JP6112113B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、超音波接合により金属板を貼り合せて形成される構成部材(外部端子)を複数備えた電子デバイスの製造方法に関するものである。
被接合材間の接合面に圧力を加えながら水平方向に超音波振動することで、被接合材同士を接合する超音波接合方法がある(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の超音波接合方法では、被接合材が複数組あり、一括してそれら複数組の被接合材同士を接合することができ、その際に、複数組の被接合材毎にホーンの中心から各溶接点までの距離差ができることで、被接合材毎の接合状態にばらつきが生じることを防止できる。
一括して複数の被接合材を接合する際、振動により各被接合材に生じるエネルギーが異なると、各被接合材の接合状態にばらつきが出て、各被接合材の接合部の品質にばらつきが生じる。そこで、特許文献1に記載の超音波接合方法では、円弧状の超音波ホーンの周りに接合点を配置して、ホーンの中心点から接合点までの距離をそれぞれ等しくしている。これにより、超音波ホーンの振動時に各接合点それぞれで振動の大きさにばらつきが生じることを回避し、各接合部の接合状態に差が生じないようにしている。
特開平10−175083号公報
ところで、超音波接合方法では、接合する被接合材をホーン及びアンビルで圧力を加えて挟み込んで確実に固定し、振動を加えている。特許文献1に記載の超音波接合方法において、ホーン中心及びアンビル間の距離は何れの接合点においても同じであるため、複数の被接合材が同種又は同サイズである場合、何れの被接合材に対してもホーン及びアンビルにより加えられる圧力は同じとなる。
しかしながら、各接合部において、それぞれ被接合材の材質が異なったり、また被接合材自体の厚さが異なったり、被接合材の枚数が異なったり、又はそれらの状況が混在している場合、接合部毎に、ホーン及びアンビルにより加えられる接合に必要な圧力は異なる。例えば、厚さが厚い接合部を基準として圧力を加えると、薄い接合部は圧力が不足して確実に接合できず、接合不良が発生する。一方、薄い接合部を基準として圧力を加えると、厚い接合部はホーン及びアンビルにより必要以上の圧力が加わり、被接合材に破れなどのダメージが発生する。
そこで、本発明の目的は、被接合材を貼り合せてなる複数の電子デバイスの構成部材を超音波接合により製造する際に、接合不良及び被接合材の破壊等を防止できる電子デバイスの製造方法を提供することにある。
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、被接合材を積層し、積層方向からホーンの突出部と支持部とで挟み、前記ホーンを振動させつつ前記ホーンの突出部及び前記支持部により前記積層された被接合材を超音波接合することにより、電子デバイスの構成部材を製造する電子デバイスの製造方法において、前記電子デバイスの構成部材に第1の構造及び第2の構造がある場合、超音波接合時に前記ホーンの突出部及び前記支持部が前記被接合材にそれぞれ食い込むことにより生じる前記被接合材への押し込まれ量を所定値にする接合条件を、前記電子デバイスの構成部材の構造毎に記憶した記憶手段から、製造すべき前記電子デバイスの構成部材の前記第1の構造及び前記第2の構造のそれぞれに対応する第1の接合条件及び第2の接合条件として取得し、取得した前記第1の接合条件及び前記第2の接合条件に基づいて、前記第1の構造及び前記第2の構造のそれぞれに対応する前記積層された被接合材を超音波接合することにより、前記第1の構造及び前記第2の構造を有する前記電子デバイスの構成部材の製造を行うことを特徴とする。
この方法では、押し込まれ量を適正な値に制御して被接合材を接合している。被接合材の接合状態が良好な場合、結果として、ホーンの突出部等の被接合材への押し込まれ量はある一定範囲となる傾向にある。押し込まれ量が小さすぎると、被接合材が未接合となり、接合強度が不足する。また、押し込まれ量が大きすぎると、被接合材へのダメージが大きく、または、ホーンの突出部に被接合材が付着する。そこで、押し込まれ量を適正な値にすることで、被接合材同士の十分な接合強度と、被接合材へのダメージ、ホーンの突出部への被接合材の付着防止を図ることができる。
また、押し込まれ量を適正な値となるようにするために、押し込まれ量を測定することで、製造した電子デバイスの構成部材の接合状態を把握できるため、接合状態の判定が容易となる。
前記ホーンは同一構造の複数の突出部を有しており、前記第1の構造を有する前記電子デバイスの構成部材が複数ある場合、前記第1の構造を有する電子デバイスの構成部材に対応する複数の前記積層された被接合材を、前記複数の突出部のそれぞれと前記支持部とで挟み、前記第1の構造に対応した接合条件に基づいて、一括して接合する方法でもよい。
この方法では、複数の電子デバイスの構成部材を製造する際に、同じ接合条件となる構成部材がある場合には、複数の突出部により一括して対応する被接合材を接合して構成部材を製造する。これにより、接合品質を落とすことなく、製造時間を短縮することができる。
前記第2の構造を有する前記電子デバイスの構成部材に対応する前記積層された被接合材を、前記複数の突出部のいずれか1つと前記支持部とで挟み、前記第2の構造に対応した接合条件に基づいて接合する方法でもよい。
この方法では、複数の電子デバイスの構成部材を製造する際に、同じ接合条件となる構成部材がある場合には、複数の突出部により一括して対応する被接合材を接合し、異なる接合条件となる構成部材に対しては、複数の突出部のいずれか1つを用いて構成部材を製造する。これにより、接合品質を落とすことなく、製造時間をさらに短縮することができる。
本発明によれば、被接合材の接合時の押し込まれ量を適正な値にすることで、被接合材同士の十分な接合強度と、被接合材へのダメージ、ホーンの突出部への被接合材の付着防止を図ることができる。
実施形態1に係る電気二重層コンデンサの外観正面図 実施形態1に係る電気二重層コンデンサの端子側から視た平面図 ホーン及びアンビルを説明するための図であり、ホーンの突出部及びアンビルがCu板及びAl板に当接した状態 ホーン及びアンビルを説明するための図であり、ホーンを振動させながらアンビル側へ押圧した状態 実施形態1に係る超音波接合を行う超音波接合装置の構成を示すブロック図 ワークの押し込まれ量と接合性の関係の一例を示す図 対応する接合条件に基づいてホーンを駆動制御した場合のワークの押し込まれ量の概略を示すグラフ 実施形態1に係る超音波接合の処理を模式的に示す図 実施形態2に係る超音波接合の処理を模式的に示す図
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、例えば、電気二重層コンデンサ、フィルムコンデンサ又はリチウムイオン二次電池等の電子デバイスの製造方法であって、特に、超音波接合により金属板を貼り合せて電子デバイスの外部端子を製造する方法である。以下では、電子デバイスを電気二重層コンデンサとして説明する。
(実施形態1)
図1Aは本実施形態に係る電気二重層コンデンサの外観正面図であり、図1Bは端子側から視た平面図である。
電気二重層コンデンサ1は、電極層を内部に有する箱型(ラミネートパック型又は円筒型でもよい)の容器10と、外部端子としてほぼ直線状に配列された正極端子11、負極端子12及びバランス端子13の三つの端子とを有している。これら三つの端子は、本発明に係る構成部材に相当する。電気二重層コンデンサの内部電極(正極及び負極)は、電気化学的な要請から一般にはAl箔からなり、蓄えられている電荷を外部に引き出すために、内部電極にはタブと呼ばれるAl板が溶接などにより取り付けられている。
さらに、電気二重層コンデンサを電子回路に接続する際、はんだによる接続が可能となるようにCu板がタブに接合され、このAl板であるタブとCu板を接合したものが外部端子となる。すなわち、正極端子11、負極端子12及びバランス端子13は、何れもCu板とAl板とが、後述する超音波接合により貼り合わされて形成されている。以下、Cu板とAl板との積層方向を端子の厚み方向という。
上記のように正極端子11のAl板112は容器10に設けられ、容器10内の正極に接続されている。Cu板111は、Al板112の先端に設けられている。Cu板111とAl板112とは、何れも100μmの厚みを有している。すなわち、Cu板111が設けられた正極端子11の先端部分は、200μmの厚みを有している。
正極端子11と同様に負極端子12のAl板122は容器10に設けられ、容器10内の負極に接続されている。Cu板121は、Al板122の先端に設けられている。Cu板121とAl板122とは、何れも100μmの厚みを有している。すなわち、Cu板121が設けられた負極端子12の先端部分は、200μmの厚みを有している。
バランス端子13は、電圧バランス抵抗に接続するための外部端子であり、Al板132は容器10に設けられ、容器10内の電極に接続されている。Cu板131は、Al板132の先端に設けられている。Cu板131は100μmの厚みを有し、Al板132は100μmの厚みを有するAl板が2枚積層されたものであり、合計で200μmの厚みを有している。すなわち、Cu板111が設けられたバランス端子13の先端部分は、300μmの厚みを有している。すなわち、正極端子11及び負極端子12は、本発明に係る第1の構造に相当し、バランス端子13は、本発明に係る第2の構造に相当する。
以下に、Cu板とAl板とを接合する超音波接合について説明する。Cu板とAl板とは、積層された状態で、アルミ合金、チタン合金又は熱処理された鉄合金等を材質とするホーン及びアンビルにより積層方向から挟み込まれる。その状態で、ホーンを積層方向に直交する方向に振動させながらアンビル側へ押圧することで、Cu板とAl板とを超音波接合する。
図2A及び図2Bは、ホーン及びアンビルを説明するための図であり、図2Aは、ホーンの突出部及びアンビルがCu板及びAl板に当接した状態を示し、図2Bは、ホーンを振動させながらアンビル側へ押圧した状態を示す。図2A及び図2Bは、電気二重層コンデンサ1の端子側から視た状態、すなわち、図1Bに相当する状態を示している。図2A及び図2Bでは、正極端子11について説明する。
ホーン26及びアンビル27は、アルミ合金、チタン合金又は熱処理された鉄合金等を材質としている。アンビル27は受け金具であり、アンビル27には、Cu板111を下側にして積層されたCu板111及びAl板112が載置される。以下、積層されたCu板及びAl板がアンビル27に載置された被接合材をワークWと言う。アンビル27のワークWの載置面には、尖端を有する突起27Aが複数形成されている。
ホーン26は、円筒状又は角柱状であって、円筒又は角柱の側面の一部でアンビル27と対向する部分に、アンビル27側に突出する突出部26Aを有している。アンビル27側の突出部26Aの端部には、尖端を有する突起26Bが複数形成されている。ホーン26は、突出部26AをワークWの上方から押し当てて、アンビル27との間でワークWを挟む。
ホーン26は、ホーン26とアンビル27とでワークWを挟んだ状態で、ワークWをアンビル27側に押圧しつつ、積層方向に直交する水平方向Hに振動する。そうすると、図2Bに示すように、ホーン26の突起26Bの尖端がAl板112へ食い込み、アンビル27の突起27Aの尖端がCu板111へ食い込む。以下、突起26B及び突起27AがワークWへ食い込む量を、ワークWの押し込まれ量と言う。
押し込まれ量は、突起26BのAl板112への食い込み量X、突起27AのCu板111への食い込み量Yとした場合、X+Yとなる。ホーン26は、ワークWの押し込まれ量が結果的に最適な値となるように、押圧及び振動制御される。
図3は、本実施形態に係る超音波接合を行う超音波接合装置の構成を示すブロック図である。超音波接合装置は、制御部20、記憶部21、発振器22、コンバータ23、ブースタ24、加圧機構25、ホーン26及びアンビル27を備えている。
記憶部21には、超音波接合するワークWの接合条件が記憶されている。接合条件とは、ワークWのCu板とAl板とが最適に接合するための条件であり、ホーン26の振動振幅[μm]、振動時間[ms]、ホーン26によるワークWへの荷重[N]等がワークWの種別ごとに決められている。接合するワークWに対応する接合条件で、ホーン26が駆動制御された場合、結果として、ワークWの押し込まれ量[μm]は、ワークWに適した値となる。
制御部20は、接合するワークWに対応する接合条件を記憶部21から読み出し、発振器22に接合条件に基づく電流値及び電圧値を指示する。
発振器22は、指示された電流値及び電圧値でコンバータ23を振動させる。ブースタ24は、コンバータ23から伝達された振動(振幅)を増減し、ホーン26に伝達する。これにより、ホーン26は、接合するワークWに最適な振幅で振動する。
また、制御部20は、取得した接合条件に基づいて、加圧機構25を駆動制御する。加圧機構25は、接合するワークWの材質に最適な荷重がワークWに印加されるよう、ホーン26をアンビル27側へ押圧する。なお、加圧機構25は、アンビル27をホーン26側に押圧する構成であってもよい。
記憶部21に記憶されている接合条件は、ワークWの接合信頼度(接合性)を向上させるために、ワークWの押し込まれ量に基づいて決定されている。図4は、ワークWの押し込まれ量と接合性の関係の一例を示す図である。図4は、端子A及び端子B等、ワークWの種別に対して、押し込まれ量[μm]を変えた時の接合性の一覧表を示している。この一覧表の結果は、接合条件により異なったものとなる。
ワークWの種別とは、ワークWを構成する金属板(Cu板及びAl板等)、各金属板の厚み等である。例えば、端子Aは、厚さ100μmのNiめっき及びAuめっきが表面に施されたCu板及びAl板からなる端子であり、本発明に係る第1の構造に相当する。また、端子Bは、厚さ100μmのCu板、及び厚さ2枚の厚さ100μmのAl板からなる端子であり、本発明に係る第2の構造に相当する。また、Cu板及びAl板の接合面積は、1.5×1.0mmとする。
図4に示す「OK」は、Cu板及びAl板の接合強度が高く、母材(ワークW)破壊となり、また接合後の端子材料(Cu板等)ダメージも低くなる最適なワークWの押し込まれ量(本発明の所定値)を示す。「未接合」は、Cu板とAl板とが十分に接合しないワークWが形成される押し込まれ量を示す。また、「破れ」は、接合時にCu板又はAl板が破れることで、ワークWの品質不良が発生する押し込まれ量を示す。
端子Aに対応する接合条件は、振動振幅が10〜20μm、荷重が10〜20N、接合時間が130〜180msの範囲とする。接合するワークWが端子Aである場合、対応する接合条件でホーン26を駆動制御することで、ワークWの押し込まれ量は120[μm]又は140[μm]となる。すなわち、端子Aに対応する接合条件は、本発明に係る第1の接合条件に相当する。
また、端子Bに対応する接合条件は、振幅が10〜20μm、荷重が10〜20N、接合時間が130〜230msの範囲とする。接合するワークWが端子Bである場合、対応する接合条件でホーン26を駆動制御することで、ワークWの押し込まれ量は160[μm]又は180[μm]となる。すなわち、端子Bに対応する接合条件は、本発明に係る第2の接合条件に相当する。
図5は、対応する接合条件に基づいてホーン26を駆動制御した場合のワークWの押し込まれ量の概略を示すグラフである。図5では、対応する接合条件に従い、ホーン26によりワークWへ一定の荷重をかけながら、一定時間ホーン26を振動させた状態を示している。この場合、ワークWの押し込まれ量は、ホーン26が振動している範囲において振動時間の増加と共に増加する。ホーン26の振動終了時には、所定量に到達し、最適な接合状態と押し込まれ量との間には相関性がある。
図6は、本実施形態に係る超音波接合の処理を模式的に示す図である。以下では、正極端子11、バランス端子13及び負極端子12の順に、超音波接合するものとして説明する。
図6に示すように、アンビル27には、正極端子11を形成するCu板111及びAl板112、負極端子12を形成するCu板121及びAl板122、バランス端子13を形成するCu板131及びAl板132が載置されている。まず、ホーン26の突出部26Aとアンビル27との間に、正極端子11を形成するCu板111及びAl板112を移動させ、突出部26AとCu板111及びAl板112とが対向するようにする。次にアンビル27を上昇させ、ホーン26の突出部26Aが、Al板112に当接した位置を装置にフィードバックする。
Al板112に当接した位置を把握する方法は各種あり、どの方法を用いてもよいが、本実施形態においては、ホーン26側に所定以上の圧力を検出した位置がAl板112に当接した位置とする圧力検知による方法で行うものとする。
次に、制御部20は、記憶部21から正極端子11に最適な接合条件を取得する。制御部20は、取得した接合条件に基づく振幅でホーン26を振動させ、また、アンビル27側へ押圧する。接合が進むにつれてアンビル27の位置が上昇するが、この位置と既に取得したAl板112と当接した位置との差分で押し込まれ量を確認することができる。これにより、ワークWの押し込まれ量を正極端子11に対して最適な値(所定値)に制御することが可能となり、接合性が高い正極端子11を製造することができる。
次に、ホーン26の突出部26Aとアンビル27との間に、バランス端子13を形成するCu板131及びAl板132を移動させ、突出部26Aと、Cu板131及びAl板132が対向するようにする。その後、制御部20は、記憶部21からバランス端子13に最適な接合条件を取得する。制御部20は、取得した接合条件に基づく振幅でホーン26を振動させ、また、アンビル27側へ押圧する。これにより、ワークWの押し込まれ量をバランス端子13に対して最適な値に制御することが可能となり、接合性が高いバランス端子13を製造することができる。
次に、ホーン26の突出部26Aとアンビル27との間に、負極端子12を形成するCu板121及びAl板122を移動させ、突出部26Aと、Cu板121及びAl板122が対向するようにする。負極端子12は正極端子11と同一の構成であるから、正極端子11と同一の接合条件で接合を行なうことにより、接合性が高い負極端子12を製造することができる。
なお、本実施例では正極端子11、バランス端子13、負極端子12の順番で接合を行なう場合を説明したが、接合はどの端子から行なってもよい。
以上説明したように、本実施形態では、Cu板及びAl板の接合状態が良好な場合、結果として、ワークWの押し込まれ量はある一定範囲となる傾向にあることを利用して、ワークWの押し込まれ量に基づいてCu板及びAl板を接合している。これにより、電気二重層コンデンサ1が有する複数の端子それぞれに対して、ホーン26を適宜最適に駆動制御することで、被接合材へのダメージ及びホーン26の突出部26Aへの被接合材の付着を防止し、かつ、Cu板及びAl板の十分な接合強度を確保することができる。
(実施形態2)
以下に、実施形態2について説明する。実施形態1では、電気二重層コンデンサ1の複数の端子一つずつ超音波接合しているのに対し、本実施形態では、同じ種類の端子に対しては一括して超音波接合することで、処理時間の短縮化を図っている。
図7は、本実施形態に係る超音波接合の処理を模式的に示す図である。本実施形態に係るホーン26は突出部26Aを二つ備えている。二つの突出部26Aは、電気二重層コンデンサ1の正極端子11及び負極端子12の間と同じ間隔を有している。なお、他の構成については実施形態1と同様である。また、本実施形態では、電気二重層コンデンサ1の正極端子11及び負極端子12は同じ種別であるものとする。
ホーン26の二つの突出部26Aとアンビル27との間に、正極端子11を形成するCu板111及びAl板112と、負極端子12を形成するCu板121及びAl板122とを移動させ、二つの突出部26Aと、Cu板111及びAl板112及びCu板121及びAl板122とが対向するようにする。次に、アンビル27を上昇させ、ホーン26の突出部26Aが、Al板112及び122に当接した位置を装置にフィードバックする。
次に、制御部20は、記憶部21から正極端子11および負極端子12に最適な接合条件を取得する。制御部20は、取得した接合条件に基づく振幅でホーン26を振動させ、また、アンビル27側へ押圧する。接合が進むにつれてアンビル27の位置が上昇するが、この位置と既に取得したAl板112及び122と当接した位置との差分で押し込まれ量を確認することができる。これにより、ワークWの押し込まれ量を正極端子11および負極端子12に対して最適な値に制御することが可能となり、接合性が高い正極端子11および負極端子12を製造することができる。
次に、ホーン26の突出部26Aとアンビル27との間に、バランス端子13を形成するCu板131及びAl板132を移動させ、二つの突出部26Aのいずれか一方と、Cu板131及びAl板132が対向するようにする。その後、制御部20は、記憶部21からバランス端子13に最適な接合条件を取得する。制御部20は、取得した接合条件に基づく振幅でホーン26を振動させ、また、アンビル27側へ押圧する。これにより、ワークWの押し込まれ量をバランス端子13に対して最適な値に制御することが可能となり、接合性が高いバランス端子13を製造することができる。なお、バランス端子13の接合時には、ホーン26の二つの突出部26Aのどちらか一方のみを用い続けると、その突出部26Aの摩耗が早く進むので、二つのホーン突出部26Aを交互に用いることが好ましい。
以上説明したように、本実施形態では、接合性を低下させることなく、複数の端子を一括して超音波接合することができる。一括して複数の端子を超音波接合することで、処理時間の短縮化を図ることができる。
なお、超音波接合の具体的構成及び動作などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
例えば、正極端子11、負極端子12及びバランス端子13が容器10に設けられる位置は、上述の実施形態に限定されない。また、正極端子11、負極端子12及びバランス端子13を構成する金属板は、Cu板及びAl板に限定されず、Ni板又はTi板等でもよく、また表面に各種めっきが施されたものでもよい。また、各端子は、二枚の金属板が接合された構成に限らず、三枚以上の金属板が接合される構成でもよい。
図4に示す端子の種別と押し込まれ量との関係は、一例であり、これに限定されず、適宜変更可能である。例えば、ホーン26及びアンビル27の大きさ(ワークWとの接触面積)等、又はCu板及びAl板の接合面積等により変更される。
実施形態1では、正極端子11及び負極端子12が同じ種別の端子としているが、この組み合わせに限定されない。例えば正極端子11、バランス端子13及び負極端子12が、それぞれ第1の構造、第2の構造、及び第3の構造を有することもあり得る。その場合、電子デバイスの構成部材の構造毎に記憶した記憶手段から、第1の構造、第2の構造、及び第3の構造のそれぞれに対応する第1の接合条件、第2の接合条件、及び第3の接合条件を取得し、それらの接合条件に基づいて、第1の構造、第2の構造、及び第3の構造のそれぞれに対応する前記積層された被接合材を超音波接合すればよい。また、正極端子11及び負極端子12は同じ種別(第1の構造)の端子であるが、複数の異なる構造のバランス端子(第2、第3の構造)が存在する場合もあり得る。その場合も同様にして、構造に応じた接合条件に基づき、超音波接合を行なうことができる。
実施形態2では、ホーン26の二つの突出部26Aが、電気二重層コンデンサ1の正極端子11及び負極端子12の間と同じ間隔を有している場合に、正極端子11及び負極端子12を一括接合し、バランス端子13は二つの突出部26Aのいずれか一方を用いて接合することを説明したが、同じ構造の二つのバランス端子があり、それらのホーン26の二つの突出部26Aが、二つのバランス端子の間と同じ間隔と有している場合は、二つのバランス端子も一括接合することができる。
1−電気二重層コンデンサ
10−容器
11−正極端子(構成部材)
12−負極端子(構成部材)
13−バランス端子(構成部材)
20−制御部
21−記憶部(記憶手段)
22−発振器
23−コンバータ
24−ブースタ
25−加圧機構
26−ホーン
26A−突出部
26B−突起
27−アンビル(支持部)
27A−突起
111,121,131−Cu板
112,122,132−Al板
W−ワーク(被接合材)

Claims (3)

  1. 被接合材を積層し、積層方向からホーンの突出部と支持部とで挟み、前記ホーンを振動させつつ前記ホーンの前記突出部及び前記支持部により前記積層された被接合材を超音波接合することにより、電子デバイスの構成部材を製造する電子デバイスの製造方法において、
    前記電子デバイスの構成部材に、前記積層された被接合材の種別が各々異なる第1の構造及び第2の構造がある場合、超音波接合時に前記ホーンの前記突出部及び前記支持部が前記被接合材にそれぞれ食い込むことにより生じる前記被接合材への押し込まれ量を所定値にする接合条件を、前記電子デバイスの構成部材の構造毎に記憶した記憶手段から、製造すべき前記電子デバイスの構成部材の前記第1の構造に対応する第1の接合条件及び前記第2の構造に対応する第2の接合条件を取得し、
    前記第1の構造の接合と、前記第2の構造の接合に、同一の前記ホーンを用い、
    取得した前記第1の接合条件及び、前記第2の接合条件に基づいて、前記同一のホーンの前記突出部及び前記支持部を用いて、前記第1の構造及び前記第2の構造のそれぞれに対応する前記積層された被接合材を超音波接合する、
    電子デバイスの製造方法。
  2. 前記ホーンは同一構造の複数の突出部を有しており、
    前記第1の構造を有する前記電子デバイスの構成部材が複数ある場合、前記第1の構造を有する電子デバイスの構成部材に対応する複数の前記積層された被接合材を、前記複数の突出部のそれぞれと前記支持部とで挟み、
    前記第1の構造に対応した接合条件に基づいて、一括して接合する、
    請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記第2の構造を有する前記電子デバイスの構成部材に対応する前記積層された被接合材を、前記複数の突出部のいずれか1つと前記支持部とで挟み、
    前記第2の構造に対応した接合条件に基づいて接合する、
    請求項2に記載の電子デバイスの製造方法。
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