervening layer 15 is provided between the reflective metal layer 12 and the main body 11, and the intermediate intervening layer 15 is arranged in order from the main body 11 side, a copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer. 18.

本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）６１と、第１の部分６１から離間した第２の部分（端子部）６２および第３の部分（端子部）６３とを有している。これら第１の部分６１と第２の部分６２の間、および第１の部分６１と第３の部分６３の間には、それぞれ外側樹脂部２３が充填されている。これにより、第１の部分６１と第２の部分６２とは互いに電気的に絶縁され、かつ第１の部分６１と第３の部分６３とは互いに電気的に絶縁されている。   The main body 11 includes a first part (die pad) 61 on which the LED element 21 is placed, a second part (terminal part) 62 and a third part (terminal part) 63 that are separated from the first part 61. And have. The outer resin portion 23 is filled between the first portion 61 and the second portion 62 and between the first portion 61 and the third portion 63. Thereby, the first portion 61 and the second portion 62 are electrically insulated from each other, and the first portion 61 and the third portion 63 are electrically insulated from each other.

また第２の部分６２および第３の部分６３は、それぞれ断面略Ｊ字状に湾曲されている。さらに第２の部分６２の端部には第１のアウターリード部６４が形成され、第３の部分６３の端部には第２のアウターリード部６５が形成されている。これら第１のアウターリード部６４および第２のアウターリード部６５は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。   The second portion 62 and the third portion 63 are each curved in a substantially J-shaped cross section. Furthermore, a first outer lead portion 64 is formed at the end of the second portion 62, and a second outer lead portion 65 is formed at the end of the third portion 63. The first outer lead portion 64 and the second outer lead portion 65 are exposed outward from the outer resin portion 23, respectively.

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分６１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。またＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の本体部１１の第２の部分６２および第３の部分６３に、それぞれボンディングワイヤ（導電部）２２を介して電気的に接続されている。   In this case, the LED element 21 is placed on the placement surface 11 a of the main body 11 in the first portion 61. The LED element 21 is electrically connected to the second portion 62 and the third portion 63 of the main body 11 of the lead frame 10 via bonding wires (conductive portions) 22, respectively.

（変形例４）
図１１は、半導体装置の変形例４（基板タイプ）を示す断面図である。図１１に示す実施の形態は、基板１０が非導電性基板７４上に配置されている点等が図３および図４に示す実施の形態と異なるものである。 (Modification 4)
FIG. 11 is a cross-sectional view showing Modification 4 (substrate type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 11 is different from the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 in that the substrate 10 is disposed on a non-conductive substrate 74.

図１１に示す半導体装置７０（変形例４）において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。   In the semiconductor device 70 (Modification 4) shown in FIG. 11, the substrate 10 is provided on the main body 11 having a mounting surface 11 a on which the LED element 21 is mounted, and on the mounting surface 11 a of the main body 11. And a reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer for reflecting the light from 21.

反射用金属層１２と本体部１１との間には、中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された、銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。   An intermediate intervening layer 15 is provided between the reflective metal layer 12 and the main body 11, and the intermediate intervening layer 15 is arranged in order from the main body 11 side, a copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer. 18.

本体部１１は、第１の部分７１と、この第１の部分７１から離間した第２の部分７２とを有している。これら第１の部分７１と第２の部分７２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分７１と第２の部分７２とは互いに電気的に絶縁されている。   The main body 11 includes a first portion 71 and a second portion 72 that is separated from the first portion 71. The sealing resin portion 24 is filled between the first portion 71 and the second portion 72, and the first portion 71 and the second portion 72 are electrically insulated from each other.

この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分７１と第２の部分７２とに跨って載置されている。またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボール（導電部）７３ａ、７３ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。   In this case, the LED element 21 is placed across the first portion 71 and the second portion 72. The LED element 21 is connected to the reflective metal layer 12 of the lead frame 10 by solder balls (conductive portions) 73a and 73b instead of the bonding wires 22 (flip chip method).

なお図１１に示すように、はんだボール７３ａ、７３ｂのうち、はんだボール７３ａは第１の部分７１に接続され、はんだボール７３ｂは第２の部分７２に接続されている。   As shown in FIG. 11, among the solder balls 73 a and 73 b, the solder ball 73 a is connected to the first portion 71, and the solder ball 73 b is connected to the second portion 72.

ところで図１１において、基板１０は非導電性基板７４上に配置されている。非導電性基板７４は、有機基板であっても無機基板であってもよい。有機基板としては、例えば、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基板、又はそれらの複合基板を挙げることができる。また、無機基板としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板等を挙げることができる。   In FIG. 11, the substrate 10 is disposed on a non-conductive substrate 74. The non-conductive substrate 74 may be an organic substrate or an inorganic substrate. Examples of organic substrates include polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polyamide, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, fluororesin, polycarbonate, and polynorbornene. An organic substrate made of resin, polysulfone, polyarylate, polyamideimide, polyetherimide, thermoplastic polyimide, or the like, or a composite substrate thereof can be given. Moreover, as an inorganic substrate, a glass substrate, a silicon substrate, a ceramic substrate etc. can be mentioned, for example.

非導電性基板７４には複数のスルーホール７５が形成されている。また各スルーホール７５内にはそれぞれ導電性物質７６が充填されている。そして本体部１１の第１の部分７１および第２の部分７２は、それぞれ各スルーホール７５内の導電性物質７６を介して、第１の外部端子７７および第２の外部端子７８に電気的に接続されている。なお、導電性物質７６としては、めっきによりスルーホール７５内に形成された銅等の導電性金属、あるいは銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した導電性ペースト等が挙げられる。   A plurality of through holes 75 are formed in the non-conductive substrate 74. Each through hole 75 is filled with a conductive material 76. The first portion 71 and the second portion 72 of the main body 11 are electrically connected to the first external terminal 77 and the second external terminal 78 via the conductive material 76 in each through hole 75, respectively. It is connected. Examples of the conductive material 76 include a conductive metal such as copper formed in the through hole 75 by plating, or a conductive paste containing conductive particles such as copper particles and silver particles.

なお図１１において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３および図４に示す実施の形態と同様に、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。   In FIG. 11, the outer resin portion 23 is not provided, but is not limited thereto, and the outer resin portion 23 is provided so as to surround the LED element 21 as in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4. May be.

（変形例５）
図１２は、半導体装置の変形例５（モジュールタイプ）を示す断面図である。図１２に示す実施の形態は、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０を配置した点が異なるものであり、他の構成は上述した図１１に示す実施の形態（変形例４）と略同一である。 (Modification 5)
FIG. 12 is a cross-sectional view showing Modification 5 (module type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 12 is different in that a plurality of substrates 10 are arranged on one non-conductive substrate 74, and the other configuration is the embodiment shown in FIG. 11 described above (Modification 4). Is almost the same.

図１２に示す半導体装置８０（変形例５）において、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０が配置されている。各基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。   In the semiconductor device 80 (Modification 5) shown in FIG. 12, a plurality of substrates 10 are arranged on one nonconductive substrate 74. Each substrate 10 is provided on the main body 11 having a mounting surface 11a on which the LED elements 21 are mounted, and on the mounting surface 11a of the main body 11, and functions as a reflective layer for reflecting light from the LED elements 21. And a reflective metal layer 12.

このほか、図１２において、図１１に示す実施の形態（変形例４）と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。   In addition, in FIG. 12, the same parts as those in the embodiment (Modification 4) shown in FIG. 11 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

（変形例６）
図１３は、半導体装置の変形例６（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図１３に示す実施の形態は、本体部１１の第１の部分（ダイパッド）９１の周囲に、２つのリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図３および図４に示す実施の形態と略同一である。 (Modification 6)
FIG. 13 is a cross-sectional view showing Modification 6 (SON type) of the semiconductor device. The embodiment shown in FIG. 13 is different in that two lead portions (second portion 92 and third portion 93) are provided around the first portion (die pad) 91 of the main body portion 11. The other structure is substantially the same as the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 described above.

すなわち図１３に示す半導体装置９０（変形例６）において、本体部１１は、ＬＥＤ素子２１を載置する第１の部分（ダイパッド）９１と、第１の部分（ダイパッド）９１の周囲であって、第１の部分９１を挟んで互いに対向する位置に設けられた、一対のリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）とを有している。   That is, in the semiconductor device 90 (Modification 6) shown in FIG. 13, the main body 11 is around the first portion (die pad) 91 on which the LED element 21 is placed and the first portion (die pad) 91. And a pair of lead portions (a second portion 92 and a third portion 93) provided at positions facing each other with the first portion 91 interposed therebetween.

図１３において、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して、第２の部分９２および第３の部分９３に接続されている。   In FIG. 13, the LED element 21 has a pair of terminal portions 21 a, and the pair of terminal portions 21 a are connected to the second portion 92 and the third portion 93 via the bonding wires 22, respectively. Yes.

以上説明した変形例１乃至６による半導体装置４０、５０、６０、７０、８０、９０（図８乃至図１３）においても、図３および図４に示す半導体装置２０と略同一の作用効果を得ることができる。   Also in the semiconductor devices 40, 50, 60, 70, 80, and 90 (FIGS. 8 to 13) according to the first to sixth modifications described above, substantially the same functions and effects as those of the semiconductor device 20 shown in FIGS. be able to.

次に、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。   Next, specific examples of the LED lead frame or substrate according to the present embodiment will be described.

（実施例１）
図１に示す構成からなる基板１０（実施例１）を作製した。この基板１０は、本体部１１（銅基材）上に、銅層１６（Ｃｕ）、ニッケル層１７（Ｎｉ）、金層１８（Ａｕ）、および反射用金属層１２（金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金）を順次積層したものである。以下、このような層構成を「本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）」と表記する。 Example 1
A substrate 10 (Example 1) having the configuration shown in FIG. 1 was produced. The substrate 10 has a copper layer 16 (Cu), a nickel layer 17 (Ni), a gold layer 18 (Au), and a reflective metal layer 12 (gold (Au) and silver) on a main body 11 (copper base material). (Alloy with (Ag)) are sequentially laminated. Hereinafter, such a layer configuration is referred to as “main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / gold layer (Au) / reflection metal layer (alloy)”.

（実施例２）
図２に示す構成からなる基板１０（実施例２）を作製した。この基板１０（実施例２）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Example 2)
A substrate 10 (Example 2) having the configuration shown in FIG. 2 was produced. The substrate 10 (Example 2) has a layer structure of main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / gold layer (Au) / reflection metal layer (alloy).

（比較例１）
中間介在層１５を設けず、本体部１１上に反射用金属層１２を直接積層した基板（比較例１）を作製した。この基板（比較例１）は、本体部（銅基材）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 1)
A substrate (Comparative Example 1) was prepared in which the intermediate metal layer 15 was not provided and the reflective metal layer 12 was directly laminated on the main body 11. This substrate (Comparative Example 1) has a layer structure of main body (copper base material) / reflection metal layer (alloy).

（比較例２）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６のみが介在された基板（比較例２）を作製した。この基板（比較例２）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 2)
A substrate (Comparative Example 2) in which only the copper layer 16 was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 2) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy).

（比較例３）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銀層（Ａｇ）のみが介在された基板（比較例３）を作製した。この基板（比較例３）は、本体部（銅基材）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 3)
A substrate (Comparative Example 3) in which only the silver layer (Ag) was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 3) has a layer structure of main body (copper base material) / silver layer (Ag) / reflection metal layer (alloy).

（比較例４）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６および銀層（Ａｇ）が介在された基板（比較例４）を作製した。この基板（比較例４）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 4)
A substrate (Comparative Example 4) in which the copper layer 16 and the silver layer (Ag) were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 4) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / silver layer (Ag) / reflection metal layer (alloy).

（比較例５）
本体部１１と反射用金属層１２との間にニッケル層１７のみが介在された基板（比較例５）を作製した。この基板（比較例５）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 5)
A substrate (Comparative Example 5) in which only the nickel layer 17 was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 5) has a layer structure of main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / reflection metal layer (alloy).

（比較例６）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６およびニッケル層１７が介在された基板（比較例６）を作製した。この基板（比較例６）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 6)
A substrate (Comparative Example 6) in which the copper layer 16 and the nickel layer 17 were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 6) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / reflection metal layer (alloy).

（比較例７）
本体部１１と反射用金属層１２との間にニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例７）を作製した。この基板（比較例７）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 7)
A substrate (Comparative Example 7) in which a nickel layer 17 and a copper layer were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 7) has a layer structure of main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy).

（比較例８）
本体部１１と反射用金属層１２との間に銅層１６、ニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例８）を作製した。この基板（比較例８）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。 (Comparative Example 8)
A substrate (Comparative Example 8) in which the copper layer 16, the nickel layer 17 and the copper layer were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12 was produced. This substrate (Comparative Example 8) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy).

次に、これら各基板（実施例１、２および比較例１〜８）について、各層を構成する金属間の接着強度を調査した。また、各基板を加熱した時に本体部１１に含まれる銅が反射用金属層１２の表面に拡散するか否かを検証した。この結果を表１に示す。   Next, for each of these substrates (Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 8), the adhesive strength between the metals constituting each layer was investigated. Further, it was verified whether or not copper contained in the main body 11 diffuses on the surface of the reflective metal layer 12 when each substrate was heated. The results are shown in Table 1.

Figure 0005737605
Figure 0005737605

表１に示すように、実施例１、２に係る基板１０は、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、かつ加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散することもなかった。   As shown in Table 1, the substrates 10 according to Examples 1 and 2 have good adhesion strength between metals constituting each layer, and copper does not diffuse on the surface of the reflective metal layer 12 during heating. It was.

比較例３、４に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ超とした場合には、加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散することがなかった。ただし、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ以下とした場合には、加熱時に反射用金属層１２の表面に銅が拡散する現象が見られた。   The substrates according to Comparative Examples 3 and 4 have good adhesion strength between the metals constituting each layer. When the thickness of the silver layer (Ag) is more than 1 μm, the surface of the reflective metal layer 12 is heated during heating. Copper did not diffuse. However, when the thickness of the silver layer (Ag) was 1 μm or less, a phenomenon was observed in which copper diffused on the surface of the reflective metal layer 12 during heating.

他の比較例（比較例１、２、５〜８）に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が部分的に低いか（比較例３、５、６、７）、あるいは加熱時に反射用金属層１２の表面に銅の拡散が生じた（比較例３、４、７、８）。   In the substrates according to other comparative examples (Comparative Examples 1, 2, 5 to 8), the adhesion strength between the metals constituting each layer is partially low (Comparative Examples 3, 5, 6, 7), or when heated Copper diffused on the surface of the reflective metal layer 12 (Comparative Examples 3, 4, 7, and 8).

なお、これら各基板（実施例１、２および比較例１〜８）において、反射用金属層としては、金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金を用いているが、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金を用いた場合であっても同様の結果が得られる。   In each of these substrates (Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 8), an alloy of gold (Au) and silver (Ag) is used as the reflective metal layer, but platinum (Pt) and Similar results are obtained even when an alloy with silver (Ag) is used.

１０ ＬＥＤ用リードフレームまたは基板
１１ 本体部
１５ 中間介在層
１６ 銅層
１７ ニッケル層
１８ 金層
２０、４０、５０、６０、７０、８０、９０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 外側樹脂部
２４ 封止樹脂部
２５ 第１の部分
２６ 第２の部分
２７ 第１のアウターリード部
２８ 第２のアウターリード部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 LED lead frame or board | substrate 11 Main-body part 15 Intermediate | middle intervening layer 16 Copper layer 17 Nickel layer 18 Gold layer 20, 40, 50, 60, 70, 80, 90 Semiconductor device 21 LED element 22 Bonding wire (conductive part)
23 outer resin portion 24 sealing resin portion 25 first portion 26 second portion 27 first outer lead portion 28 second outer lead portion

Claims (16)

ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とするリードフレームまたは基板。 In an LED lead frame or substrate on which an LED element is placed,
A main body having a mounting surface for mounting the LED element;
A reflective metal layer provided on the mounting surface of the main body and functioning as a reflective layer for reflecting the light from the LED element;
The reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
An intermediate intervening layer is provided between the reflective metal layer and the main body,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A lead frame or a substrate, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。   2. The LED lead frame or substrate according to claim 1, wherein the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とするリードフレームまたは基板。 In an LED lead frame or substrate on which an LED element is placed,
A main body having a mounting surface for mounting the LED element;
A reflective metal layer provided on the mounting surface of the main body and functioning as a reflective layer for reflecting the light from the LED element;
The reflective metal layer is made of an alloy of platinum and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
An intermediate intervening layer is provided between the reflective metal layer and the main body,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A lead frame or a substrate, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項３記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。   4. The LED lead frame or substrate according to claim 3, wherein the reflective metal layer contains 10 to 40% by weight of platinum and the balance is composed of silver and inevitable impurities. 中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。   5. The LED lead frame or substrate according to claim 1, wherein the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer. ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とする半導体装置。 An LED lead frame or substrate having a main body including a mounting surface on which the LED element is mounted;
LED elements mounted on the mounting surface of the main body of the lead frame or the substrate,
A conductive portion that electrically connects the lead frame or substrate and the LED element;
A sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion;
A reflective metal layer that functions as a reflective layer for reflecting light from the LED element is provided on the mounting surface of the LED lead frame or the main body of the substrate,
The reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
An intermediate intervening layer is provided between the reflective metal layer and the main body,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A semiconductor device, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 反射用金属層は、金５〜５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。   7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities. ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とする半導体装置。 An LED lead frame or substrate having a main body including a mounting surface on which the LED element is mounted;
LED elements mounted on the mounting surface of the main body of the lead frame or the substrate,
A conductive portion that electrically connects the lead frame or substrate and the LED element;
A sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion;
A reflective metal layer that functions as a reflective layer for reflecting light from the LED element is provided on the mounting surface of the LED lead frame or the main body of the substrate,
The reflective metal layer is made of an alloy of platinum and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
An intermediate intervening layer is provided between the reflective metal layer and the main body,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A semiconductor device, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 反射用金属層は、白金１０〜４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。   9. The semiconductor device according to claim 8, wherein the reflective metal layer contains 10 to 40% by weight of platinum and the balance is composed of silver and inevitable impurities. 中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, wherein the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer. 封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 6, wherein the sealing resin portion is made of a silicone resin. ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項記載の半導体装置。   The outer resin part which surrounds a LED element and has a recessed part is further provided, and the sealing resin part is filled in the recessed part of this outer resin part, The Claim 13 characterized by the above-mentioned. Semiconductor device. ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。 In the LED lead frame or substrate manufacturing method for manufacturing the LED lead frame or substrate on which the LED element is placed,
Preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element;
Forming an intermediate intervening layer on the main body;
Forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer on the intermediate intervening layer,
The reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A method for producing an LED lead frame or substrate, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。 In the LED lead frame or substrate manufacturing method for manufacturing the LED lead frame or substrate on which the LED element is placed,
Preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element;
Forming an intermediate intervening layer on the main body;
Forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer on the intermediate intervening layer,
The reflective metal layer is made of an alloy of platinum and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A method for producing an LED lead frame or substrate, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 半導体装置の製造方法において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、
本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、
ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、
反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a method for manufacturing a semiconductor device,
Preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element;
Forming an intermediate intervening layer on the main body;
Forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer on the intermediate intervening layer;
Placing the LED element on the mounting surface of the main body, and connecting the LED element and the main body with the conductive portion;
A step of sealing the LED element and the conductive portion with a translucent sealing resin portion,
The reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm . 半導体装置の製造方法において、
ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、
本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、
ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、
反射用金属層は、白金と銀との合金からなり、
本体部は、銅または銅合金からなり、
中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と、ニッケル層上に直接設けられた金層とを有し、
反射用金属層の厚みが０．００５μｍ〜０．２μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a method for manufacturing a semiconductor device,
Preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element;
Forming an intermediate intervening layer on the main body;
Forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer on the intermediate intervening layer;
Placing the LED element on the mounting surface of the main body, and connecting the LED element and the main body with the conductive portion;
A step of sealing the LED element and the conductive portion with a translucent sealing resin portion,
Reflective metal layer is made of an alloy of white gold and silver,
The body is made of copper or copper alloy,
Intermediate intervening layer, possess a nickel layer disposed from the main body portion side in order, and a gold layer provided directly on the nickel layer,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the reflective metal layer has a thickness of 0.005 μm to 0.2 μm .
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