JP6111130B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
1.実施形態1に係る半導体装置100の構成
まず、実施形態1に係る半導体装置100の構成を説明する。
図1は、実施形態1に係る半導体装置100を説明するために示す図である。図1(a)は半導体装置100の平面図を示し、図1(b)は図1(a)のx−x断面図を示し、図1(c)は図1(a)のy−y断面図を示す。なお、図1(a)においては、層間絶縁層126及びソース電極層128の図示は省略している(以下、図8(a)、図9(a)及び図10〜図16について同じ。)。
図2は、実施形態1に係る半導体装置100の等価回路を示す図である。
ゲート電極層124の厚さは、例えば500nmである。
実施形態1に係る半導体装置100は、図1(a)に示すように、複数のMOSFETセルが並列接続され、各MOSFETセルのゲート電極層124は、図1(a)及び図1(c)に示すように、抵抗体144及びゲート引き出し配線136を経由してゲートフィンガー140に電気的に接続されている。このため、各MOSFETセルのゲート電極層124は、図2に示すように、各ゲート抵抗Rg1、Rg2・・・Rgnを介してゲートフィンガー140に電気的に接続されていると考えることができる。ここで、ゲート抵抗は、ゲート電極層124、抵抗体144及びゲート引き出し配線136のポリシリコン抵抗からなる。
実施形態1に係る半導体装置100は、以下に示す製造工程を有する製造方法(実施形態1に係る半導体装置の製造方法)により製造することができる。図3〜図7は、実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図3(a―1)〜図7(c―1)は各工程図の図1(a)のx−x断面に相当する図であり、図3(a―2)〜図7(c−2)は各工程における図1(a)のy−y断面に相当する図である。
低抵抗半導体層112を構成するシリコン基板上に、ドリフト層114を構成するシリコン層をエピタキシャル成長法により成膜させた半導体基板110を準備する。低抵抗半導体層112の厚さは例えば100μm〜400μmとし、低抵抗半導体層112の不純物濃度は1×1019cm−3〜1×1020cm−3とする。ドリフト層114の厚さは5μm〜50μmとし、ドリフト層114の不純物濃度は1×1014cm−3〜1×1016cm−3とする。
次に、p+型張り出し拡散領域118及びp+型拡散領域132に対応する領域に開口を有するマスクM1を形成し、当該マスクM1を介してドリフト層114の表面にp型不純物(例えばボロンイオン)をイオン注入することにより、ドリフト層114の表面におけるp+型張り出し拡散領域118に対応する領域及びp+型拡散領域132に対応する領域にp型不純物を導入する(図3(a−1)及び図3(a−2)参照。)。
次に、セル領域に開口を有するマスク(図示せず。)を形成した後、フィールド酸化膜134のエッチングを行い、セル領域全域の表面と周辺領域におけるドリフト層114の表面及びp+型拡散領域132の領域の表面の一部とをそれぞれ露出させる(図3(c−1)及び図3(c−2)参照。)。次に、酸素ガス含有雰囲気下において、半導体基板110の熱処理を行うことによりドリフト層114の表面を熱酸化して、セル領域にゲート絶縁層122を形成する(図4(a−1)及び図4(a−2)参照。)。ゲート絶縁層122の厚さは例えば100nmとする。
次に、CVD法により、ゲート電極層124、ゲート引き出し配線136及び抵抗体144を形成する各形成領域に同一の組成からなるポリシリコン層124’を形成する(図4(b−1)及び図4(b−2)参照。)。具体的には、フィールド酸化膜134及びゲート絶縁層122の表面上に低抵抗のポリシリコン層124’を形成する。ポリシリコン層124’の厚さは例えば500nmとする。
その後、ポリシリコン層124’にn型不純物(例えばリンイオン)をイオン注入する(図4(c−1)及び図4(c−2)参照。)。イオン注入するn型不純物の不純物濃度は、4×1015cm−3〜8×1015cm−3とする。
次に、ポリシリコン層124’及びフィールド酸化膜134をマスクとして、ゲート絶縁層122を介してドリフト層114の表面にp型不純物(例えばボロンイオン)をイオン注入することにより、ドリフト層114の表面におけるベース領域116に対応する領域にp型不純物を導入する(図5(b−1)及び図5(b−2)参照。)。
次に、ゲート電極層124、ゲート引き出し配線136及び抵抗体144のうちゲート電極層124及びゲート引き出し配線136を形成する各形成領域におけるポリシリコン層124’に不純物を導入する。具体的には、ゲート電極層124を形成する領域、ゲート引き出し配線136を形成する領域及びソース領域120を形成する領域の各領域を除いた領域にマスクM2を形成し、当該マスクM2を介して、ポリシリコン層124’の表面及びソース領域120を形成する領域にn型不純物(例えばリンイオン)をイオン注入することにより、ポリシリコン層124’ 及びソース領域120を形成する領域にn型不純物を導入する(図6(a−1)及び図6(a−2)参照。)。イオン注入するn型不純物の不純物濃度は、3×1015cm−3〜8×1015cm−3とする。
次に、マスクM2を除去し、半導体基板110の第1主面側の全面にCVD法により例えば1000nmの厚さのPSGからなる層間絶縁層126を形成する(図6(b−1)及び図6(b−2)参照。)。次に、半導体基板110の熱処理を行うことによりn型不純物の活性化アニール処理を行って層間絶縁層126をアニールするとともにソース領域120、ゲート電極層124、ゲート引き出し配線136及び抵抗体144を形成する(図6(c−1)及び図6(c−2)参照。)。ソース領域120の深さは0.2μm〜0.4μmである。ソース領域120の不純物濃度及び抵抗体144を構成するポリシリコンの不純物濃度はそれぞれ5×1019cm−3〜2×1020cm−3であり、ゲート電極層124及びゲート引き出し配線136を構成するポリシリコンの不純物濃度はそれぞれ、5×1019cm−3〜2×1020cm−3である。
次に、ゲートフィンガー140及びゲートパッド142がゲート引き出し配線136とコンタクトする部分(コンタクトホール138)と、ソース電極層128がソース領域120及びベース領域116のそれぞれの領域とコンタクトする部分とにある層間絶縁層126をそれぞれ選択的に除去した後(図7(a−1)及び図7(a−2)参照。)、層間絶縁層126の上方からスパッタ法によりアルミニウムからなる金属層127を形成する(図7(b−1)及び図7(b−2)参照。)。
次に、半導体基板110の第2主面側の表面(低抵抗半導体層112の表面)に、Ti−Ni−Auなどの多層金属膜からなる金属膜を成膜しドレイン電極層130とする(図7(c−1)及び図7(c−2)参照。)。ドレイン電極層130の厚さは例えば多層金属膜全体にて0.5μmとする。
実施形態1に係る半導体装置100によれば、抵抗体144を構成するポリシリコンの不純物濃度がゲート電極層124を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低いため、半導体装置の製造過程において抵抗体144を形成する際、ゲート電極層124よりも幅の狭い抵抗体を形成することなくゲート電極層124よりも抵抗値の高い抵抗体144を形成することが可能となる。このため、ゲート電極層124よりも幅の狭い抵抗体を精度よく製造する必要がなく、各抵抗体144の抵抗値にばらつきが生じ難くなる。その結果、各トランジスタの動作タイミングがずれたり、抵抗体の抵抗が高すぎるトランジスタの異常動作が生じたり、抵抗体の抵抗が高すぎて電流容量が小さくなり焼損が起こり易くなったりすることを抑制することが可能となる。
図8は、実施形態2に係る半導体装置100aを説明するために示す図である。図8(a)は半導体装置100aの平面図を示し、図8(b)は図8(a)のx−x断面図を示し、図8(c)は図8(a)のy−y断面図を示す。なお、図8中、符号133はp型拡散領域を示す。
図9は、実施形態3に係る半導体装置100bを説明するために示す平面図である。図9(a)は半導体装置100bの平面図を示し、図9(b)は図9(a)のx−x断面図を示し、図9(c)は図9(a)のy−y断面図を示す。
図10は、実施形態4に係る半導体装置100cを説明するために示す平面図である。
図11は、実施形態5に係る半導体装置100dを説明するために示す平面図である。
図12は、実施形態6に係る半導体装置100eを説明するために示す平面図である。
図13は、実施形態7に係る半導体装置100fを説明するために示す平面図である。
図14は、実施形態8に係る半導体装置100gを説明するために示す平面図である。
図15は、実施形態9に係る半導体装置100hを説明するために示す平面図である。
図16は、実施形態10に係る半導体装置100iを説明するために示す平面図である。
図17は、実施形態11に係る半導体装置200を説明するために示す図である。図17(a)は半導体装置200の平面図を示し、図17(b)は図17(a)のx−x断面図を示し、図17(c)は図17(a)のy−y断面図を示す。図18は、実施形態12に係る半導体装置200aを説明するために示す図である。図18(a)は半導体装置200aの平面図を示し、図18(b)は図18(a)のx−x断面図を示し、図18(c)は図18(a)のy−y断面図を示す。なお、図17(a)及び図18(a)においては、層間絶縁層226及びエミッタ電極層228の図示は省略している。また、図18中、符号233はp型拡散領域を示す。
試験例は、本発明の半導体装置が、高速スイッチングによって発生するノイズを低減することが可能であることを明らかにするための試験例である。
図19は、試験例の結果を示すグラフである。なお、図19において電界強度レベルの値は対数値である。
(1)試料1(実施例)
実施形態1に係る半導体装置100と同様の構成の半導体装置をスイッチング電源に搭載し、これを試料1とした。
ゲート電極層とゲート引き出し配線とが抵抗体を介することなく電気的に接続された半導体装置をスイッチング電源に搭載し、これを試料2とした。
試験は、上記した試料1及び試料2をそれぞれ245Vの入力電圧でスイッチングをして、その際に発生するノイズの電界強度レベルをノイズ測定装置を用いて測定することにより行った。なお、測定したノイズの周波数帯は40MHzから110MHzの範囲内である。
測定結果を図19に示す。その結果、図19からも分かるように、試料1の電界強度レベルが試料2の電界強度レベルよりも低い状態となっていることが分かった。その結果、本発明の半導体装置が、高速スイッチングによって発生するノイズを低減することが可能であることが明らかになった。
Claims (18)
- 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表面に形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層と前記高濃度半導体領域とに挟まれた前記ベース領域上においてゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記抵抗体の幅は、前記ゲート電極層の幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
第1導電型又は第2導電型の前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域を開口し前記ドリフト層に達するように形成された複数のトレンチと、
前記ベース領域内に配置されるとともに少なくとも一部を前記トレンチの内周面に露出するように形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記トレンチの内周面にゲート絶縁層を介して前記トレンチの内部に埋め込まれたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記抵抗体の幅は、前記ゲート電極層の幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
前記ゲート電極層として、ストライプ状に形成された複数のゲート電極層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置において、
所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記ゲートパッド形成領域から前記ゲートパッド形成領域と対向する側の前記ゲートフィンガー形成領域まで延在し、前記ドリフト層上にフィールド酸化膜を介して形成された第2ゲート引き出し配線をさらに有し、
前記ゲート電極層と前記第2ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる第2抵抗体を介して電気的に接続され、
前記第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記ゲート電極層として、ストライプ状に形成された複数のゲート電極層を有し、
各ゲート電極層の一方端に前記第2抵抗体がそれぞれ形成され、
各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も近い第2抵抗体の抵抗値は、前記各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も遠い第2抵抗体の抵抗値よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も近い第2抵抗体の長さは、各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も遠い第2抵抗体の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も近い第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も遠い第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
金属からなり、前記第2ゲート引き出し配線上に形成され、かつ、前記ゲートフィンガー及び前記ゲートパッドと連結された第2ゲートフィンガーを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4〜8のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第2抵抗体の幅は、前記ゲート電極層の幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の半導体装置において、
前記抵抗体は、前記周辺領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の半導体装置において、
前記抵抗体は、前記セル領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表面に形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層と前記高濃度半導体領域とに挟まれた前記ベース領域上においてゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記半導体装置は、所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記ゲートパッド形成領域から前記ゲートパッド形成領域と対向する側の前記ゲートフィンガー形成領域まで延在し、前記ドリフト層上にフィールド酸化膜を介して形成された第2ゲート引き出し配線をさらに有し、
前記ゲート電極層と前記第2ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる第2抵抗体を介して電気的に接続され、
前記第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記第2抵抗体の幅は、前記ゲート電極層の幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
第1導電型又は第2導電型の前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域を開口し前記ドリフト層に達するように形成された複数のトレンチと、
前記ベース領域内に配置されるとともに少なくとも一部を前記トレンチの内周面に露出するように形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記トレンチの内周面にゲート絶縁層を介して前記トレンチの内部に埋め込まれたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記半導体装置は、所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記ゲートパッド形成領域から前記ゲートパッド形成領域と対向する側の前記ゲートフィンガー形成領域まで延在し、前記ドリフト層上にフィールド酸化膜を介して形成された第2ゲート引き出し配線をさらに有し、
前記ゲート電極層と前記第2ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる第2抵抗体を介して電気的に接続され、
前記第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記第2抵抗体の幅は、前記ゲート電極層の幅と等しいことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表面に形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層と前記高濃度半導体領域とに挟まれた前記ベース領域上においてゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記半導体装置は、所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記ゲートパッド形成領域から前記ゲートパッド形成領域と対向する側の前記ゲートフィンガー形成領域まで延在し、前記ドリフト層上にフィールド酸化膜を介して形成された第2ゲート引き出し配線をさらに有し、
前記ゲート電極層と前記第2ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる第2抵抗体を介して電気的に接続され、
前記第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記ゲート電極層として、ストライプ状に形成された複数のゲート電極層を有し、
各ゲート電極層の一方端に前記第2抵抗体がそれぞれ形成され、
各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も近い第2抵抗体の抵抗値は、前記各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も遠い第2抵抗体の抵抗値よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型又は第2導電型の低抵抗半導体層と第1導電型のドリフト層とが積層された半導体基板に画定されたセル領域と、前記セル領域を取り囲むゲートフィンガー形成領域及び前記セル領域に張り出したゲートパッド形成領域を含む周辺領域とを備える半導体装置であって、
前記半導体装置は、
前記セル領域において、
第1導電型又は第2導電型の前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された第1導電型の前記ドリフト層と、
前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域を開口し前記ドリフト層に達するように形成された複数のトレンチと、
前記ベース領域内に配置されるとともに少なくとも一部を前記トレンチの内周面に露出するように形成された第1導電型の高濃度半導体領域と、
所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記トレンチの内周面にゲート絶縁層を介して前記トレンチの内部に埋め込まれたゲート電極層とを有し、
前記周辺領域において、
前記低抵抗半導体層と、
前記低抵抗半導体層上に形成された前記ドリフト層と、
ポリシリコンからなり、前記ドリフト層の上方にフィールド酸化膜を介して前記ゲートフィンガー形成領域及び前記ゲートパッド形成領域に形成されたゲート引き出し配線と、
金属からなり、前記ゲートフィンガー形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成されたゲートフィンガーと、
金属からなり、前記ゲートパッド形成領域における前記ゲート引き出し配線の上方に形成され、かつ、前記ゲートフィンガーと連結されたゲートパッドとを有し、
前記ゲート電極層と前記ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる抵抗体を介して電気的に接続され、
前記抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記半導体装置は、所定の濃度で不純物を含有するポリシリコンからなり、前記ゲートパッド形成領域から前記ゲートパッド形成領域と対向する側の前記ゲートフィンガー形成領域まで延在し、前記ドリフト層上にフィールド酸化膜を介して形成された第2ゲート引き出し配線をさらに有し、
前記ゲート電極層と前記第2ゲート引き出し配線とは、不純物を含有するポリシリコンからなる第2抵抗体を介して電気的に接続され、
前記第2抵抗体を構成するポリシリコンの不純物濃度は、前記ゲート電極層を構成するポリシリコンの不純物濃度よりも低く、
前記ゲート電極層として、ストライプ状に形成された複数のゲート電極層を有し、
各ゲート電極層の一方端に前記第2抵抗体がそれぞれ形成され、
各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も近い第2抵抗体の抵抗値は、前記各第2抵抗体のうち、前記ゲートフィンガー又は前記ゲートパッドに最も遠い第2抵抗体の抵抗値よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜15のいずれかに記載の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法であって、
ゲート電極層、ゲート引き出し配線及び抵抗体を形成する各形成領域に同一の組成からなるポリシリコン層を形成するポリシリコン層形成工程と、
前記ゲート電極層、前記ゲート引き出し配線及び前記抵抗体のうち前記ゲート電極層及び前記ゲート引き出し配線を形成する各形成領域における前記ポリシリコン層に不純物を導入する不純物導入工程とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4〜9、12,13,14及び15のいずれかに記載の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法であって、
ゲート電極層、ゲート引き出し配線、第2ゲート引き出し配線、抵抗体及び第2抵抗体を形成する各形成領域に同一の組成からなるポリシリコン層を形成するポリシリコン層形成工程と、
前記ゲート電極層、前記ゲート引き出し配線、前記第2ゲート引き出し配線、前記抵抗体及び前記第2抵抗体のうち前記ゲート電極層、前記ゲート引き出し配線及び前記第2ゲート引き出し配線を形成する各形成領域における前記ポリシリコン層に不純物を導入する不純物導入工程とをこの順序で含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項16又は17に記載の半導体装置の製造方法において、
前記不純物導入工程においては、イオン注入することによって不純物を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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