CN110556481B - 一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 - Google Patents
一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110556481B CN110556481B CN201910886038.6A CN201910886038A CN110556481B CN 110556481 B CN110556481 B CN 110556481B CN 201910886038 A CN201910886038 A CN 201910886038A CN 110556481 B CN110556481 B CN 110556481B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead
- tin
- perovskite
- layer
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用,所述铅锡共混钙钛矿层是在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入稳定剂制得,所述稳定剂为金属还原剂。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中添加还原性金属粉,有效的抑制了铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中二价锡离子的氧化,改善了铅锡共混钙钛矿层的质量,降低缺陷态密度,从而提高太阳能电池的光电转化效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种高质量铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用。
背景技术
太阳能是一种可再生的清洁能源,对于人类的可持续发展具有重要的意义,而太阳能电池可直接将太阳能转化为电能,光电转换效率、制备成本是决定其工业化应用的关键因素。
钙钛矿型太阳能电池(perovskite solar cells),是利用钙钛矿型的有机-无机杂化金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池,属于第三代太阳能电池。有机—无机杂化钙钛矿太阳能电池因具有低成本、易制备和优异的光电转化性能等优点而在国际上备受关注,并且发展迅速,电池转化效率已从2009 年的3.8%提升到2019年的25.2%,钙钛矿材料也被认为是下一代低成本太阳能电池的光吸收材料。
为了让钙钛矿电池获得更高的光电转换效率,基于钙钛矿的叠层电池是突破效率极限的最有效途径。在钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池中,通过使用宽带隙的钙钛矿作为顶电池吸收短波长部分的太阳光,使用窄带隙的钙钛矿作为底电池吸收长波长部分的太阳光,提高太阳光谱的利用率,降低单结电池中载流子的热弛豫损失,从而提高光电转换效率。
全钙钛矿叠层太阳能电池是很受关注的下一代钙钛矿太阳能电池。然而,目前全钙钛矿太阳能电池的效率严重受限于窄带隙钙钛矿太阳能电池。这是由于窄带隙钙钛矿太阳能电池通常为铅锡共混材料,这种材料容易被氧化,导致铅锡共混钙钛矿的质量不高,严重的影响了太阳能电池的转化效率。
发明内容
本发明的目的是针对现有铅锡共混钙钛矿太阳能电池光电转换效率较低,钙钛矿薄膜质量较差的问题,提供一种高质量铅锡共混钙钛矿层制备方法,通过在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入金属还原剂,以提高铅锡共混钙钛矿薄膜质量,减少钙钛矿的缺陷密度,提高电池光电转化的效率。
为了实现上述发明目的,本发明采用以下技术手段:
一种铅锡共混钙钛矿层,是在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入稳定剂制得,所述稳定剂为金属还原剂。
进一步地,所述金属还原剂包括但不仅限于锡、镉、锌或铅中的一种或几种。
上述铅锡共混钙钛矿层的制备方法,包括以下步骤:
步骤1,按常规方法制备铅锡共混钙钛矿前驱体溶液;
步骤2,在所述铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入金属还原剂,充分搅拌并过滤;
步骤3,将步骤2得到的混合溶液采用旋涂、刮涂或喷涂任一种加工方式制备得到铅锡共混钙钛矿层。
上述铅锡共混钙钛矿层在钙钛矿太阳能电池中的应用。
一种钙钛矿太阳能电池,包括衬底,依次设置在所述衬底上的空穴传输层、上述铅锡共混钙钛矿层、电子传输层和金属电极。
其中,铅锡共混钙钛矿层厚度为300nm-1500nm,优选为600-900nm。
一种钙钛矿太阳能电池,包括衬底,依次设置在所述衬底上的电子传输层、上述铅锡共混钙钛矿层、空穴传输层和金属电极。
其中,铅锡共混钙钛矿层厚度为300nm-1500nm,优选为600-900nm。
有益效果:与现有技术相比,本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中添加还原性金属粉,有效的抑制了铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中二价锡离子的氧化,改善了铅锡共混钙钛矿的质量,降低缺陷态密度,从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。
附图说明
图1为本发明的正式结构铅锡共混钙钛矿太阳能电池的结构图。
图2为本发明的反式结构铅锡共混钙钛矿太阳能电池的结构图。
图3为实施例1中铅锡共混钙钛矿太阳能电池的结构图。
图4为实施例1中铅锡共混钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
针对铅锡共混钙钛矿太阳能电池光电转换效率较低,钙钛矿薄膜质量较差的问题,本发明通过在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入金属还原剂作为稳定剂,抑制二价锡离子(Sn2+)的氧化,同时将前驱体溶液中四价锡离子(Sn4+)还原成Sn2+,以提高铅锡共混钙钛矿太阳能电池的效率。
在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中添加的金属还原剂,优先选用还原性金属粉末,比如锡、镉、锌和铅粉等,但不限于上述所列的金属粉末。
添加的金属还原性粉末可对Sn4+发生还原反应,该反应可以记作:Sn4++M=Sn2++M2+,其中M为金属。该反应的标准氧化还原电位Eo要大于0,表现出负的吉布斯能ΔGo=-nFEo<0。其中n为该化学反应中电子转移数目,F为法拉第常数。
在制备铅锡共混机钙钛矿层前,将还原性金属粉末加至铅锡共混钙钛矿前驱体溶液后,需要充分搅拌,将前驱体溶液中的Sn4+全部还原为Sn2+,然后将溶液过滤,除去多余的还原性金属粉末,以避免过量还原剂的残留。之后,将过滤的前驱体溶液采用旋涂、刮涂或喷涂中的任意一种加工方式即可制备铅锡共混钙钛矿层,在所述旋涂、刮涂或喷涂过程中还可进行反溶剂萃取的步骤。
将上述铅锡共混钙钛矿层作为光吸收层应用到钙钛矿太阳能电池中,可以得到正式结构钙钛矿太阳能电池和反式结构钙钛矿太阳能电池,光吸收层的厚度为300-1500nm,优选厚度为600-900nm。如图1所示,正式结构包括透明导电衬底1,以及依次设置在所述衬底上的空穴传输层2、钙钛矿吸光层3、电子传输层4和金属电极5;如图2所示,反式结构包括透明导电衬底1,以及依次设置在所述衬底上的电子传输层2、钙钛矿吸光层3、空穴传输层4和金属电极5。
在钙钛矿太阳能电池中,光吸收层为ABX3,其中A位可以是铯离子(Cs+),甲胺离子(MA+)和甲醚离子(FA+)中的任何一种或两种或者三种的任意比例混合。其中B位是铅离子(Pb2+)和锡离子(Sn2+)共混,并且Sn2+所占金属离子的比例可以是10%到90%中的任何比例。其中X位可以是碘离子(I-),溴离子(Br-)和氯离子(Cl-)中的任何一种或两种或者三种的任意比例混合。
本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中添加还原性金属粉,有效的抑制了铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中二价锡离子的氧化,改善了铅锡共混钙钛矿的质量,降低缺陷态密度,提高钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。
实施例1
如图3所示,本实施例提供的高性能铅锡共混钙钛矿太阳能电池的结构包括氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底1、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:PSS)空穴传输层2、还原后的铅锡共混钙钛矿光吸收层3、富勒烯(C60)/ 2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)电子传输层4和金属铜Cu电极5。
上述高性能铅锡共混隙钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:
(1)利用混合ITO清洗液的去离子水擦洗ITO透明导电衬底,之后用去离子,丙酮,异丙醇,等各超声30min,获得清洗干净的ITO透明导电衬底。
(2)将清洗干净的ITO透明导电衬底用N2气枪吹干净并用紫外臭氧预处理15-20min。
(3)在用紫外臭氧预处理完的ITO透明导电衬底上制备一层40-50nm的PEDOT:PSS作为空穴传输层。在150℃的热板上退火20min。将做好传输层的衬底储存在氮气或者氩气等惰性气体的手套箱中。
(4)在氮气或者氩气等惰性气体的手套箱中按摩尔比称量MA0.3FA0.7Pb0.5Sn0.5I3的钙钛矿前驱体,溶解在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的混合溶液中,配制成浓度为1.8M的铅锡共混钙钛矿前驱体溶液,DMF和DMSO的体积比为3:1。在配置的一定浓度的前驱体溶液中加入10%摩尔比的还原性物质Sn粉,搅拌10 min进行反应,静置沉淀后并用孔径为0.22 μm的PTFE过滤头过滤。
反应为:Sn4++Sn=2Sn2+,该反应的标准氧化还原电位Eo=0.29 V,表现出负的吉布斯能ΔGo=-nFEo<0。
(5)在手套箱里,利用一步旋涂法,4000 r/min旋转40 s,通过在最后20 s滴加200μL的乙酸乙酯(EA)作为反溶剂制备钙钛矿吸光层,并在100℃的热板上退火10 min,获得结晶后的钙钛矿吸光层。
(7)在手套箱里,利用热蒸镀的方法,在高真空环境中在和获得的钙钛矿光吸收层上蒸发20 nm厚的C60之后再蒸发7 nm厚的BCP,最后再热蒸镀一层150 nm的铜作为金属电极。
(8)在手套箱里,将制备好的铅锡共混钙钛矿太阳能电池进行测试封装。
图4展示了在光强为100 mW/cm2条件下,测试的不含和含有锡粉还原的铅锡共混钙钛矿太阳能电池的电流密度-电压曲线。电池的有效面积为0.072 cm2。测试结果表明,未经锡粉还原的铅锡共混隙钙钛矿太阳能电池的光电转化效率为18.3%,经过锡粉还原的铅锡共混隙钙钛矿太阳能电池的光电转化效率为21.1%。说明添加了锡粉还原的铅锡共混隙钙钛矿太阳能电池有更高的光电转换效率,显著的提高了太阳能电池的短路电流,提高了开路电压和填充因子。
Claims (4)
1.一种铅锡共混钙钛矿层,其特征在于:所述铅锡共混钙钛矿层在铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入金属还原剂制得,所述金属还原剂选自锡、镉、锌或铅中的一种或几种;
所述铅锡共混钙钛矿层为ABX3,其中A位为甲胺离子MA+或甲脒离子FA+中的一种或两种的混合,B位为铅离子Pb+和锡离子Sn2+共混,并且锡离子Sn2+所占金属离子的比例为10%-90%, X位为碘离子I-、溴离子Br-和氯离子Cl-中的一种或两种或者三种的混合;
所述铅锡共混钙钛矿层由以下方法制备得到:
步骤1,按常规方法制备铅锡共混钙钛矿前驱体溶液;
步骤2,在所述铅锡共混钙钛矿前驱体溶液中加入金属还原剂,充分搅拌并过滤;
步骤3,将步骤2得到的混合溶液采用旋涂、刮涂或喷涂任一种加工方式制备得到铅锡共混钙钛矿层。
2.权利要求1所述的铅锡共混钙钛矿层在钙钛矿太阳能电池中的应用。
3.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括衬底,依次设置在所述衬底上的空穴传输层、权利要求1所述的铅锡共混钙钛矿层、电子传输层和金属电极。
4.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括衬底,依次设置在所述衬底上的电子传输层、权利要求1所述的铅锡共混钙钛矿层、空穴传输层和金属电极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910886038.6A CN110556481B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910886038.6A CN110556481B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110556481A CN110556481A (zh) | 2019-12-10 |
CN110556481B true CN110556481B (zh) | 2021-09-28 |
Family
ID=68740761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910886038.6A Active CN110556481B (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110556481B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111446375B (zh) * | 2020-03-09 | 2023-05-23 | 浙江师范大学 | 苯二酚修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN113725364A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-30 | 华南师范大学 | 氢碘酸修饰的锡铅混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204834634U (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-02 | 辽宁工业大学 | 一种锡铅钙钛矿结构的太阳能电池 |
CN105244444A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-01-13 | 石家庄铁道大学 | 一种钙钛矿太阳能电池光电转换层的制备方法 |
CN105523580A (zh) * | 2014-09-28 | 2016-04-27 | 上海造孚新材料科技有限公司 | 一种钙钛矿型化合物的制备方法 |
CN106711338A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-24 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 一种锡基钙钛矿薄膜、制备方法及其太阳能电池器件 |
CN109728167A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-07 | 浙江师范大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
-
2019
- 2019-09-19 CN CN201910886038.6A patent/CN110556481B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105523580A (zh) * | 2014-09-28 | 2016-04-27 | 上海造孚新材料科技有限公司 | 一种钙钛矿型化合物的制备方法 |
CN204834634U (zh) * | 2015-06-26 | 2015-12-02 | 辽宁工业大学 | 一种锡铅钙钛矿结构的太阳能电池 |
CN105244444A (zh) * | 2015-11-06 | 2016-01-13 | 石家庄铁道大学 | 一种钙钛矿太阳能电池光电转换层的制备方法 |
CN106711338A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-24 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 一种锡基钙钛矿薄膜、制备方法及其太阳能电池器件 |
CN109728167A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-05-07 | 浙江师范大学 | 一种钙钛矿太阳能电池 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"High efficiency planar Sn–Pb binary perovskite solar cells: controlled growth of large grains via a one-step solution fabrication process";Lingang Li et al.;《Journal of Materials Chemistry C》;20170125;第5卷(第9期);2360-2367 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110556481A (zh) | 2019-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Roose et al. | Mesoporous SnO2 electron selective contact enables UV-stable perovskite solar cells | |
Benesperi et al. | The researcher's guide to solid-state dye-sensitized solar cells | |
Shahiduzzaman et al. | The benefits of ionic liquids for the fabrication of efficient and stable perovskite photovoltaics | |
Ma et al. | MgO nanoparticle modified anode for highly efficient SnO2‐based planar perovskite solar cells | |
Luo et al. | Novel approach toward hole-transporting layer doped by hydrophobic Lewis acid through infiltrated diffusion doping for perovskite solar cells | |
Wang et al. | Spectrum-dependent spiro-OMeTAD oxidization mechanism in perovskite solar cells | |
Cheng et al. | Phenoxazine-Based Small Molecule Material for Efficient Perovskite Solar Cells and Bulk Heterojunction Organic Solar Cells. | |
KR101571528B1 (ko) | 광전변환효율이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지의 제조방법 | |
Im et al. | Performance improvement of Sb 2 S 3-sensitized solar cell by introducing hole buffer layer in cobalt complex electrolyte | |
Han et al. | Cesium iodide interface modification for high efficiency, high stability and low hysteresis perovskite solar cells | |
CN106025085A (zh) | 基于Spiro-OMeTAD/CuXS复合空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
Kim et al. | Power output stabilizing feature in perovskite solar cells at operating condition: Selective contact-dependent charge recombination dynamics | |
Jo et al. | Development of organic-inorganic double hole-transporting material for high performance perovskite solar cells | |
Deng et al. | All room-temperature processing efficient planar carbon-based perovskite solar cells | |
Cao et al. | Bottom-contact passivation for high-performance perovskite solar cells using TaCl5-doped SnO2 as electron-transporting layer | |
Hwang et al. | Quasi-solid state electrolyte for semi-transparent bifacial dye-sensitized solar cell with over 10% power conversion efficiency | |
Wang et al. | Influence of a compact CdS layer on the photovoltaic performance of perovskite-based solar cells | |
Cui et al. | Improved performance using a plasticized polymer electrolyte for quasi-solid state dye-sensitized solar cells | |
Chen et al. | CsBr interface modification to improve the performance of perovskite solar cells prepared in ambient air | |
CN110556481B (zh) | 一种铅锡共混钙钛矿层及其制备方法和应用 | |
Tao et al. | Efficiency enhancement of perovskite solar cells by forming a tighter interface contact of C/CH3NH3PbI3 | |
Wang et al. | A highly stable hole-conductor-free CsxMA1-xPbI3 perovskite solar cell based on carbon counter electrode | |
Guan et al. | Employing tetraethyl orthosilicate additive to enhance trap passivation of planar perovskite solar cells | |
Zhao et al. | Controlled reaction for improved CH 3 NH 3 PbI 3 transition in perovskite solar cells | |
Kaltzoglou et al. | Stress tests on dye-sensitized solar cells with the Cs2SnI6 defect perovskite as hole-transporting material |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220825 Address after: Factory No. 5, Standard Factory Building, Industrial Village, No. 300 Qingchengshan Road, High-tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province, 215011 Patentee after: Renshuo Solar Energy (Suzhou) Co.,Ltd. Address before: 210093 No. 22, Hankou Road, Gulou District, Jiangsu, Nanjing Patentee before: NANJING University |
|
TR01 | Transfer of patent right |