JP6105720B2 - チップ間メモリインターフェース構造 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/10—Address translation
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
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- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
- G06F13/42—Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
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- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
- G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/02—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals
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- G—PHYSICS
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
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- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
- H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
- H01L2225/1023—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
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- H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
- H01L2225/1047—Details of electrical connections between containers
- H01L2225/1058—Bump or bump-like electrical connections, e.g. balls, pillars, posts
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、参照により本明細書に明確に組み込まれる、2012年6月1日に出願された「INTER-CHIP MEMORY INTERFACE STRUCTURE」と題する米国仮出願第61/654,156号の優先権を主張する。
104 メモリチップ
106 論理チップ
107 ワイヤ
108 パッケージ基板
110 パッケージボール
112 パッケージ基板
114 パッケージボール
116 パッケージボール
202 メモリチップ
204 論理チップ
206 チップ間インターフェース、構造部
208 チップ間インターフェース、構造部
210 チップ間インターフェース、構造部
212 チップ間インターフェース、構造部
214 相互接続部、ライン
216 相互接続部、ライン
218 機能ユニット
302 論理チップ
302S 対称線
302L 論理半導体ダイの左半部分
302R 論理半導体ダイの右半部分
304 メモリチップ
304S 対称線
304L メモリ半導体ダイの左半部分
304R メモリ半導体ダイの右半部分
306 メモリ部分、第1のメモリ
308 メモリ部分、第2のメモリ
310 チップ間インターフェース、構造部
312 チップ間インターフェース、構造部
314 チップ間インターフェース、構造部
316 チップ間インターフェース、構造部
318 機能ユニット
320 電気的相互接続部
322 機能ユニット
324 電気的相互接続部
402 中央処理ユニット(CPU)
404 メモリ管理ユニット(MMU)
406 システムバス
602 セルラー電話ネットワーク
604A 基地局
604B 基地局
604C 基地局
606 通信デバイス
608 アップリンクチャネル
610 ダウンリンクチャネル
Claims (8)
- スタック化パッケージオンパッケージシステムを含む装置であって、前記スタック化パッケージオンパッケージシステムは、
第1のダイであって、第1のメモリおよび第2のメモリ内に構成された複数のメモリセルを含み、前記第1のメモリを含む第1の半部分および前記第2のメモリを含む第2の半部分を有する、第1のダイと、
第2のダイであって、
単一の中央処理装置と、
前記単一の中央処理装置に結合されたバスと、
前記バスに結合されたメモリ管理ユニットと、
第1のクロック信号を前記第1のメモリに供給するために前記メモリ管理ユニットに結合された第1のクロックソースと、
第2のクロック信号を前記第2のメモリに供給するために前記メモリ管理ユニットに結合された第2のクロックソースであって、前記第1のクロック信号は、前記第2のクロック信号と独立しており、前記第1のクロックソースおよび第2のクロックソースは互いに独立している、第2のクロックソースと、
読取データ信号の第1の組および書込データ信号の第1の組を前記第1のメモリへと駆動するために前記メモリ管理ユニットに結合された第1の機能ユニットと、
読取データ信号の第2の組および書込データ信号の第2の組を前記第2のメモリへと駆動するために前記メモリ管理ユニットに結合された第2の機能ユニットとを含み、
読取データ信号の前記第1の組を駆動する前記第1の機能ユニットは、読取データ信号の前記第2の組を駆動する前記第2の機能ユニットから独立しており、
書込データ信号の前記第1の組を駆動する前記第1の機能ユニットは、書込データ信号の前記第2の組を駆動する前記第2の機能ユニットから独立している、第2のダイと、
前記第1のメモリに前記第1のクロックソースを結合する第1の相互接続部および前記第2のメモリに前記第2のクロックソースを結合する第2の相互接続部とを含み、前記第1のクロックソースは前記第1のメモリをクロック制御するために前記第1の相互接続部を駆動し、前記第2のクロックソースは前記第2のメモリをクロック制御するために前記第2の相互接続部を駆動し、前記第1の相互接続部および第2の相互接続部は電気的に互いに独立し、
前記メモリ管理ユニットは、前記単一の中央処理装置によって見られるアドレス空間に属するアドレスを第1の物理アドレスまたは第2の物理アドレスのいずれかに変換し、前記第1の物理アドレスは前記第1のメモリに関連する第1の物理アドレス空間に属し、前記第2の物理アドレスは前記第2のメモリに関連する第2の物理アドレス空間に属することを特徴とする装置。 - 前記第1の物理アドレス空間および第2の物理アドレス空間は各々、前記アドレス空間の2分の1のサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記装置は、基地局、セルラ電話、およびタブレットからなるグループから選択された通信デバイスであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- メモリ半導体ダイ上の物理メモリにアクセスするための、論理半導体ダイ上のメモリ管理ユニットのための方法であって、
単一の中央処理装置によって見られるアドレス空間内のアドレスを、第1の物理アドレス空間内の物理アドレスまたは第2の物理アドレス空間内の物理アドレスのいずれかに変換するステップであって、前記第1の物理アドレス空間および第2の物理アドレス空間は各々、前記アドレス空間の2分の1のサイズを有する、ステップと、
前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、前記メモリ半導体ダイ上の第1のメモリにのみ書き込むステップと、
前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、前記メモリ半導体ダイ上の第2のメモリにのみ書き込むステップと、
前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
第1の機能ユニットによって前記論理半導体ダイ上の第1のインターフェースに前記メモリ半導体ダイ上の第1のインターフェースを結合する第1の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のメモリにのみ書き込むステップであって、前記論理半導体ダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記論理半導体ダイ上の前記第1のインターフェースおよび前記第1の機能ユニットは、前記論理半導体ダイの前記第1の半部分上に形成される、ステップと、
前記第1の機能ユニットとは独立した第2の機能ユニットによって前記論理半導体ダイ上の第2のインターフェースに前記メモリ半導体ダイ上の第2のインターフェースを結合する第2の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のメモリにのみ書き込むステップであって、前記論理半導体ダイ上の前記第2のインターフェースおよび前記第2の機能ユニットは、前記論理半導体ダイの前記第2の半部分上に形成される、ステップとを含み、
前記メモリ半導体ダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記第1のメモリは、前記第1の半部分にあり、前記第2のメモリは、前記第2の半部分にあり、前記第1の相互接続部および前記第2の相互接続部は、電気的に互いに独立しており、
前記方法はさらに、
前記第1の機能ユニットにより前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
前記第1の機能ユニットとは独立した前記第2の機能ユニットにより前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップとを含み、
前記メモリ半導体ダイおよび前記論理半導体ダイは、単一のスタック化パッケージオンパッケージシステムに含まれることを特徴とする方法。 - プロセッサによって実行されるときに方法を実施する命令を記憶した非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、前記方法は、
単一の中央処理装置によって見られるアドレス空間内のアドレスを、第1の物理アドレス空間内の物理アドレスまたは第2の物理アドレス空間内の物理アドレスのいずれかに変換するステップであって、前記第1の物理アドレス空間および第2の物理アドレス空間は各々、前記アドレス空間の2分の1のサイズを有する、ステップと、
前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、メモリ半導体ダイ上の第1のメモリにのみ書き込むステップと、
前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、前記メモリ半導体ダイ上の第2のメモリにのみ書き込むステップと、
前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
第1の機能ユニットによって論理半導体ダイ上の第1のインターフェースに前記メモリ半導体ダイ上の第1のインターフェースを結合する第1の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のメモリにのみ書き込むステップであって、前記論理半導体ダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記論理半導体ダイ上の前記第1のインターフェースおよび前記第1の機能ユニットは、前記論理半導体ダイの前記第1の半部分上に形成される、ステップと、
前記第1の機能ユニットとは独立した第2の機能ユニットによって前記論理半導体ダイ上の第2のインターフェースに前記メモリ半導体ダイ上の第2のインターフェースを結合する第2の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のメモリにのみ書き込むステップであって、前記論理半導体ダイ上の前記第2のインターフェースおよび前記第2の機能ユニットは、前記論理半導体ダイの前記第2の半部分上に形成される、ステップとを含み、
前記メモリ半導体ダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記第1のメモリは、前記第1の半部分にあり、前記第2のメモリは、前記第2の半部分にあり、前記第1の相互接続部および前記第2の相互接続部は、電気的に互いに独立しており、
前記方法はさらに、
前記第1の機能ユニットにより前記メモリ半導体ダイ上の前記第1のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップと、
前記第1の機能ユニットとは独立した前記第2の機能ユニットにより前記メモリ半導体ダイ上の前記第2のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るステップとを含み、
前記メモリ半導体ダイおよび前記論理半導体ダイは、単一のスタック化パッケージオンパッケージシステムに含まれることを特徴とする非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記プロセッサは、メモリ管理ユニットの一部であることを特徴とする請求項5に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。
- スタック化パッケージオンパッケージシステムを含む装置であって、前記スタック化パッケージオンパッケージシステムは、
第1のダイと、
第2のダイと、
前記第1のダイに形成された第1のメモリと、
前記第1のダイに形成された第2のメモリと、
前記第2のダイに形成された、メモリの読取りおよび書込みを管理するためのメモリ管理手段であって、
単一の中央処理装置によって見られるアドレス空間内のアドレスを、第1の物理アドレス空間内の物理アドレスまたは第2の物理アドレス空間内の物理アドレスのいずれかに変換し、前記第1の物理アドレス空間および第2の物理アドレス空間は各々、前記アドレス空間の2分の1のサイズを有し、
前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、前記第1のメモリにのみ書き込み、
前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを、前記第2のメモリにのみ書き込み、
前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取り、
前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取り、
第1の機能ユニットによって前記第2のダイ上の第1のインターフェースに前記第1のダイ上の第1のインターフェースを結合する第1の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記第1のメモリにのみ書き込み、前記第2のダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記第2のダイ上の前記第1のインターフェースおよび前記第1の機能ユニットは、前記第2のダイの前記第1の半部分上に形成され、
前記第1の機能ユニットとは独立した第2の機能ユニットによって前記第2のダイ上の第2のインターフェースに前記第1のダイ上の第2のインターフェースを結合する第2の相互接続部を介して、データ信号を駆動することによって、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを前記第2のメモリにのみ書き込み、前記第2のダイ上の前記第2のインターフェースおよび前記第2の機能ユニットは、前記第2のダイの前記第2の半部分上に形成され、
前記第1のダイは、第1の半部分および第2の半部分を有し、前記第1のメモリは、前記第1の半部分にあり、前記第2のメモリは、前記第2の半部分にあり、前記第1の相互接続部および前記第2の相互接続部は、電気的に互いに独立しており、
前記第1の機能ユニットにより前記第1のダイ上の前記第1のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第1のメモリからのみ、前記第1の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取り、
前記第1の機能ユニットとは独立した前記第2の機能ユニットにより前記第1のダイ上の前記第2のインターフェース上のデータ信号を読み取ることによって、前記第2のメモリからのみ、前記第2の物理アドレス空間内の物理アドレスを有するデータを読み取るためのメモリ管理手段と
を含むことを特徴とする装置。 - 前記装置は、基地局、セルラ電話、およびタブレットからなるグループから選択された通信デバイスであることを特徴とする請求項7に記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261654156P | 2012-06-01 | 2012-06-01 | |
US61/654,156 | 2012-06-01 | ||
US13/752,427 | 2013-01-29 | ||
US13/752,427 US9448947B2 (en) | 2012-06-01 | 2013-01-29 | Inter-chip memory interface structure |
PCT/US2013/043714 WO2013181603A2 (en) | 2012-06-01 | 2013-05-31 | Inter-chip memory interface structure |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015525398A JP2015525398A (ja) | 2015-09-03 |
JP2015525398A5 JP2015525398A5 (ja) | 2016-12-08 |
JP6105720B2 true JP6105720B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=49671774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015515261A Active JP6105720B2 (ja) | 2012-06-01 | 2013-05-31 | チップ間メモリインターフェース構造 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9448947B2 (ja) |
EP (1) | EP2856466B1 (ja) |
JP (1) | JP6105720B2 (ja) |
KR (1) | KR101748329B1 (ja) |
CN (1) | CN104335279B (ja) |
IN (1) | IN2014MN02115A (ja) |
WO (1) | WO2013181603A2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102107147B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2020-05-26 | 삼성전자주식회사 | 패키지 온 패키지 장치 |
KR102144367B1 (ko) * | 2013-10-22 | 2020-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
US9570142B2 (en) * | 2015-05-18 | 2017-02-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus having dice to perorm refresh operations |
US20170118140A1 (en) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | Mediatek Inc. | Network switch having identical dies and interconnection network packaged in same package |
KR20180037556A (ko) | 2016-10-04 | 2018-04-12 | 삼성전자주식회사 | 무선 통신 장치 및 그 제어 방법 |
KR102400101B1 (ko) | 2017-11-03 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | Pop 반도체 패키지 및 그를 포함하는 전자 시스템 |
US10579557B2 (en) * | 2018-01-16 | 2020-03-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Near-memory hardened compute blocks for configurable computing substrates |
KR20190087893A (ko) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 삼성전자주식회사 | 클럭을 공유하는 반도체 패키지 및 전자 시스템 |
KR102674550B1 (ko) | 2019-10-07 | 2024-06-13 | 삼성전자주식회사 | 온-다이 미러링 기능을 갖는 메모리 칩 및 그것을 테스트하는 방법 |
US11797229B2 (en) * | 2020-07-02 | 2023-10-24 | Micron Technology, Inc. | Multiple register clock driver loaded memory subsystem |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5945886A (en) * | 1996-09-20 | 1999-08-31 | Sldram, Inc. | High-speed bus structure for printed circuit boards |
US7352602B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-04-01 | Micron Technology, Inc. | Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method |
JP2008140220A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
US8120958B2 (en) * | 2007-12-24 | 2012-02-21 | Qimonda Ag | Multi-die memory, apparatus and multi-die memory stack |
US7701251B1 (en) | 2008-03-06 | 2010-04-20 | Xilinx, Inc. | Methods and apparatus for implementing a stacked memory programmable integrated circuit system in package |
US7944726B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-05-17 | Intel Corporation | Low power termination for memory modules |
US20100174858A1 (en) | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extra high bandwidth memory die stack |
US8683164B2 (en) | 2009-02-04 | 2014-03-25 | Micron Technology, Inc. | Stacked-die memory systems and methods for training stacked-die memory systems |
US8713248B2 (en) * | 2009-06-02 | 2014-04-29 | Nokia Corporation | Memory device and method for dynamic random access memory having serial interface and integral instruction buffer |
US8296526B2 (en) * | 2009-06-17 | 2012-10-23 | Mediatek, Inc. | Shared memory having multiple access configurations |
US8604593B2 (en) * | 2009-10-19 | 2013-12-10 | Mosaid Technologies Incorporated | Reconfiguring through silicon vias in stacked multi-die packages |
US8472279B2 (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Channel skewing |
US20120137090A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Sukalpa Biswas | Programmable Interleave Select in Memory Controller |
US8400808B2 (en) * | 2010-12-16 | 2013-03-19 | Micron Technology, Inc. | Phase interpolators and push-pull buffers |
JP2013058277A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US20130159587A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Aaron Nygren | Interconnect Redundancy for Multi-Interconnect Device |
-
2013
- 2013-01-29 US US13/752,427 patent/US9448947B2/en active Active
- 2013-05-31 WO PCT/US2013/043714 patent/WO2013181603A2/en active Application Filing
- 2013-05-31 EP EP13729562.2A patent/EP2856466B1/en active Active
- 2013-05-31 KR KR1020147036817A patent/KR101748329B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-31 IN IN2115MUN2014 patent/IN2014MN02115A/en unknown
- 2013-05-31 JP JP2015515261A patent/JP6105720B2/ja active Active
- 2013-05-31 CN CN201380028442.0A patent/CN104335279B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2856466A2 (en) | 2015-04-08 |
KR20150016605A (ko) | 2015-02-12 |
CN104335279A (zh) | 2015-02-04 |
WO2013181603A2 (en) | 2013-12-05 |
JP2015525398A (ja) | 2015-09-03 |
KR101748329B1 (ko) | 2017-06-16 |
IN2014MN02115A (ja) | 2015-09-11 |
WO2013181603A3 (en) | 2014-02-27 |
US20130326188A1 (en) | 2013-12-05 |
US9448947B2 (en) | 2016-09-20 |
EP2856466B1 (en) | 2018-10-24 |
CN104335279B (zh) | 2017-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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