JP6063759B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 80
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Read Only Memory (AREA)
Description
図1は、半導体記憶装置を備えた電子機器の一構成例を示すブロック図である。本構成例の電子機器Xは、半導体記憶装置1と、マイコン2と、スイッチ3とを有する。なお、電子機器Xの一例としては、種々の家電機器や電力会社との間で双方向通信を行うスマートメータA(図5)や、被験者に常時装着されて種々の生体情報(脈波や歩数など)を計測する携帯型の生体センサB(図6)を挙げることができる。
図2は、パワーオンシーケンスの一例を示すフローチャートである。半導体記憶装置1の電源オンに際して、マイコン2は、まず、タイミング不問で所定の電源オン制御を行う(ステップS201)。この電源オン制御では、スイッチ3がオンされて半導体記憶装置1への電源経路が導通されると共に、シリアルクロック信号SCK、チップセレクト信号CSB、シリアルデータ入力信号SDI、及び、シリアルデータ出力信号SDOがいずれもハイレベルに固定される。
図3は、パワーオフシーケンスの一例を示すフローチャートである。半導体記憶装置1の電源オフに際して、マイコン2は、まず、半導体記憶装置1に電源オフ命令を送信する(ステップS211)。この電源オフ命令を受信した半導体記憶装置1では、第2命令処理部32が電源オフ命令を認識し(ステップS111)、電源部20からメモリ部10への電力供給を禁止する状態(Pm:オン→オフ)に移行する(ステップS112)。
図4は、間欠駆動時における消費電流の一例を示すタイムチャートである。なお、図中の実線は本発明(電源オン/オフ制御)の挙動を示しており、破線は従来技術(動作モード切替制御)の挙動を示している。本図に示したように、従来では、スリープモードへの移行後も少なからず消費電流Isleep(一般的にはμAオーダー)を生じていたが、本発明によれば、データ化け等を心配せずに半導体記憶装置1自体の電源オン/オフ制御を行うことができるので、不要な待機電流を完全にゼロとすることができる。
なお、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
2 マイコン
3 スイッチ
10 メモリ部
11 メモリセルアレイ
12 Xデコーダ(ローデコーダ)
13 Yデコーダ(カラムデコーダ)
14 センスアンプ
20 電源部
30 制御部
31 第1命令処理部(アクセス制御)
32 第2命令処理部(電源オン/オフ制御)
40 パワーオンリセット部
X 電子機器
A スマートメータ
B 生体センサ
Claims (9)
- 半導体記憶装置と、
電源オン/オフによる前記半導体記憶装置の間欠駆動を行うマイコンと、
前記マイコンの指示で前記半導体記憶装置の電源経路を導通/遮断するスイッチと、
を有し、
前記半導体記憶装置は、
データを不揮発的に記憶するメモリ部と、
前記メモリ部への電力供給を行う電源部と、
前記メモリ部と前記電源部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
アクセス命令を認識して前記メモリ部へのアクセスを行う第1命令処理部と、
電源オン命令と電源オフ命令を各々認識して前記電源部から前記メモリ部への電力供給を許可/禁止する第2命令処理部と、
を実装し、
前記マイコンは、
前記半導体記憶装置の電源オンに際して、前記スイッチをオンしてから前記半導体記憶装置に前記電源オン命令を送信する一方、
前記半導体記憶装置の電源オフに際して、前記半導体記憶装置に前記電源オフ命令を送信してから前記スイッチをオフする、
ことを特徴とする電子機器。 - 前記半導体記憶装置は、電源電圧の投入時に前記制御部を初期化するパワーオンリセット部を有することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
- 前記第2命令処理部は、前記電源部から前記メモリ部への電力供給を禁止する状態で起動することを特徴とする請求項2に記載の電子機器。
- 前記第2命令処理部は、ステータス要求に対して前記電源部から前記メモリ部への電力供給状態を返すことを特徴とする請求項3に記載の電子機器。
- 前記制御部は、装置外部との間で双方向シリアル通信を行う機能を備えていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記メモリ部は、
複数のメモリセルをアレイ状に配列したメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイを駆動するXデコーダ及びYデコーダと、
前記メモリセルアレイからデータを読み出すセンスアンプと、
を含むことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の電子機器。 - 前記メモリセルアレイは、EEPROM[electrically erasable programmable read-only memory]、フラッシュメモリ、または、FeRAM[ferroelectric random access memory]であることを特徴とする請求項6に記載の電子機器。
- 前記マイコンは、前記半導体記憶装置の電源オンに際して、前記電源オン命令を送信した後、前記半導体記憶装置にステータス要求を行い、前記電源部から前記メモリ部への電力供給が開始されたことを確認してから通常のアクセス動作を開始することを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の電子機器。
- 前記マイコンは、前記半導体記憶装置の電源オフに際して、前記電源オフ命令を送信した後、前記半導体記憶装置にステータス要求を行い、前記電源部から前記メモリ部への電力供給が停止されたことを確認してから前記スイッチをオフすることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013013293A JP6063759B2 (ja) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013013293A JP6063759B2 (ja) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014146390A JP2014146390A (ja) | 2014-08-14 |
JP6063759B2 true JP6063759B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=51426507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013013293A Active JP6063759B2 (ja) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6063759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6517685B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-05-22 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
JP6517684B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-05-22 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0753198Y2 (ja) * | 1987-10-19 | 1995-12-06 | 三洋電機株式会社 | マイクロコンピュータ |
JPH09134239A (ja) * | 1995-11-09 | 1997-05-20 | Tokimec Inc | 非接触データ通信装置用電源制御装置 |
JP2000113693A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 不揮発性メモリおよび半導体集積回路 |
ES2280078T3 (es) * | 1999-10-04 | 2007-09-01 | Seiko Epson Corporation | Aparato de registro por chorro de tinta, dispositivo semiconductor y aparato de cabeza de registro. |
JP2001202294A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Denso Corp | 車載電子制御装置 |
JP2004178782A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-06-24 | Sharp Corp | 半導体記憶装置およびその制御方法および携帯電子機器 |
JP5596143B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-09-24 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置 |
-
2013
- 2013-01-28 JP JP2013013293A patent/JP6063759B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014146390A (ja) | 2014-08-14 |
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