JP6110715B2 - Abrasive composition for rough polishing of Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, method for polishing Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, method for manufacturing Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, and Ni-P Plated aluminum magnetic disk substrate - Google Patents

Abrasive composition for rough polishing of Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, method for polishing Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, method for manufacturing Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, and Ni-P Plated aluminum magnetic disk substrate Download PDF

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Description

本発明は、基板等の研磨に用いられる粗研磨用研磨剤組成物、磁気ディスク基板の研磨方法、製造方法、及び磁気ディスク基板に関する。   The present invention relates to an abrasive composition for rough polishing used for polishing a substrate or the like, a method for polishing a magnetic disk substrate, a manufacturing method, and a magnetic disk substrate.

磁気ディスク基板の研磨において、磁気記録密度向上のために種々の研磨特性の向上が求められている。例えば、磁気ディスク基板の端面形状については、他の部分よりも多く削られたために面の端の角が落ちて丸まる端面だれが発生することがある。端面だれが発生するとその部分は情報を記録することができなくなるため、基板一面当たりの記録容量の低下を招くことになる。したがって、研磨の際に、磁気ディスク基板の研磨した表面における端面だれを可能な限り低減することが重要な課題となっている。   In polishing a magnetic disk substrate, various polishing characteristics are required to be improved in order to improve the magnetic recording density. For example, the end face shape of the magnetic disk substrate is cut more than the other parts, so that the edge of the end of the face may drop and the end face may be rounded. When the end face droop occurs, information cannot be recorded in that portion, which causes a reduction in recording capacity per one face of the substrate. Therefore, at the time of polishing, it is an important issue to reduce the end face droop on the polished surface of the magnetic disk substrate as much as possible.

これに対し研磨パッドを硬くしたり、研磨荷重を小さくしたりする等の機械的条件が検討されているが、十分な効果は得られていない。   On the other hand, mechanical conditions such as making the polishing pad hard and reducing the polishing load have been studied, but sufficient effects have not been obtained.

さらに端面だれの低減のために種々の添加剤も検討されている。例えば、ノニオン界面活性剤の添加(特許文献1,2)、高分子界面活性剤の添加(特許文献3)、セルロース誘導体の添加(特許文献4)、アルキルベンゼンスルホン酸系界面活性剤やポリオキシエチレン硫酸エステル系界面活性剤の添加(特許文献5,6)等が考えられている。   Further, various additives have been studied for reducing the end face droop. For example, addition of nonionic surfactants (Patent Documents 1 and 2), addition of polymer surfactants (Patent Document 3), addition of cellulose derivatives (Patent Document 4), alkylbenzene sulfonic acid surfactants and polyoxyethylene Addition of sulfate surfactants (Patent Documents 5 and 6) is considered.

特開2002−167575号公報JP 2002-167575 A 特開2003−160781号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-160781 特開2003−342556号公報JP 2003-342556 A 特表2003−510446号公報Special table 2003-510446 gazette 特開2007−63372号公報JP 2007-63372 A 特開2007−130728号公報JP 2007-130728 A

しかしながら、これらの添加剤により端面だれの低減は見られるものの、その効果は十分とは言えず、また、研磨レートが極端に低下するという欠点もある。   However, although the dripping of the end face is observed with these additives, the effect is not sufficient, and there is also a drawback that the polishing rate is extremely lowered.

本発明の課題は、研磨後の基板の端面だれ(ロールオフ)を低減することができるとともに、既存の端面形状が良好とされる研磨剤組成物に比べ研磨レートの極端な低下を防止することもできる粗研磨用研磨剤組成物を提供することにある。また粗研磨用研磨剤組成物を用いた磁気ディスク基板の研磨方法、製造方法、及び磁気ディスク基板を提供する。   An object of the present invention is to reduce the end face droop (roll-off) of a substrate after polishing, and to prevent an extreme decrease in the polishing rate as compared with an abrasive composition having a good end face shape. Another object of the present invention is to provide an abrasive composition for rough polishing. Also provided are a magnetic disk substrate polishing method, a production method, and a magnetic disk substrate using a rough polishing abrasive composition.

上記課題を解決するため、本発明によれば、以下の粗研磨用研磨剤組成物、磁気ディスク基板の研磨方法、製造方法、及び磁気ディスク基板が提供される。   In order to solve the above problems, according to the present invention, the following abrasive composition for rough polishing, a method for polishing a magnetic disk substrate, a production method, and a magnetic disk substrate are provided.

[1] 研磨材と、酸および/または酸の塩より一種以上と、酸化剤と、ロールオフを低減するロールオフ低減剤と、水とを含み、前記ロールオフ低減剤が、スルホン酸系アニオン性界面活性剤および/または硫酸エステル系アニオン性界面活性剤であり、かつこれらのアニオン性界面活性剤がアミド構造を有するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。 [1] An abrasive, one or more of an acid and / or an acid salt, an oxidizing agent, a roll-off reducing agent that reduces roll-off, and water, wherein the roll-off reducing agent is a sulfonic acid-based anion An abrasive composition for rough polishing of an aluminum magnetic disk substrate plated with Ni-P , which is an ionic surfactant and / or sulfate anionic surfactant, and the anionic surfactant has an amide structure.

[2] 前記ロールオフ低減剤が構造式()で表されるアニオン性界面活性剤である前記[1]に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。 [2] The abrasive composition for rough polishing of an Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate according to [1], wherein the roll-off reducing agent is an anionic surfactant represented by the structural formula ( I ).

Figure 0006110715
(式中、Rは炭素数が8〜18のアルキル基、アルケニル基を示し、Rは水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Rは炭素数が1〜8のアルキレン基、−(CHCHO)−及び−(CHCH(CH)O)−から選ばれる少なくとも一種からなる繰返し単位を示し、Mは水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機カチオンを示す。ここで、m及びnの合計は1〜8の整数である。)
Figure 0006110715
(Wherein R 1 represents an alkyl group or alkenyl group having 8 to 18 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R 3 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms,- (CH 2 CH 2 O) m — and — (CH 2 CH (CH 3 ) O) n — represents a repeating unit consisting of at least one selected from the group consisting of hydrogen, alkali metal, alkaline earth metal, ammonium or organic. Represents a cation, where the sum of m and n is an integer from 1 to 8.)

[3] 前記研磨材の平均粒子径が0.03μmより大きく5μmより小さい前記[1]または[2]に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。 [3] The abrasive composition for rough polishing of an Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate according to [1] or [2], wherein an average particle size of the abrasive is larger than 0.03 μm and smaller than 5 μm.

] 前記[1]〜[]のいずれかに記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法。 [4] the [1] to [3] Aluminum, which is Ni-P plating polishing a magnetic disk substrate with a Ni-P plated aluminum disk substrate rough polishing abrasive composition according to any one of A method for polishing a magnetic disk substrate.

] 前記[]に記載の磁気ディスク基板の研磨方法を用いたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法。 [ 5 ] A method for producing a Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate using the method for polishing a magnetic disk substrate according to [ 4 ].

] 前記[1]〜[]のいずれかに記載の粗研磨用研磨剤組成物を用いて研磨されたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板。 [ 6 ] A Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate polished with the abrasive composition for rough polishing according to any one of [1] to [ 3 ].

本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、端面形状を良好な状態に研磨することができる。また、既存のロールオフ低減剤では極端なレート低下が見られるのに対して、本発明の粗研磨用研磨剤組成物は研磨レートの低下を抑えながら、端面形状を良好な状態に研磨することができる。   The abrasive composition for rough polishing of the present invention can polish the end face shape in a good state. In addition, while the existing roll-off reducing agent shows an extreme rate decrease, the rough polishing abrasive composition of the present invention polishes the end face shape in a good state while suppressing the decrease in the polishing rate. Can do.

基板の表面を研磨した場合のRoll−offの測定について説明するための基板の断面図である。It is sectional drawing of a board | substrate for demonstrating the measurement of Roll-off at the time of grind | polishing the surface of a board | substrate.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments, and changes, modifications, and improvements can be added without departing from the scope of the invention.

1.粗研磨用研磨剤組成物:
本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、研磨材と、酸および/または酸の塩より一種以上と、酸化剤と、ロールオフを低減するロールオフ低減剤と、水とを含む。「酸」と「酸の塩」とを含む場合、「酸」と「酸の塩」の酸は、同じ酸であってもよいし、異なる酸であってもよい。すなわち、粗研磨用研磨剤組成物は、酸と、その酸の塩または異なる酸の塩と、を含んでいてもよい。ロールオフ低減剤は、スルホン酸系アニオン性界面活性剤および/または硫酸エステル系アニオン性界面活性剤であり、かつこれらのアニオン性界面活性剤はアミド構造を有するものである。
1. Abrasive composition for rough polishing:
The rough polishing abrasive composition of the present invention contains an abrasive, at least one acid and / or acid salt, an oxidizing agent, a roll-off reducing agent that reduces roll-off, and water. When an “acid” and an “acid salt” are included, the acids of the “acid” and “acid salt” may be the same acid or different acids. That is, the rough polishing abrasive composition may contain an acid and a salt of the acid or a salt of a different acid. The roll-off reducing agent is a sulfonic acid anionic surfactant and / or a sulfate ester anionic surfactant, and these anionic surfactants have an amide structure.

ロールオフ低減剤としては、構造式(I)で表わされるアニオン性界面活性剤が挙げられる。   Examples of the roll-off reducing agent include an anionic surfactant represented by the structural formula (I).

Figure 0006110715
(式中、Rは炭素数が8〜18のアルキル基、アルケニル基を示し、Rは水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Rは炭素数が1〜8のアルキレン基、−(CHCHO)−及び−(CHCH(CH)O)−から選ばれる少なくとも一種からなる繰返し単位を示し、Mは水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属(Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra)、アンモニウム又は有機カチオンを示す。ここで、m及びnの合計は1〜8の整数である。)
Figure 0006110715
(Wherein R 1 represents an alkyl group or alkenyl group having 8 to 18 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R 3 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms,- (CH 2 CH 2 O) m — and — (CH 2 CH (CH 3 ) O) n — represents a repeating unit consisting of at least one selected from the group consisting of hydrogen, alkali metal, alkaline earth metal (Be, Mg). , Ca, Sr, Ba, Ra), ammonium or an organic cation, where the sum of m and n is an integer from 1 to 8.

が−(CHCHO)−及び−(CHCH(CH)O)−から選ばれる少なくとも一種からなる繰返し単位で構成されている界面活性剤としては、アミドエーテルサルフェート型アニオン性界面活性剤が挙げられる。さらにアミドエーテルサルフェート型アニオン性界面活性剤の中でm及びnの合計が2以上である界面活性剤として、ポリオキシアルキレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸およびその塩が挙げられる。 As the surfactant in which R 3 is composed of at least one repeating unit selected from — (CH 2 CH 2 O) m — and — (CH 2 CH (CH 3 ) O) n —, amide ether sulfate Type anionic surfactants. Furthermore, among the amide ether sulfate type anionic surfactants, polyoxyalkylene fatty acid alkanol amide sulfate and salts thereof may be mentioned as surfactants in which the sum of m and n is 2 or more.

これらの界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸塩、ポリオキシエチレンオキシプロピレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸塩、ポリオキシプロピレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸塩、ポリオキシエチレンミリスチン酸モノエタノールアミド硫酸塩、ポリオキシエチレンラウリン酸モノエタノールアミド硫酸塩等が挙げられる。   Specific examples of these surfactants include polyoxyethylene coconut oil fatty acid monoethanolamide sulfate, polyoxyethyleneoxypropylene coconut oil fatty acid monoethanolamide sulfate, polyoxypropylene coconut oil fatty acid monoethanolamide sulfate, Examples thereof include oxyethylene myristic acid monoethanolamide sulfate and polyoxyethylene lauric acid monoethanolamide sulfate.

がアルキレン基で構成されている界面活性剤として、N−アシルスルホン酸型アニオン性界面活性剤が挙げられる。さらにN−アシルスルホン酸型アニオン性界面活性剤の中でアルキレン基がエチレン基である界面活性剤として、N−アシル−N−アルキルタウリン酸塩、N−アシルタウリン酸塩が挙げられる。 Examples of the surfactant in which R 3 is an alkylene group include N-acyl sulfonic acid type anionic surfactants. Furthermore, among the N-acyl sulfonic acid type anionic surfactants, N-acyl-N-alkyl taurates and N-acyl taurates are mentioned as surfactants whose alkylene group is an ethylene group.

これらの界面活性剤の具体例としては、ヤシ油脂肪酸メチルタウリン酸塩、ラウロイルメチルタウリン酸塩、ミリストイルメチルタウリン酸塩、パルミトイルメチルタウリン酸塩、ステアロイルメチルタウリン酸塩、オレオイルメチルタウリン酸塩、牛脂脂肪酸メチルタウリン酸塩、ヤシ油脂肪酸タウリン酸塩、ラウロイルタウリン酸塩、ミリストイルタウリン酸塩、パルミトイルタウリン酸塩、ステアロイルタウリン酸塩、オレオイルタウリン酸塩、牛脂脂肪酸タウリン酸塩等が挙げられる。   Specific examples of these surfactants include coconut oil fatty acid methyl taurate, lauroyl methyl taurate, myristoyl methyl taurate, palmitoyl methyl taurate, stearoyl methyl taurate, oleoyl methyl taurate, Examples include tallow fatty acid methyl taurate, palm oil fatty acid taurate, lauroyl taurate, myristoyl taurate, palmitoyl taurate, stearoyl taurate, oleoyl taurate, and beef tallow fatty acid taurate.

粗研磨用研磨剤組成物中に含まれるロールオフ低減剤の含有量は、0.001〜5質量%であることが好ましく、0.002〜2質量%であることがより好ましく、0.01〜1質量%であることが最も好ましい。含有量が少ない場合には十分なロールオフ低減効果が得られず、含有量が多い場合にはレートの低下が著しいため上記範囲内の含有量であることが好ましい。   The content of the roll-off reducing agent contained in the abrasive composition for rough polishing is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.002 to 2% by mass, Most preferably, it is -1 mass%. When the content is small, a sufficient roll-off reduction effect cannot be obtained, and when the content is large, the rate is remarkably lowered, so that the content is preferably within the above range.

研磨材としては、酸化ケイ素粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化セリウム粒子等を一種もしくは二種以上組み合わせて使用することができる。特に酸化ケイ素粒子、酸化アルミニウム粒子を使用することが好ましい。   As the abrasive, silicon oxide particles, aluminum oxide particles, titanium oxide particles, zirconium oxide particles, cerium oxide particles and the like can be used singly or in combination. In particular, it is preferable to use silicon oxide particles and aluminum oxide particles.

酸化ケイ素粒子としては、結晶性のものと、非晶質性のものに大きく分けられる。結晶性の酸化ケイ素粒子としては、石英、鱗石英、クリストバライト、コータイト、キータイト、ステイショバイト等が挙げられる。非晶質性の酸化ケイ素粒子としては、ルシャトゥリエ石、オパール、珪藻土、合成シリカ等が挙げられる。これらの中で非晶質性合成酸化ケイ素粒子は、乾式法シリカ、湿式法シリカ、溶融固体シリカ、コロイダルシリカ等に大別される。乾式法シリカはさらに製法により、火炎加水分解法シリカ、アーク法シリカ、プラズマ法シリカ等が挙げられる。湿式法シリカはさらに製法により、沈降法シリカ、ゲル法シリカ等が挙げられる。溶融固体シリカとしては、石英ガラス等が挙げられる。コロイダルシリカはさらに製法により、脱陽イオン法コロイダルシリカ、ゾルゲル法コロイダルシリカ等が挙げられる。また、コロイダルシリカの形状は一般的な球状の他に、製造方法を調整することによって鎖状、数珠状、長球状、金平糖状(表面に凹凸状の突起(角状)をもつ小球形)などの球形以外の形状のものが知られている。これらの酸化ケイ素粒子の中から一種もしくは二種以上組み合わせて使用することができる。ここで本明細書においては、酸化ケイ素を含む粒子を酸化ケイ素粒子と称している。また、酸化ケイ素粒子をコロイダルシリカとコロイダルシリカを除いた酸化ケイ素粒子とで区別し、コロイダルシリカを除いた酸化ケイ素粒子をシリカ粒子と称している。   Silicon oxide particles can be broadly classified into crystalline ones and amorphous ones. Examples of the crystalline silicon oxide particles include quartz, scale quartz, cristobalite, coatite, keatite, and stationite. Examples of amorphous silicon oxide particles include Rusaturjeite, opal, diatomaceous earth, and synthetic silica. Among these, amorphous synthetic silicon oxide particles are roughly classified into dry process silica, wet process silica, fused solid silica, colloidal silica, and the like. The dry process silica further includes flame hydrolysis process silica, arc process silica, plasma process silica and the like, depending on the production method. The wet method silica further includes precipitation method silica, gel method silica and the like depending on the production method. Examples of the fused solid silica include quartz glass. The colloidal silica may further be decationized colloidal silica, sol-gel colloidal silica, etc., depending on the production method. Colloidal silica has a general spherical shape, and can be chained, beaded, oval, confetti (small spheres with irregular protrusions (squares) on the surface) by adjusting the production method, etc. A shape other than the spherical shape is known. One or a combination of two or more of these silicon oxide particles can be used. Here, in the present specification, particles containing silicon oxide are referred to as silicon oxide particles. Further, silicon oxide particles are distinguished from colloidal silica and silicon oxide particles excluding colloidal silica, and silicon oxide particles excluding colloidal silica are referred to as silica particles.

酸化アルミニウム粒子には、結晶型としてα型、γ型、δ型、η型、θ型、κ型、χ型等があり、α型以外の結晶型は総称して中間アルミナといわれる。これらの結晶型の中から一種もしくは二種以上組み合わせて使用することができる。   Aluminum oxide particles include α-type, γ-type, δ-type, η-type, θ-type, κ-type, and χ-type as crystal types, and crystal types other than α-type are collectively referred to as intermediate alumina. One or a combination of two or more of these crystal forms can be used.

粗研磨用研磨剤組成物中に含まれる研磨材の平均粒子径は、0.03μmより大きく5μmより小さいことが好ましく、0.03μmより大きく3μmより小さいことがより好ましく、さらに0.03μmより大きく1μmより小さいことがより好ましく、0.04μmより大きく0.6μmより小さいことが最も好ましい。平均粒子径が小さい場合には十分な研磨レートが得られず、平均粒子径が大きい場合には表面粗さ、うねり、砥粒の突き刺さりなどの悪化が起きるため、上記範囲内の粒子径であることが好ましい。なお、研磨材として二種以上組み合わせて使用した場合には、粗研磨用研磨剤組成物中に含まれる研磨材の平均粒子径とは、混合後の全体の平均粒子径である。   The average particle size of the abrasive contained in the abrasive composition for rough polishing is preferably larger than 0.03 μm and smaller than 5 μm, more preferably larger than 0.03 μm and smaller than 3 μm, and further larger than 0.03 μm. It is more preferably smaller than 1 μm, most preferably larger than 0.04 μm and smaller than 0.6 μm. When the average particle diameter is small, a sufficient polishing rate cannot be obtained, and when the average particle diameter is large, surface roughness, waviness, abrasive piercing, and the like occur, so the particle diameter is within the above range. It is preferable. In addition, when it uses in combination of 2 or more types as an abrasive | polishing material, the average particle diameter of the abrasive | polishing material contained in the abrasive | polishing agent composition for rough polishing is the average particle diameter of the whole after mixing.

本明細書においてコロイダルシリカの平均粒子径は、シアーズ法によって測定した粒子径を意味する。シアーズ法は、アナレティカル・ケミストリー(ANALYTICAL CHEMISTRY)第28巻第12号(1956年12月)第1981頁に説明されている様に、水酸化ナトリウムを用いた滴定による比表面積から換算される粒子径の測定方法である。   In this specification, the average particle diameter of colloidal silica means the particle diameter measured by the Sears method. As described in Analytical Chemistry Vol. 28, No. 12 (December 1956), p. 1981, the Sears method is a particle converted from a specific surface area by titration with sodium hydroxide. This is a diameter measurement method.

シリカ粒子や酸化アルミニウム粒子など、コロイダルシリカ以外を含む研磨材粒子の平均粒子径の測定は、レーザー光回折法や動的光散乱法を用いた粒度分布測定装置を用いて測定することで、求めることができる。ここで、平均粒子径は粒度分布測定装置で粒度分布から算術計算された「平均粒子径」、「平均値」、「平均径」などの名称で測定結果として得られる、粒度分布から算術計算された値を表わしている。   Measurement of the average particle diameter of abrasive particles other than colloidal silica, such as silica particles and aluminum oxide particles, is obtained by measuring with a particle size distribution measuring device using a laser light diffraction method or a dynamic light scattering method. be able to. Here, the average particle diameter is arithmetically calculated from the particle size distribution obtained as a measurement result under the names of “average particle diameter”, “average value”, “average diameter”, etc., which are arithmetically calculated from the particle size distribution with a particle size distribution measuring device. Value.

酸としては、無機酸および/または有機酸を一種以上使用することができる。無機酸としては、硝酸、亜硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、ポリリン酸、モリブデン酸、過塩素酸、過硫酸、亜硫酸などを用いることができるが、これらの使用に限定されるものではない。有機酸としては、カルボン酸や有機ホスホン酸などを用いることができ、具体例としては、グリコール酸、シュウ酸、マロン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、アロクエン酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、グルコン酸、グリオキシル酸、グリセリン酸、マンデル酸、ベンジル酸、サリチル酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ヘキサン酸、へプタン酸、オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ラウリン酸、イソ酪酸、1−ヒドロキシエチリンデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、スルファミン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などを用いることが好ましいが、これらの使用に限定されるものではない。   As the acid, one or more inorganic acids and / or organic acids can be used. As the inorganic acid, nitric acid, nitrous acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, polyphosphoric acid, molybdic acid, perchloric acid, persulfuric acid, sulfurous acid, and the like can be used, but the use is not limited thereto. As the organic acid, carboxylic acid, organic phosphonic acid, and the like can be used. Specific examples include glycolic acid, oxalic acid, malonic acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, isocitric acid, allocic acid, β- Hydroxypropionic acid, gluconic acid, glyoxylic acid, glyceric acid, mandelic acid, benzylic acid, salicylic acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, nonanoic acid, decane Acid, lauric acid, isobutyric acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotrismethylenephosphonic acid, phosphonobutanetricarboxylic acid, ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, sulfamic acid, alkylbenzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, etc. It is preferable to use It is not limited to the use of al.

酸の塩としては、上述の酸の金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩、四級アンモニウム塩等が挙げられるが、これらの使用に限定されるものではない。金属塩の例としては、周期律表1、2、3、4、6、7、8、9、10、11、12、13族に属する金属が挙げられる。有機アミンの例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。四級アンモニウムの例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。これらの中では、アンモニウム塩および1族に属する金属の塩であるナトリウム塩、カリウム塩が好ましく、特に端面だれ低減の観点からアンモニウム塩が好ましいが、これらの使用に限定されるものではない。また、酸と塩基性物質を混合して、研磨剤組成物の系内で塩を生成させても構わない。酸のみまたは酸の塩のみで使用することもできるが、端面だれ低減の観点から酸と酸の塩の両方を含むことがより好ましい。   Examples of the acid salt include the above-described acid metal salts, ammonium salts, organic amine salts, quaternary ammonium salts, and the like, but are not limited to these uses. Examples of the metal salt include metals belonging to Groups 1, 2, 3, 4, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, and 13 of the periodic table. Examples of organic amines include dimethylamine, trimethylamine, alkanolamine and the like. Examples of quaternary ammonium include tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like. Among these, ammonium salts and sodium salts and potassium salts which are salts of metals belonging to Group 1 are preferable, and ammonium salts are particularly preferable from the viewpoint of reducing end face sagging, but are not limited to these uses. Alternatively, an acid and a basic substance may be mixed to produce a salt in the system of the abrasive composition. Although it is possible to use only an acid or an acid salt alone, it is more preferable to include both an acid and an acid salt from the viewpoint of reducing end face drooping.

酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、ハロゲンオキソ酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類、それらの酸化剤を二種以上混合したもの、等を用いることができるが、これらの使用に限定されるものではない。具体的には、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸の金属塩、ジクロム酸の金属塩、ペルオキソ二硫酸塩、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、クエン酸鉄(III)、硫酸アンモニア鉄(III)などを用いることができる。特に、過酸化物やペルオキソ酸の中でも、過酸化水素、ペルオキソ二硫酸およびその塩、次亜塩素酸およびその塩などの使用が好ましいが、これらの使用に限定されるものではない。   Examples of the oxidizing agent include peroxide, permanganic acid or a salt thereof, chromic acid or a salt thereof, peroxo acid or a salt thereof, halogen oxo acid or a salt thereof, oxygen acid or a salt thereof, metal salt, sulfuric acid, oxidation thereof. Although what mixed 2 or more types of agents can be used, it is not limited to these use. Specifically, hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, potassium permanganate, chromic acid metal salt, dichromic acid metal salt, peroxodisulfate, ammonium peroxodisulfate, peroxodisulfate metal salt, peroxo Phosphoric acid, peroxosulfuric acid, sodium peroxoborate, performic acid, peracetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, hypochlorous acid, hypobromous acid, chloric acid, bromic acid, iodic acid, sodium hypochlorite, Calcium hypochlorite, iron chloride (III), iron sulfate (III), iron citrate (III), ammonium iron sulfate (III), and the like can be used. In particular, among peroxides and peroxo acids, use of hydrogen peroxide, peroxodisulfuric acid and its salt, hypochlorous acid and its salt, etc. is preferable, but it is not limited to these uses.

さらに、本発明の粗研磨用研磨剤組成物には、研磨促進効果、表面粗さ低減効果、うねりやノジュール低減効果、粗研磨用研磨剤組成物の再分散性向上や凝集抑制の効果などを示すその他の添加剤を含ませることができ、それらの添加剤としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、アルミナゾル(アルミナ水和物および水酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも一種をコロイド状に分散させたもの)等を用いることができる。また、一般的な半導体等の研磨に使用される研磨剤において、防食剤が含まれることがあるが、本発明の粗研磨用研磨剤組成物は防食剤が研磨レートの低下を引き起こす要因となる場合があるので、防食剤を含まない方が好ましい。   Furthermore, the abrasive composition for rough polishing of the present invention has an effect of promoting polishing, an effect of reducing surface roughness, an effect of reducing waviness and nodules, an effect of improving redispersibility of an abrasive composition for rough polishing and an effect of suppressing aggregation. Other additives shown may be included, and these additives include thickeners, dispersants, rust inhibitors, basic substances, surfactants, alumina sol (alumina hydrate and aluminum hydroxide selected Or the like in which at least one kind dispersed in a colloidal form is used. Moreover, in the abrasive | polishing agent used for grinding | polishing of a general semiconductor etc., an anticorrosive agent may be contained, but anticorrosive agent becomes a factor which causes a fall of a polishing rate in the abrasive | polishing agent composition for rough polishing of this invention. In some cases, it is preferable not to include an anticorrosive.

2.粗研磨用研磨剤組成物の使用:
本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板(以下、「アルミディスク」)やガラス磁気ディスク基板等の磁気ディスク基板の研磨での使用に適している。特に、アルミディスクの研磨での使用に適している。したがって、本発明は、上記の粗研磨用研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する磁気ディスク基板の研磨方法であり、その研磨方法を用いた磁気ディスク基板の製造方法である。また、本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、炭化ケイ素、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガリウム燐、インジウム燐、チッ化ガリウム等の半導体基板、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の単結晶基板、磁気ヘッド等の研磨にも利用することができる。
2. Use of abrasive composition for rough polishing:
The abrasive composition for rough polishing of the present invention is suitable for use in polishing a magnetic disk substrate such as an Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate (hereinafter “aluminum disk”) or a glass magnetic disk substrate. It is particularly suitable for use in polishing aluminum disks. Accordingly, the present invention is a magnetic disk substrate polishing method for polishing a magnetic disk substrate using the above-described rough polishing abrasive composition, and a magnetic disk substrate manufacturing method using the polishing method. Further, the abrasive composition for rough polishing of the present invention comprises a semiconductor substrate such as silicon carbide, silicon, germanium, gallium arsenide, gallium phosphide, indium phosphide, gallium nitride, or a single material such as sapphire, lithium tantalate, or lithium niobate. It can also be used for polishing crystal substrates and magnetic heads.

本発明の粗研磨用研磨剤組成物を適用することが可能な研磨方法としては、例えば、研磨機の定盤に研磨パッドを貼り付け、対象物(例えばアルミディスク)の研磨する表面または研磨パッドに粗研磨用研磨剤組成物を供給し、研磨する表面を研磨パッドで擦り付ける方法(ポリッシングと呼ばれている)がある。例えば、磁気ディスク基板に用いるアルミディスクのおもて面と裏面を同時に研磨する場合には、上定盤および下定盤それぞれに研磨パッドを貼り付けた両面研磨機を用いる方法がある。この方法では、上定盤および下定盤に貼り付けた研磨パッドでアルミディスクを挟み込み、研磨面と研磨パッドの間に粗研磨用研磨剤組成物を供給し、2つの研磨パッドを同時に回転させることによって、アルミディスクのおもて面と裏面を削る。   As a polishing method to which the rough polishing abrasive composition of the present invention can be applied, for example, a polishing pad is affixed to a surface plate of a polishing machine, and the surface or polishing pad of an object (for example, an aluminum disk) is polished. There is a method of supplying a rough polishing abrasive composition to the surface and rubbing the surface to be polished with a polishing pad (referred to as polishing). For example, when simultaneously polishing the front surface and the back surface of an aluminum disk used for a magnetic disk substrate, there is a method using a double-side polishing machine in which a polishing pad is attached to each of an upper surface plate and a lower surface plate. In this method, an aluminum disk is sandwiched between polishing pads attached to an upper surface plate and a lower surface plate, a polishing composition for rough polishing is supplied between the polishing surface and the polishing pad, and the two polishing pads are rotated simultaneously. Then cut the front and back of the aluminum disc.

研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。   As the polishing pad, a urethane type, a suede type, a non-woven fabric type, or any other type can be used.

研磨では、通常、平均粒子径の大きい研磨材を含有する研磨剤組成物を用いて対象物の表面を深めに粗く削っていく粗研磨といわれる工程を行い、続いて、粗研磨が施された表面を対象として、平均粒子径の小さい研磨材を含有する研磨剤組成物を用いて少しずつ削っていく仕上げ研磨といわれる工程を行う。また、粗研磨の工程が複数の研磨工程で行われる場合がある。例えば、端面だれやうねりといった基板全体の形状を整える研磨工程を行った後に、同じ研磨機研磨パッドに続けて別の研磨剤組成物を流し、端面だれやうねりといった基板全体の形状を悪化させることなく、砥粒などの残留を除去するといった研磨工程を行う場合もある。粗研磨工程では、端面だれやうねりといった基板全体の形状を整えることに主眼が置かれている。対して仕上げ研磨工程では、表面粗さやスクラッチといった基板表面の面精度を整えることに主眼が置かれている。このような理由から、端面だれの低減効果を示す本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、粗研磨に含まれるいずれかの工程に適用することが好ましい。   In polishing, a process called rough polishing is generally performed in which a surface of an object is roughly roughened using an abrasive composition containing an abrasive having a large average particle size, and then rough polishing is performed. For the surface, a process called finish polishing is performed in which a polishing composition containing an abrasive having a small average particle diameter is used to gradually scrape the surface. In addition, the rough polishing process may be performed in a plurality of polishing processes. For example, after performing a polishing process to adjust the shape of the entire substrate such as edge sag and undulation, another abrasive composition is flowed to the same polishing machine polishing pad to deteriorate the shape of the entire substrate such as edge swell and swell. In some cases, a polishing process such as removing residuals such as abrasive grains may be performed. In the rough polishing process, the main focus is on adjusting the shape of the entire substrate, such as edge sag and waviness. On the other hand, in the final polishing process, the main focus is on adjusting the surface accuracy of the substrate surface such as surface roughness and scratches. For these reasons, it is preferable to apply the abrasive composition for rough polishing of the present invention showing the effect of reducing the end face dripping to any step included in the rough polishing.

また、粗研磨工程と仕上げ研磨工程では上述の目的の違いから、使用されるパッドも異なってくる。例えば、磁気ディスク基板の研磨においては、主にスエードパッドが用いられるが、粗研磨工程で使用される研磨パッドは仕上げ研磨工程で使用される研磨パッドに比べ、パッド孔の孔径が大きい傾向にある。本発明の粗研磨用研磨剤組成物が端面だれ低減効果を十分に発揮するためには、粗研磨工程で使用される研磨パッドを用いることが好ましい。   In addition, the pad used is different in the rough polishing process and the final polishing process due to the above-described difference in purpose. For example, in the polishing of a magnetic disk substrate, a suede pad is mainly used, but the polishing pad used in the rough polishing process tends to have a larger hole diameter than the polishing pad used in the final polishing process. . In order for the abrasive composition for rough polishing of the present invention to sufficiently exhibit the effect of reducing the end face droop, it is preferable to use a polishing pad used in the rough polishing step.

本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、前記粗研磨用研磨剤組成物を用いた研磨工程を含む。ここで研磨工程は、前記研磨方法を用いるものであればよいが、研磨工程の中でも前記粗研磨用研磨剤組成物を粗研磨に含まれるいずれかの工程に用いることが好ましい。   The method for producing a magnetic disk substrate of the present invention includes a polishing step using the coarse polishing abrasive composition. Here, the polishing step is not particularly limited as long as the polishing method is used, but the polishing composition for rough polishing is preferably used in any step included in the rough polishing.

本発明の粗研磨用研磨剤組成物が端面だれを低減することのできる理由として、メカニズムは明らかではないが以下のような理由が考えられる。本発明の界面活性剤の添加により粗研磨用研磨剤組成物の粘性や表面張力、粗研磨用研磨剤組成物中の研磨材粒子の分散状態が適した状態になり、研磨時にパッドと基板との間に研磨剤がスムーズに入り込み、基板の端面付近での研磨剤の滞留が抑えられる。その結果として端面が過度に削られることが抑えられ、端面だれの低減へとつながっているものと考えられる。   The reason why the polishing composition for rough polishing according to the present invention can reduce the end face sagging is as follows, although the mechanism is not clear. By adding the surfactant of the present invention, the viscosity and surface tension of the abrasive composition for rough polishing, and the dispersed state of the abrasive particles in the abrasive composition for rough polishing become suitable. During this period, the abrasive smoothly enters, and the retention of the abrasive near the end face of the substrate is suppressed. As a result, it is considered that the end face is prevented from being excessively shaved, leading to reduction of the end face dripping.

以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

(1)粗研磨用研磨剤組成物の調製方法
(実施例1〜14、比較例1〜12)
イオン交換水と、下記の材料とを表1〜3に示した割合(イオン交換水と下記の材料との合計が100質量%)で含んだ粗研磨用研磨剤組成物を調製した。
(1) Preparation method of rough polishing abrasive composition (Examples 1-14, Comparative Examples 1-12)
A rough polishing abrasive composition containing ion-exchanged water and the following materials in the proportions shown in Tables 1 to 3 (the total of the ion-exchanged water and the following materials was 100% by mass) was prepared.

コロイダルシリカ粒子I(平均粒子径:44nm、市販のコロイダルシリカ。含有量は表に示す。)
コロイダルシリカ粒子II(平均粒子径:55nm、市販のコロイダルシリカ。含有量は表に示す。ただし、実施例10および比較例11は含まない。)
シリカ粒子(平均粒子径:0.3μm、市販の沈降法シリカを、前記粒子径に調整した。含有量は表に示す。ただし、実施例10および比較例11は含まない。)
硫酸(含有量は表に示す。)
硫酸アンモニウム(含有量は表に示す。ただし、実施例11および比較例12は含まない。)
過酸化水素 1.24質量%
ロールオフ低減剤(下記の界面活性剤A〜F、含有量は表に示す。ただし、比較例1、11および12は含まない。)
Colloidal silica particles I (average particle size: 44 nm, commercially available colloidal silica. Content is shown in the table)
Colloidal silica particles II (average particle size: 55 nm, commercially available colloidal silica. The content is shown in the table. However, Example 10 and Comparative Example 11 are not included.)
Silica particles (average particle size: 0.3 μm, commercially available precipitated silica was adjusted to the above particle size. The content is shown in the table. However, Example 10 and Comparative Example 11 are not included.)
Sulfuric acid (content is shown in the table)
Ammonium sulfate (content is shown in the table. However, Example 11 and Comparative Example 12 are not included.)
Hydrogen peroxide 1.24% by mass
Roll-off reducing agent (the following surfactants A to F, the contents are shown in the table. However, Comparative Examples 1, 11 and 12 are not included)

A:ポリオキシエチレンヤシ油脂肪酸モノエタノールアミド硫酸エステルナトリウム塩(日油製 サンアミドC−3) A: Polyoxyethylene coconut oil fatty acid monoethanolamide sulfate sodium salt (NOF Sanamide C-3)

Figure 0006110715
(Rはヤシ油由来)
Figure 0006110715
(R 1 is derived from coconut oil)

B:脂肪酸アミドエーテル硫酸エステルナトリウム塩(日油製 サンアミドCF−3) B: Fatty acid amide ether sulfate sodium salt (NOF Sanamide CF-3)

Figure 0006110715
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C:ヤシ油脂肪酸メチルタウリン酸ナトリウム塩(日油製 ダイヤポンK−SF) C: Palm oil fatty acid methyl taurate sodium salt (Nippon Diapon K-SF)

Figure 0006110715
(Rはヤシ油由来)
Figure 0006110715
(R 1 is derived from coconut oil)

D:ラウリル硫酸ナトリウム(東邦化学製 アルスコープLS−30) D: Sodium lauryl sulfate (manufactured by Toho Chemical, ALSCO LS-30)

Figure 0006110715
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E:ポリオキシエチレントリデシルエーテル硫酸ナトリウム(第一工業製薬製 ハイテノール330T) E: Sodium polyoxyethylene tridecyl ether sulfate (Daiichi Kogyo Seiyaku Hightenol 330T)

Figure 0006110715
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F:ポリオキシエチレンアルキルスルホコハク酸二ナトリウム(東邦化学製 コハクールL−400A) F: Polyoxyethylene alkylsulfosuccinate disodium (Kohaku L-400A manufactured by Toho Chemical)

Figure 0006110715
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用いたコロイダルシリカ粒子の平均粒子径は、シアーズ法で測定した。以下、シアーズ法による粒子径測定方法を説明する。   The average particle size of the colloidal silica particles used was measured by the Sears method. Hereinafter, the particle diameter measuring method by the Sears method will be described.

(1)1.5gのコロイダルシリカを含有するコロイダルシリカ分散液量を下式で計算した。
サンプル量 Wr(g)=150/コロイダルシリカ分散液中のコロイダルシリカ濃度(%)
(2)(1)で計算した量のコロイダルシリカ分散液をビーカーに秤量した。実際の秤量値をWa(g)とした。
(3)秤量したコロイダルシリカ分散液に純水100mlを加えた。
(4)さらにpHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。
(5)塩化ナトリウムを30g加え、純水50mlを加えて攪拌した。
(6)液にpH電極を浸けて攪拌しながら0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液をpH4.0となるまで滴定した。
(7)続けてpH9.0となるまで0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液を滴定した。ここでpH4.0から9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVs(ml)とした。
(8)ブランク測定を行った。塩化ナトリウム30gに純水150mlを加えて攪拌し、pHが3〜3.5になるように0.1mol/l塩酸水溶液を加えた。さらに(6)、(7)と同様の方法で滴定を行い、ここでpH4.0〜9.0までの滴定に要した0.1mol/l水酸化ナトリウム水溶液の量をVb(ml)とした。
(9)比表面積SSAを計算した。
比表面積 SSA(m/g)=26.5(Vs−Vb)/(Wr/Wa)
(10)比表面積から平均粒子径Dを計算した。
平均粒子径 D(nm)=3100/SSA
(コロイダルシリカの密度を1.9g/cmとして計算した。)
(1) The amount of colloidal silica dispersion containing 1.5 g of colloidal silica was calculated by the following equation.
Sample amount Wr (g) = 150 / Colloidal silica concentration (%) in the colloidal silica dispersion
(2) The amount of colloidal silica dispersion calculated in (1) was weighed into a beaker. The actual weighing value was defined as Wa (g).
(3) 100 ml of pure water was added to the weighed colloidal silica dispersion.
(4) A 0.1 mol / l hydrochloric acid aqueous solution was further added so that the pH was 3 to 3.5.
(5) 30 g of sodium chloride was added, and 50 ml of pure water was added and stirred.
(6) A 0.1 mol / l sodium hydroxide aqueous solution was titrated until the pH reached 4.0 while the pH electrode was immersed in the solution and stirred.
(7) Subsequently, a 0.1 mol / l aqueous sodium hydroxide solution was titrated until the pH reached 9.0. Here, the amount of 0.1 mol / l aqueous sodium hydroxide solution required for titration from pH 4.0 to 9.0 was defined as Vs (ml).
(8) Blank measurement was performed. 150 ml of pure water was added to 30 g of sodium chloride and stirred, and 0.1 mol / l hydrochloric acid aqueous solution was added so that the pH was 3 to 3.5. Further, titration was performed in the same manner as in (6) and (7), and the amount of 0.1 mol / l sodium hydroxide aqueous solution required for titration to pH 4.0 to 9.0 was defined as Vb (ml). .
(9) The specific surface area SSA was calculated.
Specific surface area SSA (m 2 /g)=26.5 (Vs−Vb) / (Wr / Wa)
(10) The average particle diameter D was calculated from the specific surface area.
Average particle diameter D (nm) = 3100 / SSA
(The colloidal silica density was calculated as 1.9 g / cm 3. )

シリカ粒子の平均粒子径は、動的光散乱式粒度分布測定装置(マイクロトラックUPA、日機装製)を用いて測定し、粒度分布は体積基準としたものである。また、コロイダルシリカ粒子Iとコロイダルシリカ粒子IIとシリカ粒子を混合した実施例1〜9、11〜14、比較例1〜10および比較例12の酸化ケイ素粒子研磨材の平均粒子径は、動的光散乱式粒度分布測定装置(マイクロトラックUPA、日機装製)を用いて測定したところ0.1μmであった。なお、粒度分布は体積基準としたものである。   The average particle diameter of the silica particles is measured using a dynamic light scattering particle size distribution measuring device (Microtrac UPA, manufactured by Nikkiso), and the particle size distribution is based on volume. Moreover, the average particle diameter of the silicon oxide particle abrasive | polishing material of Examples 1-9, 11-14, Comparative Examples 1-10, and Comparative Example 12 which mixed the colloidal silica particle I, the colloidal silica particle II, and the silica particle is dynamic. It was 0.1 μm when measured using a light scattering particle size distribution analyzer (Microtrac UPA, manufactured by Nikkiso). The particle size distribution is based on volume.

Figure 0006110715
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Figure 0006110715
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(実施例15〜17、比較例13)
イオン交換水と、下記の材料とを表4に示した割合(イオン交換水と下記の材料との合計が100質量%)で含んだ粗研磨用研磨剤組成物を調製した。
(Examples 15 to 17, Comparative Example 13)
A rough polishing abrasive composition containing ion-exchanged water and the following materials in the proportions shown in Table 4 (the total of the ion-exchanged water and the following materials was 100% by mass) was prepared.

α−アルミナ(平均粒子径:0.4μm、市販のα−アルミナを粉砕、湿式分級して前記粒子径に調整した。含有量は表に示す。)
中間アルミナ(平均粒子径:0.4μm、市販の水酸化アルミニウムを焼成、粉砕、湿式分級して前記粒子径に調整した。含有量は表に示す。)
硫酸 0.96質量%
硫酸アンモニウム 1.20質量%
過酸化水素 1.24質量%
ロールオフ低減剤(上記の界面活性剤A、含有量は表に示す。ただし、比較例13は含まない。)
α-Alumina (average particle size: 0.4 μm, commercially available α-alumina was pulverized and wet-classified to adjust the particle size. The content is shown in the table.)
Intermediate alumina (average particle size: 0.4 μm, commercially available aluminum hydroxide was calcined, pulverized and wet classified to adjust the particle size. The content is shown in the table.)
Sulfuric acid 0.96% by mass
Ammonium sulfate 1.20% by mass
Hydrogen peroxide 1.24% by mass
Roll-off reducing agent (Surfactant A, content is shown in the table. However, Comparative Example 13 is not included)

α−アルミナおよび中間アルミナの平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定機(SALD2200、島津製作所製)を用いて測定し、粒度分布は体積基準としたものである。また、α−アルミナと中間アルミナを混合した実施例15〜17および比較例13の酸化アルミニウム粒子研磨材の平均粒子径はレーザー回折式粒度分布測定機(SALD2200、島津製作所製)を用いて測定したところ0.4μmであった。なお、粒度分布は体積基準としたものである。   The average particle diameters of α-alumina and intermediate alumina are measured using a laser diffraction particle size distribution analyzer (SALD2200, manufactured by Shimadzu Corporation), and the particle size distribution is based on volume. Moreover, the average particle diameter of the aluminum oxide particle abrasive | polishing material of Examples 15-17 and the comparative example 13 which mixed (alpha) -alumina and intermediate | middle alumina was measured using the laser diffraction type particle size distribution measuring machine (SALD2200, Shimadzu Corporation make). However, it was 0.4 μm. The particle size distribution is based on volume.

Figure 0006110715
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(2)研磨条件
Ni−P無電解メッキした外径2.5インチのアルミディスクを研磨対象の基板として下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機:スピードファム(株)製 9B両面研磨機
研磨パッド:(株)FILWEL社製 P1用パッド
定盤回転数:上定盤−7.5rpm
下定盤22.5rpm
研磨剤供給量:100ml/分
研磨時間:研磨量が1.2〜1.5μm/片面となる時間、研磨する(130〜1500秒)。
加工圧力:9.8kPa
(2) Polishing conditions Polishing was performed under the following polishing conditions using an Ni-P electroless plated aluminum disk with an outer diameter of 2.5 inches as a substrate to be polished.
Polishing machine: 9B double-side polishing machine made by Speed Fem Co., Ltd. Polishing pad: PIL pad surface plate made by FILWEL Co., Ltd .: Upper platen-7.5 rpm
Lower surface plate 22.5rpm
Abrasive supply amount: 100 ml / min Polishing time: Polishing is performed for a time during which the polishing amount is 1.2 to 1.5 μm / single side (130 to 1500 seconds).
Processing pressure: 9.8 kPa

(3)研磨したディスク表面の評価
(3−1)研磨レート比
研磨レートは、研磨後に減少したアルミディスクの質量を測定し、下記式に基づいて算出した。
研磨レート(μm/min)=アルミディスクの質量減少量(g)/研磨時間(min)/アルミディスク片面の面積(cm)/Ni−Pメッキの密度(g/cm)×10
(但し、上記式中、アルミディスク片面の面積は28.3cm、Ni−Pメッキの密度は8.0g/cm
(3) Evaluation of Polished Disk Surface (3-1) Polishing Rate Ratio The polishing rate was calculated based on the following formula by measuring the mass of the aluminum disk that decreased after polishing.
Polishing rate (μm / min) = Amount of mass reduction of aluminum disk (g) / Polishing time (min) / Aluminum disk one side area (cm 2 ) / Ni-P plating density (g / cm 3 ) × 10 4
(However, in the above formula, the area of one side of the aluminum disk is 28.3 cm 2 and the density of the Ni-P plating is 8.0 g / cm 3 )

研磨レート比は、実施例1〜9および比較例2〜10においては上記式を用いて求めた比較例1の研磨レートを1とした場合の相対値である。実施例10においては上記式を用いて求めた比較例11の研磨レートを1とした場合の相対値である。実施例11〜14においては上記式を用いて求めた比較例12の研磨レートを1とした場合の相対値である。実施例15〜17においては上記式を用いて求めた比較例13の研磨レートを1とした場合の相対値である。   The polishing rate ratio is a relative value when the polishing rate of Comparative Example 1 obtained by using the above formula is set to 1 in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 2 to 10. In Example 10, it is a relative value when the polishing rate of Comparative Example 11 obtained using the above formula is 1. In Examples 11-14, it is a relative value when the polishing rate of Comparative Example 12 obtained using the above formula is 1. In Examples 15-17, it is a relative value when the polishing rate of Comparative Example 13 obtained using the above formula is 1.

(3−2) Roll−off比
端面形状の評価として、端面だれの度合いを数値化したロールオフ(Roll−off)を測定した。Roll−offは、Zygo社製の測定装置[New View 5010(レンズ:2.5倍、ズーム:0.5倍)]とZygo社製の解析ソフト(Metro Pro)を用いて測定した。
(3-2) Roll-off ratio As an evaluation of the end face shape, roll-off was measured by quantifying the degree of end face droop. Roll-off was measured using a measuring apparatus [New View 5010 (lens: 2.5 times, zoom: 0.5 times)] manufactured by Zygo and analysis software (Metro Pro) manufactured by Zygo.

Roll−offの測定方法について、図1を用いて説明する。図1は、研磨の対象物である無電解Ni−Pメッキをした2.5インチアルミディスクの、ディスクの中心を通過し研磨した表面に対して垂直な断面図を表す。Roll−offの測定にあたり、まず、ディスクの外周端に沿って垂線hを設け、垂線hから研磨した表面上のディスクの中心に向かって垂線hに対して平行で垂線hからの距離が4.50mmである線jを設け、ディスクの断面の線が線jと交わる位置を点Aとした。また、垂線hに対して平行で垂線hからの距離が0.50mmである線kを設け、ディスクの断面の線が線kと交わる位置を点Bとした。点Aと点Bを結んだ線mを設け、さらに線mに垂直な線tを設け、ディスクの断面の線が線tと交わる位置を点C、線mが線tと交わる位置を点Dとした。そして、点C−D間の距離が最大となるところでの距離をRoll−offとして測定した。   The roll-off measurement method will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of a 2.5-inch aluminum disk plated with electroless Ni-P, which is an object to be polished, perpendicular to the polished surface passing through the center of the disk. In measurement of Roll-off, first, a perpendicular h is provided along the outer peripheral edge of the disk, and the distance from the perpendicular h is parallel to the perpendicular h toward the center of the disk on the polished surface from the perpendicular h. A line j having a length of 50 mm was provided, and a position where the line of the cross section of the disk intersected with the line j was defined as a point A. Further, a line k parallel to the perpendicular h and having a distance of 0.50 mm from the perpendicular h is provided, and a position where a line of the cross section of the disk intersects with the line k is defined as a point B. A line m connecting point A and point B is provided, a line t perpendicular to the line m is provided, a position where the cross section line of the disk intersects the line t is a point C, and a position where the line m intersects the line t is a point D. It was. Then, the distance at which the distance between the points C and D was maximized was measured as Roll-off.

Roll−off比は、実施例1〜9および比較例2〜10においては上記式を用いて求めた比較例1のRoll−offを1とした場合の相対値である。実施例10においては上記式を用いて求めた比較例11のRoll−offを1とした場合の相対値である。実施例11〜14においては上記式を用いて求めた比較例12のRoll−offを1とした場合の相対値である。実施例15〜17においては上記式を用いて求めた比較例13のRoll−offを1とした場合の相対値である。したがって、1よりも値が小さければ、端面だれが改善されていると言える。   The Roll-off ratio is a relative value in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 2 to 10, where the Roll-off of Comparative Example 1 obtained using the above formula is 1. In Example 10, it is a relative value when Roll-off of Comparative Example 11 obtained using the above formula is 1. In Examples 11-14, it is a relative value when Roll-off of Comparative Example 12 obtained using the above formula is 1. In Examples 15-17, it is a relative value when Roll-off of the comparative example 13 calculated | required using the said Formula is set to 1. Therefore, if the value is smaller than 1, it can be said that the end face is improved.

(3−3)結果
研磨材に酸化ケイ素粒子を用いた場合、ロールオフ低減剤を含まない比較例1、11および12と、実施例1〜9、10および11〜14とを比較すると、本発明のロールオフ低減剤を使用した場合にはRoll−offが小さくなっており、端面だれが低減されていることがわかる。また今までに知られているロールオフ低減剤を含む比較例2〜10と、実施例1〜9とを比較すると、同じ含有量であっても本発明のロールオフ低減剤を使用した場合の方がRoll−offが小さくなっており、端面だれが低減されていることがわかる。実施例11〜14からアンモニウム塩を含むとより端面だれを低減することができる。また、研磨レートも今までに知られているロールオフ低減剤では含有量により極端に研磨レートの低下が見られるが、本発明のロールオフ低減剤を使用した場合は研磨レートの低下が抑えられていることがわかる。
(3-3) Results When silicon oxide particles are used for the abrasive, Comparative Examples 1, 11 and 12 that do not contain a roll-off reducing agent and Examples 1 to 9, 10 and 11 to 14 are compared. When the roll-off reducing agent of the invention is used, Roll-off is small, and it can be seen that the end face droop is reduced. Moreover, when Comparative Examples 2-10 containing the roll-off reducing agent known until now and Examples 1-9 are compared, even if it is the same content, when the roll-off reducing agent of this invention is used, It can be seen that the Roll-off is smaller, and the end face droop is reduced. When the ammonium salt is contained from Examples 11 to 14, the end face droop can be further reduced. In addition, with the roll-off reducing agent that has been known so far, the polishing rate is drastically reduced depending on the content. However, when the roll-off reducing agent of the present invention is used, the reduction of the polishing rate can be suppressed. You can see that

研磨材に酸化アルミニウム粒子を用いた場合、ロールオフ低減剤を含まない比較例13と実施例15〜17とを比較すると、本発明のロールオフ低減剤を使用した場合にはRoll−offが小さくなっており、端面だれが低減されていることがわかる。   When aluminum oxide particles are used for the abrasive, Comparative Example 13 not containing a roll-off reducing agent and Examples 15 to 17 are compared. When the roll-off reducing agent of the present invention is used, Roll-off is small. It can be seen that the end face sagging is reduced.

本発明の粗研磨用研磨剤組成物は、磁気ディスク基板、磁気ヘッド、半導体基板、単結晶基板などの研磨に使用することができる。これらの中でも特に磁気ディスク基板の研磨への使用に適しており、端面形状が良好でかつ、既存の端面形状が良好な研磨剤よりも高レートで研磨面を仕上げることができる。   The rough polishing abrasive composition of the present invention can be used for polishing magnetic disk substrates, magnetic heads, semiconductor substrates, single crystal substrates and the like. Among these, it is particularly suitable for use in polishing a magnetic disk substrate, and can finish a polished surface at a higher rate than an abrasive having a good end face shape and a good end face shape.

Claims (6)

研磨材と、酸および/または酸の塩より一種以上と、酸化剤と、ロールオフを低減するロールオフ低減剤と、水とを含み、
前記ロールオフ低減剤が、スルホン酸系アニオン性界面活性剤および/または硫酸エステル系アニオン性界面活性剤であり、かつこれらのアニオン性界面活性剤がアミド構造を有するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。
An abrasive, at least one acid and / or acid salt, an oxidizing agent, a roll-off reducing agent that reduces roll-off, and water;
The roll-off reducing agent is a sulfonic acid anionic surfactant and / or a sulfate ester anionic surfactant, and these anionic surfactants have an amide structure and are plated with Ni-P. An abrasive composition for rough polishing of a disk substrate.
前記ロールオフ低減剤が構造式()で表されるアニオン性界面活性剤である請求項1に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。
Figure 0006110715
(式中、R は炭素数が8〜18のアルキル基、アルケニル基を示し、R は水素原子、メチル基又はエチル基を示し、R は炭素数が1〜8のアルキレン基、−(CH CH O) −及び−(CH CH(CH )O) −から選ばれる少なくとも一種からなる繰返し単位を示し、Mは水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機カチオンを示す。ここで、m及びnの合計は1〜8の整数である。)
The abrasive composition for rough polishing of an Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate according to claim 1, wherein the roll-off reducing agent is an anionic surfactant represented by the structural formula ( I ).
Figure 0006110715
(Wherein R 1 represents an alkyl group or alkenyl group having 8 to 18 carbon atoms, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R 3 represents an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms,- (CH 2 CH 2 O) m — and — (CH 2 CH (CH 3 ) O) n — represents a repeating unit consisting of at least one selected from the group consisting of hydrogen, alkali metal, alkaline earth metal, ammonium or organic. Represents a cation, where the sum of m and n is an integer from 1 to 8.)
前記研磨材の平均粒子径が0.03μmより大きく5μmより小さい請求項1または2に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物。   The abrasive composition for rough polishing of an Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate according to claim 1 or 2, wherein the abrasive has an average particle size of more than 0.03 µm and less than 5 µm. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板粗研磨用研磨剤組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨するNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法。   A Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate, wherein the Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate rough polishing abrasive composition according to any one of claims 1 to 3 is used to polish the magnetic disk substrate. Polishing method. 請求項4に記載の磁気ディスク基板の研磨方法を用いたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法。   A method for manufacturing a Ni-P plated aluminum magnetic disk substrate using the magnetic disk substrate polishing method according to claim 4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の粗研磨用研磨剤組成物を用いて研磨されたNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板。   An aluminum magnetic disk substrate plated with Ni-P and polished using the abrasive composition for rough polishing according to claim 1.
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