JP6103050B2 - メッキ膜の製造方法 - Google Patents
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Description
1.実施の形態
1−1.メッキ製品の構成
1−2.メッキ膜の製造方法
2.適用例
3.実施例
(1−1.メッキ製品の構成)
図1は、本開示の一実施の形態に係るメッキ製品の断面構成を模式的に表したものである。このメッキ製品10は、被メッキ物としての基体11の上にメッキ膜12が設けられたものであり、例えば熱を直接電気エネルギーに変換する熱電変換素子に用いることができる。メッキ膜12は例えば非水メッキ法により成膜される。
本実施の形態のメッキ膜12の製造方法としては、非水メッキを用いる電解メッキ法(以下、非水メッキ法という。)が好ましい。これは、主たるメッキ溶媒として有機溶剤を用いる手法であり、溶媒として水を用いるメッキ法(以下、水性メッキ法という。)よりも広範囲の種類金属を析出させることができる。これは、非水メッキ法では水またはプロトンに由来する水素ガスが発生しにくいので、酸化還元電位の著しく卑な金属(例えばアルカリ金属およびアルカリ土類金属)でも析出させることができるからである。さらに、非水メッキ法では、水に由来する酸素や溶存酸素の存在により水性メッキ法では析出させられないアルミニウム,チタン,タリウム,ニオブ,バナジウム等の酸素と親和性が高い金属も析出させることができる。また、非水メッキ法では、メッキ溶媒としてプロトン性が低い溶媒を選択することにより、気泡の発生によるメッキ面へのピンホール発生を抑えることができる。高電圧(例えば10V以上)を印加してもカソード電極における水素の発生が起こりにくいからである。さらに、非水メッキ法では、複数の有機溶剤を混合することによりメッキ溶媒の性質を制御することができる。これにより、メッキ膜の特性を制御するあたり、その自由度が向上する。
Bi(NO3)3・5H2O + K2TeO3 → 6K+ + 6NO3 - + Bi2(TeO3)3↓
この場合、使用する有機溶媒を変える、2種類以上の有機溶媒を混合する、あるいは水を添加する、などの方法のほか、上述したように高配位性の化合物(配位子)を配合して塩を溶解させる方法を取ることもできる。配位子としては上記した有機溶媒の中でも特に極性が大きなもののほか、高配位性の液体または個体の化合物で有機溶媒に溶解するもの、などを用いることができる。好適に用いられるものとしては、含窒素有機溶剤として挙げたエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのほか、ヒドロキシ酸なども挙げることができる。
表記実施の形態において説明したメッキ膜12を設けたメッキ製品10は、先に述べたように、例えば熱電変換素子に用いることができる。
以下、本開示の実施例具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
エチレングリコール(メッキ溶媒)100mlに硝酸ビスマス・五水和物1.9g、亜テルル酸カリウム1.0gを入れ、室温で撹拌した。白色沈殿が生じたところでトリエタノールアミン2.0gを加えて撹拌し、完全に溶解してメッキ液とした。このメッキ液を、アノード電極32(白金板、64mm×64mm)およびカソード電極33(銅板、64mm×64mm)を取り付けたガラス製の容器に入れ、室温において回転子で撹拌した。ここで、基体11としてのカソード電極33の上に直接、メッキを行う方法を取った。アノード電極32には非溶解性電極である白金板を用いた。印加する電圧は、図4の交流波形において、図4に示した各パラメータを表1に示した数値に設定した。実験例1−1〜1−3の条件下、それぞれ室温で30分間に亘って電圧を印加した結果、銀光沢を有するメッキ膜12を得た。
(1)
基体と、メッキ溶媒としての有機溶剤にBiおよびTeを溶解させたメッキ溶液とを用意することと、
前記メッキ溶液に浸漬された一対の電極間に電圧を印加することにより、前記基体上にメッキ膜を形成することと
を含む
メッキ膜の製造方法。
(2)
前記メッキ溶液として、SbおよびSeのうちの少なくとも一方を前記有機溶剤に溶解させたものを用いる
上記(1)記載のメッキ膜の製造方法。
(3)
前記メッキ溶液として、前記有機溶剤にBi(NO3 )3 ・5H2 OおよびK2 TeO3 を溶解させる
上記(1)または(2)に記載のメッキ膜の製造方法。
(4)
前記メッキ溶液として、前記有機溶剤に
KSb(OH)6 ,C8 H10 K2 O15 Sb2 ,K2 SeO3 ,およびK2 SeO4のうちの1種以上をさらに溶解させる
上記(1)から(3)のいずれか1に記載のメッキ膜の製造方法。
(5)
前記メッキ溶液に、水、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ヒドロキシ酸、クラウンエーテルおよびエチレンジアミン四酢酸(EDTA)のうちの1種以上をさらに添加する
上記(1)から(4)のいずれか1に記載のメッキ膜の製造方法。
(6)
前記電圧として交流電圧を印加する
上記(1)から(5)のいずれか1に記載のメッキ膜の製造方法。
(7)
Cu,AgおよびAlからなる群から選択される1以上の元素を含む基体と、
前記基体上に設けられ、BiおよびTeを含むメッキ膜と
を有するメッキ製品。
(8)
前記メッキ膜は、SbおよびSeのうちの少なくとも一方を含む
上記(7)記載のメッキ製品。
Claims (5)
- 基体と、メッキ溶媒としての有機溶剤にBi(ビスマス)およびTe(テルル)を溶解させたメッキ溶液とを用意することと、
前記メッキ溶液に浸漬された一対の電極間に交流電圧を印加することにより、前記基体上にメッキ膜を形成することと
を含み、
前記メッキ溶液に、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ヒドロキシ酸、クラウンエーテルおよびエチレンジアミン四酢酸(EDTA)のうちの1種以上をさらに添加し、
前記メッキ膜を形成する際に、前記交流電圧の周波数を調整することにより、前記メッキ膜におけるBiとTeとの存在比率を調整する
メッキ膜の製造方法。 - 前記メッキ溶液として、Sb(アンチモン)およびSe(セレン)のうちの少なくとも一方を前記有機溶剤に溶解させたものを用いる
請求項1記載のメッキ膜の製造方法。 - 前記メッキ溶液として、前記有機溶剤にBi(NO3)3・5H2OおよびK2TeO3を溶解させる
請求項1記載のメッキ膜の製造方法。 - 前記メッキ溶液として、前記有機溶剤にKSb(OH)6,C8H10K2O15Sb2,K2SeO3,およびK2SeO4のうちの1種以上をさらに溶解させる
請求項2記載のメッキ膜の製造方法。 - 前記電圧として交流電圧を印加する
請求項1記載のメッキ膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013106460 | 2013-05-20 | ||
JP2013106460 | 2013-05-20 | ||
PCT/JP2014/061239 WO2014188834A1 (ja) | 2013-05-20 | 2014-04-22 | メッキ膜の製造方法およびメッキ製品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014188834A1 JPWO2014188834A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6103050B2 true JP6103050B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=51933398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015518163A Active JP6103050B2 (ja) | 2013-05-20 | 2014-04-22 | メッキ膜の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6103050B2 (ja) |
WO (1) | WO2014188834A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6650136B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2020-02-19 | 学校法人神奈川大学 | フレキシブル熱電変換部材の作製方法 |
DE102016217419A1 (de) * | 2016-09-13 | 2018-03-15 | Leibniz-Institut Für Festkörper-Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Elektrolyte für die elektrochemische Abscheidung von thermoelektrischen Materialien |
CN117051455B (zh) * | 2023-10-11 | 2024-01-09 | 宁波德洲精密电子有限公司 | 一种ic引线框架镀锡除胶工艺方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0663110B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1994-08-17 | 上村工業株式会社 | ビスマス―錫合金電気のめっき浴 |
JPH05271995A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-19 | Imura Japan Kk | Bi−Te系合金薄膜の製造方法 |
JPH1070317A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Citizen Watch Co Ltd | ビスマス・アンチモン・テルル化合物熱電半導体の製造方法 |
JP2001262391A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Ishihara Chem Co Ltd | スズ−銅系合金メッキ浴並びに当該皮膜を形成した電子部品 |
US7442286B2 (en) * | 2004-02-26 | 2008-10-28 | Atotech Deutschland Gmbh | Articles with electroplated zinc-nickel ternary and higher alloys, electroplating baths, processes and systems for electroplating such alloys |
JP4524483B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-08-18 | 石原薬品株式会社 | スズ又はスズ合金メッキ方法 |
CA2725579A1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Xtalic Corporation | Coated articles and related methods |
-
2014
- 2014-04-22 JP JP2015518163A patent/JP6103050B2/ja active Active
- 2014-04-22 WO PCT/JP2014/061239 patent/WO2014188834A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014188834A1 (ja) | 2017-02-23 |
WO2014188834A1 (ja) | 2014-11-27 |
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