JP6047225B2 - 基板の空領域測定システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 80
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 57
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/36—Devices characterised by the use of optical means, e.g. using infrared, visible, or ultraviolet light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
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- H—ELECTRICITY
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Description
−それぞれが基板の領域に照射される少なくとも2つの異なった入射光束Fiを発生させる発光モジュールであって、少なくとも2つの入射光束Fiが第1の部分、空領域Cのを透過して、第2の部分に達し、それぞれが第1の部分と空領域Cとの境界において少なくとも第1の出射光束Feを生じ、空領域Cと第2の部分との境界において第2の出射光束を生じるように配置された発光モジュール。
−第1及び第2の出射光束Feの間の干渉の所定点での光強度を検出するように配置された、光強度を検出する検出モジュール。
−検出モジュールによって検出された光強度の経時変化から空領域Cの伝播状態を示す少なくとも1つのパラメータを算出するように構成された演算装置。
−それぞれが、第1の部分と空領域Cとの境界において少なくとも1つの第1の出射光束Feと、前記空領域Cと第2の部分との境界において少なくとも1つの第2の出射光束Feとを発生させるように、空間的に分離された少なくとも2つの入射光束Fiを発生させるステップ。
−第1の検出位置において第1及び第2の出射光束の間の干渉の所定点での光強度を検出するステップ。
−第2の検出位置において第1及び第2の出射光束の間の干渉の所定点での光強度を検出するステップ。
−第1の検出位置において空領域Cが発生した第1の検出時と、第2の検出位置において空領域Cが発生した第2の検出時との時間差を測定するステップ。
−第1の検出位置と第2の検出位置との間の距離と、第1及び第2の検出時の間の時間差Δtとに基づいて、少なくとも1つの基板の第1の及び第2の部分の間の空領域Cの伝播速度を算出するステップ。
Claims (16)
- 少なくとも1つの基板(6)の第1の部分(4)と第2の部分(5)との間の空領域Cの伝播を測定する測定システム(2)であって、
それぞれが前記基板(6)の領域に照射される少なくとも2つの異なった入射光束Fiを発生させる発光モジュールであって、少なくとも2つの前記入射光束Fiが前記第1の部分(4)、前記空領域Cを透過して、前記第2の部分(5)に達し、それぞれが前記第1の部分(4)と前記空領域Cとの境界において少なくとも第1の出射光束Feを生じさせ、前記空領域Cと前記第2の部分(5)との境界において第2の出射光束Feを生じさせるように配置された発光モジュール(10)と、
前記第1及び第2の出射光束Feの間の干渉の所定点での光強度を検出するように配置された、光強度を検出する検出モジュール(8)と、
前記検出モジュール(8)によって検出された光強度の経時変化から前記空領域Cの伝播状態を示す少なくとも1つのパラメータを算出するように構成された演算装置(11)とを備えている、測定システム(2)。 - 前記検出モジュール(8)及び前記演算装置(11)は、前記第1及び第2の部分(4、5)の間の前記空領域Cの伝播速度を検出するように構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の測定システム(2)。
- 少なくとも2つの前記入射光束は、光束の平面の方向において前記空領域Cの伝播を測定できるように同一平面に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の測定システム(2)。
- 前記発光モジュール(10)は光源(12)と少なくとも1つのカップラ(13)とを有し、
前記光源(12)と前記少なくとも1つのカップラ(13)とは、前記カップラ(13)が、前記光源(12)から放射された光を少なくとも2つの光束に分離できるように配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の測定システム(2)。 - 前記発光モジュール(10)は、少なくとも2つの単一のモード光ファイバと、少なくとも2つのコリメータ(14)とを有し、
前記光ファイバは、前記少なくとも1つのカップラ(13)によって生成された光束をコリメータ(14)に導き、
前記コリメータ(14)は、少なくとも2つの前記入射光束Fiを生成することを特徴とする請求項4に記載の測定システム(2)。 - 前記光源(12)は、単波長で且つ赤外レーザダイオード等の特定のレーザにより構成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の測定システム(2)。
- 前記発光モジュール(10)は、単波長で、コヒーレントで、且つ前記検出モジュール(8)のノイズよりも大きな光強度を検出できる強度である、少なくとも2つの前記入射光束Fiを生成するように配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の測定システム(2)。
- 少なくとも1つの前記入射光束Fiは、前記第1の部分(4)を光強度の少なくとも10%が透過できるように選択することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の測定システム(2)。
- 前記発光モジュール(10)と検出モジュール(8)とは、前記少なくとも1つの基板(6)の同じ側に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の測定システム(2)。
- 前記少なくとも1つの前記入射光束Fiは、前記少なくとも1つの前記入射光束Fiが入射した前記第2の部分(5)を光強度の少なくとも10%が透過できるように選択され、
前記発光モジュール(10)と前記検出モジュール(8)とは、前記少なくとも1つの基板(6)のそれぞれの側に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の測定システム(2)。 - 前記検出モジュール(8)は、少なくとも1つの光強度の受光器(7)と、前記第1及び第2の出射光束Feの間の干渉の所定点での光強度を電気信号に変換する少なくとも1つの光検出器(15)とを有していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の測定システム(2)。
- デジタルオシロスコープ又はアナログ−デジタル変換カードといったサンプリング装置等の信号の収集記録装置(9)をさらに備えていることを特徴とする請求項11に記載の測定システム(2)。
- 少なくとも1つの基板(6)の第1の部分(4)と第2の部分(5)との間の空領域の伝播のための装置(1)であって、
前記第1の部分(4)と前記第2の部分(5)との間の破断又は接合を誘導する手段を有する、ファーネス、牽引装置、又は試験装置等の測定ベンチ(3)と、
請求項1〜12のいずれか1項に記載の、空領域Cの伝播を測定する測定システム(2)とを備えていることを特徴とする、装置(1)。 - それぞれが、第1の部分(4)と空領域Cとの境界において少なくとも1つの第1の出射光束Feと、前記空領域Cと第2の部分(5)との境界において少なくとも1つの第2の出射光束Feとを発生させるように、空間的に分離された少なくとも2つの入射光束Fiを発生させるステップと、
第1の検出位置において前記第1及び第2の出射光束の間の干渉の所定点での光強度を検出するステップと、
第2の検出位置において前記第1及び第2の出射光束の間の干渉の所定点での光強度を検出するステップと、
前記第1の検出位置において前記空領域Cが発生した第1の検出時と、前記第2の検出位置において前記空領域Cが発生した第2の検出時との時間差を測定するステップと、
前記第1の検出位置と前記第2の検出位置との間の距離と、前記第1及び第2の検出時の間の時間差Δtとに基づいて、前記少なくとも1つの基板(6)の前記第1の及び第2の部分(4、5)の間の前記空領域Cの伝播速度を算出するステップとを備えている、測定方法。 - 前記第1及び第2の部分(4、5)の間の空領域Cの伝播速度を算出するために、検出モジュール(8)により検出された光強度の少なくとも2つの連続した極大の間の経過時間を算出するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記入射光束Fiの光強度の少なくとも10%が透過する複数の基板(6)を準備するステップと、
各第1の部分(4)と、各第2の部分(5)と、各空領域(c)を通過するように少なくとも1つの前記入射光束を出射させるステップとをさらに備えていることを特徴とする請求項13〜15のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1252507A FR2988474B1 (fr) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | Systeme de mesure de la propagation d'une zone d'ecartement dans un substrat |
FR1252507 | 2012-03-21 | ||
PCT/FR2013/050517 WO2013140065A1 (fr) | 2012-03-21 | 2013-03-12 | Système de mesure d'une zone d'écartement dans un substrat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015512512A JP2015512512A (ja) | 2015-04-27 |
JP6047225B2 true JP6047225B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=48083485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015500960A Expired - Fee Related JP6047225B2 (ja) | 2012-03-21 | 2013-03-12 | 基板の空領域測定システム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9201023B2 (ja) |
EP (1) | EP2828635B1 (ja) |
JP (1) | JP6047225B2 (ja) |
KR (1) | KR20140134308A (ja) |
CN (1) | CN104321633B (ja) |
FR (1) | FR2988474B1 (ja) |
SG (1) | SG11201405910SA (ja) |
WO (1) | WO2013140065A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3034172B1 (fr) | 2015-03-25 | 2018-03-30 | Ayrton | Dispositif lumineux comprenant une base, un projecteur et un bras connecte entre ladite base et ledit projecteur |
FR3055063B1 (fr) | 2016-08-11 | 2018-08-31 | Soitec | Procede de transfert d'une couche utile |
FR3132787A1 (fr) * | 2022-02-14 | 2023-08-18 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de suivi de fragilisation d’une interface entre un substrat et une couche et dispositif permettant un tel suivi |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61149839A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Fuji Electric Co Ltd | 疲労試験装置 |
EP0356563A1 (de) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Carl Schenck Ag | Verfahren und Messvorrichtung zur Ermittlung von Risslängen und/oder von Dehnungen an Bauteilen, Proben oder dgl. |
US5517861A (en) * | 1994-10-11 | 1996-05-21 | United Technologies Corporation | High temperature crack monitoring apparatus |
US6924898B2 (en) * | 2000-08-08 | 2005-08-02 | Zygo Corporation | Phase-shifting interferometry method and system |
FR2823373B1 (fr) * | 2001-04-10 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe |
US7142295B2 (en) * | 2003-03-05 | 2006-11-28 | Corning Incorporated | Inspection of transparent substrates for defects |
JP4878013B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2012-02-15 | 国立大学法人 東京大学 | 亀裂発生位置の検出方法 |
CN102768403A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-11-07 | 上海美沃精密仪器有限公司 | 一种微显裂隙系统和方法 |
-
2012
- 2012-03-21 FR FR1252507A patent/FR2988474B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-12 US US14/386,869 patent/US9201023B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-12 EP EP13715306.0A patent/EP2828635B1/fr not_active Not-in-force
- 2013-03-12 SG SG11201405910SA patent/SG11201405910SA/en unknown
- 2013-03-12 JP JP2015500960A patent/JP6047225B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-12 WO PCT/FR2013/050517 patent/WO2013140065A1/fr active Application Filing
- 2013-03-12 CN CN201380015194.6A patent/CN104321633B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-12 KR KR1020147027272A patent/KR20140134308A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104321633A (zh) | 2015-01-28 |
FR2988474A1 (fr) | 2013-09-27 |
EP2828635B1 (fr) | 2018-05-30 |
CN104321633B (zh) | 2016-12-14 |
JP2015512512A (ja) | 2015-04-27 |
EP2828635A1 (fr) | 2015-01-28 |
US9201023B2 (en) | 2015-12-01 |
US20150055122A1 (en) | 2015-02-26 |
WO2013140065A1 (fr) | 2013-09-26 |
KR20140134308A (ko) | 2014-11-21 |
SG11201405910SA (en) | 2014-11-27 |
FR2988474B1 (fr) | 2015-02-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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