JP6094756B2 - 希少金属を使用しない磁石の評価方法及び評価システム - Google Patents

Description

本発明は、希少金属を使用しない磁石の評価方法及び評価システムに関するものである。

希少金属を使用しない磁石の製造工程には、磁石の高保磁力化を目的とした粒界改質工程がある。この粒界改質工程では、ＮｄＣｕを磁石表面から内部に浸透させる処理を行うため、ＮｄＣｕが磁石内部まで十分に浸透していない状態では、目的とする保磁力が確保できない虞がある。このため、磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する必要があり、磁石を非破壊で確認するこのような方法の一例として、磁石を磁化した後、磁束密度を計測する方法がある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８−０３９７３６号公報

しかしながら、上述したような評価方法では、磁石を磁化する必要があるため、磁石が強力な磁石に変化し、後の工程での取り扱いが困難になるという問題がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、希少金属を使用しない磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを、磁石を磁化することなく、非破壊で容易に評価することにある。

（発明の態様）
以下の発明の態様は、本発明の構成を例示するものであり、本発明の多様な構成の理解を容易にするために、項別けして説明するものである。各項は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。そのため、発明を実施するための最良の形態を参酌しつつ、各項の構成要素の一部を置換し、削除し、又は、更に他の構成要素を付加したものについても、本願発明の技術的範囲に含まれ得るものである。

（１）希少金属を使用しない磁石の評価方法であって、前記磁石に電流を流し、この際の電流を流す深さを変化させながら、前記磁石に電流を流すことで得られる、前記磁石に係るパラメータの変化量に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する磁石の評価方法（請求項１）。

本項に記載の磁石の評価方法は、希少金属を使用しない磁石への、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する方法である。ＮｄＣｕは、磁石の周囲にＮｄＣｕを配置して加熱する方法等により浸透させるため、磁石の表面から中心部へ向かって浸透する。このため、ＮｄＣｕの浸透度合いによって、ＮｄＣｕが浸透している磁石の深さや、同じ深さでのＮｄＣｕの浸透量に差が生じる。そこで、本項に記載の磁石の評価方法は、電流を流す磁石の深さを変化させながら磁石に電流を流し、この際に、例えば電気抵抗値等の、ＮｄＣｕの影響を受けて変化する磁石のパラメータを計測する。そして、電流を流した磁石の深さに係る、計測した磁石のパラメータの変化量に基づいて、磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価するものである。これにより、磁石を磁化することなく、非破壊で容易に評価することとなる。

（２）上記（１）項において、一対の電極により前記磁石を挟み、前記一対の電極間に交流電流を流し、該交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の電気抵抗値を計測し、前記交流電流の周波数と前記磁石の電気抵抗値との関係に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する磁石の評価方法（請求項２）。

本項に記載の磁石の評価方法は、一対の電極により磁石を挟み、周波数を変化させながら、一対の電極間に交流電流を流す。ここで、交流電流は、表皮効果により、周波数が高くなるほど磁石の表面近傍に集中して流れる傾向にある。このため、本評価方法では、周波数を変化させながら、磁石に交流電流を流すことで、電流が流れる磁石の深さを変化させる。すなわち、磁石に流す交流電流の周波数を低くすることで、磁石の深い位置まで電流を流し、交流電流の周波数を高くすることで、磁石の表面近傍に集中させて電流を流すものである。

又、磁石は、ＮｄＣｕの浸透によって、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が小さくなり、電流が流れ易くなる。従って、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きいと、ＮｄＣｕが磁石の表面近傍だけではなく、磁石の深い位置まで浸透した状態であるため、磁石の深い位置に電流を流した場合であっても、その際に計測される磁石の電気抵抗値は小さい値になる。一方、ＮｄＣｕの浸透度合いが小さいと、ＮｄＣｕが磁石の表面近傍までしか浸透していない状態であるため、磁石の表面近傍に電流を流した場合の磁石の電気抵抗値は小さいが、磁石の深い位置に電流を流した場合の磁石の電気抵抗値は大きい値になる。このため、本項に記載の磁石の評価方法は、交流電流の周波数、すなわち、電流を流す磁石の深さを変化させながら、磁石の電気抵抗値を計測して、交流電流の周波数（磁石の深さ）と磁石の電気抵抗値との関係に基づき、上述したような観点から、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。このように、磁石を磁化することなく、磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを容易に評価するものである。

（３）上記（１）項において、コイルを前記磁石に近づけた状態で前記コイルに交流電流を流すことで、前記磁石に渦電流を発生させ、前記交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の反磁界を計測し、前記交流電流の周波数と前記磁石の反磁界との関係に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する磁石の評価方法（請求項３）。

本項に記載の磁石の評価方法は、コイルを磁石に近づけた状態でコイルに交流電流を流すことで、磁石に渦電流を発生させる。ここで、磁石の中を渦電流が流れる深さは、コイルに流れる交流電流の周波数が高くなるほど、小さくなる傾向にある。このため、本評価方法では、周波数を変化させながら、コイルに交流電流を流すことで、渦電流が流れる磁石の深さを変化させる。すなわち、コイルに流す交流電流の周波数を低くすることで、磁石の深い位置まで渦電流を流し、交流電流の周波数を高くすることで、磁石の表面近傍に渦電流を流すものである。

又、磁石は、上述したように、ＮｄＣｕの浸透によって、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が小さくなり、電流が流れ易くなる。従って、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きい場合は、浸透度合いが小さい場合よりも、磁石の同じ深さにおける渦電流の大きさが大きくなり、より大きな反磁界が発生することになる。このため、本項に記載の磁石の評価方法は、コイルに流す交流電流の周波数、すなわち、渦電流を流す磁石の深さを変化させながら、磁石から発生する反磁界を計測して、交流電流の周波数（磁石の深さ）と磁石の反磁界との関係に基づき、上述したような観点から、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。このように、磁石を磁化することなく、磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを容易に評価するものである。

（４）希少金属を使用しない磁石の評価システムであって、前記磁石を挟む一対の電極と、該一対の電極間に交流電流を供給する周波数可変式交流電源と、該周波数可変式交流電源と並列に前記一対の電極に接続される電圧計と、前記周波数可変式交流電源が供給する交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の電気抵抗値を計測する制御計測手段とを含む磁石の評価システム（請求項４）。
本項に記載の磁石の評価システムは、上記（２）項に記載の磁石の評価方法に用いられることで、上記（２）項に対応する同等の作用を奏するものである。

本発明はこのように構成したので、希少金属を使用しない磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを、磁石を磁化することなく、非破壊で容易に評価することができる。

本発明の実施の形態に係る磁石の評価システムを示す概略図である。 表皮効果を説明するためのイメージ図である。 磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを視覚的に示したイメージ図であり、（ａ）は浸透度合いが小さい場合、（ｂ）は浸透度合いが大きい場合を示している。 磁石へ流す交流電流の周波数と、磁石の電気抵抗値との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態に係る磁石の別の評価方法を説明するための、磁石とコイルとを示したイメージ図であり、（ａ）は斜視方向から、（ｂ）は側面方向から示したものである。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。ここで、従来技術と同一部分、若しくは相当する部分については、詳しい説明を省略する。なお、本説明では、磁化前の磁石についても磁石と記載している。
図１は、本発明の実施の形態に係る磁石の評価システム１０を概略的に示している。図１において、希少金属を使用しない磁石２０は、一対の電極１２（１２Ａ、１２Ｂ）により挟まれている。磁石２０は、図１の例では直方体であり、その最も面積の小さい両端面に、当該両端面よりも大きな接触面を有する一対の電極１２が取り付けられている。又、一対の電極１２には、出力周波数を変化させることができる周波数可変式交流電源１４が電気的に接続されており、更に、周波数可変式交流電源１４とは並列に、電圧計１６が電気的に接続されている。すなわち、磁石の評価システム１０は、電流供給経路と電圧測定経路とが並列な、所謂４端子法の接続になっている。

又、磁石の評価システム１０は、周波数可変式交流電源１４と電圧計１６とに通信可能に接続された、制御計測手段１８を含んでいる。制御計測手段１８は、周波数可変式交流電源１４が出力する交流電流の周波数を制御し、又、周波数可変式交流電源１４から交流電流の電流値を取得する。更に、制御計測手段１８は、電圧計１６により計測する、一対の電極１２Ａ、１２Ｂ間の電圧値を取得する。そして、周波数可変式交流電源１４から取得した電流値と、電圧計１６から取得した電圧値とに基づき、磁石２０の電気抵抗値を算出するものである。

次に、図１の磁石の評価システム１０を利用した、本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法について説明する。本評価方法は、交流電流の表皮効果を利用して、電流を流す磁石２０の深さを変化させながら、その際の磁石２０の電気抵抗値を計測して、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価するものである。すなわち、図２に示すように、磁石２０を流れる交流電流は、表皮効果により、周波数が高いほど磁石２０の表面近傍に集中して流れることとなる。この特性を利用して、制御計測手段１８により周波数可変式交流電源１４を制御し、一対の電極１２Ａ、１２Ｂ間の磁石２０に、周波数を変化させながら交流電流を流すことで、電流が流れる磁石２０の深さを変化させる。これにより、周波数可変式交流電源１４から出力される交流電流は、周波数が高いときには磁石２０の表面近傍を流れ（図３（ａ）の黒矢印参照）、周波数が低いときには磁石２０の深い位置まで流れることとなる（図３（ｂ）の黒矢印参照）。

ここで、希少金属を使用しない磁石２０には、保磁力を高めるために、磁石２０の表面からＮｄＣｕが浸透されている。図３には、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを可視化したイメージ図を示しており、磁石２０内部の色の薄い部分が、ＮｄＣｕが浸透している領域を示している。図３（ａ）は、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いが小さい場合を示しており、磁石２０の表面近傍（図中上下端近傍）のみに、ＮｄＣｕが浸透している状態である。一方、図３（ｂ）は、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いが大きい場合を示しており、磁石２０の表面近傍だけではなく、磁石２０のより深い位置（図中上下方向中心に近い位置）まで、ＮｄＣｕが浸透している状態である。

又、磁石２０は、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が、ＮｄＣｕが浸透していない箇所の電気抵抗よりも小さくなる。このため、図３（ａ）に示した、ＮｄＣｕの浸透度合いが小さい場合は、磁石２０の表面近傍の電気抵抗が小さくなっており、図３（ｂ）に示した、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きい場合は、磁石２０の表面近傍だけではなく、磁石２０の深い位置まで電気抵抗が小さくなっている。すなわち、磁石２０は、ＮｄＣｕが浸透していることで、ＮｄＣｕの浸透度合いによって、深さ方向（図３中上下方向）で電気抵抗が変化するものとなっている。

そこで、本評価方法では、周波数を変化させながら（電流を流す磁石２０の深さを変化させながら）交流電流を流したときの、磁石２０の電気抵抗値を計測し、交流電流の周波数と、計測した磁石２０の電気抵抗値との関係に基づいて、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。具体的には、制御計測手段１８により、周波数を変化させながら交流電流を出力している周波数可変式交流電源１４から、磁石２０に流れている交流電流の周波数と電流値とを取得し、更に、電圧計１６から、一対の電極１２Ａ、１２Ｂ間の電圧値、すなわち、磁石２０の図１中左右両端面間の電圧値を取得する。そして、制御計測手段１８により、磁石２０を流れる交流電流の電流値と電圧値とに基づき、磁石２０の電気抵抗値を算出する。

次に、交流電流の周波数と、磁石２０の電気抵抗値との関係に基づいて、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価する方法について説明する。図４のグラフは、磁石２０に流した交流電流の周波数をｆ、その際に計測した磁石２０の電気抵抗値をｒとして、周波数ｆと電気抵抗値ｒとの関係の一例を、ＮｄＣｕの浸透度合いが異なる２つの磁石２０の夫々について示している。
図４から、図中破線で示す磁石２０は、周波数ｆが低いときの電気抵抗値ｒが大きく、周波数ｆが高くなるにつれて電気抵抗値ｒが顕著に小さくなっていることが読み取れる。これは、周波数ｆが低いことで磁石２０の深部まで電流が流れている状態において、電気抵抗値ｒが大きく、又、周波数ｆが高いことで磁石２０の表面近傍を電流が流れている状態において、電気抵抗値ｒが小さいことを示している。このため、破線で示す磁石２０は、表面近傍にはＮｄＣｕが浸透して電気抵抗が小さくなっているが、深部にはＮｄＣｕが浸透しておらず、電気抵抗が小さくなっていないことが分かる。従って、図４で破線で示す磁石２０は、図３（ａ）で示した磁石２０のように、ＮｄＣｕの浸透度合いが小さいと判断できる。

一方、図４から、図中実線で示す磁石２０は、周波数ｆが高くなるにつれて電気抵抗値ｒが小さくなっているが、更に周波数ｆが低いときでも、破線で示す磁石２０と比較して、電気抵抗値ｒが小さいことが読み取れる。これは、周波数ｆが高いことで磁石２０の表面近傍を電流が流れている状態だけではなく、周波数ｆが低いことで磁石２０の深部まで電流が流れている状態においても、電気抵抗値ｒが小さいことを示している。このため、実線で示す磁石２０は、磁石２０の表面近傍だけではなく、磁石２０の深部までＮｄＣｕが浸透して、電気抵抗が小さくなっていることが分かる。従って、図４で実線で示す磁石２０は、図３（ｂ）で示した磁石２０のように、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きいと判断できる。

続いて、図５を参照して、本発明の実施の形態に係る磁石の別の評価方法について説明する。図５（ａ）に示すように、コイル３０に交流電流を流した状態で、コイル３０を磁石２０に近づけると、コイル３０を流れる交流電流に励起された磁場の影響により、磁石２０に渦電流ＥＣが発生する。この際、図５（ｂ）に示している、渦電流ＥＣが発生する磁石２０の深さ（渦電流ＥＣの浸透深さ）δは、コイル３０を流れる交流電流の周波数をｆ、磁石２０の透磁率（磁化前）をμ、磁石２０の導電率をσとすると、
δ＝１／√（πｆμσ）
と表すことができる。この式から、コイル３０を流れる交流電流の周波数ｆが変化すると、渦電流ＥＣの浸透深さδが変化することが分かる。本評価方法は、この点に着目して、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価するものである。

より具体的に、本評価方法は、磁石２０にコイル３０を近づけた状態で、周波数を変化させながらコイル３０に交流電流を流すことで、渦電流ＥＣの浸透深さδを変化させながら、磁石２０に渦電流ＥＣを発生させる。そして、その際に、磁石２０で発生する反磁界を、例えば、図示しない磁気センサ等により計測し、計測した磁石２０の反磁界と、コイル３０に流した交流電流の周波数ｆ（渦電流ＥＣの浸透深さδ）との関係に基づき、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。

ここで、上述したように、磁石２０は、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が、ＮｄＣｕが浸透していない箇所の電気抵抗と比較して小さくなる。従って、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いが大きいと、磁石２０の表面近傍だけではなく、磁石２０の深部までＮｄＣｕが浸透して電気抵抗が小さくなっている状態であるため、磁石２０の深部まで渦電流ＥＣを発生させた場合でも大きな渦電流ＥＣが流れ、比較的大きな反磁界が計測できる。一方、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いが小さいと、磁石２０の表面近傍のみにＮｄＣｕが浸透して電気抵抗が小さくなっている状態であるため、磁石２０の深部では小さな渦電流ＥＣしか発生せず、この場合に計測される反磁界は小さい。本評価方法は、上述したような点を考慮して、磁石２０の反磁界と、コイル３０に流した交流電流の周波数ｆとの関係に基づき、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価するものである。

さて、上記構成をなす本発明の実施の形態によれば、次のような作用効果を得ることが可能である。すなわち、本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法は、希少金属を使用しない磁石２０への、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する方法であり、例えば、図１に示すような磁石の評価システム１０を用いて実行されるものである。ＮｄＣｕは、磁石２０の周囲にＮｄＣｕを配置して加熱する方法等により浸透させるため、図３に示すように、磁石２０の表面から中心部へ向かって浸透する。このため、ＮｄＣｕの浸透度合いによって、ＮｄＣｕが浸透している磁石２０の深さや、同じ深さでのＮｄＣｕの浸透量に差が生じる。そこで、本評価方法は、電流を流す磁石２０の深さを変化させながら磁石２０に電流を流し、この際に、例えば電気抵抗値ｒ（図４参照）や反磁界等の、ＮｄＣｕの影響を受けて変化する磁石２０のパラメータを計測する。そして、電流を流した磁石２０の深さに係る、計測した磁石２０のパラメータの変化量に基づいて、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価するものである。これにより、磁石２０を磁化することなく、非破壊で容易に評価することができる。

本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法は、より具体的には、図１に示すように、一対の電極１２（１２Ａ、１２Ｂ）により磁石２０を挟み、制御計測手段１８により周波数可変式交流電源１４を制御して、周波数を変化させながら、一対の電極１２Ａ、１２Ｂ間に交流電流を流す。ここで、交流電流は、図２に示すように、表皮効果により、周波数が高くなるほど磁石２０の表面近傍（図中上下端近傍）に集中して流れる傾向にある。このため、本評価方法では、周波数を変化させながら、磁石２０に交流電流を流すことで、電流が流れる磁石２０の深さを変化させる。すなわち、磁石２０に流す交流電流の周波数を低くすることで、磁石２０の深い位置まで電流を流し（図３（ｂ）の黒矢印参照）、交流電流の周波数を高くすることで、磁石の表面近傍に集中させて電流を流す（図３（ａ）の黒矢印参照）ものである。

又、磁石２０は、ＮｄＣｕの浸透によって、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が小さくなり、電流が流れ易くなる。従って、図３（ａ）に示すように、ＮｄＣｕの浸透度合いが小さいと、ＮｄＣｕが磁石２０の表面近傍までしか浸透していない状態であるため、図４に破線で示す曲線のように、磁石２０の表面近傍に電流を流した場合（周波数ｆが高い場合）の磁石２０の電気抵抗値ｒは小さいが、磁石２０の深い位置に電流を流した場合（周波数ｆが低い場合）の磁石２０の電気抵抗値ｒは大きい値になる。一方、図３（ｂ）に示すように、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きいと、ＮｄＣｕが磁石２０の表面近傍だけではなく、磁石２０の深い位置まで浸透した状態であるため、図４に実線で示す曲線のように、磁石２０の深い位置に電流を流した場合（周波数ｆが低い場合）であっても、その際に計測される磁石２０の電気抵抗値ｒは小さい値になる。

このため、本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法は、交流電流の周波数ｆ、すなわち、電流を流す磁石２０の深さを変化させながら、磁石２０の電気抵抗値ｒを計測して、交流電流の周波数ｆ（磁石の深さ）と磁石２０の電気抵抗値ｒとの関係に基づき、上述したような観点から、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。磁石２０の電気抵抗値ｒは、制御計測手段１８により、周波数可変式交流電源１４から取得される電流値と、電圧計１６から取得される電圧値とに基づき算出できる。このように、本評価方法は、磁石２０を磁化することなく、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを容易に評価することができる。

又、本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法は、図５に示すような方法でＮｄＣｕの浸透度合いを評価してもよい。すなわち、本評価方法では、コイル３０を磁石２０に近づけた状態でコイル３０に交流電流を流すことで、磁石２０に渦電流ＥＣを発生させる。ここで、磁石２０の中を渦電流ＥＣが流れる深さδは、コイル３０に流れる交流電流の周波数が高くなるほど、小さくなる傾向にある。このため、本評価方法では、周波数を変化させながら、コイル３０に交流電流を流すことで、渦電流ＥＣが流れる磁石２０の深さδを変化させる。すなわち、コイル３０に流す交流電流の周波数を低くすることで、磁石２０の深い位置まで渦電流ＥＣを流し、交流電流の周波数を高くすることで、磁石２０の表面近傍に渦電流ＥＣを流すものである。

又、磁石２０は、上述したように、ＮｄＣｕの浸透によって、ＮｄＣｕが浸透している箇所の電気抵抗が小さくなり、電流が流れ易くなる。従って、ＮｄＣｕの浸透度合いが大きい場合は、浸透度合いが小さい場合よりも、磁石２０の同じ深さにおける渦電流ＥＣの大きさが大きくなり、より大きな反磁界が発生することになる。このため、本発明の実施の形態に係る磁石の評価方法は、コイル３０に流す交流電流の周波数、すなわち、渦電流ＥＣを流す磁石２０の深さδを変化させながら、磁石２０から発生する反磁界を計測して、交流電流の周波数（磁石の深さδ）と磁石２０の反磁界との関係に基づき、上述したような観点から、ＮｄＣｕの浸透度合いを評価する。このように、渦電流ＥＣを利用した本評価方法によっても、磁石２０を磁化することなく、磁石２０へのＮｄＣｕの浸透度合いを容易に評価することが可能となる。

１０：磁石の評価システム、１２：一対の電極、１４：周波数可変式交流電源、１６：電圧計、１８：制御計測手段、２０：磁石、３０：コイル、ＥＣ：渦電流、ｆ：周波数、ｒ：電気抵抗値

Claims (4)

1. 希少金属を使用しない磁石の評価方法であって、
   前記磁石に電流を流し、この際の電流を流す深さを変化させながら、前記磁石に電流を流すことで得られる、前記磁石に係るパラメータの変化量に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価することを特徴とする磁石の評価方法。
2. 一対の電極により前記磁石を挟み、前記一対の電極間に交流電流を流し、該交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の電気抵抗値を計測し、前記交流電流の周波数と前記磁石の電気抵抗値との関係に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価することを特徴とする請求項１記載の磁石の評価方法。
3. コイルを前記磁石に近づけた状態で前記コイルに交流電流を流すことで、前記磁石に渦電流を発生させ、前記交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の反磁界を計測し、前記交流電流の周波数と前記磁石の反磁界との関係に基づき、前記磁石へのＮｄＣｕの浸透度合いを評価することを特徴とする請求項１記載の磁石の評価方法。
4. 希少金属を使用しない磁石の評価システムであって、
   前記磁石を挟む一対の電極と、該一対の電極間に交流電流を供給する周波数可変式交流電源と、該周波数可変式交流電源と並列に前記一対の電極に接続される電圧計と、前記周波数可変式交流電源が供給する交流電流の周波数を変化させながら、前記磁石の電気抵抗値を計測する制御計測手段とを含むことを特徴とする磁石の評価システム。