JP6040899B2 - 電子機器および給電システム - Google Patents

Description

本開示は、電子機器等の給電対象機器に対して非接触に電力供給（給電，送電，電力伝送）を行う給電システム、ならびにそのような給電システムに適用される電子機器に関する。

近年、例えば携帯電話機や携帯音楽プレーヤー等のＣＥ機器（Consumer Electronics Device：民生用電子機器）に対し、非接触に電力供給を行う給電システム（非接触給電システム、ワイヤレス充電システム）が注目を集めている。これにより、ＡＣアダプタのような電源装置のコネクタを機器に挿す（接続する）ことによって充電を開始するのはなく、電子機器（２次側機器）を充電トレー（１次側機器）上に置くだけで充電を開始することができる。すなわち、電子機器と充電トレーと間での端子接続が不要となる。

このようにして非接触で電力供給を行う方式は、２種類の手法に大別される。１つ目の手法は、既に広く知られている電磁誘導方式であり、送電側（１次側）と受電側（２次側）との結合度が非常に高いため、高効率での給電が可能である。２つ目の手法は、磁界共鳴方式と呼ばれる手法であり、積極的に共振現象を利用することによって送電側と受電側とで共有する磁束が少なくても良いという特徴がある。

ここで、以上のような非接触による給電システムは、例えば特許文献１〜６等に開示されている。

特開２００１−１０２９７４号公報 ＷＯ００−２７５３１号公報 特開２００８−２０６２３３号公報 特開２００２−３４１６９号公報 特開２００５−１１０３９９号公報 特開２０１０−６３２４５号公報

ところで、上記のような非接触による給電システムでは一般に、給電や充電の状況に応じて、給電対象である電子機器内での負荷が変動する。したがって、磁界を用いて給電を行う際に、負荷の変動に対応して、適切な制御を行うことが可能な手法の提案が望まれる。

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁界を用いて給電を行う際に適切な制御を行うことが可能な電子機器および給電システムを提供することにある。

本開示の電子機器は、給電装置から磁界を用いて給電された電力を受け取る受電部と、制御部とを備えたものである。この制御部は、軽負荷時において、受電部から供給される受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が上記閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行う。

本開示の給電システムは、１または複数の上記本開示の電子機器と、この電子機器に対して磁界を用いた給電を行う給電装置とを備えたものである。

本開示の電子機器よび給電システムでは、軽負荷時における受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が閾値電流以上に増加するように電流増加制御が行われる。これにより、軽負荷時においても、受電電圧が適切に制御し易くなる。

本開示の電子機器および給電システムによれば、軽負荷時における受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行うようにしたので、軽負荷時においても、受電電圧を適切に制御し易くすることができる。よって、磁界を用いて給電を行う際に適切な制御を行うことが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の一実施の形態に係る給電システムの外観構成例を表す斜視図である。 図１に示した給電システムの詳細構成例を表す図である。 図２に示した交流信号発生回路の詳細構成例を表す回路図である。 交流信号発生回路に対する制御信号の一例を表すタイミング波形図である。 図３に示した交流信号発生回路の動作例を模式的に表す回路図である。 図３に示した交流信号発生回路の他の動作例を模式的に表す回路図である。 図２に示したダミー負荷回路の詳細構成例を表す回路図である。 図６に示したダミー負荷回路の状態例を模式的に表す回路図である。 交流信号発生回路における位相差と受電電圧および負荷抵抗との関係の一例を表す特性図である。 高調波の影響について説明するための特性図である。 実施の形態に係る給電・充電動作の一例を表す流れ図である。 図１０に続く給電・充電動作の一例を表す流れ図である。 予備給電の際の動作状態の一例を表す図である。 受電電流とダミー負荷の接続状態との関係の一例を表す図である。 図６に示したダミー負荷回路の他の状態例を模式的に表す回路図である。 図６に示したダミー負荷回路の他の状態例を模式的に表す回路図である。 図６に示したダミー負荷回路の他の状態例を模式的に表す回路図である。 変形例１に係るダミー負荷の切り離し処理の一例を表す流れ図である。 変形例２に係る受電電流とダミー負荷の接続状態との関係の一例を表す図である。 変形例３に係る給電システムの構成例を表す図である。 図１８に示した電流増加制御部の構成例を表すブロック図である。 図１９に示した電流増加制御部の構成例を表す回路図である。 図２０に示した電流増加制御部の詳細構成例を表す回路図である。 図２０に示した電流増加制御部の他の詳細構成例を表す回路図である。 図１９に示した電流増加制御部の状態例を表すブロック図である。 図１９に示した電流増加制御部の他の状態例を表すブロック図である。 変形例３に係る実測結果の一例を表す特性図である。 変形例３に係る実測結果の他の例を表す特性図である。 変形例３に係る基準電圧と各パラメータとの関係の一例を表す図である。 変形例４に係る電流増加制御部の構成例を表す回路図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（ダミー負荷を利用して受電電流を増加させる場合の例）
２．変形例
変形例１（受電電流の大きさに応じてダミー負荷の切り離しを判断する場合の例）
変形例２（受電電流の大きさに応じて複数種類のダミー負荷を選択利用する例）
変形例３，４（比較器および積分器等を用いて受電電流を増加させる場合の例）
３．その他の変形例

＜実施の形態＞
［給電システム４の全体構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る給電システム（給電システム４）の外観構成例を表したものであり、図２は、この給電システム４の詳細構成例をブロック図および回路図で表したものである。給電システム４は、磁界を用いて（磁界共鳴や電磁誘導等を利用して；以下同様）、非接触に電力伝送（電力供給，給電，送電）を行うシステム（非接触型の給電システム）である。この給電システム４は、給電装置１（１次側機器）と、給電対象機器としての１または複数の電子機器（ここでは１つの電子機器２；２次側機器）とを備えている。

この給電システム４では、例えば図１に示したように、給電装置１における給電面（送電面）Ｓ１上に電子機器２が置かれる（または近接する）ことにより、給電装置１から電子機器２に対して電力伝送が行われるようになっている。ここでは一例として、給電装置１は、給電面Ｓ１の面積が給電対象の電子機器２等よりも大きなマット形状（トレー状）となっている。

（給電装置１）
給電装置１は、上記したように、磁界を用いて電子機器２に対して給電を行うもの（充電トレー）である。この給電装置１は、例えば図２に示したように、送電部１０、交流信号発生回路（交流信号発生部，高周波電力発生回路）１１、通信部１２および制御部１３を有している。

送電部１０は、送電コイル（１次側コイル）Ｌ１およびコンデンサＣ１（共振用のコンデンサ）等を含んで構成されている。これらの送電コイルＬ１とコンデンサＣ１とは、互いに電気的に直列接続されている。具体的には、送電コイルＬ１の一端はコンデンサＣ１の一端に接続され、送電コイルＬ１の他端は接地され、コンデンサＣ１の他端は交流信号発生回路１１の出力端子に接続されている。送電部１０は、これらの送電コイルＬ１およびコンデンサＣ１を利用して、電子機器２（詳細には、後述する受電部２０）に対して交流磁界を用いた給電を行うものである（図２中の矢印Ｐ１参照）。具体的には、送電部１０は、給電面Ｓ１から電子機器２へ向けて磁界（磁束）を放射する機能を有している。

また、送電部１０内では、送電コイルＬ１およびコンデンサＣ１を用いて、ＬＣ共振回路が構成されている。そして、この送電部１０内に形成されるＬＣ共振回路と、後述する受電部２０内に形成されるＬＣ共振回路とは、互いに磁気結合するようになっている（相互誘導）。

交流信号発生回路１１は、例えば給電装置１の外部電源９（親電源）から供給される電力（直流信号Ｓdc）を用いて、給電を行うための所定の交流信号Ｓac（高周波電力）を発生する回路である。この交流信号Ｓacは、送電部１０へ向けて供給されるようになっている。なお、外部電源９としては、例えば、通常のＡＣアダプタや、ＰＣ（Personal Computer）などに設けられているＵＳＢ（Universal Serial Bus）２．０の電源（電力供給能力：５００ｍＡ，電源電圧：５Ｖ程度）等が挙げられる。

このような交流信号発生回路１１は、例えば後述するように、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ等からなる１または複数のスイッチング素子ＳＷ１を含んだ、スイッチングアンプ（いわゆるＥ級アンプや差動アンプ等）を用いて構成されている。また、このスイッチング素子ＳＷ１には、制御部１３から給電用の制御信号ＣＴＬ１が供給されるようになっている。なお、この交流信号発生回路１１の詳細構成については、後述する。

通信部１２は、電子機器２内の後述する通信部２６との間で、所定の通信動作を相互に行うものである（図２中の矢印Ｃ１参照）。

制御部１３は、給電装置１全体（給電システム４全体）における種々の制御動作を行うものである。具体的には、送電部１０による送電動作や通信部１２による通信動作の制御を行うことの他、例えば、給電電力の最適化制御や給電対象機器を認証する機能、給電対象機器が近傍にあることを検知する機能、異種金属等の混入を検知する機能などを有している。ここで、上記した給電動作の制御の際には、前述した制御信号ＣＴＬ１を用いて、交流信号発生回路１１の動作を制御するようになっている。このような制御部１３は、例えば、マイクロコンピュータやパルスジェネレータ等を用いて構成されている。なお、制御部１３による交流信号発生回路１１の制御動作の詳細については、後述する。

（電子機器２）
電子機器２は、例えば、テレビ受像機に代表される据え置き型電子機器や、携帯電話やデジタルカメラに代表される、充電池（バッテリー）を含む携帯型の電子機器等からなる。この電子機器２は、例えば図２に示したように、受電部２０、整流回路２１、電流検出部２２、ダミー負荷回路２３、充電部２４、バッテリー２５、通信部２６、制御部２７およびメモリ部２８を有している。なお、ダミー負荷回路２３が、本開示における「電流増加部」の一具体例に対応している。

受電部２０は、受電コイル（２次側コイル）Ｌ２およびコンデンサＣ２ｓ，Ｃ２ｐ（共振用のコンデンサ）等を含んで構成されている。受電コイルＬ２とコンデンサＣ２ｓとは互いに電気的に直列接続されており、受電コイルＬ２とコンデンサＣ２ｐとは互いに電気的に並列接続されている。具体的には、コンデンサＣ２ｓの一端は、整流回路２１における一方の入力端子およびコンデンサＣ２ｐの一端に接続され、コンデンサＣ２ｓの他端は受電コイルＬ２の一端に接続されている。また、受電コイルＬ２の他端は、整流回路２１における他方の入力端子およびコンデンサＣ２ｐの他端に接続されている。受電部２０は、これらの受電コイルＬ２およびコンデンサＣ２ｓ，Ｃ２ｐ等を利用して、給電装置１内の送電部１０から伝送された電力（給電電力）を受け取る機能を有している。

また、受電部２０内では、受電コイルＬ２およびコンデンサＣ２ｓ，Ｃ２ｐを用いて、ＬＣ共振回路が構成されている。そして、この受電部２０内に形成されるＬＣ共振回路と、前述した送電部１０内に形成されるＬＣ共振回路とは、前述したように互いに磁気結合する。これにより、交流信号発生回路１１により生成された高周波電力（交流信号Ｓac）と略同一の共振周波数によるＬＣ共振動作がなされるようになっている。

整流回路２１は、受電部２０から供給される受電電圧（交流電圧）を整流し、直流電圧を生成する回路である。換言すると、整流回路２１は、受電部２０から供給される交流の受電電流（交流受電電流Ｉac）および受電電圧（交流受電電圧Ｖac）を整流し、直流の受電電流（直流受電電流Ｉdc）および受電電圧（直流受電電圧Ｖdc）を生成する。この整流回路２１は、例えば、複数の整流素子（ダイオード）を用いたブリッジ構成の回路となっている。なお、この整流回路２１が、例えばトランジスタを用いた同期整流回路であってもよい。

電流検出部２２は、受電部２０から供給される受電電流を検出するものである。特にこの例では、電流検出部２２は、電力供給ラインＬｐ上における整流回路２１の後段側において、この整流回路２１による整流後の受電電流（直流受電電流Ｉdc）を検出するようになっている。このようにして検出された直流受電電流Ｉdcは、制御部２７へ出力される。なお、このような電流検出部２２は、例えば、抵抗器やカレントトランス等を用いて構成されている。

ダミー負荷回路２３は、電力供給ラインＬｐ上において整流回路２１と充電部２４との間に配置されており、１または複数のダミー負荷（ダミー抵抗等）を含んで構成されている。このダミー負荷回路２３は、後述する所定の条件を満たす場合には、制御部２７からの制御（制御信号ＣＴＬ２）に従って、受電電流（この例では直流受電電流Ｉdc）を増加させる動作（電流増加動作）を行うようになっている。なお、このダミー負荷回路２３の詳細構成および電流増加動作の詳細については、後述する。

充電部２４は、整流回路２１から出力される直流電力に基づいて、本負荷としてのバッテリー２５への充電動作を行うものである。

バッテリー２５は、充電部２４による充電動作に従って電力を貯蔵するものであり、例えばリチウムイオン電池等の充電池（２次電池）を用いて構成されている。

通信部２６は、給電装置１内の通信部１２との間で、前述した所定の通信動作を相互に行うものである（図２中の矢印Ｃ１参照）。

制御部２７は、電子機器２の全体（給電システム４全体）における種々の制御動作を行うものである。具体的には、受電部２０による受電動作や通信部２６による通信動作の制御を行うことの他、例えば、受電電力の最適化制御を行ったり、充電部２４の充電動作を制御したりする機能等を有している。

ここで本実施の形態では、この制御部２７は、後述する軽負荷時において、電流検出部２２により検出された受電電流（直流受電電流Ｉdc）が所定の閾値電流Ｉth未満である場合（Ｉdc＜Ｉth）には、以下のような電流増加制御を行う。具体的には、そのような場合、制御部２７は、その直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）に増加するように電流増加制御を行う。より具体的には、制御部２７は、例えば、前述したダミー負荷回路２３内におけるダミー負荷のうちの少なくとも１つを利用して、そのような電流増加制御を行うようになっている。このような制御部２７は、例えば、マイクロコンピュータ等を用いて構成されている。なお、この制御部２７による電流増加制御動作の詳細については、後述する。

メモリ部２８は、制御部２７において用いられる各種の情報を記憶しておくためのものである。具体的には、例えば上記した閾値電流Ｉthの情報等を記憶しておくようになっている。

［交流信号発生回路１１の詳細構成例］
次に、図３，図４，図５Ａ，図５Ｂを参照して、前述した交流信号発生回路１１の詳細構成例について説明する。図３は、この交流信号発生回路１１の回路構成例を、外部電源９、送電部１０および制御部１３とともに表したものである。

交流信号発生回路１１は、この例では、前述したスイッチング素子ＳＷ１としての４つのスイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄを用いたブリッジ回路構成となっている。また、これらのスイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄはそれぞれ、この例ではＭＯＳトランジスタからなる。この交流信号発生回路１１では、スイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄのゲートにはそれぞれ、前述した制御信号ＣＴＬ１としての制御信号ＣＴＬ１ａ，ＣＴＬ１ｂ，ＣＴＬ１ｃ，ＣＴＬ１ｄがそれぞれ個別に入力されるようになっている。スイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｃのソースにはそれぞれ、外部電源９からの接続ラインが接続されている。スイッチング素子ＳＷ１ａのドレインはスイッチング素子ＳＷ１ｂのドレインに接続され、スイッチング素子ＳＷ１ｃのドレインはスイッチング素子ＳＷ１ｄのドレインに接続されている。スイッチング素子ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｄのソースはそれぞれ、グランド（接地）に接続されている。また、スイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂのドレインはそれぞれ、送電部１０内のコンデンサＣ１の一端に接続され、スイッチング素子ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄのドレインはそれぞれ、送電部１０内の送電コイルＬ１の一端に接続されている。

ここで、例えば図４に示したように、上記した制御信号ＣＴＬ１（ＣＴＬ１ａ，ＣＴＬ１ｂ，ＣＴＬ１ｃ，ＣＴＬ１ｄ）は、所定の周波数ｆ（ＣＴＬ１（ｆ）＝ｆ１）およびデューティ比Duty（ＣＴＬ１（Duty）＝１０％，５０％等）を示すパルス信号からなる。また、図４に示したように、この制御信号ＣＴＬ１におけるデューティ比Dutyを制御することにより、パルス幅変調（ＰＷＭ：Pulse Width Modulation）がなされるようになっている。

このような構成により交流信号発生回路１１では、制御信号ＣＴＬ１ａ，ＣＴＬ１ｂ，ＣＴＬ１ｃ，ＣＴＬ１ｄに従って、スイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄがそれぞれ、オン・オフ動作（周波数ｆおよびデューティ比Dutyからなるスイッチング動作）を行う。すなわち、制御部１３から供給される制御信号ＣＴＬ１を用いて、スイッチング素子ＳＷ１のオン・オフ動作が制御される。これにより、例えば外部電源９側から入力される直流信号Ｓdcに基づいて交流信号Ｓacが生成され、送電部１０へ供給されるようになっている。

また、この交流信号発生回路１１では、制御信号ＣＴＬ１ａ，ＣＴＬ１ｂ，ＣＴＬ１ｃ，ＣＴＬ１ｄに従って、以下のようにしてフルブリッジ回路とハーフブリッジ回路との回路構成の切り替えが可能となっている。これにより、ハードウェア構成を変化させることなく、スイッチング動作の制御に応じて給電の際の電圧を変化させることが可能となる。

具体的には、例えば図５Ａに示したように、４つのスイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂ，ＳＷ１ｃ，ＳＷ１ｄがそれぞれオン・オフ動作を行う場合、フルブリッジ回路の構成となる。

また、例えば図５Ｂに示したように、２つのスイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂがそれぞれオン・オフ動作を行う一方、スイッチング素子ＳＷ１ｃが常にオフ状態となると共にスイッチング素子ＳＷ１ｄが常にオン状態となる場合、以下のようになる。すなわち、この場合、２つのスイッチング素子ＳＷ１ａ，ＳＷ１ｂからなるハーフブリッジ回路の構成と等価となる。したがって、この場合には、図５Ａに示したフルブリッジ回路の場合と比べ、給電の際に交流信号発生回路１１により生成される電圧（給電電圧）が、約１／２となる。なお、これらの図５Ａ，図５Ｂおよびこれ以降の同様の図面上では、それらの動作状態を分かり易くするため、各スイッチング素子をスイッチの形状で模式的に示している。

［ダミー負荷回路２３の詳細構成例］
次に、図６および図７を参照して、前述したダミー負荷回路２３の詳細構成例について説明する。図６は、このダミー負荷回路２３の回路構成例を、制御部２７とともに表したものである。

ダミー負荷回路２３は、この例では、抵抗素子（ダミー抵抗）からなる２つのダミー負荷Ｒａ，Ｒｂと、ＭＯＳトランジスタからなる２つのスイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂとを有している。ダミー負荷Ｒａとスイッチング素子ＳＷ２ａとは、電力供給ラインＬｐとグランドラインとの間で互いに直列接続され、ダミー負荷Ｒｂとスイッチング素子ＳＷ２ｂとは、電力供給ラインＬｐとグランドラインとの間で互いに直列接続されている。具体的には、ダミー負荷Ｒａの一端は電力供給ラインＬｐに接続され、ダミー負荷Ｒａの他端はスイッチング素子ＳＷ２ａのドレインに接続され、スイッチング素子ＳＷ２ａのソースはグランドラインに接続されている。同様に、ダミー負荷Ｒｂの一端は電力供給ラインＬｐに接続され、ダミー負荷Ｒｂの他端はスイッチング素子ＳＷ２ｂのドレインに接続され、スイッチング素子ＳＷ２ｂのソースはグランドラインに接続されている。また、これらダミー負荷Ｒａとスイッチング素子ＳＷ２ａとの素子対と、ダミー負荷Ｒｂとスイッチング素子ＳＷ２ｂとの素子対とは、互いに並列配置されている。そして、スイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂのゲートには、前述した制御信号ＣＴＬ２としての制御信号ＣＴＬ２ａ，ＣＴＬ２ｂがそれぞれ個別に入力されている。

このような構成によりダミー負荷回路２３では、制御部２７から供給される制御信号ＣＴＬ２ａ，ＣＴＬ２ｂに従って、２つのスイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂが個別にオン状態またはオフ状態となるように設定される。その結果、このダミー負荷回路２３では、２つのダミー負荷Ｒａ，Ｒｂが、直流受電電流Ｉdcの供給経路間（電力供給ラインＬｐとグランドラインとの間）に対して個別に接続あるいは非接続となるようになっている。

なお、例えば図７に示したように、前述した軽負荷時以外（後述する（Ｉdc＜Ｉth）を満たす場合以外）では、スイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂがいずれもオフ状態となるように設定される。つまり、ダミー負荷Ｒａ，Ｒｂがいずれも、直流受電電流Ｉdcの供給経路間に対して非接続となるように設定されている。

［給電システム４の作用・効果］
（１．全体動作の概要）
この給電システム４では、給電装置１内の交流信号発生回路１１が、外部電源９から供給される電力に基づいて、送電部１０内の送電コイルＬ１およびコンデンサＣ１に対して、送電を行うための所定の高周波電力（交流信号Ｓac）を供給する。これにより、送電部１０内の送電コイルＬ１において磁界（磁束）が発生する。このとき、給電装置１の上面（給電面Ｓ１）に、給電対象機器としての電子機器２が置かれる（または近接する）と、給電装置１内の送電コイルＬ１と電子機器２内の受電コイルＬ２とが、給電面Ｓ１付近にて近接する。

このように、磁界を発生している送電コイルＬ１に近接して受電コイルＬ２が配置されると、送電コイルＬ１から発生されている磁束に誘起されて、受電コイルＬ２に起電力（誘導起電力）が生じる。換言すると、電磁誘導または磁界共鳴により、送電コイルＬ１および受電コイルＬ２のそれぞれに鎖交して磁界が発生する。これにより、送電コイルＬ１側（１次側、給電装置１側、送電部１０側）から受電コイルＬ２側（２次側、電子機器２側、受電部２０側）に対して、電力伝送がなされる（図２中の矢印Ｐ１参照）。このとき、給電装置１側の送電コイルＬ１と電子機器２側の受電コイルＬ２とが電磁誘導等により互いに磁気結合し、ＬＣ共振動作が行われる。

すると、電子機器２では、受電コイルＬ２において受け取った交流電力が、整流回路２１を介して充電部２４へ供給され、例えば以下の充電動作がなされる。すなわち、交流電圧（交流電流）が整流回路２１によって所定の直流電圧（直流電流）に変換された後、充電部２４によって、この直流電圧に基づくバッテリー２５への充電がなされる。このようにして、電子機器２において、受電部２０において受け取った電力に基づく充電動作が行われる。

すなわち、本実施の形態では、電子機器２の充電に際し、例えばＡＣアダプタ等への端子接続が不要であり、給電装置１の給電面Ｓ１上に置く（近接させる）だけで、容易に充電を開始させることができる（非接触給電がなされる）。これは、ユーザにおける負担軽減に繋がる。

また、このような動作の際に、給電装置１内の通信部１２と電子機器２内の通信部２６との間で、相互の通信動作が行われる（図２中の矢印Ｃ１参照）。これにより、例えば互いの機器間認証や給電効率制御等がなされる。

（２．軽負荷時の受電電流について）
ところで、本実施の形態の給電装置１では、交流信号発生回路１１において、前述したようなＰＷＭ制御を用いた給電電力の制御が行われる（図４参照）。ところが、このようなＰＷＭ制御による給電電力制御を行う場合、以下説明するように、軽負荷時に、電子機器２において受電電力が適切に制御できなくなってしまうおそれがある。

なお、ＰＷＭ制御では一般に、スイッチング素子への入力の位相差を変化させることが、デューティ比を変化させることと等価となる。一例として、入力の位相差＝９０°は、デューティ比＝２５％に相当する。

ここで図８は、交流信号発生回路１１における、スイッチング素子ＳＷ１ａ〜ＳＷ１ｄへの入力の位相差と、電子機器２における直流受電電圧Ｖdcおよび負荷抵抗との関係の一例を表したものである。この図８により、電子機器２においてある程度の電流（直流受電電流Ｉdc）が流れているとき（負荷抵抗の値がある程度小さいとき）には、位相差が小さくなるのに従って直流受電電圧Ｖdcも小さくなっている。つまり、そのような場合には、位相差と直流受電電圧Ｖdcとが単調減少の関係にある。ところが、電子機器２において流れる電流が少なくなってくると（負荷抵抗の値が増加すると）、これらが単調減少の関係ではなくなってしまう。

これは、直流受電電流Ｉdcが小さくなると（負荷が軽くなると）、電子機器２において複共振の周波数成分が見え易くなり、高調波の影響が大きくなることが原因である。具体的には、例えば図９に示したように、基本波成分と高調波成分との割合（比率）がデューティ比によって大きく異なっており、基本波成分についてはデューティ比が５０％まで増加するのに従って単調増加する一方、高調波成分については単調増加とはなっていない。したがって、例えば、基本波に占める特定の高調波成分の割合が高くなる場合が生じ得る。このように、電子機器２において複共振が発生する場合、負荷が軽くなる（直流受電電流Ｉdcの値が小さくなる）と、高調波の影響が大きくなり、ＰＷＭ制御による給電電力の際に受電電圧（直流受電電圧Ｖdc等）の調整が困難となるおそれがある。換言すると、電子機器２における軽負荷に起因して、直流受電電圧Ｖdcの制御不能状態へ陥るおそれや、直流受電電圧Ｖdcが過電圧となるおそれがある。

ここで、本実施の形態の給電システム４では、後述するように、給電や充電の状況に応じて、給電対象である電子機器２内での負荷が変動する。したがって、磁界を用いて給電を行う際に、負荷の変動に対応して適切な制御を行うことが求められる。なお、これまで説明したようなＰＷＭ制御を利用した給電電力制御以外の場合でも、電子機器２における負荷が軽くなりすぎると、給電装置１における電圧制御範囲が狭いことが要因で、やはり、受電電圧（直流受電電圧Ｖdc等）の調整が困難となるおそれがある。

（３．受電電流の増加動作）
そこで本実施の形態では、２次側機器である電子機器２において、以下のようにして上記した問題を解決している。

すなわち、電子機器２内の制御部２７が、軽負荷時において電流検出部２２により検出された直流受電電流Ｉdcが所定の閾値電流Ｉth未満である場合（Ｉdc＜Ｉth）には、以下のような電流増加制御を行う。具体的には、そのような場合、制御部２７は、その直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）に増加するように電流増加制御を行う。より具体的には、制御部２７は、ダミー負荷回路２３内におけるダミー負荷のうちの少なくとも１つを利用して、そのような電流増加制御を行う。以下、このような電流増加制御を含んだ一連の給電・充電動作について、詳細に説明する。

ここで、上記した「軽負荷時」としては、例えば以下の２つの期間が想定される。すなわち、まず、本負荷としてのバッテリー２５の接続前の期間（後述する起動時の予備給電の期間：第１期間）が挙げられる。また、そのようなバッテリー２５の接続後における、後述する本給電に基づくバッテリー２５への充電動作の期間（例えば満充電付近の期間：第２期間）が挙げられる。

したがって、本実施の形態では以下詳述するように、そのような予備給電の期間と充電動作の期間との双方において、軽負荷であるのか否か（直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満であるのか否か）が判定される。また、後述するように、充電動作の期間では、そのような軽負荷であるのか否かが定期的に判定される。そして、軽負荷であると判定された場合には、上記した電流増加制御が行われる。

図１０および図１１は、本実施の形態の給電・充電動作を流れ図で表わしたものである。この給電・充電動作では、まず、給電装置１から電子機器２に対し、本給電と比べて低電力である予備給電が開始され（図１０のステップＳ１０１）、この予備給電により得られた受電電力を利用して、電子機器２が起動する（ステップＳ１０２）。

次いで、給電装置１と電子機器２との間での通信により、電子機器２（制御部２７）において、本給電の際の受電電力が決定される（ステップＳ１０３）。なお、この予備給電の際には、必要な給電電力が本給電と比べて低いため、給電装置１内の交流信号発生回路１１はハーフブリッジ回路に設定されている。

ここで、このような予備給電の際には、例えば図１２に示したように、制御部２７が充電部２４を非動作状態に制御することにより、本負荷（この例ではバッテリー２５）が電力供給ラインＬｐから非接続状態となるように設定される。

次に、電子機器２では、ステップＳ１０３において決定された受電電力による本給電の開始要求を給電装置１側へ通知する（後述するステップＳ１０６）前に、電流検出部２２において、この予備給電の際の直流受電電流Ｉdcを検出する（ステップＳ１０４）。そして、制御部２７は、検出された直流受電電流Ｉdcが所定の閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であるのか否かを判定する（ステップＳ１０５）。なお、この予備給電の際の直流受電電流Ｉdcは、後述する充電動作時とは異なり、ＩＣ（Integrated Circuit）における消費電流として事前に推定して見積もっておくことが可能である。したがって、上記したステップＳ１０４，Ｓ１０５においては、電流検出部２２において検出された電流の代わりに、そのようにして事前に見積もって設定しておいた値を例えばメモリ部２８から読み出して用いるようにしてもよい。

この閾値電流Ｉthは、例えば図８において説明したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれが回避されるような電流値に設定される。一例としては、閾値電流Ｉth＝１００ｍＡ程度に設定することが考えられる。また、この閾値電流Ｉthの値は固定値には限られず、例えば以下のような可変値（値が変更可能な構成）であってもよい。具体的には、例えば図１３中の矢印Ｐ２で示したように、閾値電流Ｉthの値を、受電部２０から供給されて整流された後の受電電圧（直流受電電圧Ｖdc）の大きさに応じて変化させる（例えば、電子機器２における負荷抵抗値を一定値以下に制御する）ように設定してもよい。

ここで、検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１０５：Ｎ）、例えば図８において説明したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれがないと言える。したがって、この場合には以下説明する電流増加制御はなされず、電子機器２から給電装置１に対し、通信を利用して本給電の開始要求が通知される（ステップＳ１０６）。つまり、この場合には前述した図７に示したように、ダミー負荷回路２３内では、ダミー負荷Ｒａ，Ｒｂがいずれも直流受電電流Ｉdcの供給経路間に対して非接続状態に設定されたままとなる（図１３中に示した電流範囲Ａ２参照）。

一方、検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１０５：Ｙ）、電子機器２内では以下のようにして電流増加制御がなされる。

すなわち、まず制御部２７が、例えば図１４に示したように、ダミー負荷回路２３内のダミー負荷Ｒａ，Ｒｂのうちの少なくとも１つ（この例では、ダミー負荷Ｒａのみ）を、直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させる（ステップＳ１０７，図１３中に示した電流範囲Ａ１参照）。具体的には、制御部２７は、スイッチング素子ＳＷ２ａがオン状態になると共にスイッチング素子ＳＷ２ｂがオフ状態となるように制御する。これにより図１４中に示したように、そのダミー負荷Ｒａに対して、直流受電電流Ｉdcの供給経路（電力供給ラインＬｐ）から電流Ｉａが流れるようになり、直流受電電流Ｉdcが増加する。このようにして、直流受電電流Ｉdcの増加制御（電流増加制御）がなされる。

そのような電流増加制御がなされた後、制御部２７は、再度検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であるのか否かを判定する（ステップＳ１０８）。ここで、再度検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１０８：Ｎ）、すなわち、電流増加制御によって直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上に増加した場合には、前述したステップＳ１０６へと移行する。つまり、電子機器２から給電装置１に対し、通信を利用して本給電の開始要求が通知される。この場合も、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれがなくなったと言えるためである。

一方、再度検出された直流受電電流Ｉdcもが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１０８：Ｙ）、すなわち、電流増加制御がなされても依然として直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満である場合には、以下のようにして再度の電流増加制御が行われる。つまり、制御部２７は、ダミー負荷回路２３内でダミー負荷を追加的に直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させるか、または、ダミー負荷をより負荷（例えば抵抗値）の大きいものに切り替える（ステップＳ１０９）。なお、このような再度の電流増加制御の後は、再びステップＳ１０８に戻ることになる。

ここで、ダミー負荷を追加的に接続させる場合、具体的には例えば図１５Ａに示したようになる。すなわち、この例では、制御部２７は、ダミー負荷Ｒａに加えてダミー負荷Ｒｂをも、直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させる。より具体的には、制御部２７は、スイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂがいずれもオン状態となるように制御する。これにより図１５Ａ中に示したように、ダミー負荷Ｒａ，Ｒｂに対して、直流受電電流Ｉdcの供給経路から電流Ｉａ，Ｉｂがそれぞれ流れるようになり、直流受電電流Ｉdcが更に増加する。このようにして、直流受電電流Ｉdcの更なる増加制御がなされる。

一方、ダミー負荷をより負荷の大きいものに切り替える場合、具体的には例えば図１５Ｂに示したようになる。すなわち、この例において、ダミー負荷Ｒａと比べてダミー負荷Ｒｂのほうがその負荷が大きい場合、制御部２７は、ダミー負荷Ｒａの代わりにダミー負荷Ｒｂを直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させる。より具体的には、制御部２７は、スイッチング素子ＳＷ２ａがオフ状態になると共にスイッチング素子ＳＷ２ｂがオン状態となるように制御する。これにより図１５Ｂ中に示したように、より負荷の大きいダミー負荷Ｒｂに対して、直流受電電流Ｉdcの供給経路から電流Ｉｂが流れるようになり、直流受電電流Ｉdcが更に増加する。このようにして、直流受電電流Ｉdcの更なる増加制御がなされる。

ここで、前述した、給電装置１側への本給電の開始要求の通知（ステップＳ１０６）の後は、次に、給電装置１から電子機器２に対し、予備給電と比べて高電力である本給電が開始される（ステップＳ１１０）。換言すると、この本給電では、給電装置１内の交流信号発生回路１１がハーフブリッジ回路からフルブリッジ回路に切り替えられる。

このようにして本給電が開始されると、制御部２７は充電部２４を動作状態に切り替えることにより、電子機器２内で本負荷としてのバッテリー２５が電力供給ラインＬｐに接続されるように設定する（ステップＳ１１１）。また、このステップＳ１１１では、そのようにしてバッテリー２５が接続状態に設定される際に、制御部２７が、ダミー負荷Ｒａ，Ｒｂの双方を直流受電電流Ｉdcの供給経路間から切り離す。具体的には、制御部２７は、前述した図７に示したように、スイッチング素子ＳＷ２ａ，ＳＷ２ｂがいずれもオフ状態となるように制御する。これにより、ダミー負荷Ｒａ，Ｒｂに対して電流Ｉａ，Ｉｂがいずれも流れなくなり、直流受電電流Ｉdcの増加制御が停止される。

次に、電子機器２において、充電部２４によって受電電力（本給電）に基づくバッテリー２５への充電動作が行われる（図１１のステップＳ１１２）。続いて、制御部２７は、この充電動作によりバッテリー２５が満充電状態となったか否かを判定する（ステップＳ１１３）。ここで、満充電状態であると判定された場合には（ステップＳ１１３：Ｙ）、図１０および図１１に示した給電・充電動作が終了となる。

一方、満充電状態ではないと判定された場合には（ステップＳ１１３：Ｎ）、続いて制御部２７は、この充電動作時において再度検出された直流受電電流Ｉdcが、閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であるのか否かを判定する（ステップＳ１１４）。ここで、再度検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１１４：Ｎ）、前述した電流増加制御はなされず、ステップＳ１１２へと戻ることになる。

一方、再度検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１１４：Ｙ）、制御部２７は、前述した手法（ダミー負荷を接続する手法）にて電流増加制御を行う（ステップＳ１１５）。そして、そのような電流増加制御がなされた後、制御部２７は、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であるのか否かを再度判定する（ステップＳ１１６）。

ここで、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１１６：Ｎ）、すなわち、電流増加制御によって直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上に増加した場合には、前述したステップＳ１１２へと戻ることになる。

一方、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ１１６：Ｙ）、すなわち、電流増加制御がなされても依然として直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満である場合には、以下のようになる。つまり、制御部２７は、前述した手法（例えば図１５Ａまたは図１５Ｂに示した手法）にて、再度の電流増加制御を行う。具体的には、制御部２７は、ダミー負荷回路２３内でダミー負荷を追加的に直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させるか、または、ダミー負荷をより負荷の大きいものに切り替える（ステップＳ１１７）。なお、このような再度の電流増加制御の後は、再びステップＳ１１６に戻ることになる。

以上のように本実施の形態では、軽負荷時における直流受電電流Ｉdcが所定の閾値電流Ｉth未満である場合には、その直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上に増加するように電流増加制御を行う。これにより、そのような軽負荷時においても、電子機器２内の受電電圧（直流受電電圧Ｖdc等）を適切に制御し易くすることができる。具体的には、例えば図８において説明したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれを回避することができる。よって、磁界を用いて給電を行う際に、適切な制御を行うことが可能となる。

＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１〜４）について説明する。なお、実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。

［変形例１］
図１６は、変形例１に係るダミー負荷の切り離し処理の一例を流れ図で表したものである。本変形例では上記実施の形態とは異なり、制御部２７は、バッテリー２５が接続状態に設定された後において、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）である場合に、ダミー負荷を直流受電電流Ｉdcの供給経路間から切り離すようにする。つまり、バッテリー２５が接続状態に設定された後に、直流受電電流Ｉdcの大きさを再度確認してから、ダミー負荷の切り離しを行うようにしている。

なお、図１６に示した処理は、例えば、実施の形態において説明したステップＳ１１１，Ｓ１１２の処理を置き換えたものに対応しており、本変形に係る一連の給電・充電動作におけるその他の処理は、基本的には実施の形態と同様となっている。

本変形例のダミー負荷の切り離し処理では、まず、実施の形態の場合と同様に、電子機器２内で本負荷としてのバッテリー２５が接続されると（図１６のステップＳ２０１）、次にバッテリー２５への充電動作が行われる（ステップＳ２０２）。ただし、本変形例では実施の形態とは異なり、この段階では、ダミー負荷の切り離しがまだ実行されない。

続いて、電子機器２では、この段階で検出された直流受電電流Ｉdcが、閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であるのか否かを再度判定する（ステップＳ２０３）。ここで、検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ２０３：Ｙ）、依然として軽負荷であることから、この段階ではまだダミー負荷の切り離しが実行されず、ステップＳ２０２へと戻ることになる。

一方、検出された直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合（ステップＳ２０３：Ｎ）には、次に制御部２７は、ダミー負荷の切り離しが実行されるように制御する（ステップＳ２０４）。以上で、図１６に示したダミー負荷の切り離し処理が終了となる。

このようにして本変形例では、バッテリー２５が接続状態に設定された後に、直流受電電流Ｉdcの大きさを再度確認してからダミー負荷の切り離しを行うようにしたので、上記実施の形態における効果に加え、例えば以下の効果も得ることが可能となる。すなわち、まず、本負荷としてのバッテリー２５を接続状態に設定したときには、この本負荷が重い負荷となるため、実施の形態のように、この時点でダミー負荷を切り離したほうが望ましいと言える。ただし、状況によっては、本負荷の接続後においても軽負荷状態であることも想定される。したがって、上記した本変形例の手法を採用することにより、状況に応じてダミー負荷の切り離しタイミングを適切に制御できるようになる。よって、磁界を用いて給電を行う際に、より適切な制御を行うことが可能となる。

［変形例２］
図１７は、変形例２に係る受電電流（直流受電電流Ｉdc）とダミー負荷の接続状態との関係の一例を表したものである。本変形例では、ダミー負荷回路２３は、負荷の大きさ（抵抗値等）が異なる複数種類（この例では３種類）のダミー負荷を有している。そして、制御部２７は、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満であると判定された場合には、その直流受電電流Ｉdcの大きさに応じて複数種類のダミー負荷のうちから選択された種類のダミー負荷を直流受電電流Ｉdcの供給経路間に接続させることで、電流増加制御を行う。

具体的には、制御部２７は、直流受電電流Ｉdcが小さくなるのに従って、相対的に負荷の大きいダミー負荷を接続させるようにしている。つまり、図１７に示した例では、直流受電電流Ｉdcの値が閾値電流Ｉth未満で小さくなるのに従って（電流範囲Ａ１１→電流範囲Ａ１２→電流範囲Ａ１３と移行するのに従って）、（負荷：小）→（負荷：中）→（負荷：大）の順にダミー負荷の種類を切り替えて接続させている。

このようにして本変形例では、検出された直流受電電流Ｉdcの大きさに応じて、負荷の大きさが異なる複数種類のダミー負荷のうちから選択された種類のダミー負荷を接続させるようにしたので、より細やかな電流増加制御を行うことが可能となる。

なお、図１７に示した例では、負荷の大きさが異なる３種類のダミー負荷を用いているが、これには限られず、負荷の大きさが異なる２種類あるいは４種類以上のダミー負荷を用いるようにしてもよい。

［変形例３］
（構成）
図１８は、変形例３に係る給電システム（給電システム４Ａ）の構成例を、ブロック図および回路図で表したものである。本変形例の給電システム４Ａは、給電装置１および電子機器２Ａを備えている。つまり、給電システム４において、電子機器２の代わりに電子機器２Ａを設けたものであり、他の構成は基本的には同様となっている。

電子機器２Ａは、図１８に示したように、電子機器２において、ダミー負荷回路２３の代わりに電流増加制御部２３Ａを設けると共に、制御部２７の代わりに制御部２７Ａを設けたものに対応しており、他の構成は基本的には同様となっている。制御部２７Ａは、制御部２７において前述した電流増加制御を行わないようにしたものに対応しており、他の機能は基本的には同様となっている。また、電流増加制御部２３Ａは、制御部２７の代わりに以下説明する電流増加制御を行うものであり、本開示における「制御部」の一具体例に対応している。

図１９は、この電流増加制御部２３Ａの構成例をブロック図で表したものであり、図２０は、図１９に示した電流増加制御部２３Ａの構成例を回路図で表したものである。また、図２１Ａおよび図２１Ｂはそれぞれ、図２０に示した電流増加制御部２３Ａの詳細構成例を、電流検出部２２の回路構成例とともに回路図で表したものである。

電流増加制御部２３Ａは、後述するように、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）に増加するように、換言すると、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満（Ｉdc＜Ｉth）とならないように、電流増加制御を能動的に行う回路（自動負荷制御部）である。この電流増加制御部２３Ａは、図１９に示したように、基準電圧出力部２３１、比較器（コンパレータ）２３２、積分器２３３およびトランジスタ２３４を有している。

ここで、電流増加制御部２３Ａにおけるこれらの構成について説明する前に、図２０および図２１Ａ，図２１Ｂを参照して、本変形例における電流検出部２２の回路構成例について説明する。本変形例では、電流検出部２２は、電流（直流受電電流Ｉdc）を電圧（直流受電電圧Ｖdc）として検出するようになっており、例えば抵抗器２２Ｒおよび増幅器（アンプ）２２Ａを有している。抵抗器２２Ｒは、直流受電電流Ｉdcの供給経路（電力供給ラインＬｐ）上に挿入配置されている。増幅器２２Ａの正（＋）側入力端子には、抵抗器２２Ｒの一端側に接続された配線が接続され、負（−）側入力端子には、抵抗器２２Ｒの他端側に接続された配線が接続されている。また、増幅器２２Ａの出力端子からは、検出された直流受電電流Ｉdcが直流受電電圧Ｖdcとして出力されるようになっている。

基準電圧出力部２３１は、閾値電流Ｉthに対応する基準電圧Ｖrefを出力する回路であり、例えば図２０に示したように、２つの抵抗器２３１Ｒ１，２３１Ｒ２を有している。抵抗器２３１Ｒ１の一端には後述する入力電圧Ｖin１が入力され、抵抗器２３１Ｒ１の他端は、抵抗器２３１Ｒ２の一端および後述する比較器２３２の負側入力端子に接続されている。抵抗器２３１Ｒ２の他端は接地されている。このような構成により基準電圧出力部２３１では、入力電圧Ｖin１が抵抗器２３１Ｒ１，２３１Ｒ２の抵抗比に応じて分圧され、基準電圧Ｖrefとして出力されるようになっている。具体的には、抵抗器２３１Ｒ１，２３１Ｒ２の抵抗値をそれぞれＲ１１，Ｒ１２とすると、基準電圧Ｖrefは以下の（１）式で表される。
Ｖref＝Ｖin１×｛Ｒ１２／（Ｒ１１＋Ｒ１２）｝ ……（１）

ここで、この入力電圧Ｖin１としては、例えば図２１Ａに示したように、所定の固定電圧Ｖcnstを用いる（Ｖin１＝Ｖcnst）場合と、例えば図２１Ｂに示したように、可変電圧である直流受電電圧Ｖdcを用いる（Ｖin１＝Ｖdc）場合とが挙げられる。

図２１Ａの例では、基準電圧出力部２３１において、固定電圧Ｖcnstが上記した抵抗比に応じて分圧されることで、定電圧である基準電圧Ｖrefが生成されるようになっている。一方、図２１Ｂの例では、基準電圧出力部２３１において、直流受電電圧Ｖdcが上記した抵抗比に応じて分圧されることで、この直流受電電圧Ｖdcの変化に連動して変化する可変電圧である基準電圧Ｖrefが生成されるようになっている。

比較器２３２は、図１９に示したように、直流受電電流Ｉdcに対応する直流受電電圧Ｖdcと、閾値電流Ｉthに対応する基準電圧Ｖrefとの電圧（電位）の大小を比較し、その比較結果を示す出力信号（出力電圧Ｖout）を出力する回路である。この比較器２３２では、図１９〜図２１Ｂに示したように、正側入力端子に直流受電電圧Ｖdcが入力され、負側入力端子に基準電圧Ｖrefが入力され、出力端子から出力電圧Ｖoutが出力されるようになっている。

積分器２３３は、比較器２３２から供給される出力電圧Ｖoutに基づいて、トランジスタ２３４の制御信号ＣＴＬ３を生成および出力することにより、後述する電流増加制御を行う回路（アクティブＬＰＦ（Low Pass Filter），ＰＩ（Proportional Integral）制御回路）である。具体的には、積分器２３３は、比較器２３２からの出力電圧Ｖoutを積算することで、そのような制御信号ＣＴＬ３を生成するようになっている。

この積分器２３３は、例えば図２０，図２１Ａ，図２１Ｂに示したように、４つの抵抗器２３３Ｒ１，２３３Ｒ２，２３３Ｒ３，２３３Ｒ４と、１つのコンデンサ２３３Ｃと、１つの増幅器２３３Ａとを有している。抵抗器２３３Ｒ１の一端には入力電圧Ｖin３が入力され、抵抗器２３３Ｒ１の他端は、抵抗器２３３Ｒ２の一端および増幅器２３３Ａの正側入力端子に接続され、抵抗器２３３Ｒ２の他端は接地されている。また、抵抗器２３３Ｒ３の一端は比較器２３２の出力端子に接続され、抵抗器２３３Ｒ３の他端は、増幅器２３３Ａの負側入力端子と、コンデンサ２３３Ｃおよび抵抗器２３３Ｒ４の各一端とにそれぞれ接続されている。コンデンサ２３３Ｃおよび抵抗器２３３Ｒ４の各他端は、増幅器２３３Ａの出力端子および後述するトランジスタ２３４のゲートに接続されている。

トランジスタ２３４は、積分器２３３から供給される制御信号ＣＴＬ３による制御に従って動作するものであり、この例ではＭＯＳトランジスタからなる。ただし、このトランジスタ２３４が、例えばバイポーラトランジスタ等であってもよい。図１９〜図２１Ｂに示したように、トランジスタ２３４のゲートには制御信号ＣＴＬ３が入力され、ソースおよびドレインのうちの一方は直流受電電流Ｉdcの供給経路（電力供給ラインＬｐ）に接続され、他方は接地されている。このような構成によりトランジスタ２３４では、詳細は後述するが、制御信号ＣＴＬ３によるゲート電圧の制御に応じて、電力供給ラインＬｐと接地との間に電流を流すことが可能となっている。

（作用・効果）
本変形例の給電システム４Ａでは、電流増加制御部２３Ａにおいて、以下のような動作（電流増加制御）が行われる。

まず、電流増加制御部２３Ａ内の比較器２３３は、比較器２３２からの出力信号（出力電圧Ｖout）に基づいて、前述した軽負荷時における直流受電電圧Ｖdcが基準電圧Ｖref未満であるのか否か（Ｖdc＜Ｖrefを満たすのか否か）を判定する。換言すると、積分器２３３は、軽負荷時における直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満であるのか否か（Ｉdc＜Ｉthを満たすのか否か）を判定する。

ここで、Ｖdc≧Ｖref（Ｉdc≧Ｉth）であると判定された場合には、前述したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれがないと言える。したがって、この場合には、電流増加制御部２３Ａにおいて以下説明する電流増加制御はなされない。つまり、この場合には例えば図２２Ａに示したように、積分器２３３から出力される制御信号ＣＴ３に従ってトランジスタ２３４がオフ状態に設定され、このトランジスタ２３４に電流は流れないことになる。

一方、Ｖdc＜Ｖref（Ｉdc＜Ｉth）であると判定された場合には、前述したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれがあると言える。したがって、この場合には、電流増加制御部２３Ａにおいて、以下のような電流増加制御がなされる。具体的には、そのような場合、積分器２３３は、例えば図２２Ｂに示したように、制御信号ＣＴ３によってトランジスタ２３４をオン状態に設定し、このトランジスタ２３４を直流受電電流Ｉdcの供給経路（電力供給ラインＬｐ）に接続させる。これにより図２２Ｂ中に示したように、トランジスタ２３４に対して電流Ｉｃが流れるようになり、直流受電電流Ｉdcが増加する。このようにして、直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上（Ｉdc≧Ｉth）に増加するように、電流増加制御がなされる。

ここで、図２３および図２４はそれぞれ、変形例３に係る実測結果例を、電流増加制御部２３が有る場合（実施例）と無い場合（比較例）との双方について表したものである。具体的には、図２３は、直流受電電流Ｉdcと直流受電電圧Ｖdcとの関係を示す実測結果例を、図２４は、交流受電電圧Ｖacの時間変化を示す実測結果例を、それぞれ表している。なお、これらの実測結果例はそれぞれ、シミュレーションの場合と同様の結果が得られた。

図２３により、電流増加制御部２３Ａを設けることで、直流受電電流Ｉdcが小さい場合における直流受電電圧Ｖdcの急激な上昇が回避されていることが分かる。また、図２４により、電流増加制御部２３Ａを設けることで、高調波の起因した交流受電電圧Ｖacでのリンギングが抑えられ、電圧上昇が抑制されていることが分かる。

また、図２５は、図２１Ｂに示した回路構成（入力電圧Ｖin１として可変電圧である直流受電電圧Ｖdcを用いた構成）の場合における、基準電圧Ｖrefと各パラメータ（直流受電電圧Ｖdc，閾値電流Ｉth，負荷抵抗値）との関係を示す実測結果例を表したものである。この図２５により、直流受電電圧Ｖdcが変化した場合であっても、この回路構成の場合には、前述したようにそれに伴って基準電圧Ｖref（閾値電流Ｉth）も変化するため、結果として負荷抵抗の値が一定に保たれていることが分かる。具体的には、この場合、直流受電電圧Ｖdcが高くなるのに応じて、基準電圧Ｖref（閾値電流Ｉth）も増加し、より多くの電流（直流受電電流Ｉdc）が流れることにより、負荷抵抗値が一定に保たれることになる。

以上のように本変形例では、電流増加制御部２３Ａにおいて、軽負荷時における直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth未満である場合には、その直流受電電流Ｉdcが閾値電流Ｉth以上に増加するように電流増加制御を行う。これにより、そのような軽負荷時においても、電子機器２Ａ内の受電電圧（直流受電電圧Ｖdc等）を適切に制御し易くすることができる。具体的には、例えば図８において説明したような、軽負荷に起因して受電電圧の制御不能状態へ陥るおそれや、受電電圧が過電圧となるおそれを回避することができる。よって、上記実施の形態と同様に、磁界を用いて給電を行う際に、適切な制御を行うことが可能となる。

また、特に本変形例では、上記実施の形態で説明した、ダミー負荷回路２３を利用した電流増加制御の場合とは異なり、自律的（能動的）な電流増加制御が可能となると共に、ステップ的（非連続的）ではなく連続的な電流増加制御が可能となる。

更に、例えば図２１Ｂに示したように、直流受電電圧Ｖdcが分圧されることによって、この直流受電電圧Ｖdcの変化に連動して変化する可変電圧である基準電圧Ｖrefが生成されるようにした場合には、例えば以下のような効果も得ることが可能である。すなわち、例えば、直流受電電圧Ｖdcの電圧変動が大きい場合などには、このような回路構成を用いて負荷抵抗値を一定に保持するほうが、直流受電電流Ｉdcを一定に保持する場合よりも効果が大きくなり得る。

［変形例４］
（構成）
図２６は、変形例４に係る電流増加制御部（電流増加制御部２３Ｂ）の回路構成例を表したものである。本変形例の電流増加制御部２３Ｂは、変形例３において説明した電流増加制御部２３（図２１Ｂの構成）において、基準電圧出力部２３１の代わりに基準電圧出力部２３１Ｂを設けると共に、制御部２７Ａによってこの基準電圧出力部２３１Ｂの動作を制御するようにしたものに対応しており、他の構成は基本的には同様となっている。

基準電圧出力部２３１Ｂは、図２１Ｂに示した基準電圧出力部２３１において、直流受電電圧Ｖdcを分圧する際の分圧比を変化させることが可能な構成となっている。具体的には、この基準電圧出力部２３１Ｂでは、図２１Ｂに示した抵抗器２３１Ｒ１の代わりに、互いに並列接続された２つの抵抗器２３１Ｒ１ａ，２３１Ｒ１ｂが設けられると共に、ＭＯＳトランジスタ等からなる１つのスイッチング素子ＳＷ３１が、抵抗器２３１Ｒ１ｂに対して直列接続されている。同様に、図２１Ｂに示した抵抗器２３１Ｒ２の代わりに、互いに並列接続された２つの抵抗器２３１Ｒ２ａ，２３１Ｒ２ｂが設けられると共に、ＭＯＳトランジスタ等からなる１つのスイッチング素子ＳＷ３２が、抵抗器２３１Ｒ２ｂに対して直列接続されている。そして、これらのスイッチング素子ＳＷ３１，ＳＷ３２はそれぞれ、制御部２７Ａから供給される制御信号ＣＴＬ３１，ＣＴＬ３２に従って、それらのオン状態とオフ状態とが個別に制御されるようになっている（図２６中の破線の矢印参照）。

基準電圧出力部２３１Ｂでは、このようにしてスイッチング素子ＳＷ３１，ＳＷ３２のオン・オフ状態が個別に制御されることで、上記したように、直流受電電圧Ｖdcを分圧する際の分圧比（抵抗比）が変化する。これにより本変形例の電流増加制御部２３Ｂでは、制御部２７Ａによる制御に従って基準電圧Ｖrefの値が変更可能となり、上記変形例３における効果に加えて例えば以下のような効果も得ることが可能となる。

すなわち、変形例３において説明した電流増加制御部２３Ａでは、基本的には制御部２７Ａによる動的な制御が不要であり、スタンドアローン動作が可能であるのが大きな利点である。一方で、非接触給電を行う際には、例えば初期動作フェーズや通信フェーズ、給電フェーズなど、複数のフェーズが存在することが多い。また、電力に応じてトポロジーを変化させることも考えられるため、そのような複数のフェーズごとに、制御する電流値や負荷抵抗値を変化させることも想定される。そこで、本変形例の電流増加制御部２３Ｂを用いることで、制御部２７Ａによる動的な制御は不要のまま、初期パラメータで能動的に負荷制御を行い、特定のフェーズにおける制御値（電流値や負荷抵抗値）を変更することが可能となる。

また、負荷抵抗値が一定以上とならないように制御することで、電流値を制御する場合と同様に、直流受電電圧Ｖdcが過電圧となるおそれ等を回避することが可能となる。

なお、本変形例では、スイッチング素子ＳＷ３１，ＳＷ３２のオン・オフ状態を利用して分圧比を変化させる構成としたが、これには限られない。例えば、図２１Ｂに示した抵抗器２３１Ｒ１，２３１Ｒ２をそれぞれ可変抵抗器とすることで、分圧比を変化させるようにしてもよい。

＜その他の変形例＞
以上、実施の形態および変形例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等では各種のコイル（送電コイル，受電コイル）を挙げて説明しているが、これらのコイルの構成（形状）としては種々のものを用いることが可能である。すなわち、例えばスパイラル形状やループ形状、磁性体を用いたバー形状、スパイラルコイルを２層で折り返すように配置するα巻き形状、更なる多層のスパイラル形状、厚み方向に巻線が巻回しているヘリカル形状などによって、各コイルを構成することが可能である。また、各コイルは、導電性を有する線材により構成された巻き線コイルだけではなく、プリント基板やフレキシブルプリント基板などにより構成された、導電性を有するパターンコイルであってもよい。

また、上記実施の形態等では、給電対象機器の一例として電子機器を挙げて説明したが、これには限られず、電子機器以外の給電対象機器（例えば、電気自動車等の車両など）であってもよい。

更に、上記実施の形態等では、給電装置および電子機器の各構成要素を具体的に挙げて説明したが、全ての構成要素を備える必要はなく、また、他の構成要素を更に備えていてもよい。例えば、給電装置や電子機器内に、通信機能や何かしらの制御機能、表示機能、２次側機器を認証する機能、異種金属などの混入を検知する機能などを搭載するようにしてもよい。また、電流増加部（ダミー負荷回路）や電流増加制御部の構成、および電流増加の手法についても、上記実施の形態等で説明したものには限られず、他の構成や手法であってもよい。具体的には、例えば、ダミー負荷回路内でのダミー負荷の個数は、上記実施の形態等で説明したもの（２つ）には限られず、１つあるいは３つ以上であってもよい。また、例えば、電流増加制御部内において、ＰＩ制御を行う代わりに、ＰＩＤ（Proportional Integral Derivative）制御を行うようにしてもよい。更に、上記実施の形態等では、電流増加制御の対象となる「軽負荷時」の一例として、予備給電の期間（第１期間）と、本給電に基づく２次電池への充電動作の期間（第２期間）との双方を挙げて説明したが、これには限られない。例えば、これら第１期間および第２期間のうちの一方のみを「軽負荷時」とし、その期間を電流増加制御の対象としてもよい。

加えて、上記実施の形態等では、電流検出部２２において整流回路２１による整流後の受電電流（直流受電電流Ｉdc）を検出する場合を例に挙げて説明したが、これには限られない。すなわち、例えば、整流回路２１による整流前の受電電流（交流受電電流Ｉac）を検出し、これを電流増加制御に利用するようにしてもよい。あるいは、バッテリー２５へ流れる電流（負荷電流）を受電電流として検出するようにしてもよい。ただし、直流受電電流Ｉdcのほうが交流受電電流Ｉacと比べて検出し易いため、直流受電電流Ｉdcを検出するようにするのが望ましいと言える。なお、ダミー負荷回路２３や電流増加制御部２３Ａ，２３Ｂの位置についても、上記実施の形態等のように整流回路２１の後段側には限られず、例えば整流回路２１の前段側に配置されているようにしてもよい。

また、上記実施の形態等では、主に、給電システム内に１つの電子機器のみが設けられている場合を例に挙げて説明したが、この場合には限られず、給電システム内に複数（２つ以上）の電子機器が設けられているようにしてもよい。

更に、上記実施の形態等では、給電装置の一例として、携帯電話機等の小型の電子機器（ＣＥ機器）向けの充電トレーを挙げて説明したが、給電装置としてはそのような家庭用の充電トレーには限定されず、様々な電子機器等の充電器として適用可能である。また、必ずしもトレーである必要はなく、例えば、いわゆるクレードル等の電子機器用のスタンドであってもよい。

なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
給電装置から磁界を用いて給電された電力を受け取る受電部と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、軽負荷時において、前記受電部から供給される受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が前記閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行う
電子機器。
（２）
１または複数のダミー負荷を有する電流増加部を備え、
前記制御部は、前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つを利用して前記電流増加制御を行う
上記（１）に記載の電子機器。
（３）
前記制御部は、
前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つを前記受電電流の供給経路間に接続させ、そのダミー負荷に電流が流れるように制御することにより、前記電流増加制御を行う
上記（２）に記載の電子機器。
（４）
前記制御部は、本負荷が接続状態に設定される際に、前記ダミー負荷を前記供給経路間から切り離す
上記（３）に記載の電子機器。
（５）
前記制御部は、本負荷が接続状態に設定された後において、前記受電電流が前記閾値電流以上である場合には、前記ダミー負荷を前記供給経路間から切り離す
上記（３）に記載の電子機器。
（６）
前記電流増加部は、負荷の大きさが異なる複数種類の前記ダミー負荷を有し、
前記制御部は、
前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
その受電電流の大きさに応じて前記複数種類のダミー負荷のうちから選択された種類のダミー負荷を、前記供給経路間に接続させる
上記（３）ないし（５）のいずれかに記載の電子機器。
（７）
前記制御部は、
前記受電電流が小さくなるのに従って、相対的に負荷の大きいダミー負荷を前記供給経路間に接続させる
上記（６）に記載の電子機器。
（８）
前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つが前記供給経路間に接続された後に、依然として前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
前記制御部は、前記ダミー負荷を追加的に前記供給経路間に接続させるか、または、前記ダミー負荷をより負荷の大きいものに切り替える
上記（３）ないし（７）のいずれかに記載の電子機器。
（９）
前記制御部は、
前記受電電流に対応する受電電圧と、前記閾値電流に対応する基準電圧との電圧の大小を比較する比較器と、
前記比較器からの出力信号を入力する積分器と、
前記積分器による制御に従って動作するトランジスタとを含む
上記（１）に記載の電子機器。
（１０）
前記積分器は、
前記出力信号に基づいて前記受電電圧が前記基準電圧未満であると判定された場合には、
前記トランジスタを前記受電電流の供給経路間に接続させて、前記トランジスタに電流が流れるように制御することにより、前記電流増加制御を行う
上記（９）に記載の電子機器。
（１１）
前記基準電圧が定電圧である
上記（９）または（１０）に記載の電子機器。
（１２）
前記基準電圧が、前記受電電圧の変化に連動して変化する可変電圧である
上記（９）または（１０）に記載の電子機器。
（１３）
前記基準電圧が、所定の固定電圧または前記受電電圧を分圧することにより生成されており、
前記分圧する際の分圧比を変化させることで前記基準電圧の値が変更可能となるように構成されている
上記（９）ないし（１２）のいずれかに記載の電子機器。
（１４）
前記軽負荷時が、
前記給電装置から本給電よりも低電力である予備給電が行われる第１期間と、
前記第１期間後において、本負荷としての２次電池が接続状態に設定されて前記本給電に基づく前記２次電池への充電動作が行われる第２期間と
のうちの少なくとも一方である
上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の電子機器。
（１５）
前記第２期間において前記充電動作が行われている間、
前記受電電流が前記閾値電流未満であるのか否かが、定期的に判定される
上記（１４）に記載の電子機器。
（１６）
前記制御部は、
前記第１期間において前記受電電流が前記閾値電流以上に増加した後、
前記本給電の開始要求を前記給電装置に対して通知する
上記（１４）または（１５）に記載の電子機器。
（１７）
前記閾値電流の値が、変更可能に構成されている
上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載の電子機器。
（１８）
前記受電電流を検出する電流検出部を備え、
前記制御部は、前記電流検出部により検出された受電電流を用いて前記電流増加制御を行う
上記（１）ないし（１７）のいずれかに記載の電子機器。
（１９）
前記受電電流を整流する整流回路を備え、
前記電流検出部は、前記整流回路による整流後の受電電流を検出する
上記（１８）に記載の電子機器。
（２０）
１または複数の電子機器と、
前記電子機器に対して磁界を用いた給電を行う給電装置と
を備え、
前記電子機器は、
前記給電装置から給電された電力を受け取る受電部と、
制御部と
を有し、
前記制御部は、軽負荷時において、前記受電部から供給される受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が前記閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行う
給電システム。

１…給電装置、１０…送電部、１１…交流信号発生回路、１２…通信部、１３…制御部、２，２Ａ…電子機器、２０…受電部、２１…整流回路、２２…電流検出部、２３…ダミー負荷回路、２３Ａ，２３Ｂ…電流増加制御部、２３１，２３１Ｂ…基準電圧出力部、２３２…比較器、２３３…積分器、２３４…トランジスタ、２４…充電部、２５…バッテリー、２６…通信部、２７，２７Ａ…制御部、２８…メモリ部、４，４Ａ…給電システム、９…外部電源、Ｓ１…送電面、Ｌ１…送電コイル、Ｌ２…受電コイル、Ｃ１，Ｃ２ｓ，Ｃ２ｐ…コンデンサ、ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３１，ＳＷ３２…スイッチング素子、Ｒａ，Ｒｂ…ダミー負荷（ダミー抵抗）、Ｓdc…直流信号、Ｓac…交流信号、ＣＴＬ１，ＣＴＬ２，ＣＴＬ３，ＣＴＬ３１，ＣＴＬ３２…制御信号、Ｌｐ…電力供給ライン、Ｖac…交流受電電圧、Ｖdc…直流受電電圧、Ｖref…基準電圧、Ｖin１，Ｖin３…入力電圧、Ｖout…出力電圧、Ｖcnst…固定電圧、Ｉac…交流受電電流、Ｉdc…直流受電電流、Ｉth…閾値電流、Ｉａ，Ｉｂ，Ｉｃ…電流、Ａ１，Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２…電流範囲。

Claims (20)

1. 給電装置から磁界を用いて給電された電力を受け取る受電部と、
   制御部と
   を備え、
   前記制御部は、軽負荷時において、前記受電部から供給される受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が前記閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行う
   電子機器。
2. １または複数のダミー負荷を有する電流増加部を備え、
   前記制御部は、前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つを利用して前記電流増加制御を行う
   請求項１に記載の電子機器。
3. 前記制御部は、
   前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
   前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つを前記受電電流の供給経路間に接続させ、そのダミー負荷に電流が流れるように制御することにより、前記電流増加制御を行う
   請求項２に記載の電子機器。
4. 前記制御部は、本負荷が接続状態に設定される際に、前記ダミー負荷を前記供給経路間から切り離す
   請求項３に記載の電子機器。
5. 前記制御部は、本負荷が接続状態に設定された後において、前記受電電流が前記閾値電流以上である場合には、前記ダミー負荷を前記供給経路間から切り離す
   請求項３に記載の電子機器。
6. 前記電流増加部は、負荷の大きさが異なる複数種類の前記ダミー負荷を有し、
   前記制御部は、
   前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
   その受電電流の大きさに応じて前記複数種類のダミー負荷のうちから選択された種類のダミー負荷を、前記供給経路間に接続させる
   請求項３に記載の電子機器。
7. 前記制御部は、
   前記受電電流が小さくなるのに従って、相対的に負荷の大きいダミー負荷を前記供給経路間に接続させる
   請求項６に記載の電子機器。
8. 前記ダミー負荷のうちの少なくとも１つが前記供給経路間に接続された後に、依然として前記受電電流が前記閾値電流未満である場合には、
   前記制御部は、前記ダミー負荷を追加的に前記供給経路間に接続させるか、または、前記ダミー負荷をより負荷の大きいものに切り替える
   請求項３に記載の電子機器。
9. 前記制御部は、
   前記受電電流に対応する受電電圧と、前記閾値電流に対応する基準電圧との電圧の大小を比較する比較器と、
   前記比較器からの出力信号を入力する積分器と、
   前記積分器による制御に従って動作するトランジスタとを含む
   請求項１に記載の電子機器。
10. 前記積分器は、
    前記出力信号に基づいて前記受電電圧が前記基準電圧未満であると判定された場合には、
    前記トランジスタを前記受電電流の供給経路間に接続させて、前記トランジスタに電流が流れるように制御することにより、前記電流増加制御を行う
    請求項９に記載の電子機器。
11. 前記基準電圧が定電圧である
    請求項９に記載の電子機器。
12. 前記基準電圧が、前記受電電圧の変化に連動して変化する可変電圧である
    請求項９に記載の電子機器。
13. 前記基準電圧が、所定の固定電圧または前記受電電圧を分圧することにより生成されており、
    前記分圧する際の分圧比を変化させることで前記基準電圧の値が変更可能となるように構成されている
    請求項９に記載の電子機器。
14. 前記軽負荷時が、
    前記給電装置から本給電よりも低電力である予備給電が行われる第１期間と、
    前記第１期間後において、本負荷としての２次電池が接続状態に設定されて前記本給電に基づく前記２次電池への充電動作が行われる第２期間と
    のうちの少なくとも一方である
    請求項１に記載の電子機器。
15. 前記第２期間において前記充電動作が行われている間、
    前記受電電流が前記閾値電流未満であるのか否かが、定期的に判定される
    請求項１４に記載の電子機器。
16. 前記制御部は、
    前記第１期間において前記受電電流が前記閾値電流以上に増加した後、
    前記本給電の開始要求を前記給電装置に対して通知する
    請求項１４に記載の電子機器。
17. 前記閾値電流の値が、変更可能に構成されている
    請求項１に記載の電子機器。
18. 前記受電電流を検出する電流検出部を備え、
    前記制御部は、前記電流検出部により検出された受電電流を用いて前記電流増加制御を行う
    請求項１に記載の電子機器。
19. 前記受電電流を整流する整流回路を備え、
    前記電流検出部は、前記整流回路による整流後の受電電流を検出する
    請求項１８に記載の電子機器。
20. １または複数の電子機器と、
    前記電子機器に対して磁界を用いた給電を行う給電装置と
    を備え、
    前記電子機器は、
    前記給電装置から給電された電力を受け取る受電部と、
    制御部と
    を有し、
    前記制御部は、軽負荷時において、前記受電部から供給される受電電流が所定の閾値電流未満である場合には、その受電電流が前記閾値電流以上に増加するように電流増加制御を行う
    給電システム。

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