CN117051455B - 一种ic引线框架镀锡除胶工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，涉及镀锡工艺技术领域，包括如下步骤：步骤S1、采用软胶剂进行浸泡软胶，步骤S2、预处理，步骤S3、预浸、电镀锡，步骤S4、后处理。所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30‑60份、润湿剂5‑10份、渗透剂8‑12份、表面活性剂3‑5份、3‑三羟甲基甲胺‑2‑羟基丙磺酸5‑8份、茶多酚壳聚糖纳米粒1‑3份。该工艺方法镀锡除胶效果好，形成的镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳。

Description

一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法
技术领域
本发明涉及镀锡工艺技术领域，尤其涉及一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法。
背景技术
集成电路（IC）引线框架是支撑芯片的载体，作为导电介质连接IC内外部电路，传送电信号，并与气密封接材料一起，向外散发芯片工作时产生的热量，是IC中极为关键的零部件，也是半导体和集成电路产品赖以生存的结构材料。随着电子信息技术的不断发展，促使集成电路（IC）引线框架需求高速增长，对其电镀锡工艺也在推陈出新。
IC引线框架环氧封装后会有溢胶残留在引线脚和散热片上，需要在后续的镀锡之前去除干净。如果溢胶去除不干净，会直接影响后续的镀锡效果和形成的镀锡层的表面质量。可见，开发一种有效的IC引线框架镀锡除胶工艺方法显得尤为重要。
现有的IC引线框架镀锡除胶工艺方法或多或少存在着除胶不干净，会有残留，影响产品的性能，劳动强度大且效率低下，镀锡效果不理想，形成的镀锡层与IC引线框架结合力不强，可焊性、表面质量均有待进一步提高等技术缺陷。
为了解决上述技术缺陷，申请号为202010682081.3的中国发明专利文献公开了一种引线框架合金表面电镀锡工艺，所述引线框架合金表面电镀锡工艺包括前处理、电镀液制备和镀锡过程。该发明引线框架合金表面电镀锡工艺，首先利用前处理液对清洗后的引线框架合金进行前处理，提高引线框架合金表面活性和电镀效果，再有电镀液中不添加铜离子，可以阻止锡须生成，可明显增强镀锡层的稳定性。然而，该工艺不包括除胶环节，且由于电镀液配方原因，易造成电镀锡效果有待进一步改善。
可见，开发一种镀锡除胶效果好，形成的镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳的IC引线框架镀锡除胶工艺方法符合市场需求，具有广泛的市场的价值和应用前景，对促进IC引线框架镀锡除胶技术的发展具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种镀锡除胶效果好，形成的镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳的IC引线框架镀锡除胶工艺方法。
为达到以上目的，本发明提供一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理10-20min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30-60份、润湿剂5-10份、渗透剂8-12份、表面活性剂3-5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸5-8份、茶多酚壳聚糖纳米粒1-3份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
优选的，步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为80-90℃，使用的超声波的频率为800-1500kHZ。
优选的，所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
优选的，所述润湿剂为润湿剂P-40、润湿剂OT100、润湿剂SURFYNOL SE中的至少一种；所述渗透剂为JFC、JFC-1、JFC-2或JFC-3中的一种或几种的组合物。
优选的，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯中的一种或几种。
优选的，所述茶多酚壳聚糖纳米粒的来源无特殊要求，在本发明的一个实施例中，所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
优选的，步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐20-35g/L、酸80-110g/L、咖啡酸1-3g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸4-6g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷3-5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠5-8g/L、表面活性剂1-3g/L、抗氧化剂2-4g/L、络合剂4-6g/L、光亮剂2-4g/L。
优选的，所述锡盐为甲基磺酸锡、氯化亚锡、硫酸亚锡中的至少一种。
优选的，所述酸为硫酸、甲基磺酸、乙基磺酸、苯甲酸中的至少一种。
优选的，所述表面活性剂为Plurafac SL-62、Plurafac S-305LF、Synfac 8216、Synfac 8120中的一种或多种的混合；所述抗氧化剂为间苯二酚、甲酚、萘酚、抗坏血酸中的至少一种。
优选的，所述络合剂为草酸钠、柠檬酸钠、苹果酸钠、酒石酸钠中的至少一种；所述光亮剂为戊二醛、磺基水杨酸、2-羟基-1萘甲醛中的至少一种。
优选的，步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为10～30℃，电流密度为3～5A/dm2，电镀时间为20～40min。
优选的，步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为800-1500kHZ，时间为5-8min。
优选的，步骤S4中所述烘烤的温度为140-160℃，烘烤时间为110-160min。
由于上述技术方案的运用，本发明具有以下有益效果：
（1）本发明公开的IC引线框架镀锡除胶工艺方法，简单易行，操作控制方便，能安全、快捷、高效地实现IC引线框架表面镀锡，耗能低，对设备依赖性小，适于连续规模化生产，具有较高的推广应用价值。
（2）本发明公开的IC引线框架镀锡除胶工艺方法，依次包括浸泡软胶、三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗、干燥、预浸、电镀锡、三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤和检验步骤，通过各步骤先后顺序的合理选取，相互配合，使得该工艺能安全、快捷、高效地进行镀锡除胶，且镀锡除胶效果好，形成的镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳。
（3）本发明公开的IC引线框架镀锡除胶工艺方法，采用的软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30-60份、润湿剂5-10份、渗透剂8-12份、表面活性剂3-5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸5-8份、茶多酚壳聚糖纳米粒1-3份；通过各组分之间的相互配合作用，使得该软胶基在高温环境下能由溢料表面逐渐渗透破坏环氧键，达到软化效果，让溢胶和胶膜与IC框架金属界面分离；且通过各组分之间的相互作用，使得制成的软胶剂对IC框架金属不会产生腐蚀和划伤，同时环保性和使用安全性好。
（4）本发明公开的IC引线框架镀锡除胶工艺方法，步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐20-35g/L、酸80-110g/L、咖啡酸1-3g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸4-6g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷3-5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠5-8g/L、表面活性剂1-3g/L、抗氧化剂2-4g/L、络合剂4-6g/L、光亮剂2-4g/L；通过电镀液中各组分配方的合理选取，使得各组分之间能够更好地相互配合共同作用，进而改善电镀效果，使得形成的电镀锡层与IC引线框架结合力强、可焊性和表面质量佳。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
实施例1
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理10min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30份、润湿剂5份、渗透剂8份、表面活性剂3份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸5份、茶多酚壳聚糖纳米粒1份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为80℃，使用的超声波的频率为800kHZ；所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺；所述润湿剂为润湿剂P-40；所述渗透剂为JFC；所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚；所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐20g/L、酸80g/L、咖啡酸1g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸4g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷3g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠5g/L、表面活性剂1g/L、抗氧化剂2g/L、络合剂4g/L、光亮剂2g/L。
所述锡盐为甲基磺酸锡；所述酸为硫酸；所述表面活性剂为Plurafac SL-62；所述抗氧化剂为间苯二酚；所述络合剂为草酸钠；所述光亮剂为戊二醛。
步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为10℃，电流密度为3A/dm2，电镀时间为20min；步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为800kHZ，时间为5min。
步骤S4中所述烘烤的温度为140℃，烘烤时间为110min。
实施例2
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理13min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂40份、润湿剂6份、渗透剂9份、表面活性剂3.5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸6份、茶多酚壳聚糖纳米粒1.5份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为83℃，使用的超声波的频率为1000kHZ；所述有机溶剂为N,N-二甲基乙酰胺；所述润湿剂为润湿剂OT100；所述渗透剂为JFC-1；所述表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯醚；所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐25g/L、酸90g/L、咖啡酸1.5g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸4.5g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷3.5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠6g/L、表面活性剂1.5g/L、抗氧化剂2.5g/L、络合剂4.5g/L、光亮剂2.5g/L；所述锡盐为氯化亚锡；所述酸为甲基磺酸；所述表面活性剂为Plurafac S-305LF；所述抗氧化剂为甲酚；所述络合剂为柠檬酸钠；所述光亮剂为磺基水杨酸。
步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为15℃，电流密度为3.5A/dm2，电镀时间为25min；步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为1100kHZ，时间为6.5min。
步骤S4中所述烘烤的温度为145℃，烘烤时间为120min。
实施例3
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理15min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂45份、润湿剂7.5份、渗透剂10份、表面活性剂4份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸6.5份、茶多酚壳聚糖纳米粒2份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为85℃，使用的超声波的频率为1250kHZ；所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮；所述润湿剂为润湿剂SURFYNOL SE；所述渗透剂为JFC-2；所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯；所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐29g/L、酸95g/L、咖啡酸2g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸5g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷4g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠6.5g/L、表面活性剂2g/L、抗氧化剂3g/L、络合剂5g/L、光亮剂3g/L；所述锡盐为硫酸亚锡；所述酸为乙基磺酸；所述表面活性剂为Synfac 8216；所述抗氧化剂为萘酚；所述络合剂为苹果酸钠；所述光亮剂为2-羟基-1萘甲醛。
步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为20℃，电流密度为4A/dm2，电镀时间为30min；步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为1300kHZ，时间为6.5min。
步骤S4中所述烘烤的温度为150℃，烘烤时间为130min。
实施例4
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理18min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂55份、润湿剂9份、渗透剂11份、表面活性剂4.5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸7.5份、茶多酚壳聚糖纳米粒2.5份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为88℃，使用的超声波的频率为1400kHZ；所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮按质量比1:3:2混合形成的混合物；所述润湿剂为润湿剂P-40、润湿剂OT100、润湿剂SURFYNOL SE按质量比1:3:5混合形成的混合物；所述渗透剂为JFC、JFC-1、JFC-2、JFC-3按质量比1:1:3:2混合形成的混合物；所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯按质量比2:1:3混合形成的混合物；所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐33g/L、酸105g/L、咖啡酸2.5g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸5.5g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷4.5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠7.5g/L、表面活性剂2.5g/L、抗氧化剂3.5g/L、络合剂5.5g/L、光亮剂3.5g/L。
所述锡盐为甲基磺酸锡、氯化亚锡、硫酸亚锡按质量比1:3:5混合形成的混合物；所述酸为硫酸、甲基磺酸、乙基磺酸、苯甲酸按质量比1:2:1:2混合形成的混合物；所述表面活性剂为Plurafac SL-62、Plurafac S-305LF、Synfac 8216、Synfac 8120按质量比1:1:2:3混合形成的混合物；所述抗氧化剂为间苯二酚、甲酚、萘酚、抗坏血酸按质量比2:3:2:1混合形成的混合物；所述络合剂为草酸钠、柠檬酸钠、苹果酸钠、酒石酸钠按质量比1:1:2:2混合形成的混合物；所述光亮剂为戊二醛、磺基水杨酸、2-羟基-1萘甲醛按质量比1:3:5混合形成的混合物。
步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为25℃，电流密度为4.5A/dm2，电镀时间为35min；步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为1400kHZ，时间为7.5min。
步骤S4中所述烘烤的温度为155℃，烘烤时间为150min。
实施例5
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理20min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂60份、润湿剂10份、渗透剂12份、表面活性剂5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸8份、茶多酚壳聚糖纳米粒3份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可。
步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为90℃，使用的超声波的频率为1500kHZ；所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺；所述润湿剂为润湿剂P-40；所述渗透剂为JFC-3；所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚；所述茶多酚壳聚糖纳米粒是按申请号为201110037219.5的中国发明专利实施例1中纳米粒2的方法制成。
步骤S3中所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐35g/L、酸110g/L、咖啡酸3g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸6g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠8g/L、表面活性剂3g/L、抗氧化剂4g/L、络合剂6g/L、光亮剂4g/L；所述锡盐为硫酸亚锡；所述酸为苯甲酸；所述表面活性剂为Synfac 8120；所述抗氧化剂为抗坏血酸；所述络合剂为酒石酸钠；所述光亮剂为2-羟基-1萘甲醛。
步骤S3中所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为30℃，电流密度为5A/dm2，电镀时间为40min；步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为1500kHZ，时间为8min。
步骤S4中所述烘烤的温度为160℃，烘烤时间为160min。
对比例1
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其与实施例1基本相同，不同的是没有添加茶多酚壳聚糖纳米粒和[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸。
对比例2
一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其与实施例1基本相同，不同的是没有添加3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸和咖啡酸。
为了进一步说明本发明各实施例IC引线框架镀锡除胶工艺方法的有益技术效果，对实施例1-5及对比例1-2涉及的IC引线框架镀锡除胶工艺方法中使用的软胶剂、形成的镀锡层进行相关性能测试，测试结果见表1，测试方法如下：
腐蚀性测试：选用底材是引线框架C19400，蘸取相同量的的软胶剂滴到底材上，观察底材的腐蚀情况。假设a＝底材泛白或鼓起的范围/料液滴到底材的范围。若a≤2.5％，则判定为无影响；若2.5％＜a≤10％，则判定为轻度腐蚀；若10％＜a≤30％，则判定为中度腐蚀；若a＞30％，则判定为重度腐蚀。
参见中国发明专利CN112853413B测试镀锡层相关性能进行测试。其中，对于可焊性，若焊接牢固，焊点光滑，焊接处镀层无起泡脱落现象，证明镀锡层可焊性OK，否则NG。
表1
从表1可见，本发明实施例公开的IC引线框架镀锡除胶工艺方法使用的软胶剂对IC引线框架基材腐蚀性无影响，形成的镀锡层与IC引线框架的结合力、可焊性和外观质量均较对比例产品优异；茶多酚壳聚糖纳米粒、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸和咖啡酸的加入对改善上述性能有益。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (8)

1.一种IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、浸泡软胶：将待镀引线框架工件浸入软胶剂中在高温下进行超声处理10-20min，干燥后备用；所述软胶剂包括如下按重量份计的各组分：有机溶剂30-60份、润湿剂5-10份、渗透剂8-12份、表面活性剂3-5份、3-三羟甲基甲胺-2-羟基丙磺酸5-8份、茶多酚壳聚糖纳米粒1-3份；
步骤S2、预处理：依次进行三级水洗、水刀去溢料、高速线上料、除油、三级喷洗、去氧化、四级喷洗，干燥后备用；
步骤S3、预浸、电镀锡：将经过步骤S2预处理的工件浸入电镀液中电镀，按化学电镀原理在工件表面沉积出锡镀层，待达到指定时间后取出工件，清理干净工件表面的锡液；所述电镀是以待镀工件作为阴极，采用纯锡棒作为阳极，接通电流，控制电镀温度为10～30℃，电流密度为3～5A/dm2，电镀时间为20～40min；所述电镀液以去离子水为溶剂，其包含以下浓度的组分：锡盐20-35g/L、酸80-110g/L、咖啡酸1-3g/L、[5-(5-氨基咪唑-1-基)-3,4-二羟基-四氢呋喃-2-基]甲氧基膦酸4-6g/L、双(2-羟乙基)氨基(三羟甲基)甲烷3-5g/L、2-(二乙醇胺基)乙磺酸钠5-8g/L、表面活性剂1-3g/L、抗氧化剂2-4g/L、络合剂4-6g/L、光亮剂2-4g/L；所述酸为硫酸、甲基磺酸、乙基磺酸、苯甲酸中的至少一种；
步骤S4、后处理：依次进行三级喷洗、超声波浸洗、三级喷洗、热纯水浸洗、吹风、烘烤，检验合格后即可；
所述茶多酚壳聚糖纳米粒的制备方法，包括如下步骤：首先将10mg分子量为20万的壳聚糖溶于5ml体积分数为0.3％的醋酸水溶液中，隔夜充分溶胀；将壳聚糖溶液和含有5mg/ml茶多酚水溶液混合，在室温磁力搅拌下，并将1mg/ml 三聚磷酸钠水溶液缓慢滴加到此混合液中，滴加完毕后继续搅拌1h，得到茶多酚纳米粒胶体溶液；取该纳米粒胶体溶液加入乳糖做冻干保护剂，冷冻干燥48h。
2.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，步骤S1中所述在高温下进行超声处理的温度为80-90℃，使用的超声波的频率为800-1500kHZ。
3.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。
4.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，所述润湿剂为润湿剂P-40、润湿剂OT100、润湿剂SURFYNOL SE中的至少一种；所述渗透剂为JFC、JFC-1、JFC-2或JFC-3中的一种或几种的组合物。
5.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，所述锡盐为甲基磺酸锡、氯化亚锡、硫酸亚锡中的至少一种。
7.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，所述表面活性剂为Plurafac SL-62、Plurafac S-305LF、Synfac 8216、Synfac 8120中的一种或多种的混合；所述抗氧化剂为间苯二酚、甲酚、萘酚、抗坏血酸中的至少一种；所述络合剂为草酸钠、柠檬酸钠、苹果酸钠、酒石酸钠中的至少一种；所述光亮剂为戊二醛、磺基水杨酸、2-羟基-1萘甲醛中的至少一种。
8.根据权利要求1所述IC引线框架镀锡除胶工艺方法，其特征在于，步骤S4中所述超声波浸洗使用的超声波的频率为800-1500kHZ，时间为5-8min；步骤S4中所述烘烤的温度为140-160℃，烘烤时间为110-160min。
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