JP6107063B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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f∝1/{2π*(√LC)}………(式1)
なお、図1に示すキャパシタ14、20、21には、それぞれ例えばMIM(Metal Insulation Metal)構造のキャパシタを用いることができるが、これ以外の形態のキャパシタを用いてもよい。
12 トランジスタ
14、20、21 キャパシタ
16 正帰還部
22 バラクタダイオード
24 抵抗
26 下部電極
28 上部電極
29 誘電体層
30 コプレーナ線路
32 信号線路
34 第1グランド
36、40、44 ビア
38 第2グランド
42 調整グランド
46 ベタグランド
50 半導体基板
52、56、60、64 絶縁層
54、58、62、66 配線層
70 保護膜
72 下地金属
74 半田ボール
100 電圧制御発振器
Claims (9)
- 半導体基板上に、トランジスタと、これに接続され、信号線路及び前記信号線路の両側に沿って所定の距離で位置する第1グランドを含むコプレーナ線路とを含む発振器を形成する工程と、
前記発振器の電圧変化に対する発振周波数の変化を測定する工程と、
前記第1グランド上に設けられるべき調整グランドの層のパターンを備えてなり、前記調整グランドの平面上における前記信号線路との距離が、前記所定の距離と同じ距離のパターンおよび前記所定の距離よりも小さい距離のパターンを含む複数の調整マスクの中から、前記測定の結果に基づいて、発振周波数が高い測定結果が得られた場合には、前記信号線路との距離が近くなる前記調整グランドを形成するための調整マスクを、発振周波数が低い測定結果が得られた場合には、前記信号線路との距離が遠くなる前記調整グランドを形成するための調整マスクを選択する工程と、
前記選択された調整マスクを利用して前記第1グランド上に調整グランドを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に、トランジスタと、これに接続され、信号線路及び前記信号線路の両側に沿って所定の距離で位置する第1グランドを含むコプレーナ線路とを含む発振器を形成する工程と、
前記発振器の電圧変化に対する発振周波数の変化を測定する工程と、
前記信号線路を覆う領域を備えた、前記第1グランド上に設けられるべき調整グランドの層のパターンをそれぞれが備えてなり、前記信号線路を覆う領域の割合が互いに異なる複数の調整マスクの中から、前記測定の結果に基づいて、発振周波数が高い測定結果が得られた場合には、前記信号線路を覆う領域の割合が大きくなる前記調整グランドを形成するための調整マスクを、発振周波数が低い測定結果が得られた場合には、前記信号線路を覆う領域の割合が小さくなる前記調整グランドを形成するための調整マスクを選択する工程と、
前記選択された調整マスクを利用して前記第1グランド上に前記調整グランドを形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1グランドと前記調整グランドの間には、両者の間を電気的に接続するビアが設けられてなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1グランドと前記調整グランドの間には、第2グランドがさらに設けられてなり、前記発振器の特性の測定は、前記第2グランドが形成された後に実施されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記調整マスクは、前記発振器と接続される配線層のパターンを形成するために用いられるマスクと共通であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記調整グランドを形成した場合の前記発振器の周波数帯は、前記発振器の特性を測定した時点での周波数帯よりも低いことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた発振器とを備え、
前記発振器は、トランジスタとこれに接続され、信号線路及び前記信号線路の両側に沿って所定の距離で位置する第1グランドを含むコプレーナ線路を含んでなり、
前記コプレーナ線路には、前記第1グランド上に設けられ、平面上における前記信号線路との距離が、前記所定の距離よりも小さい距離の調整グランドの層からなるパターンを含むことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた発振器とを備え、
前記発振器は、トランジスタとこれに接続され、信号線路及び前記信号線路の両側に沿って所定の距離で位置する第1グランドを含むコプレーナ線路を含んでなり、
前記コプレーナ線路には、前記第1グランド上に設けられるとともに、前記信号線路を覆う領域を備えた調整グランドの層からなるパターンを含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1グランドと前記調整グランドの間には、第2グランドがさらに設けられてなることを特徴とする請求項7または8に記載の半導体装置。
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