JP6101589B2 - 微細加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 50
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
本発明は、表面に微細な周期構造を形成する微細加工方法に関する。
従来、ナノ構造の加工方法として、短パルスレーザの照射によって金属表面（特許文献
１、２及び非特許文献１参照。）や半導体表面（特許文献３及び非特許文献２参照。）に
ナノ構造を加工する方法が報告されている。この方法では、レーザ光によって照射された
対象物に表面波を発生させ、この表面波とレーザ光を干渉させることにより、光の波長程
度のサイズの周期構造を加工することができる。
１、２及び非特許文献１参照。）や半導体表面（特許文献３及び非特許文献２参照。）に
ナノ構造を加工する方法が報告されている。この方法では、レーザ光によって照射された
対象物に表面波を発生させ、この表面波とレーザ光を干渉させることにより、光の波長程
度のサイズの周期構造を加工することができる。
図１１〜図１３は、短パルスレーザの照射によって金属表面に周期構造を形成する方法
を説明するための断面図である。図１１に示すように金属材料１０１に短パルスレーザを
照射すると、表面がレーザ光を吸収することにより、図１２に示すように電子の粗密分布
が生じ、波長程度の周期をもつ表面プラズモンが発生する。そして、図１３に示すように
電子密度の高い箇所でクーロン爆発が起こり、金属材料１０１に微細な周期構造が形成さ
れる。
を説明するための断面図である。図１１に示すように金属材料１０１に短パルスレーザを
照射すると、表面がレーザ光を吸収することにより、図１２に示すように電子の粗密分布
が生じ、波長程度の周期をもつ表面プラズモンが発生する。そして、図１３に示すように
電子密度の高い箇所でクーロン爆発が起こり、金属材料１０１に微細な周期構造が形成さ
れる。
このような加工方法は、周期構造を簡便に得ることができ、大面積の微細加工が可能で
あるものの、ガラス等のレーザ光を透過する材料への微細加工は、表面波が発生しないた
め行うことができない。
あるものの、ガラス等のレーザ光を透過する材料への微細加工は、表面波が発生しないた
め行うことができない。
ガラスへのナノ構造加工方法としては、リソグラフィにより加工できることが報告され
ている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、レジスト成膜や露光のプロセスで
精度を維持する必要がある。また、加工対象物が曲率をもたない平面である必要があるた
め、加工対象物の用途が限定されてしまう。さらに、加工対象物が大型化した場合、装置
が非常に高価になってしまう。
ている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながら、レジスト成膜や露光のプロセスで
精度を維持する必要がある。また、加工対象物が曲率をもたない平面である必要があるた
め、加工対象物の用途が限定されてしまう。さらに、加工対象物が大型化した場合、装置
が非常に高価になってしまう。
また、特許文献５には、表面に顔料を付着させ、ガラスに対して穴加工を行うことが記
載されているが、顔料を除去しなければならい。
載されているが、顔料を除去しなければならい。
K.okamuro et.al. PhysRevB 82 165417 2010
G.Miyagi , ApplPhysA 80 17 2005
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、どのような基材に対
しても表面に微細な周期構造を簡便に形成することができる微細加工方法を提供する。
しても表面に微細な周期構造を簡便に形成することができる微細加工方法を提供する。
本件発明者は、鋭意検討を行った結果、基材上に光を吸収するガラス前駆体を塗布する
ことにより、どのような基材に対しても表面に微細な周期構造を簡便に形成することが可
能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
ことにより、どのような基材に対しても表面に微細な周期構造を簡便に形成することが可
能であることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る微細加工方法は、基材上にポリシラザンであるガラス前駆体を塗布する塗布工程と、前記ガラス前駆体に、パルス長が０．０１ピコ秒〜５ピコ秒である短パルスレーザを照射し、レーザ波長以下の周期構造を形成する照射工程とを有することを特徴としている。
本発明によれば、リソグラフィなどの複雑なプロセスではなく、短パルスレーザの照射
という簡便なプロセスで、どのような基材に対しても表面に微細な周期構造を形成するこ
とができる。
という簡便なプロセスで、どのような基材に対しても表面に微細な周期構造を形成するこ
とができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する
。
１．微細加工方法
２．構造体
３．実施例
。
１．微細加工方法
２．構造体
３．実施例
＜１．微細加工方法＞
本発明の実施の形態として示す微細加工方法は、基材上にガラス前駆体を塗布する塗布
工程と、前記ガラス前駆体に短パルスレーザを照射する照射工程とを有する。以下、各工
程について説明する。
本発明の実施の形態として示す微細加工方法は、基材上にガラス前駆体を塗布する塗布
工程と、前記ガラス前駆体に短パルスレーザを照射する照射工程とを有する。以下、各工
程について説明する。
図１は、塗布工程の概略を示す断面図である。この塗布工程では、基材１１上にガラス
前駆体１２を塗布する。
前駆体１２を塗布する。
基材１１としては、特に制限されず、透明材料又は不透明材料のいずれも用いることが
できる。本実施の形態では、レーザ光を透過する透明材料が用いられ、特に、ガラス前駆
体１２が転化するガラスと同質のガラスが好適に用いられる。
できる。本実施の形態では、レーザ光を透過する透明材料が用いられ、特に、ガラス前駆
体１２が転化するガラスと同質のガラスが好適に用いられる。
ガラス前駆体１２としては、アミン基などの非共有電子対を持つ、光吸収能を有する分
子構造のものが用いられる。ガラス前駆体１２の具体例としては、パーヒドロポリシラザ
ン（ＰＨＰＳ）、メチルヒドロポリシラザン（ＭＨＰＳ）などの−（ＳｉＨ２ＮＨ）−を
基本ユニットとするポリシラザンが挙げられる。本実施の形態では、優れた光学特性を有
するシリカ（ＳｉＯ２）に転化するパーヒドロポリシラザンが特に好ましく用いられる。
子構造のものが用いられる。ガラス前駆体１２の具体例としては、パーヒドロポリシラザ
ン（ＰＨＰＳ）、メチルヒドロポリシラザン（ＭＨＰＳ）などの−（ＳｉＨ２ＮＨ）−を
基本ユニットとするポリシラザンが挙げられる。本実施の形態では、優れた光学特性を有
するシリカ（ＳｉＯ２）に転化するパーヒドロポリシラザンが特に好ましく用いられる。
また、ガラス前駆体１２は、パラジウム、アミンなどの触媒を添加したものであっても
よい。また、ガラス前駆体１２の溶媒としては、キシレン、ジブチルエーテルなどを用い
ることができる。また、ガラス前駆体１２の塗布方法としては、ロールコーター、フロー
コート、スプレー塗布、塗り込みなどを適宜使用することができる。また、ガラス前駆体
１２の塗布厚みは、１００ｎｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。ガラス前駆体１２の
塗布厚みが１００ｎｍ未満の場合、表面に微細な周期構造を形成することが困難となり、
また、ガラス前駆体１２の塗布厚みが５μｍを超える場合、表面に割れが発生する虞があ
る。
よい。また、ガラス前駆体１２の溶媒としては、キシレン、ジブチルエーテルなどを用い
ることができる。また、ガラス前駆体１２の塗布方法としては、ロールコーター、フロー
コート、スプレー塗布、塗り込みなどを適宜使用することができる。また、ガラス前駆体
１２の塗布厚みは、１００ｎｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。ガラス前駆体１２の
塗布厚みが１００ｎｍ未満の場合、表面に微細な周期構造を形成することが困難となり、
また、ガラス前駆体１２の塗布厚みが５μｍを超える場合、表面に割れが発生する虞があ
る。
図２は、照射工程の概略を示す断面図である。この照射工程では、ガラス前駆体１２に
短パルスレーザを照射する。短パルスレーザを照射することにより、ガラス前駆体１２の
非共有電子対が活性化し、熱反応へ至り、図３に示すように表面に微細な周期構造１３を
簡便に形成することができる。また、基材上１１に残存したガラス前駆体１２は、短パル
スレーザの照射により、ガラスに転化するため、ガラス皮膜として機能させることができ
る。
短パルスレーザを照射する。短パルスレーザを照射することにより、ガラス前駆体１２の
非共有電子対が活性化し、熱反応へ至り、図３に示すように表面に微細な周期構造１３を
簡便に形成することができる。また、基材上１１に残存したガラス前駆体１２は、短パル
スレーザの照射により、ガラスに転化するため、ガラス皮膜として機能させることができ
る。
図４は、短パルスレーザを射出する光学装置の概略を示す図である。レーザ本体２０は
、例えば垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出し、波長板２１（λ／２波長板）を用い
て、偏光方向を回転させることで、所望の方向の直線偏光を得ることができる。また、λ
／２波長板に代えて、λ／４波長板を用いることで、円偏光を得ることができる。また、
本装置では、四角形の開口を有するアパーチャー２２を用いて、レーザ光の一部を取り出
す。これは、レーザ光の強度分布がガウス分布となっているので、その中央付近のみを用
いることで、面内強度分布の均一なレーザ光を得るようにしている。また、本装置では、
直交させた２枚のシリンドリカルレンズ２３を用いて、レーザ光を絞ることにより、所望
のビームサイズとすることができる。
、例えば垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出し、波長板２１（λ／２波長板）を用い
て、偏光方向を回転させることで、所望の方向の直線偏光を得ることができる。また、λ
／２波長板に代えて、λ／４波長板を用いることで、円偏光を得ることができる。また、
本装置では、四角形の開口を有するアパーチャー２２を用いて、レーザ光の一部を取り出
す。これは、レーザ光の強度分布がガウス分布となっているので、その中央付近のみを用
いることで、面内強度分布の均一なレーザ光を得るようにしている。また、本装置では、
直交させた２枚のシリンドリカルレンズ２３を用いて、レーザ光を絞ることにより、所望
のビームサイズとすることができる。
このような装置を用いて、所定波長の超短パルスレーザを所定のフルーエンスでガラス
前駆体１２に照射することにより、レーザ照射領域にその所定波長より小さいサイズの周
期構造を形成することができる。
前駆体１２に照射することにより、レーザ照射領域にその所定波長より小さいサイズの周
期構造を形成することができる。
フルーエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）とは、レーザの１パルス当たりのエネルギＥ（Ｊ）を
照射断面積Ｓ（ｃｍ２）で割ったエネルギ密度Ｅ／Ｓ（Ｊ／ｃｍ２）である。所定のフル
ーエンスの範囲は、材料によって異なるが、０．０１Ｊ／ｃｍ２〜１．０Ｊ／ｃｍ２程度
であることが好ましく、０．０５Ｊ／ｃｍ２〜０．５Ｊ／ｃｍ２であることがより好まし
い。また、照射パルス数は、フルーエンスや周期構造の加工深さによるが、５０以上であ
ることが好ましい。また、パルス長（幅）は短い方が好ましく、０．０１ピコ秒〜１００
ピコ秒程度であることが好ましく、０．０１ピコ秒〜５ピコ秒であることがより好ましい
。また、パルス周波数は、加工時間を考慮し、１ｋＨｚ以上であることが好ましい。また
、波長は、例えば８００ｎｍ、４００ｎｍ、２６６ｎｍなど所望の周期構造に応じて選択
することができる。
照射断面積Ｓ（ｃｍ２）で割ったエネルギ密度Ｅ／Ｓ（Ｊ／ｃｍ２）である。所定のフル
ーエンスの範囲は、材料によって異なるが、０．０１Ｊ／ｃｍ２〜１．０Ｊ／ｃｍ２程度
であることが好ましく、０．０５Ｊ／ｃｍ２〜０．５Ｊ／ｃｍ２であることがより好まし
い。また、照射パルス数は、フルーエンスや周期構造の加工深さによるが、５０以上であ
ることが好ましい。また、パルス長（幅）は短い方が好ましく、０．０１ピコ秒〜１００
ピコ秒程度であることが好ましく、０．０１ピコ秒〜５ピコ秒であることがより好ましい
。また、パルス周波数は、加工時間を考慮し、１ｋＨｚ以上であることが好ましい。また
、波長は、例えば８００ｎｍ、４００ｎｍ、２６６ｎｍなど所望の周期構造に応じて選択
することができる。
また、ビームスポットは、四角形形状であることが好ましい。このビームスポットの整
形は、例えばアパーチャー２２やシリンドリカルレンズ２３等によって行うことが可能で
ある。また、ビームスポットの強度分布は、できるだけ均一であることが好ましい。これ
により、形成する凹凸の深さなどの面内分布を均一化することができる。ビームスポット
のサイズは、四角形のｘ軸方向及びｙ軸方向をそれぞれＬｘ、Ｌｙとし、レーザの走査方
向をｙ軸方向とし、Ｌｘのサイズを周期構造の形成領域の１／Ｎ（Ｎは自然数）としたと
き、Ｎ回の走査により周期構造を形成することができる。Ｌｙのサイズは、ステージ速度
やレーザ強度、パルス周波数などにより、適宜決めることができ、例えば、３０〜５００
μｍ程度である。
形は、例えばアパーチャー２２やシリンドリカルレンズ２３等によって行うことが可能で
ある。また、ビームスポットの強度分布は、できるだけ均一であることが好ましい。これ
により、形成する凹凸の深さなどの面内分布を均一化することができる。ビームスポット
のサイズは、四角形のｘ軸方向及びｙ軸方向をそれぞれＬｘ、Ｌｙとし、レーザの走査方
向をｙ軸方向とし、Ｌｘのサイズを周期構造の形成領域の１／Ｎ（Ｎは自然数）としたと
き、Ｎ回の走査により周期構造を形成することができる。Ｌｙのサイズは、ステージ速度
やレーザ強度、パルス周波数などにより、適宜決めることができ、例えば、３０〜５００
μｍ程度である。
また、照射工程後に、表面に周期構造が形成された成形体を加熱する焼成工程を行うこ
とが好ましい。加熱温度としては、２００℃〜１６００℃程度であることが好ましい。このように焼成を行うことにより、成形体の緻密性を向上させ、耐熱性や透光性を向上させることができる。
とが好ましい。加熱温度としては、２００℃〜１６００℃程度であることが好ましい。このように焼成を行うことにより、成形体の緻密性を向上させ、耐熱性や透光性を向上させることができる。
本実施の形態における微細加工方法によれば、リソグラフィなどの複雑なプロセスでは
なく、短パルスレーザの照射という簡便なプロセスで、表面にナノ周期構造を形成するこ
とができる。また、常温常圧下で加工できるため、大面積対象物や自由曲面対象物に加工
することができ、多様な分野への応用が可能となる。
なく、短パルスレーザの照射という簡便なプロセスで、表面にナノ周期構造を形成するこ
とができる。また、常温常圧下で加工できるため、大面積対象物や自由曲面対象物に加工
することができ、多様な分野への応用が可能となる。
＜２．構造体＞
次に、前述した微細加工方法により周期構造が形成された構造体について説明する。本
実施の形態における構造体は、表面に、ピッチ幅５０〜１０００ｎｍ及び深さ１０〜１０
００ｎｍの線状の突起、又は点状の突起を周期的に有するものである。また。このような
凹凸形状は、ピッチ、角度の両者に適度なゆらぎをもつため、例えば干渉光の発生を抑え
ることが可能となる。
次に、前述した微細加工方法により周期構造が形成された構造体について説明する。本
実施の形態における構造体は、表面に、ピッチ幅５０〜１０００ｎｍ及び深さ１０〜１０
００ｎｍの線状の突起、又は点状の突起を周期的に有するものである。また。このような
凹凸形状は、ピッチ、角度の両者に適度なゆらぎをもつため、例えば干渉光の発生を抑え
ることが可能となる。
特に好ましくは、基材１１としてシリカ（ＳｉＯ２）を用い、ガラス前駆体１２として
シリカに転化するパーヒドロポリシラザンを用いることにより、従来よりも簡便にガラス
表面へ周期構造を形成することができる。また、周期構造が形成された構造体は、可視光
の波長域に相当する３００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲に亘って、１％以下の反射率を実現す
ることができる。このため、自動車のフロントガラス、太陽熱発電の熱吸収管の表面ガラ
ス、反射防止機能を有する光学部品などに適用することができる。
シリカに転化するパーヒドロポリシラザンを用いることにより、従来よりも簡便にガラス
表面へ周期構造を形成することができる。また、周期構造が形成された構造体は、可視光
の波長域に相当する３００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲に亘って、１％以下の反射率を実現す
ることができる。このため、自動車のフロントガラス、太陽熱発電の熱吸収管の表面ガラ
ス、反射防止機能を有する光学部品などに適用することができる。
例えば自動車のフロントガラスに応用する場合、表面に周期構造を形成することで水と
の接触角を向上させることができ、９０度以上、より好ましくは１１０度以上１３０度以
下とすることにより、優れた撥水性を得ることができる。また、周期構造の深さを適切に
変えることにより、水や油との接触角を低下させることができ、３０度以下、より好まし
くは１５度以下とすることにより、優れた親水性を得ることができる。また、周期構造の
ピッチ幅を３５０ｎｍ以下とすることにより、可視光線に対して反射防止機能を付与する
ことができる。
の接触角を向上させることができ、９０度以上、より好ましくは１１０度以上１３０度以
下とすることにより、優れた撥水性を得ることができる。また、周期構造の深さを適切に
変えることにより、水や油との接触角を低下させることができ、３０度以下、より好まし
くは１５度以下とすることにより、優れた親水性を得ることができる。また、周期構造の
ピッチ幅を３５０ｎｍ以下とすることにより、可視光線に対して反射防止機能を付与する
ことができる。
また、例えば薄膜型の太陽光発電の基板ガラスに応用する場合、ピッチ０．５μｍ程度
の微細格子を持つ周期構造を形成することにより、太陽光線のピーク波長である０．５μ
ｍ付近の光を効率良く吸収することができる。
の微細格子を持つ周期構造を形成することにより、太陽光線のピーク波長である０．５μ
ｍ付近の光を効率良く吸収することができる。
また、例えば反射防止機能を有する光学部品に応用する場合、入射光の波長よりも短い
周期の構造を形成することにより、反射防止機能を付与することができるとともに、その
周期の適度な揺らぎにより、干渉色の発生を抑えることができる。
周期の構造を形成することにより、反射防止機能を付与することができるとともに、その
周期の適度な揺らぎにより、干渉色の発生を抑えることができる。
また、例えば太陽熱発電の熱吸収管の表面ガラスに応用する場合、可視光の波長域の反
射率が低いため、優れた熱吸収性能を得ることができる。また、熱に弱いＵＶインプリン
トによる表面形状形成手法に対し、優れた耐熱性を得ることができる。
射率が低いため、優れた熱吸収性能を得ることができる。また、熱に弱いＵＶインプリン
トによる表面形状形成手法に対し、優れた耐熱性を得ることができる。
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例では、基材上にガラス前駆体
を塗布し、短パルスレーザを照射し、微細構造を電界放射型走査型電子顕微鏡（FE-SEM：
Field Emission-Scanning Electron Microscope、日立製作所製 S-4700型）を用いて、表
面観察及び元素分析を行った。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例では、基材上にガラス前駆体
を塗布し、短パルスレーザを照射し、微細構造を電界放射型走査型電子顕微鏡（FE-SEM：
Field Emission-Scanning Electron Microscope、日立製作所製 S-4700型）を用いて、表
面観察及び元素分析を行った。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
［実施例１］
基材としてガラスを用い、ガラス前駆体としてパーヒドロポリシラザンを用いた。ガラ
ス上にパーヒドロポリシラザンを塗布し、パーヒドロシラザン側から短パルスレーザを照
射した。照射条件は、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ２、照射パルス数７０、パルス幅２０
０ｆｓ、周波数１ｋＨｚ、波長３９０ｎｍ、ビームスポット３００μｍ×１２０μｍとし
た。
基材としてガラスを用い、ガラス前駆体としてパーヒドロポリシラザンを用いた。ガラ
ス上にパーヒドロポリシラザンを塗布し、パーヒドロシラザン側から短パルスレーザを照
射した。照射条件は、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ２、照射パルス数７０、パルス幅２０
０ｆｓ、周波数１ｋＨｚ、波長３９０ｎｍ、ビームスポット３００μｍ×１２０μｍとし
た。
図５に示すＳＥＭ写真より、周期１００ｎｍ程度の微細構造が形成されていることが確
認できた。また、図６に示す元素分析データより、表面のパーヒドロポリシラザンは全て
シリカ（ＳｉＯ２）になっていることが確認できた。
認できた。また、図６に示す元素分析データより、表面のパーヒドロポリシラザンは全て
シリカ（ＳｉＯ２）になっていることが確認できた。
［実施例２］
短パルスレーザ照射条件の照射パルス数を１５０とした以外は、実施例１と同様にして
微細加工を行った。図７に示すＳＥＭ写真より、周期１００ｎｍ程度の微細構造が形成さ
れていることが確認できた。
短パルスレーザ照射条件の照射パルス数を１５０とした以外は、実施例１と同様にして
微細加工を行った。図７に示すＳＥＭ写真より、周期１００ｎｍ程度の微細構造が形成さ
れていることが確認できた。
［実施例３］
短パルスレーザ照射条件の照射パルス数を３００とした以外は、実施例１と同様にして
微細加工を行った。図８に示すＳＥＭ写真より、周期１００ｎｍ程度の微細構造が形成さ
れていることが確認できた。また、図９に示す元素分析データより、表面のパーヒドロポ
リシラザンは全てシリカ（ＳｉＯ２）になっていることが確認できた。なお、ＰｔとＰｄ
はＳＥＭ測定用のスパッタ成分であるため無視してよい。
短パルスレーザ照射条件の照射パルス数を３００とした以外は、実施例１と同様にして
微細加工を行った。図８に示すＳＥＭ写真より、周期１００ｎｍ程度の微細構造が形成さ
れていることが確認できた。また、図９に示す元素分析データより、表面のパーヒドロポ
リシラザンは全てシリカ（ＳｉＯ２）になっていることが確認できた。なお、ＰｔとＰｄ
はＳＥＭ測定用のスパッタ成分であるため無視してよい。
［比較例１］
ガラス上にパーヒドロポリシラザンを塗布しなかった以外は、実施例１と同様にして微
細加工を行った。図１０に示すＳＥＭ写真より、微細構造が形成されていないことが確認
できた。
ガラス上にパーヒドロポリシラザンを塗布しなかった以外は、実施例１と同様にして微
細加工を行った。図１０に示すＳＥＭ写真より、微細構造が形成されていないことが確認
できた。
以上の結果より、基材上にガラス前駆体を塗布し、短パルスレーザを照射することによ
り、周期的な微細構造を形成することができることが分かった。また、パルス数を増加さ
せると、周期構造の深さが深くなることが分かった。また、ガラス前駆体は、短パルスレ
ーザの照射により、完全にシリカに転化していることが分かった。
り、周期的な微細構造を形成することができることが分かった。また、パルス数を増加さ
せると、周期構造の深さが深くなることが分かった。また、ガラス前駆体は、短パルスレ
ーザの照射により、完全にシリカに転化していることが分かった。
［反射率の測定］
次に、光学用途の白色ガラスからなるサンプル１、反射防止膜を有するサンプル２、及
び、表面に周期的な微細構造が形成されたサンプル３について、反射率及びヘイズを測定
した。反射率の測定は、反射測定システム（日本分光（株）製、V-670）を使用し、波長
が３００〜８００ｎｍの範囲について行った。ヘイズの測定は、ヘイズメータ（村上色彩
技術研究所社製、HM-150）を用い、JIS K 7136に準拠し、散乱光透過率の値を、全光線透
過率の値で除することにより算出した。
次に、光学用途の白色ガラスからなるサンプル１、反射防止膜を有するサンプル２、及
び、表面に周期的な微細構造が形成されたサンプル３について、反射率及びヘイズを測定
した。反射率の測定は、反射測定システム（日本分光（株）製、V-670）を使用し、波長
が３００〜８００ｎｍの範囲について行った。ヘイズの測定は、ヘイズメータ（村上色彩
技術研究所社製、HM-150）を用い、JIS K 7136に準拠し、散乱光透過率の値を、全光線透
過率の値で除することにより算出した。
図１４は、サンプル１〜３の反射率を示すグラフである。サンプル１は、図１５に示す
ように、ＳｉＯ２からなる光学用途の白色ガラスである。サンプル１の反射率は、波長が
３００〜８００ｎｍの範囲に亘って４％以上の値を示し、波長が５５０ｎｍのときの反射
率は、４．３７％であった。また、サンプル１のヘイズは、０．２であった。
ように、ＳｉＯ２からなる光学用途の白色ガラスである。サンプル１の反射率は、波長が
３００〜８００ｎｍの範囲に亘って４％以上の値を示し、波長が５５０ｎｍのときの反射
率は、４．３７％であった。また、サンプル１のヘイズは、０．２であった。
サンプル２は、図１６に示すように、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）からなる
機材上にＤｒｙ−ＡＲ（Anti-Reflection）層が積層されている。Ｄｒｙ−ＡＲ層は、ド
ライ製法により多層膜を形成し、光学干渉を利用することにより、反射強度を低減させた
ものである。また、Ｄｒｙ−ＡＲ層が形成されたＰＥＴ基材の反対側の面には、ＡＧ（An
ti-Glare）加工が施され、表面に形成された凹凸を利用し、光を散乱させている。サンプ
ル２の反射率は、波長が４５０〜７００ｎｍの範囲に亘って１％以下の値を示し、波長が
５５０ｎｍのときの反射率は、０．２１％であった。しかし、波長が７００ｎｍを超えた
ときの反射率は１％を超え、また、波長が４５０ｎｍ未満のときの反射率は１％を超え、
波長が４００ｎｍのときの反射率は１０％ほどであった。また、サンプル２のヘイズは、
３．０であった。
機材上にＤｒｙ−ＡＲ（Anti-Reflection）層が積層されている。Ｄｒｙ−ＡＲ層は、ド
ライ製法により多層膜を形成し、光学干渉を利用することにより、反射強度を低減させた
ものである。また、Ｄｒｙ−ＡＲ層が形成されたＰＥＴ基材の反対側の面には、ＡＧ（An
ti-Glare）加工が施され、表面に形成された凹凸を利用し、光を散乱させている。サンプ
ル２の反射率は、波長が４５０〜７００ｎｍの範囲に亘って１％以下の値を示し、波長が
５５０ｎｍのときの反射率は、０．２１％であった。しかし、波長が７００ｎｍを超えた
ときの反射率は１％を超え、また、波長が４５０ｎｍ未満のときの反射率は１％を超え、
波長が４００ｎｍのときの反射率は１０％ほどであった。また、サンプル２のヘイズは、
３．０であった。
サンプル３は、図１７に示すように、ＳｉＯ２からなる光学用途の白色ガラスの表面に
周期的な微細構造を有する反射防止膜を形成したものである。このサンプル３は、白色ガ
ラス基材上にガラスにパーヒドロポリシラザンを塗布し、パーヒドロシラザン側から短パ
ルスレーザを照射して作製した。照射条件は、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ２、照射パル
ス数７０、パルス幅２００ｆｓ、周波数１ｋＨｚ、波長３９０ｎｍ、ビームスポット３０
０μｍ×１２０μｍとした。また、この成形体を５５０℃の温度で１時間焼成を行った。
サンプル３の反射率は、波長が３００〜８００ｎｍの範囲に亘って１％以下の値を示し、
波長が５５０ｎｍのときの反射率は、０．５２％であった。また、サンプル３のヘイズは
、２．２であった。
周期的な微細構造を有する反射防止膜を形成したものである。このサンプル３は、白色ガ
ラス基材上にガラスにパーヒドロポリシラザンを塗布し、パーヒドロシラザン側から短パ
ルスレーザを照射して作製した。照射条件は、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ２、照射パル
ス数７０、パルス幅２００ｆｓ、周波数１ｋＨｚ、波長３９０ｎｍ、ビームスポット３０
０μｍ×１２０μｍとした。また、この成形体を５５０℃の温度で１時間焼成を行った。
サンプル３の反射率は、波長が３００〜８００ｎｍの範囲に亘って１％以下の値を示し、
波長が５５０ｎｍのときの反射率は、０．５２％であった。また、サンプル３のヘイズは
、２．２であった。
以上の結果より、ガラスの表面に周期的な微細構造が形成されたサンプル３は、広い波
長帯域に亘って低い反射率を示すため、レンズ等の光学部品の反射防止膜として有用であ
る。
長帯域に亘って低い反射率を示すため、レンズ等の光学部品の反射防止膜として有用であ
る。
１１ 基材、１２ ガラス前駆体、１３ 周期構造、２０ レーザ本体、２１ 波長板
、２２ アパーチャー、２３ シリンドリカルレンズ、２４ リニアステージ、３０ サ
ンプル、１０１ 金属材料
、２２ アパーチャー、２３ シリンドリカルレンズ、２４ リニアステージ、３０ サ
ンプル、１０１ 金属材料
Claims (5)
- 基材上にポリシラザンであるガラス前駆体を塗布する塗布工程と、
前記ガラス前駆体に、パルス長が０．０１ピコ秒〜５ピコ秒である短パルスレーザを照射し、レーザ波長以下の周期構造を形成する照射工程と
を有する微細加工方法。 - 前記基材が、ガラスである請求項１記載の微細加工方法。
- 前記短パルスレーザのビームスポットが、四角形形状である請求項１又は２記載の微細加工方法。
- 前記照射工程後の基材を加熱する焼成工程を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の微細加工方法。
- 基材上にポリシラザンであるガラス前駆体を塗布する塗布工程と、
前記ガラス前駆体に、パルス長が０．０１ピコ秒〜５ピコ秒である短パルスレーザを照射し、レーザ波長以下の周期構造を形成する照射工程と
を有する周期構造体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/070383 WO2014017655A1 (ja) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | 微細加工方法 |
| US14/417,466 US11242284B2 (en) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | Microfabrication method |
| JP2013155937A JP6101589B2 (ja) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | 微細加工方法 |
| CN201380039750.3A CN104487394B (zh) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | 精细加工方法 |
| US17/592,980 US20220153638A1 (en) | 2012-07-26 | 2022-02-04 | Microfabrication method |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012165835 | 2012-07-26 | ||
| JP2012165835 | 2012-07-26 | ||
| JP2013120978 | 2013-06-07 | ||
| JP2013120978 | 2013-06-07 | ||
| JP2013155937A JP6101589B2 (ja) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015013786A JP2015013786A (ja) | 2015-01-22 |
| JP6101589B2 true JP6101589B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=52435840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013155937A Active JP6101589B2 (ja) | 2012-07-26 | 2013-07-26 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6101589B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3600207B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2004-12-15 | 日東電工株式会社 | 金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法および該方法により選択エッチング処理された金属酸化物膜並びに光学素子及び導電膜 |
| JP4263865B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2009-05-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 超短パルスレーザーを用いた微細加工方法及びその加工物 |
| JP2010142862A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Cyber Laser Kk | 誘電体材料表面のナノ周期構造形成方法 |
| JP2011221470A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Sony Corp | 光学素子、およびその製造方法、表示装置、ならびに太陽電池 |
| JP2012000828A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Konica Minolta Holdings Inc | ガスバリア性部材、ガスバリア性部材の製造方法及び該ガスバリア性部材を有する有機光電変換素子 |
-
2013
- 2013-07-26 JP JP2013155937A patent/JP6101589B2/ja active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015013786A (ja) | 2015-01-22 |
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