JP2015201608A - Lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin and led package and manufacturing method of led package - Google Patents

Lead frame with resin and manufacturing method of lead frame with resin and led package and manufacturing method of led package Download PDF

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田 和 範 小
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本 亮 篠
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Yasuhiro Kaida
康 弘 甲斐田
合 研三郎 川
Kenzaburo Kawai
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Jin Nishiyama
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame with a resin which prevents voids from occurring in solder on a rear surface of an LED package and a manufacturing method of the lead frame with the resin, and to provide an LED package and a manufacturing method of the LED package.SOLUTION: A lead frame 30 with a resin includes: a lead frame 10 having a die pad 25 and a lead part 26 which is provided spaced away from the die pad 25; and reflection resins 23 which are provided enclosing peripheries of the die pad 25 and the lead part 26 and is integrated with the lead frame 10. Outer lead parts 27, 28 are respectively formed in the die pad 25 and the lead part 26. Multiple protrusions 47 are formed on a surface side of each reflection resin 23 on which the outer lead parts 27, 28 of the lead frame 10 are formed.

Description

本発明は、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame with resin and a manufacturing method thereof, and an LED package and a manufacturing method thereof.

近年、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームにＬＥＤ素子を搭載することにより作製された半導体装置を含むものがある。   In recent years, lighting devices using LED (light emitting diode) elements as light sources have been used for various home appliances, OA equipment, display lights for vehicle equipment, general lighting, in-vehicle lighting, displays, and the like. Some of such lighting devices include a semiconductor device manufactured by mounting LED elements on a lead frame.

また従来、ＬＥＤ素子用の半導体装置（ＬＥＤパッケージ）としては、放熱性等の観点から、ＳＯＮタイプのもの（ＳＯＮパッケージ）が開発されてきている。このようなＳＯＮパッケージにおいては、ＬＥＤ素子からの光を反射させるための反射樹脂（リフレクタ）が設けられている。また、ＬＥＤ素子やボンディングワイヤは、これらを保護する封止樹脂によって封止されている（例えば特許文献１参照）。   Conventionally, as a semiconductor device for LED elements (LED package), a SON type (SON package) has been developed from the viewpoint of heat dissipation and the like. In such a SON package, a reflective resin (reflector) for reflecting light from the LED element is provided. Moreover, the LED element and the bonding wire are sealed with a sealing resin that protects them (see, for example, Patent Document 1).

国際公開第２０１２／０６０３３６号International Publication No. 2012/060336

通常のＬＥＤパッケージは、一般的な半導体パッケージと比較して、放熱性の観点からダイパッドやリード部の裏面の面積が大きくされている。このため、ＬＥＤパッケージにおいては、パッケージをプリント基板に半田実装する際、一般的な半導体パッケージよりも半田の使用量が多い。このため、ＬＥＤパッケージにおいては、パッケージの裏面で半田フラックスの揮発成分が半田内に巻き込まれやすく、この結果半田内にボイドが発生しやすいという問題が生じている。半田にボイドが発生した場合、ＬＥＤパッケージにおいて、ダイパッドやリード部の裏面から熱を逃がしにくくなるという問題が生じる。   In the normal LED package, the area of the back surface of the die pad or the lead portion is increased from the viewpoint of heat dissipation as compared with a general semiconductor package. For this reason, in the LED package, when the package is solder-mounted on the printed board, the amount of solder used is larger than that of a general semiconductor package. For this reason, in the LED package, a volatile component of the solder flux is likely to be caught in the solder on the back surface of the package, and as a result, there is a problem that voids are easily generated in the solder. When a void is generated in the solder, there is a problem that heat is not easily released from the back surface of the die pad or the lead portion in the LED package.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤパッケージの裏面において半田にボイドが発生することを防止することが可能な、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and is capable of preventing the generation of voids in the solder on the back surface of the LED package, the resin-attached lead frame, the manufacturing method thereof, the LED package, and It aims at providing the manufacturing method.

本発明は、樹脂付リードフレームにおいて、第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた第２金属部分とを有するリードフレームと、前記第１金属部分と前記第２金属部分との周囲を取り囲んで設けられ、リードフレームと一体化された反射樹脂とを備え、少なくとも前記第１金属部分または前記第２金属部分にはアウターリード部が形成され、前記反射樹脂のうち、前記リードフレームの前記アウターリード部が形成された面側に、複数の突起が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention relates to a lead frame with resin, wherein the lead frame includes a first metal portion and a second metal portion provided apart from the first metal portion, the first metal portion, and the second metal portion. And a reflective resin integrated with a lead frame, and at least the first metal portion or the second metal portion is formed with an outer lead portion, and among the reflective resins, A lead frame with resin, wherein a plurality of protrusions are formed on a surface side of the lead frame on which the outer lead portion is formed.

本発明は、各突起は、高さが１０μｍ〜３０μｍであり、幅が１０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein each protrusion has a height of 10 μm to 30 μm and a width of 10 μm to 100 μm.

本発明は、前記反射樹脂の裏面の単位面積に占める前記複数の突起の面積の割合は、１０％〜５０％であることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the ratio of the area of the plurality of protrusions to the unit area of the back surface of the reflective resin is 10% to 50%.

本発明は、前記複数の突起は、前記第１金属部分の周囲を取り囲む領域又は前記第２金属部分の周囲を取り囲む領域に設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the plurality of protrusions are provided in a region surrounding the periphery of the first metal portion or a region surrounding the periphery of the second metal portion.

本発明は、前記複数の突起は、ＬＥＤパッケージの実装面の外形に沿う領域に設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the plurality of protrusions are provided in a region along the outer shape of the mounting surface of the LED package.

本発明は、前記複数の突起は、不規則に配置されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the plurality of protrusions are irregularly arranged.

本発明は、少なくとも１つの突起が、前記第１金属部分の裏面の周縁又は前記第２金属部分の裏面の周縁を部分的に覆うことを特徴とする樹脂付リードフレームである。   The present invention is the lead frame with resin, wherein the at least one protrusion partially covers the periphery of the back surface of the first metal portion or the periphery of the back surface of the second metal portion.

本発明は、ＬＥＤパッケージにおいて、第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた第２金属部分とを有するリードフレームと、前記リードフレームの前記第１金属部分に搭載されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子と前記リードフレームの前記第２金属部分とを電気的に接続する導電部と、前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子を収容する凹部を有する反射樹脂と、前記反射樹脂の前記凹部内に充填された封止樹脂とを備え、前記反射樹脂の裏面に複数の突起が形成されていることを特徴とするＬＥＤパッケージである。   The present invention provides an LED package having a lead frame having a first metal portion and a second metal portion spaced apart from the first metal portion, and mounted on the first metal portion of the lead frame. An LED element; a conductive portion that electrically connects the LED element and the second metal portion of the lead frame; a reflective resin that is provided in the lead frame and has a recess that accommodates the LED element; An LED package comprising: a sealing resin filled in the recess of resin, wherein a plurality of protrusions are formed on the back surface of the reflective resin.

本発明は、樹脂付リードフレームの製造方法において、第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた前記第２金属部分とを含むリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程とを備え、前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程において、前記反射樹脂の裏面に複数の突起が形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention provides a method of manufacturing a lead frame with a resin, the step of preparing a lead frame including a first metal portion and the second metal portion provided apart from the first metal portion, and the lead frame And a step of providing a reflective resin on the lead frame, wherein a plurality of protrusions are formed on the back surface of the reflective resin.

本発明は、前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程において、前記反射樹脂は焼結金属製の金型を用いて成形され、前記金型は、前記複数の突起に対応する複数の孔を有することを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   In the present invention, in the step of providing a reflective resin on the lead frame, the reflective resin is molded using a mold made of sintered metal, and the mold has a plurality of holes corresponding to the plurality of protrusions. This is a method for manufacturing a lead frame with a resin characterized by the following.

本発明は、前記リードフレームに反射樹脂を設けた後、前記リードフレームのうち、前記反射樹脂が設けられていない領域を覆うようにめっき層を設ける工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。   The present invention further comprises a step of providing a plating layer so as to cover a region of the lead frame where the reflective resin is not provided after the reflective resin is provided on the lead frame. It is a manufacturing method of a lead frame.

本発明は、ＬＥＤパッケージの製造方法において、樹脂付リードフレームを準備する工程と、前記樹脂付リードフレームの前記第１金属部分にＬＥＤ素子を搭載する工程と、前記ＬＥＤ素子と前記樹脂付リードフレームの前記第２金属部分とを導電部により接続する工程と、前記ＬＥＤ素子および前記導電部を封止樹脂によって封止する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法である。   The present invention provides a method for manufacturing an LED package, the step of preparing a lead frame with resin, the step of mounting an LED element on the first metal portion of the lead frame with resin, the LED element and the lead frame with resin. A method for manufacturing an LED package, comprising: a step of connecting the second metal portion to the conductive portion, and a step of sealing the LED element and the conductive portion with a sealing resin.

本発明によれば、反射樹脂の裏面に複数の突起が形成されているので、これらの突起の間を通って半田フラックスの揮発成分を逃がすことができ、ＬＥＤパッケージの裏面において半田にボイドが発生することを防止することができる。   According to the present invention, since the plurality of protrusions are formed on the back surface of the reflective resin, the volatile components of the solder flux can be released through the protrusions, and voids are generated in the solder on the back surface of the LED package. Can be prevented.

図１は本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame with resin according to an embodiment of the present invention. 図２は本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す底面図。FIG. 2 is a bottom view showing a lead frame with resin according to an embodiment of the present invention. 図３は本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図（図１のIII−III線断面図）。FIG. 3 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 1) showing a lead frame with resin according to an embodiment of the present invention. 図４は樹脂付リードフレームを示す底面図であって、突起が設けられる領域を説明する図。FIG. 4 is a bottom view showing the lead frame with resin, and is a view for explaining a region where a protrusion is provided. 図５は本発明の一実施の形態によるＬＥＤパッケージを示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing an LED package according to an embodiment of the present invention. 図６は本発明の一実施の形態によるＬＥＤパッケージを示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the LED package according to the embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 5). 図７（ａ）−（ｆ）は本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。7A to 7F are cross-sectional views showing a method for manufacturing a resin-attached lead frame according to an embodiment of the present invention. 図８（ａ）−（ｄ）は本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a lead frame with resin according to an embodiment of the present invention. 図９（ａ）−（ｅ）は本発明の一実施の形態によるＬＥＤパッケージの製造方法を示す断面図。9A to 9E are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention. 図１０（ａ）（ｂ）はＬＥＤパッケージを配線基板上に実装する際の作用を示す図。FIGS. 10A and 10B are views showing an operation when the LED package is mounted on the wiring board. 図１１は変形例による樹脂付リードフレームを示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a lead frame with resin according to a modification. 図１２は変形例によるＬＥＤパッケージを示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an LED package according to a modification.

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１２を参照して説明する。以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。なお、本明細書中、「表面」とは、ＬＥＤパッケージの発光面側の面（図３の上面）をいい、「裏面」とは、ＬＥＤパッケージの実装面側の面（図３の下面）をいう。したがって、リードフレームの「裏面」とは、ＬＥＤパッケージと外部の配線基板とを接続する際に用いられるダイパッドとリード部のアウターリード部が形成された面である。また、反射樹脂の「裏面」とは、リードフレームのアウターリード部が形成された面側の面である。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the following drawings, the same portions are denoted by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted. In the present specification, “front surface” refers to the surface on the light emitting surface side of the LED package (upper surface in FIG. 3), and “rear surface” refers to the surface on the mounting surface side of the LED package (lower surface in FIG. 3). Say. Therefore, the “back surface” of the lead frame is a surface on which a die pad used for connecting the LED package and an external wiring board and an outer lead portion of the lead portion are formed. Further, the “back surface” of the reflective resin is a surface on the surface side where the outer lead portion of the lead frame is formed.

樹脂付リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。 1. Structure of Lead Frame with Resin First, an outline of a lead frame with resin according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１乃至図３に示す樹脂付リードフレーム３０は、ＬＥＤパッケージ２０（図５および図６参照）を作製するために用いられるものである。このような樹脂付リードフレーム３０は、リードフレーム１０と、リードフレーム１０に設けられた反射樹脂（リフクレクタ）２３とを備えている。   The lead frame 30 with resin shown in FIGS. 1 to 3 is used for manufacturing the LED package 20 (see FIGS. 5 and 6). Such a lead frame 30 with resin includes a lead frame 10 and a reflective resin (reflector) 23 provided on the lead frame 10.

このうちリードフレーム１０は、それぞれ１つのＬＥＤパッケージ２０に対応する領域である、複数の単位リードフレーム１０ａを含んでいる。図１において、各単位リードフレーム１０ａに含まれる領域を、長方形状の二点鎖線で示している。   Among these, the lead frame 10 includes a plurality of unit lead frames 10a each of which corresponds to one LED package 20. In FIG. 1, a region included in each unit lead frame 10a is indicated by a rectangular two-dot chain line.

各リードフレーム１０は、各々ＬＥＤ素子２１（後述）が搭載されるダイパッド（第１金属部分）２５と、ダイパッド２５から離間して設けられたリード部（第２金属部分）２６とを備えている。   Each lead frame 10 includes a die pad (first metal portion) 25 on which an LED element 21 (described later) is mounted, and a lead portion (second metal portion) 26 provided apart from the die pad 25. .

ダイパッド２５およびリード部２６は、それぞれ平面略矩形形状を有しており、ダイパッド２５およびリード部２６の各辺は、Ｘ方向およびＹ方向のいずれかに対して平行に延びている。なお、本明細書中、Ｘ方向とは、各単位リードフレーム１０ａ内でダイパッド２５およびリード部２６が配列された方向に平行な方向をいい、Ｙ方向とは、平面内でＸ方向に直交する方向をいう。   Each of the die pad 25 and the lead part 26 has a substantially rectangular planar shape, and each side of the die pad 25 and the lead part 26 extends in parallel to either the X direction or the Y direction. In the present specification, the X direction means a direction parallel to the direction in which the die pad 25 and the lead portion 26 are arranged in each unit lead frame 10a, and the Y direction is orthogonal to the X direction in a plane. The direction.

ダイパッド２５とリード部２６との間には、開口領域１６が形成されており、ダイシングされた後（図９（ｄ）参照）、ダイパッド２５とリード部２６とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。   An opening region 16 is formed between the die pad 25 and the lead portion 26, and after dicing (see FIG. 9D), the die pad 25 and the lead portion 26 are electrically insulated from each other. It has become.

図３に示すように、ダイパッド２５のうち、リード部２６側に位置する中央側部分２５ａは、その裏面方向からハーフエッチングされることにより、リードフレーム１０の素材の厚み（すなわち後述する金属基板３１の厚み）よりも薄肉化されている。同様に、リード部２６のうち、ダイパッド２５側に位置する中央側部分２６ａは、その裏面方向からハーフエッチングされることにより、リードフレーム１０の素材の厚みよりも薄肉化されている。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。   As shown in FIG. 3, the center side portion 25 a located on the lead portion 26 side of the die pad 25 is half-etched from the back surface direction thereof, whereby the material thickness of the lead frame 10 (that is, a metal substrate 31 described later). Thickness). Similarly, a center side portion 26a located on the die pad 25 side in the lead portion 26 is half-etched from the back surface direction so that it is thinner than the thickness of the material of the lead frame 10. Half-etching means that the material to be etched is etched halfway in the thickness direction.

図１に示すように、各単位リードフレーム１０ａ内のリード部２６は、図１のＹ方向プラス側およびＹ方向マイナス側に隣接する他の単位リードフレーム１０ａ内のリード部２６と、それぞれ連結部５２によって連結されている。また、各単位リードフレーム１０ａ内のダイパッド２５は、図１のＹ方向プラス側およびＹ方向マイナス側に隣接する他の単位リードフレーム１０ａ内のダイパッド２５と、それぞれ連結部５２により連結されている。   As shown in FIG. 1, the lead portions 26 in each unit lead frame 10a are connected to lead portions 26 in other unit lead frames 10a adjacent to the Y direction plus side and the Y direction minus side in FIG. 52 are connected. Further, the die pad 25 in each unit lead frame 10a is connected to the die pad 25 in another unit lead frame 10a adjacent to the Y direction plus side and the Y direction minus side in FIG.

さらに、各単位リードフレーム１０ａ内のダイパッド２５は、図１のＸ方向プラス側に隣接する他の単位リードフレーム１０ａ内のリード部２６と、連結部５２により連結されている。さらにまた、各単位リードフレーム１０ａ内のリード部２６は、図１のＸ方向マイナス側に隣接する他の単位リードフレーム１０ａ内のダイパッド２５と、連結部５２により連結されている。   Furthermore, the die pad 25 in each unit lead frame 10a is connected to the lead part 26 in another unit lead frame 10a adjacent to the X direction plus side in FIG. Furthermore, the lead part 26 in each unit lead frame 10a is connected to the die pad 25 in another unit lead frame 10a adjacent to the minus side in the X direction in FIG.

これら各連結部５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングされることにより、リードフレーム１０の素材の厚み（すなわち後述する金属基板３１の厚み）より薄肉状に形成されている。   Each of these connecting portions 52 is formed to be thinner than the thickness of the material of the lead frame 10 (that is, the thickness of the metal substrate 31 described later) by being half-etched from the back side.

また、ダイパッド２５の裏面に第１のアウターリード部２７が形成され、リード部２６の裏面に第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれＬＥＤパッケージ２０と外部の配線基板４５（図１０（ａ）（ｂ）参照）とを接続する際に用いられる。   A first outer lead portion 27 is formed on the back surface of the die pad 25, and a second outer lead portion 28 is formed on the back surface of the lead portion 26. The first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 are used when connecting the LED package 20 and the external wiring board 45 (see FIGS. 10A and 10B), respectively.

さらに、図１および図３に示すように、リードフレーム１０の表面のうち反射樹脂２３に覆われている領域に、溝１８が設けられている。この場合、溝１８の平面形状は、開口領域１６を除き環状に延びており、略矩形状となっている。しかしながら、これら限らず、溝１８の平面形状は、略長円状又は略レーストラック状としても良い。また溝１８の断面形状は凹形状であり、溝１８に反射樹脂２３が入り込むことによりリードフレーム１０と反射樹脂２３との密着性を高めている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 3, a groove 18 is provided in a region of the surface of the lead frame 10 that is covered with the reflective resin 23. In this case, the planar shape of the groove 18 extends in an annular shape except for the opening region 16 and is substantially rectangular. However, the present invention is not limited thereto, and the planar shape of the groove 18 may be substantially oval or substantially racetrack. The cross-sectional shape of the groove 18 is a concave shape, and the adhesive resin 23 enters the groove 18 to enhance the adhesion between the lead frame 10 and the reflective resin 23.

反射樹脂２３は、リードフレーム１０の表面であって、ダイパッド２５およびリード部２６上に設けられている。また、反射樹脂２３は、ダイパッド２５およびリード部２６の周囲を取り囲んでいる。さらに、反射樹脂２３は、ダイパッド２５とリード部２６との間の開口領域１６、各連結部５２の裏面、およびダイパッド２５およびリード部２６の中央側部分２５ａ、２６ａの裏面にも充填されている。   The reflective resin 23 is provided on the die pad 25 and the lead portion 26 on the surface of the lead frame 10. Further, the reflective resin 23 surrounds the die pad 25 and the lead portion 26. Further, the reflective resin 23 is also filled in the opening region 16 between the die pad 25 and the lead portion 26, the back surface of each connecting portion 52, and the back surfaces of the center side portions 25 a and 26 a of the die pad 25 and the lead portion 26. .

この反射樹脂２３は、リードフレーム１０と一体化されており、ＬＥＤ素子２１（後述）を収容する凹部２３ａを有している。この凹部２３ａの平面形状は、例えば長方形状、角丸長方形状、円形状、楕円形状、長円状又はレーストラック形状としても良い。また、反射樹脂２３は、裏面側から表面側に向けて拡開するように形成された傾斜面２３ｂを有している。   The reflective resin 23 is integrated with the lead frame 10 and has a recess 23a that houses the LED element 21 (described later). The planar shape of the recess 23a may be, for example, a rectangular shape, a rounded rectangular shape, a circular shape, an elliptical shape, an oval shape, or a race track shape. The reflective resin 23 has an inclined surface 23b formed so as to expand from the back surface side to the front surface side.

図２および図３に示すように、反射樹脂２３の裏面には、複数（多数）の突起４７が形成されている。この場合、突起４７は反射樹脂２３の裏面全体にわたって形成されている。また、反射樹脂２３の裏面のうち、各突起４７を除く部分は略平坦になっており、各突起４７の間には、後述するように半田フラックスの揮発成分を逃がすことが可能な間隙４８が形成されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, a plurality of (many) protrusions 47 are formed on the back surface of the reflective resin 23. In this case, the protrusion 47 is formed over the entire back surface of the reflective resin 23. In addition, a portion of the back surface of the reflective resin 23 excluding the protrusions 47 is substantially flat, and a gap 48 between which the volatile components of the solder flux can be released as described later. Is formed.

図２に示すように、複数の突起４７は、その形状、大きさ、間隔および密度が不規則であるように配置されている。このように複数の突起４７を不規則に配置した場合、リフロー半田付けを行う際、半田フラックスのガスを様々な方向に逃がすことができる。しかしながら、これに限らず、複数の突起４７を規則的に配置してもよい。複数の突起４７を規則的に配置した場合、各単位リードフレーム１０ａ間で反射樹脂２３の裏面形状を同一にすることができるので、ＬＥＤパッケージ２０間の特性のばらつきを軽減することができる。   As shown in FIG. 2, the plurality of protrusions 47 are arranged such that their shapes, sizes, intervals, and densities are irregular. When the plurality of protrusions 47 are irregularly arranged in this way, the solder flux gas can be released in various directions when performing reflow soldering. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of protrusions 47 may be regularly arranged. When the plurality of protrusions 47 are regularly arranged, the shape of the back surface of the reflective resin 23 can be made the same between the unit lead frames 10a, so that variation in characteristics between the LED packages 20 can be reduced.

各突起４７は、その高さｈ（図３参照）が１０μｍ〜３０μｍであり、その幅ｗ（図２参照）が１０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。ここで各突起４７の高さｈとは、各突起４７のうち最も突出した部分と反射樹脂２３の裏面の、突起４７のない平坦部との距離をいう。各突起４７の幅ｗとは、各突起４７のうち最も幅が広くなっている部分の距離をいう。なお、各図において、各突起４７の大きさを誇張して示している。   Each protrusion 47 preferably has a height h (see FIG. 3) of 10 μm to 30 μm and a width w (see FIG. 2) of 10 μm to 100 μm. Here, the height h of each projection 47 refers to the distance between the most protruding portion of each projection 47 and the flat portion of the back surface of the reflective resin 23 without the projection 47. The width w of each protrusion 47 is the distance between the widest portions of the protrusions 47. In each figure, the size of each protrusion 47 is exaggerated.

各突起４７の高さｈを１０μｍ以上としたことにより、リフロー半田付けを行う間、ＬＥＤパッケージ２０が斜めに傾いた場合（図１０（ｂ）参照）であっても、ＬＥＤパッケージ２０と配線基板４５との間に一定のギャップを確保することができるため、各突起４７間の間隙４８から半田フラックスの揮発成分（ガス）を確実に逃がすことができる。また、各突起４７の高さｈを３０μｍ以下としたことにより、各突起４７の高さがＬＥＤパッケージ２０と配線基板４５とを接続する半田４１の高さよりも低くなるので、ＬＥＤパッケージ２０と配線基板４５とを半田４１によって確実に接続することができる。   By setting the height h of each protrusion 47 to 10 μm or more, the LED package 20 and the wiring board can be used even when the LED package 20 is inclined at an angle during reflow soldering (see FIG. 10B). Since a certain gap can be ensured with respect to 45, the volatile component (gas) of the solder flux can be surely released from the gap 48 between the protrusions 47. In addition, since the height h of each protrusion 47 is set to 30 μm or less, the height of each protrusion 47 is lower than the height of the solder 41 that connects the LED package 20 and the wiring board 45, so that the LED package 20 and the wiring The substrate 45 can be securely connected by the solder 41.

一方、各突起４７の幅ｗを１０μｍ以上としたことにより、リフロー半田付けを行う間、ＬＥＤパッケージ２０が斜めに傾いた場合（図１０（ｂ）参照）であっても、ＬＥＤパッケージ２０と配線基板４５との間に一定のギャップを確保することができるため、半田フラックスのガスを確実に逃がすことができる。また、各突起４７の幅ｗを１００μｍ以下としたことにより、各突起４７の間に所定の大きさをもつ間隙４８を確保することができ、リフロー半田付けを行う際、この間隙４８から半田フラックスのガスを確実に逃がすことができる。   On the other hand, by setting the width w of each protrusion 47 to 10 μm or more, even if the LED package 20 is inclined obliquely during reflow soldering (see FIG. 10B), the LED package 20 and the wiring A certain gap can be secured between the substrate 45 and the solder flux gas can be surely released. Further, by setting the width w of each protrusion 47 to 100 μm or less, a gap 48 having a predetermined size can be secured between the protrusions 47, and when performing reflow soldering, the solder flux from the gap 48 is used. The gas can be surely released.

また、反射樹脂２３の裏面の単位面積に占める複数の突起４７の面積の割合は、１０％〜５０％とすることが好ましい。ここで、上記割合は、反射樹脂２３の裏面（裏面側に露出している部分）のうち、複数の突起４７が形成されている領域の面積に対する、当該領域に存在する突起４７の総面積の割合をいう。例えば、複数の突起４７が反射樹脂２３の裏面全体に設けられている場合、反射樹脂２３の裏面の全面積に対する複数の突起４７の総面積の割合をいう。   Moreover, it is preferable that the ratio of the area of the some protrusion 47 to the unit area of the back surface of the reflective resin 23 shall be 10%-50%. Here, the ratio is the total area of the protrusions 47 existing in the region with respect to the area of the region where the plurality of protrusions 47 are formed in the back surface of the reflective resin 23 (the portion exposed on the back surface side). Say percentage. For example, when the plurality of protrusions 47 are provided on the entire back surface of the reflective resin 23, the ratio of the total area of the plurality of protrusions 47 to the total area of the back surface of the reflective resin 23 is referred to.

上記割合を１０％以上としたことにより、リフロー半田付けを行う間、ＬＥＤパッケージ２０が斜めに傾いた場合であっても、ＬＥＤパッケージ２０と配線基板４５との間に一定のギャップを確保することができるため、半田フラックスのガスを逃がしやすくすることができる。また、上記割合を５０％以下としたことにより、各突起４７の間に所定の大きさをもつ間隙４８を確保することができるので、リフロー半田付けを行う際、この間隙４８から半田フラックスのガスを確実に逃がすことができる。   By setting the ratio to 10% or more, a certain gap is ensured between the LED package 20 and the wiring board 45 even when the LED package 20 is inclined during reflow soldering. Therefore, the solder flux gas can be easily released. Further, by setting the ratio to 50% or less, a gap 48 having a predetermined size can be secured between the protrusions 47. Therefore, when performing reflow soldering, the solder flux gas is emitted from the gap 48. Can be surely escaped.

図２において、複数の突起４７は、反射樹脂２３の裏面全体にわたって形成されているが、これに限られるものではない。例えば、図４に示すように、複数の突起４７は、ダイパッド２５の周囲を取り囲む領域Ａ１及び／又はリード部２６の周囲を取り囲む領域Ａ２に設けられていても良い。この場合、複数の突起４７が第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８よりも突出していることにより、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８に形成されためっき層１２（後述）が外部の部材と直接接触することが防止される。これにより、めっき層１２に傷等が生じることを防止することができる。 In FIG. 2, the plurality of protrusions 47 are formed over the entire back surface of the reflective resin 23, but are not limited thereto. For example, as shown in FIG. 4, the plurality of protrusions 47 may be provided in a region A 1 surrounding the die pad 25 and / or a region A 2 surrounding the lead portion 26. In this case, the plurality of protrusions 47 are formed on the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 by projecting from the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28. The plating layer 12 (described later) is prevented from coming into direct contact with an external member. Thereby, it is possible to prevent the plating layer 12 from being damaged.

あるいは、図４において、複数の突起４７は、単位リードフレーム１０ａ（ＬＥＤパッケージ２０）の実装面の外形に沿う領域Ａ３に設けられていてもよい。この場合、リフロー半田付けを行う間、ＬＥＤパッケージ２０が側方から見て斜めに傾いた場合（図１０（ｂ）参照）であっても、ＬＥＤパッケージ２０と配線基板との間に一定のギャップを確保することができるため、半田フラックスのガスを確実に逃がすことができる。 Alternatively, in FIG. 4, a plurality of projections 47 may be provided in a region A 3 along the outline of the mounting surface of the unit lead frame 10a (LED package 20). In this case, during reflow soldering, even if the LED package 20 is inclined obliquely when viewed from the side (see FIG. 10B), a constant gap is provided between the LED package 20 and the wiring board. Therefore, the solder flux gas can be surely released.

なお、図２に示すように、複数の突起４７を反射樹脂２３の裏面全体にわたって形成した場合、上記２つの効果を同時に得ることができる。   As shown in FIG. 2, when the plurality of protrusions 47 are formed over the entire back surface of the reflective resin 23, the above two effects can be obtained simultaneously.

また、複数の突起４７のうちの少なくとも１つが、ダイパッド２５の裏面の周縁又はリード部２６の裏面の周縁を部分的に覆うようにしても良い（図２および図３の突起４７ａ参照）。この場合、当該突起４７ａによってダイパッド２５又はリード部２６が下方に移動することが規制されるので、ダイパッド２５又はリード部２６が裏面側に脱落する不具合を防止することができる。   Further, at least one of the plurality of protrusions 47 may partially cover the periphery of the back surface of the die pad 25 or the periphery of the back surface of the lead portion 26 (see the protrusion 47a in FIGS. 2 and 3). In this case, since the protrusion 47a restricts the die pad 25 or the lead part 26 from moving downward, it is possible to prevent a problem that the die pad 25 or the lead part 26 falls off to the back side.

なお、突起４７は、反射樹脂２３の表面側には設けられていないことが好ましい。反射樹脂２３の表面側に突起４７を設けないことにより、ＬＥＤ素子２１（後述）からの光が突起４７によって予期しない方向に反射してしまう不具合を防止することができる。   The protrusion 47 is preferably not provided on the surface side of the reflective resin 23. By not providing the protrusion 47 on the surface side of the reflective resin 23, it is possible to prevent a problem that light from the LED element 21 (described later) is reflected by the protrusion 47 in an unexpected direction.

ところで、図３に示すように、リードフレーム１０は、リードフレーム本体１１と、リードフレーム本体１１上に形成されためっき層１２とから構成されている。   Incidentally, as shown in FIG. 3, the lead frame 10 includes a lead frame main body 11 and a plating layer 12 formed on the lead frame main body 11.

このうちリードフレーム本体１１は金属板からなっている。リードフレーム本体１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、鉄合金（ステンレス、ＦｅＮｉ）、アルミニウム等を挙げることができる。このリードフレーム本体１１の厚みは、ＬＥＤパッケージ２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。   Of these, the lead frame body 11 is made of a metal plate. Examples of the material of the metal plate constituting the lead frame body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy), iron alloy (stainless steel, FeNi), aluminum, and the like. The thickness of the lead frame main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm, although it depends on the configuration of the LED package 20.

また、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の表面および裏面の全体を覆うように設けられている。このうち表面側のめっき層１２は、ダイパッド２５とリード部２６のうち、反射樹脂２３に覆われていない部分から露出している。このめっき層１２は、主にＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する。   The plating layer 12 is provided so as to cover the entire front and back surfaces of the lead frame body 11. Of these, the plating layer 12 on the surface side is exposed from a portion of the die pad 25 and the lead portion 26 that is not covered with the reflective resin 23. The plating layer 12 mainly functions as a reflection layer for reflecting light from the LED element 21.

一方、裏面側のめっき層１２は、ダイパッド２５とリード部２６のうち、反射樹脂２３に覆われていない部分、具体的には第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８から露出している。この裏面側のめっき層１２は、はんだとの密着性を高める役割を果たす。   On the other hand, the plating layer 12 on the back surface side is exposed from a portion of the die pad 25 and the lead portion 26 that is not covered with the reflective resin 23, specifically, the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28. doing. The plating layer 12 on the back side plays a role of improving the adhesion with the solder.

図３において、裏面側のめっき層１２の下面と裏面側の反射樹脂２３の下面（突起４７が設けられていない部分）とは同一平面上に位置している。しかしながら、これに限らず、裏面側のめっき層１２の下面が裏面側の反射樹脂２３の下面よりも例えば２μｍ〜３μｍ程度下方に突出していても良い。なお、いずれの場合であっても、突起４７は、裏面側のめっき層１２の下面よりも下方に突出している。これにより、裏面側のめっき層１２が外部の部材と直接接触することが防止されるので、めっき層１２に傷等が生じることが防止される。   In FIG. 3, the lower surface of the plating layer 12 on the back surface side and the lower surface of the reflective resin 23 on the back surface side (portions where the protrusions 47 are not provided) are located on the same plane. However, the present invention is not limited to this, and the lower surface of the plating layer 12 on the back surface side may protrude downward from the lower surface of the reflective resin 23 on the back surface side by, for example, about 2 μm to 3 μm. In either case, the protrusion 47 protrudes below the lower surface of the plating layer 12 on the back surface side. As a result, the plating layer 12 on the back surface side is prevented from coming into direct contact with an external member, thereby preventing the plating layer 12 from being damaged.

めっき層１２は、例えば銀、銀の合金、金やその合金、白金族、銅やその合金、またはアルミニウム等の単層めっきからなっていても良い。この場合、めっき層１２の厚みは０．５μｍ〜３０μｍとすることが好ましい。   The plating layer 12 may consist of single layer plating, such as silver, a silver alloy, gold | metal | money, its alloy, platinum group, copper, its alloy, or aluminum, for example. In this case, the thickness of the plating layer 12 is preferably 0.5 μm to 30 μm.

あるいは、めっき層１２は多層めっきからなっていても良い。この場合、めっき層１２は、下地めっき層と、下地めっき層上に積層された貴金属めっき層とを含んでいても良い。下地めっき層としては、銅、ニッケル、パラジウムまたはこれらを複数積層した電解めっき層を挙げることができる。なお、下地めっき層の厚みは、例えば０．１μｍ〜１５μｍとしても良く、２μｍ〜１０μｍとすることがより好ましい。貴金属めっき層としては、銀、銀の合金、金やその合金、白金族、銅やその合金、またはアルミニウムの気相めっき層を挙げることができる。なお、貴金属めっき層の厚みは、例えば２μｍ〜１５μｍとしても良く、３μｍ〜７μｍとすることがより好ましい。   Or the plating layer 12 may consist of multilayer plating. In this case, the plating layer 12 may include a base plating layer and a noble metal plating layer laminated on the base plating layer. Examples of the base plating layer include copper, nickel, palladium, or an electrolytic plating layer in which a plurality of these are stacked. The thickness of the base plating layer may be, for example, 0.1 μm to 15 μm, and more preferably 2 μm to 10 μm. Examples of the noble metal plating layer include silver, a silver alloy, gold and its alloys, a platinum group, copper and its alloys, and a vapor phase plating layer of aluminum. The thickness of the noble metal plating layer may be, for example, 2 μm to 15 μm, and more preferably 3 μm to 7 μm.

ＬＥＤパッケージの構成
次に、図５および図６により、図１乃至図４に示すリードフレーム１０を用いて作製されたＬＥＤパッケージの一実施の形態について説明する。図５および図６は、それぞれＬＥＤパッケージ（ＳＯＮタイプ）を示す断面図および平面図である。 Configuration of LED Package Next, an embodiment of an LED package manufactured using the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 4 will be described with reference to FIGS. 5 and 6 are a sectional view and a plan view, respectively, showing an LED package (SON type).

図５および図６に示すように、ＬＥＤパッケージ（半導体装置）２０は、リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド２５に載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とダイパッド２５およびリード部２６とをそれぞれ電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the LED package (semiconductor device) 20 includes a lead frame 10, an LED element 21 placed on a die pad 25 of the lead frame 10, an LED element 21, a die pad 25, and a lead part 26. And a bonding wire (conductive portion) 22 for electrically connecting the two.

また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する反射樹脂２３が設けられている。この反射樹脂２３は、リードフレーム１０と一体化されている。また、反射樹脂２３の裏面には、複数（多数）の突起４７が形成されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂２４によって封止されている。この封止樹脂２４は、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に充填されている。   A reflective resin 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21. The reflective resin 23 is integrated with the lead frame 10. A plurality of (many) protrusions 47 are formed on the back surface of the reflective resin 23. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a translucent sealing resin 24. This sealing resin 24 is filled in the recess 23 a of the reflective resin 23.

以下、このようなＬＥＤパッケージ２０を構成する各構成部材について、順次説明する。   Hereinafter, each component which comprises such an LED package 20 is demonstrated sequentially.

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。   The LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do. As such an LED element 21, those conventionally used in general can be used.

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、反射樹脂２３の凹部２３ａ内においてダイパッド２５上に固定実装されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。   The LED element 21 is fixedly mounted on the die pad 25 in the recess 23a of the reflective resin 23 by solder or die bonding paste. When using a die bonding paste, it is possible to select a die bonding paste made of an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の各端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がダイパッド２５およびリード部２６にそれぞれ接続されている。なお、図５および図６において、ＬＥＤ素子２１の表面に設けられた一対の端子部２１ａの一方とダイパッド２５とが、ボンディングワイヤ２２によって電気的に接続されているが、これに限られない。例えば、ＬＥＤ素子２１の裏面に端子部２１ａを設け、この端子部２１ａとダイパッド２５とが、はんだを介して電気的に接続されていても良い。   The bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold, and one end thereof is connected to each terminal portion 21a of the LED element 21 and the other end is connected to the die pad 25 and the lead portion 26, respectively. 5 and 6, one of the pair of terminal portions 21 a provided on the surface of the LED element 21 and the die pad 25 are electrically connected by the bonding wire 22, but are not limited thereto. For example, the terminal portion 21a may be provided on the back surface of the LED element 21, and the terminal portion 21a and the die pad 25 may be electrically connected via solder.

反射樹脂２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を例えばトランスファ成形または射出成形することにより形成されたものである。反射樹脂２３の形状は、トランスファ成形または射出成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射樹脂２３の全体形状を、図５および図６に示すように直方体としても良く、あるいは円筒形または錐形等の形状とすることも可能である。また凹部２３ａの底面は、長方形形状、長円形状ないしはレーストラック形状に限らず、円形、楕円形または多角形等とすることができる。また、凹部２３ａの傾斜面２３ｂの断面形状は、図６のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。反射樹脂２３の色は、白色のほか黒色であっても良い。   The reflective resin 23 is formed by, for example, transfer molding or injection molding of a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 10. The shape of the reflective resin 23 can be variously realized by designing a mold used for transfer molding or injection molding. For example, the entire shape of the reflective resin 23 may be a rectangular parallelepiped as shown in FIGS. 5 and 6, or may be a cylindrical shape or a cone shape. The bottom surface of the recess 23a is not limited to a rectangular shape, an oval shape, or a racetrack shape, and may be a circle, an ellipse, a polygon, or the like. Moreover, the cross-sectional shape of the inclined surface 23b of the recessed part 23a may be comprised from the straight line like FIG. 6, or may be comprised from the curve. The color of the reflective resin 23 may be black as well as white.

反射樹脂２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面及び側壁において、発光素子からの光の反射率を増大させ、ＬＥＤパッケージ２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。   As the thermoplastic resin or thermosetting resin used for the reflective resin 23, it is desirable to select a resin having excellent heat resistance, weather resistance and mechanical strength. As the types of thermoplastic resins, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyetherimide, etc., the types of thermosetting resins are silicone resins, epoxy resins, And polyurethane can be used. Furthermore, by adding any one of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the bottom surface and the side wall of the recess 23a can emit light from the light emitting element. It becomes possible to increase the light reflectivity and increase the light extraction efficiency of the entire LED package 20.

封止樹脂２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤパッケージ２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂２４が強い光にさらされるため、封止樹脂２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。   As the sealing resin 24, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED package 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED is used as the LED element 21, the sealing resin 24 is preferably made of a silicone resin having high weather resistance because the sealing resin 24 is exposed to strong light.

なお、リードフレーム１０の構成については、図１乃至図４を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。   Since the configuration of the lead frame 10 has already been described with reference to FIGS. 1 to 4, detailed description thereof is omitted here.

ＬＥＤ素子搭載用リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図４に示す樹脂付リードフレーム３０の製造方法について、図７（ａ）−（ｆ）および図８（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図７（ａ）−（ｆ）および図８（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による樹脂付リードフレーム３０の製造方法を示す断面図であり、それぞれ図３に示す断面に対応している。 Manufacturing Method of Lead Frame for Mounting LED Element Next, a manufacturing method of the lead frame 30 with resin shown in FIGS. 1 to 4 will be described with reference to FIGS. 7 (a)-(f) and 8 (a)-(d). I will explain. 7 (a)-(f) and FIGS. 8 (a)-(d) are cross-sectional views showing a method of manufacturing the lead frame 30 with resin according to the present embodiment, each corresponding to the cross section shown in FIG. ing.

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、鉄合金（ステンレス、ＦｅＮｉ）、アルミニウム等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, as shown in FIG. 7A, a flat metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, as described above, a metal substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy), iron alloy (stainless steel, FeNi), aluminum or the like can be used. In addition, it is preferable to use what the metal substrate 31 performed the degreasing | defatting etc. to the both surfaces, and performed the washing process.

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。   Next, photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 7B). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known resists can be used.

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。   Subsequently, the metal substrate 31 is exposed through a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 7C).

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 7D). Corrosion liquid can be suitably selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, a ferric chloride aqueous solution is usually used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 31.

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、ダイパッド２５と、ダイパッド２５から離間して設けられたリード部２６とを含む複数の単位リードフレームを含むリードフレーム１０（リードフレーム本体１１）が得られる（図７（ｅ））。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are peeled and removed, whereby the lead frame 10 (lead frame including a plurality of unit lead frames including the die pad 25 and the lead portion 26 provided apart from the die pad 25). The main body 11) is obtained (FIG. 7 (e)).

次に、リードフレーム本体１１の表面および裏面に電解めっきを施すことにより、リードフレーム本体１１上に金属（例えば銀）を析出させて、リードフレーム本体１１の表面および裏面を含む全面にめっき層１２を形成する（図７（ｆ））。   Next, by electroplating the front and back surfaces of the lead frame main body 11, a metal (for example, silver) is deposited on the lead frame main body 11, and the plating layer 12 is formed on the entire surface including the front and back surfaces of the lead frame main body 11. Is formed (FIG. 7F).

この間、具体的には、例えば電解脱脂工程、酸洗工程、化学研磨工程、銅ストライク工程、水洗工程、中性脱脂工程、シアン洗工程、および銀めっき工程を順次経ることにより、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成する。この場合、銀めっき工程で用いられる電解めっき用のめっき液としては、例えばシアン化銀を主成分とした銀めっき液を挙げることができる。実際の工程では、各工程間で必要に応じ適宜水洗工程を加える。また、上記工程の途中でパターニング工程を介在させることにより、リードフレーム本体１１の一部のみにめっき層１２を形成しても良い。   In the meantime, specifically, the lead frame main body 11 is sequentially subjected to, for example, an electrolytic degreasing step, a pickling step, a chemical polishing step, a copper strike step, a water washing step, a neutral degreasing step, a cyan washing step, and a silver plating step. The plating layer 12 is formed. In this case, examples of the plating solution for electrolytic plating used in the silver plating step include a silver plating solution mainly composed of silver cyanide. In the actual process, a water washing process is appropriately added between the processes as necessary. Further, the plating layer 12 may be formed only on a part of the lead frame main body 11 by interposing a patterning step in the middle of the above steps.

このようにして、図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる。   In this way, the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 4 is obtained.

続いて、このようにして得られたリードフレーム１０（図８（ａ））を、射出成形機またはトランスファ成形機（図示せず）の下金型３５Ａと上金型３５Ｂとの間に挟持させる（図８（ｂ））。上金型３５Ｂ内には、反射樹脂２３の形状に対応する空間３５ａが形成されている。   Subsequently, the lead frame 10 (FIG. 8A) obtained in this manner is sandwiched between a lower mold 35A and an upper mold 35B of an injection molding machine or a transfer molding machine (not shown). (FIG. 8B). A space 35a corresponding to the shape of the reflective resin 23 is formed in the upper mold 35B.

また、下金型３５Ａには、反射樹脂２３の複数の突起４７に対応する複数の孔３５ｂが形成されている。この下金型３５Ａは、例えば焼結金属製の通気性金型（例えば新東工業株式会社製・ポーセラックス（登録商標）II等）であっても良い。このような焼結金属製の通気性金型は、その全体に微細な連通孔があり、この連通孔を上記孔３５ｂとして用いることができる。この場合、複数の突起４７は、その形状、大きさ、間隔および密度が不規則に形成される。また、このような金型を用いることにより、下金型３５Ａおよび上金型３５Ｂ内の反射樹脂成形時のエアー抜きの役割を果たすこともできる。しかしながら、これに限らず、下金型３５Ａの孔３５ｂは、機械加工によって形成しても良い。なお、上金型３５Ｂとしては、このような焼結金属製の通気性金型ではなく、平坦な表面をもつ金型を用いることが好ましい。   A plurality of holes 35b corresponding to the plurality of protrusions 47 of the reflective resin 23 are formed in the lower mold 35A. The lower mold 35A may be, for example, a breathable mold made of sintered metal (for example, Shinto Kogyo Co., Ltd., Pocerax (registered trademark) II). Such a breathable mold made of sintered metal has fine communication holes as a whole, and the communication holes can be used as the holes 35b. In this case, the plurality of protrusions 47 are irregularly formed in shape, size, interval, and density. Further, by using such a mold, it is also possible to play a role of releasing air during molding of the reflective resin in the lower mold 35A and the upper mold 35B. However, the present invention is not limited thereto, and the hole 35b of the lower mold 35A may be formed by machining. As the upper mold 35B, it is preferable to use a mold having a flat surface instead of such a breathable mold made of sintered metal.

次に、射出成形機またはトランスファ成形機の樹脂供給部（図示せず）から下金型３５Ａと上金型３５Ｂとの間に熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を流し込み、その後硬化又は固化させる。これにより、リードフレーム１０上に反射樹脂２３が成形される（図８（ｃ））。このとき、反射樹脂２３は、ダイパッド２５およびリード部２６の周囲や、ダイパッド２５とリード部２６との間の開口領域１６にも充填される。   Next, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is poured between the lower mold 35A and the upper mold 35B from a resin supply part (not shown) of the injection molding machine or transfer molding machine, and then cured or solidified. Thereby, the reflective resin 23 is molded on the lead frame 10 (FIG. 8C). At this time, the reflective resin 23 is filled in the periphery of the die pad 25 and the lead part 26 and also in the opening region 16 between the die pad 25 and the lead part 26.

次いで、反射樹脂２３が形成されたリードフレーム１０を下金型３５Ａおよび上金型３５Ｂ内から取り出す。   Next, the lead frame 10 on which the reflective resin 23 is formed is taken out from the lower mold 35A and the upper mold 35B.

このようにして、反射樹脂２３とリードフレーム１０とが一体に形成された樹脂付リードフレーム３０が得られる（図８（ｄ））。   In this way, the lead frame 30 with resin in which the reflective resin 23 and the lead frame 10 are integrally formed is obtained (FIG. 8D).

ＬＥＤパッケージの製造方法
次に、図５および図６に示すＬＥＤパッケージ２０の製造方法について、図９（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。 Manufacturing Method of LED Package Next, a manufacturing method of the LED package 20 shown in FIGS. 5 and 6 will be described with reference to FIGS.

まず、例えば上述した工程（図７（ａ）−（ｆ）および図８（ａ）−（ｄ））により、樹脂付リードフレーム３０を得る。次に、この樹脂付リードフレーム３０の各反射樹脂２３内であって、リードフレーム１０のダイパッド２５上にＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド２５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図９（ａ））。   First, the lead frame 30 with resin is obtained by, for example, the steps described above (FIGS. 7A to 7F and FIGS. 8A to 8D). Next, the LED element 21 is mounted on the die pad 25 of the lead frame 10 in each of the reflective resins 23 of the lead frame 30 with resin. In this case, the LED element 21 is placed and fixed on the die pad 25 using a solder or a die bonding paste (die attach step) (FIG. 9A).

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、ダイパッド２５およびリード部２６の表面とを、それぞれボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図９（ｂ））。   Next, the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surfaces of the die pad 25 and the lead portion 26 are electrically connected to each other by the bonding wires 22 (wire bonding step) (FIG. 9B).

その後、反射樹脂２３の凹部２３ａ内に封止樹脂２４を充填し、封止樹脂２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図９（ｃ））。   Then, the sealing resin 24 is filled in the recess 23a of the reflective resin 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with the sealing resin 24 (FIG. 9C).

次に、反射樹脂２３およびリードフレーム１０のうち、各単位リードフレーム１０ａ間に位置する部分を切断することにより、反射樹脂２３およびリードフレーム１０をＬＥＤ素子２１毎に分離する（ダイシング工程）（図９（ｄ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の反射樹脂２３、ならびにリードフレーム１０の連結部５２を切断する。   Next, the reflective resin 23 and the lead frame 10 are cut into portions located between the unit lead frames 10a, thereby separating the reflective resin 23 and the lead frame 10 for each LED element 21 (dicing process) (FIG. 9 (d)). At this time, the lead frame 10 is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then the reflective resin 23 between the LED elements 21 and the connecting portion 52 of the lead frame 10 by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone. Disconnect.

このようにして、図５および図６に示すＬＥＤパッケージ２０が得られる（図９（ｅ））。   In this way, the LED package 20 shown in FIGS. 5 and 6 is obtained (FIG. 9E).

本実施の形態の作用効果
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について、図１０（ａ）（ｂ）を用いて説明する。 Operation and Effect of the Present Embodiment Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described with reference to FIGS. 10 (a) and 10 (b).

図１０（ａ）に示すように、上述したＬＥＤパッケージ２０は、配線基板４５上に配置して実装される。この際、まず配線基板４５の端子４６にクレーム半田とよばれるクリーム状の半田を印刷しておき、この上にＬＥＤパッケージ２０を載置する。次に、配線基板４５に対して熱を加えることにより半田４１を溶融し、溶融した半田４１によって配線基板４５の端子４６とＬＥＤパッケージ２０の第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８とをそれぞれ接続する（リフロー半田付け）。   As shown in FIG. 10A, the above-described LED package 20 is disposed and mounted on a wiring board 45. At this time, first, cream-like solder called claim solder is printed on the terminal 46 of the wiring board 45, and the LED package 20 is placed thereon. Next, the solder 41 is melted by applying heat to the wiring substrate 45, and the terminals 46 of the wiring substrate 45, the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion of the LED package 20 are melted by the melted solder 41. 28 are connected to each other (reflow soldering).

このようにリフロー半田付けを行っている間、ＬＥＤパッケージ２０は、溶融した半田４１の表面張力により、配線基板４５上で自動的に正常な位置へ移動して位置ずれを修正する（図１０（ａ）参照）（セルフアライメント効果）。この際、例えば第１のアウターリード部２７に設けられた半田４１の量と第２のアウターリード部２８に設けられた半田４１の量とが異なること等に起因して、ＬＥＤパッケージ２０が側方から見て斜めに傾くおそれがある（図１０（ｂ）参照）。   During reflow soldering in this way, the LED package 20 automatically moves to a normal position on the wiring board 45 due to the surface tension of the molten solder 41 and corrects the misalignment (FIG. 10 ( a) see) (self-alignment effect). At this time, for example, the LED package 20 is located on the side because the amount of the solder 41 provided on the first outer lead portion 27 is different from the amount of the solder 41 provided on the second outer lead portion 28. There is a risk of tilting obliquely when viewed from the side (see FIG. 10B).

これに対して、本実施の形態において、反射樹脂２３の裏面に複数の突起４７を形成している。このため、ＬＥＤパッケージ２０が斜めに傾いた場合であっても、突起４７が配線基板４５の端子４６に接触し（図１０（ｂ）の左側の突起４７参照）、これ以上ＬＥＤパッケージ２０が傾くことが防止される。このため、第１のアウターリード部２７（又は第２のアウターリード部２８）と端子４６とが接近しすぎることがなく、これらの間に一定の距離が確保される。これにより、半田フラックスのガスは、各突起４７の間の間隙４８を通って外部へ逃がされるので（図１０（ｂ）の矢印Ｇ参照）、半田フラックスのガスが半田４１内に巻き込まれてボイドが発生する不具合を防止することができる。   On the other hand, in the present embodiment, a plurality of protrusions 47 are formed on the back surface of the reflective resin 23. For this reason, even when the LED package 20 is inclined, the protrusion 47 contacts the terminal 46 of the wiring board 45 (see the protrusion 47 on the left side of FIG. 10B), and the LED package 20 is further inclined. It is prevented. For this reason, the first outer lead portion 27 (or the second outer lead portion 28) and the terminal 46 do not come too close to each other, and a certain distance is secured between them. As a result, the solder flux gas escapes to the outside through the gaps 48 between the protrusions 47 (see arrow G in FIG. 10B), so that the solder flux gas is caught in the solder 41 and voids. It is possible to prevent problems that occur.

このように、半田４１内に、熱の通過を妨げるボイド（空洞）が発生することを防止することにより、ＬＥＤ素子２１からの熱をＬＥＤパッケージ２０の第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８から確実に逃がすことができる。   In this way, by preventing the generation of voids (cavities) that hinder the passage of heat in the solder 41, the heat from the LED element 21 is transferred to the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 27 of the LED package 20. The outer lead portion 28 can be surely escaped.

また、上述したように、リフロー半田付け時にＬＥＤパッケージ２０の傾きが抑制されるので、ＬＥＤパッケージ２０の平行度が保持され、ＬＥＤ素子２１の光軸のずれを抑えることができる。   Further, as described above, since the inclination of the LED package 20 is suppressed during reflow soldering, the parallelism of the LED package 20 is maintained, and the deviation of the optical axis of the LED element 21 can be suppressed.

さらに、本実施の形態によれば、反射樹脂２３の裏面に複数の突起４７を形成したことにより、ＬＥＤパッケージ２０を外部の部材上に配置したとき、複数の突起４７が当該部材に対して直接接触する。このため、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８に形成されためっき層１２が当該部材に対して直接接触せず、めっき層１２に傷等が生じたり、めっき層１２が剥離したりする不具合を防止することができる。これにより、めっき層１２における半田４１の濡れ性が悪化することが防止される。また、第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８の形状に基づいてＬＥＤパッケージ２０を自動で位置決め（アライメント）する装置がＬＥＤパッケージ２０の位置を誤認識する不具合を防止することもできる。   Furthermore, according to the present embodiment, since the plurality of protrusions 47 are formed on the back surface of the reflective resin 23, when the LED package 20 is disposed on an external member, the plurality of protrusions 47 are directly on the member. Contact. For this reason, the plating layer 12 formed on the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 is not in direct contact with the member, and the plating layer 12 is scratched or the plating layer 12 is It is possible to prevent problems such as peeling. Thereby, it is prevented that the wettability of the solder 41 in the plating layer 12 deteriorates. In addition, it is possible to prevent a device that automatically positions (aligns) the LED package 20 based on the shapes of the first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 from erroneously recognizing the position of the LED package 20. it can.

なお、上記においては、リードフレーム本体１１にめっき層１２を形成した後、めっき層１２上に反射樹脂２３を形成する場合を例にとって説明した（図７（ａ）−（ｆ）および図８（ａ）−（ｄ）参照）。しかしながら、これに限らず、リードフレーム１０のリードフレーム本体１１に反射樹脂２３を設け、その後、リードフレーム１０のうち、反射樹脂２３が設けられていない領域を覆うようにめっき層１２を設けても良い。   In the above description, the case where the reflective resin 23 is formed on the plated layer 12 after the plated layer 12 is formed on the lead frame body 11 has been described as an example (FIGS. 7A to 7F and FIG. 8). a)-(d)). However, the present invention is not limited thereto, and the reflective resin 23 may be provided on the lead frame body 11 of the lead frame 10, and then the plating layer 12 may be provided so as to cover a region of the lead frame 10 where the reflective resin 23 is not provided. good.

図１１および図１２は、反射樹脂２３を設けた後、めっき層１２を設けた場合の、樹脂付リードフレーム３０およびＬＥＤパッケージ２０をそれぞれ示している。図１１および図１２において、めっき層１２は、リードフレーム本体１１の上面の一部および下面の一部であって、リードフレーム１０のうち反射樹脂２３が設けられていない領域全体を覆うように設けられている。   FIGS. 11 and 12 show the lead frame 30 with resin and the LED package 20 when the plating layer 12 is provided after the reflection resin 23 is provided. 11 and 12, the plating layer 12 is provided so as to cover a part of the upper surface and a part of the lower surface of the lead frame main body 11 and cover the entire region of the lead frame 10 where the reflective resin 23 is not provided. It has been.

この場合、めっき層１２の厚さは突起４７の高さｈよりも小さいので、突起４７は、裏面側のめっき層１２よりも裏面側に突出する。これにより、裏面側のめっき層１２が外部の部材と直接接触することが防止されるので、めっき層１２に傷等が生じることが防止される。   In this case, since the thickness of the plating layer 12 is smaller than the height h of the protrusion 47, the protrusion 47 protrudes to the back surface side from the plating layer 12 on the back surface side. As a result, the plating layer 12 on the back surface side is prevented from coming into direct contact with an external member, thereby preventing the plating layer 12 from being damaged.

１０ リードフレーム
１０ａ 単位リードフレーム
１１ リードフレーム本体
１２ めっき層
１６ 開口領域
１８ 溝
２０ ＬＥＤパッケージ
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 反射樹脂
２４ 封止樹脂
２５ ダイパッド（第１金属部分）
２６ リード部（第２金属部分）
２７ 第１のアウターリード部
２８ 第２のアウターリード部
３０ 樹脂付リードフレーム
３１ 金属基板
４７ 突起
４８ 間隙
５２ 連結部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 10a Unit lead frame 11 Lead frame main body 12 Plating layer 16 Opening area 18 Groove 20 LED package 21 LED element 22 Bonding wire (conductive part)
23 Reflective resin 24 Sealing resin 25 Die pad (first metal part)
26 Lead part (second metal part)
27 First outer lead portion 28 Second outer lead portion 30 Lead frame with resin 31 Metal substrate 47 Protrusion 48 Gap 52 Connection portion

Claims (12)

樹脂付リードフレームにおいて、
第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた第２金属部分とを有するリードフレームと、
前記第１金属部分と前記第２金属部分との周囲を取り囲んで設けられ、リードフレームと一体化された反射樹脂とを備え、
少なくとも前記第１金属部分または前記第２金属部分にはアウターリード部が形成され、
前記反射樹脂のうち、前記リードフレームの前記アウターリード部が形成された面側に、複数の突起が形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレーム。 For lead frames with resin,
A lead frame having a first metal portion and a second metal portion spaced from the first metal portion;
A reflective resin provided around the first metal portion and the second metal portion and integrated with a lead frame;
An outer lead portion is formed on at least the first metal portion or the second metal portion,
A lead frame with resin, wherein a plurality of protrusions are formed on a surface of the reflective resin on which the outer lead portion of the lead frame is formed. 各突起は、高さが１０μｍ〜３０μｍであり、幅が１０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の樹脂付リードフレーム。   2. The lead frame with resin according to claim 1, wherein each protrusion has a height of 10 μm to 30 μm and a width of 10 μm to 100 μm. 前記反射樹脂の裏面の単位面積に占める前記複数の突起の面積の割合は、１０％〜５０％であることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂付リードフレーム。   3. The lead frame with resin according to claim 1, wherein a ratio of an area of the plurality of protrusions to a unit area of a back surface of the reflective resin is 10% to 50%. 前記複数の突起は、前記第１金属部分の周囲を取り囲む領域又は前記第２金属部分の周囲を取り囲む領域に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の樹脂付リードフレーム。   4. The resin according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are provided in a region surrounding the first metal portion or a region surrounding the second metal portion. 5. Lead frame with. 前記複数の突起は、ＬＥＤパッケージの実装面の外形に沿う領域に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の樹脂付リードフレーム。   5. The lead frame with resin according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are provided in a region along the outer shape of the mounting surface of the LED package. 前記複数の突起は、不規則に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の樹脂付リードフレーム。   The lead frame with resin according to claim 1, wherein the plurality of protrusions are irregularly arranged. 少なくとも１つの突起が、前記第１金属部分の裏面の周縁又は前記第２金属部分の裏面の周縁を部分的に覆うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の樹脂付リードフレーム。   The lead with resin according to any one of claims 1 to 5, wherein at least one protrusion partially covers a peripheral edge of the back surface of the first metal portion or a peripheral edge of the back surface of the second metal portion. flame. ＬＥＤパッケージにおいて、
第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた第２金属部分とを有するリードフレームと、
前記リードフレームの前記第１金属部分に搭載されたＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子と前記リードフレームの前記第２金属部分とを電気的に接続する導電部と、
前記リードフレームに設けられ、前記ＬＥＤ素子を収容する凹部を有する反射樹脂と、
前記反射樹脂の前記凹部内に充填された封止樹脂とを備え、
前記反射樹脂の裏面に複数の突起が形成されていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。 In LED package,
A lead frame having a first metal portion and a second metal portion spaced from the first metal portion;
An LED element mounted on the first metal portion of the lead frame;
A conductive portion that electrically connects the LED element and the second metal portion of the lead frame;
A reflective resin provided on the lead frame and having a recess for accommodating the LED element;
A sealing resin filled in the concave portion of the reflective resin,
An LED package, wherein a plurality of protrusions are formed on the back surface of the reflective resin. 樹脂付リードフレームの製造方法において、
第１金属部分と、前記第１金属部分から離間して設けられた前記第２金属部分とを含むリードフレームを準備する工程と、
前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程とを備え、
前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程において、前記反射樹脂の裏面に複数の突起が形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。 In the manufacturing method of the lead frame with resin,
Preparing a lead frame that includes a first metal portion and the second metal portion spaced apart from the first metal portion;
Providing a reflective resin on the lead frame,
In the step of providing a reflective resin on the lead frame, a plurality of protrusions are formed on the back surface of the reflective resin. 前記リードフレームに反射樹脂を設ける工程において、前記反射樹脂は焼結金属製の金型を用いて成形され、前記金型は、前記複数の突起に対応する複数の孔を有することを特徴とする請求項９記載の樹脂付リードフレームの製造方法。   In the step of providing a reflective resin on the lead frame, the reflective resin is molded using a sintered metal mold, and the mold has a plurality of holes corresponding to the plurality of protrusions. The manufacturing method of the lead frame with a resin of Claim 9. 前記リードフレームに反射樹脂を設けた後、前記リードフレームのうち、前記反射樹脂が設けられていない領域を覆うようにめっき層を設ける工程を更に備えたことを特徴とする請求項９又は１０記載の樹脂付リードフレームの製造方法。   11. The method according to claim 9, further comprising a step of providing a plating layer so as to cover a region of the lead frame where the reflective resin is not provided after the reflective resin is provided on the lead frame. Manufacturing method of lead frame with resin. ＬＥＤパッケージの製造方法において、
請求項１乃至７のいずれか一項記載の樹脂付リードフレームを準備する工程と、
前記樹脂付リードフレームの前記第１金属部分にＬＥＤ素子を搭載する工程と、
前記ＬＥＤ素子と前記樹脂付リードフレームの前記第２金属部分とを導電部により接続する工程と、
前記ＬＥＤ素子および前記導電部を封止樹脂によって封止する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。 In the manufacturing method of the LED package,
Preparing a lead frame with resin according to any one of claims 1 to 7,
Mounting an LED element on the first metal portion of the lead frame with resin;
Connecting the LED element and the second metal portion of the lead frame with resin by a conductive portion;
And a step of sealing the LED element and the conductive portion with a sealing resin.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188278A1 (en) * 2016-04-26 2017-11-02 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JP2020526935A (en) * 2017-07-13 2020-08-31 アラノート・ゲー・エム・ベー・ハー・ウント・コー・カー・ゲーＡｌａｎｏｄ Ｇｍｂｈ ＆ Ｃｏ． Ｋｇ Reflective composites, especially for surface mount devices (SMDs) and light emitting devices with this type of composite
US10854789B2 (en) 2018-05-08 2020-12-01 Nichia Corporation Light-emitting device

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158648A (en) * 1984-01-27 1985-08-20 Toshiba Corp Resin-sealed semiconductor device
JPH07254623A (en) * 1994-03-16 1995-10-03 Sony Corp Photoelectric converter and production thereof
JP2000094450A (en) * 1998-09-18 2000-04-04 Daihan:Kk Molding machine
JP2003332368A (en) * 2003-04-25 2003-11-21 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor wafer resin-sealing apparatus, mold for manufacturing semiconductor device and gate of semiconductor wafer surface resin-sealing apparatus
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
JP2013058695A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, semiconductor device, illumination device, manufacturing method of lead frame with resin, and manufacturing method of semiconductor device
JP2013080822A (en) * 2011-10-04 2013-05-02 Kaneka Corp Package mold, method of manufacturing the same, and light-emitting device
JP2013084960A (en) * 2011-10-11 2013-05-09 Led Engin Inc Grooved plate for solder joint
JP2013125776A (en) * 2011-12-13 2013-06-24 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame, lead frame with resin, and method of manufacturing the lead frame with resin, and method of manufacturing semiconductor device
JP2013183013A (en) * 2012-03-01 2013-09-12 Mitsubishi Chemicals Corp Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60158648A (en) * 1984-01-27 1985-08-20 Toshiba Corp Resin-sealed semiconductor device
JPH07254623A (en) * 1994-03-16 1995-10-03 Sony Corp Photoelectric converter and production thereof
JP2000094450A (en) * 1998-09-18 2000-04-04 Daihan:Kk Molding machine
JP2003332368A (en) * 2003-04-25 2003-11-21 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor wafer resin-sealing apparatus, mold for manufacturing semiconductor device and gate of semiconductor wafer surface resin-sealing apparatus
US20080258162A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Koung Chia-Yin Package for a high-power light emitting diode
JP2013058695A (en) * 2011-09-09 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame with resin, semiconductor device, illumination device, manufacturing method of lead frame with resin, and manufacturing method of semiconductor device
JP2013080822A (en) * 2011-10-04 2013-05-02 Kaneka Corp Package mold, method of manufacturing the same, and light-emitting device
JP2013084960A (en) * 2011-10-11 2013-05-09 Led Engin Inc Grooved plate for solder joint
JP2013125776A (en) * 2011-12-13 2013-06-24 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame, lead frame with resin, and method of manufacturing the lead frame with resin, and method of manufacturing semiconductor device
JP2013183013A (en) * 2012-03-01 2013-09-12 Mitsubishi Chemicals Corp Package sheet for semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same, package for semiconductor light emitting device, manufacturing method of package for semiconductor light emitting device, and semiconductor light emitting device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017188278A1 (en) * 2016-04-26 2017-11-02 シチズン電子株式会社 Light-emitting device
JPWO2017188278A1 (en) * 2016-04-26 2019-02-28 シチズン電子株式会社 Light emitting device
US10559722B2 (en) 2016-04-26 2020-02-11 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting device
JP7046796B2 (en) 2016-04-26 2022-04-04 シチズン電子株式会社 Light emitting device
JP2020526935A (en) * 2017-07-13 2020-08-31 アラノート・ゲー・エム・ベー・ハー・ウント・コー・カー・ゲーＡｌａｎｏｄ Ｇｍｂｈ ＆ Ｃｏ． Ｋｇ Reflective composites, especially for surface mount devices (SMDs) and light emitting devices with this type of composite
JP7137868B2 (en) 2017-07-13 2022-09-15 アラノート・ゲー・エム・ベー・ハー・ウント・コー・カー・ゲー Reflective composites especially for surface mounted devices (SMD) and light emitting devices with such composites
US11469357B2 (en) 2017-07-13 2022-10-11 Alanod Gmbh & Co. Kg Reflective composite material, in particular for surface-mounted devices (SMD), and light-emitting device with a composite material of this type
US10854789B2 (en) 2018-05-08 2020-12-01 Nichia Corporation Light-emitting device
US11309460B2 (en) 2018-05-08 2022-04-19 Nichia Corporation Light-emitting device

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