JP6030153B2 - 生体分子計測装置 - Google Patents
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Description
図1は、後述するISFETアレイ304の構成を示す図である。図1(a)は、ISFETアレイ304のなかの3つのISFET114と反応槽(以下、ウェルと呼ぶ)111〜113の側断面図であり、図1(b)のA−A’線断面図に相当する。図1(b)は、ISFETアレイ304の上面図である。なお、各トランジスタへの配線は省略してある。
図1に示す通り、チップを製造した段階でISFET114の構造上に正電荷800や負電荷801がトラップされ、その量はISFET114ごとに異なり、これがISFET114内のトランジスタ閾値がオフセットする原因となる。トラップされる場所は、主にイオン感応膜100の表面、イオン感応膜100と保護膜101との間の界面、フローティングゲート102、ゲート酸化膜104である。各ISFET114のトランジスタ閾値は、トラップされた電荷の種類と量に依存してオフセットする。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。ここでは半導体センサとしてISFETを用い、生体分子計測装置としてDNAの配列を決定するDNAシーケンサを例として示すが、本発明の適用先はDNAシーケンサに限定されるものではなく、生体分子の反応生成物を電気的に計測するシステムに広く適用することができる。ISFETはイオン感応膜を適切に選択することによって種々のイオンを検出することができるので、例えばナトリウムイオンやカリウムイオンが変化するような生体分子を測定する装置に対して本発明を適用することができ。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
ビーズ702をセルに装填し終えた段階でISFETアレイチップ1002を装置にセットする。反応に用いる試薬dNTPと洗浄液は、あらかじめ冷却装置300を用いて、DNAポリメラーゼの至適温度より十分低い温度に冷却しておく。測定を開始すると、コントローラ312はあらかじめ決められた手順で試薬dNTPを選択し(S600)、送液装置303は試薬溶液108をISFETアレイチップ1002上のセルに注入する(S601)。この段階では、dNTPの温度が低くDNAポリメラーゼがほとんど働かないため、伸長反応はほぼ起こらない。
コントローラ312は、伸長反応を誘起するトリガとして、チップ上のヒータ308を用いてウェル703とウェル703内の試薬溶液108を加熱し、DNAポリメラーゼを活性化させる(S602)。ISFET114は、ヒータ308の動作によって誘起された伸長信号を測定する(S603)。伸長信号を測定し終えた段階で、コントローラ312は送液装置303によって低温の洗浄液を注入し、反応しなかったdNTPと、反応生成物である水素イオン、2リン酸を洗い流すと同時に、冷却装置300によりチップを冷却する(S604)。
コントローラ312は、洗浄が終わった後、次のdNTPを選択し(S605〜S609)、ステップS601に戻って同様の処理を繰り返す。繰り返しの過程においてISFET114が測定した伸長信号は、データ処理装置311が備えるA/D変換器によってデジタル信号に変換され、データ処理装置311が備える記憶装置内に測定データとして蓄積される。データ処理装置311は、繰り返しの結果得られる配列にしたがって、DNAの構造を特定することができる。
Id=β{(Vgs−Vth)−1/2×Vds}×Vds (式1)
Id=β{(Vgs’−(Vth+ΔVth))−1/2×Vds}×Vds (式2)
Vgs’−Vgs=ΔVth (式3)
以上の説明においては、洗浄液とdNTPを用いてセルを冷却し、チップ上のヒータ308を用いてセルを加熱して伸長反応を誘起する例を示したが、温度を制御する手法はこれに限らない。例えば、ペルチェ素子などの冷却機構をISFETアレイチップ1002に接触させてチップを冷却してもよい。また、一般的に使われるヒータをISFETアレイチップ1002に接触させてチップを加熱してもよい。ただし、伸長反応を誘起する加熱に関しては、なるべく急峻に温度を変化させることが望ましい。なぜなら、温度が緩やかに上昇すると、ビーズ702上の複製DNAの伸長反応が同時に起こらず、伸長信号ピークがなだらかになるからである。
以上のように、本実施形態1に係る生体分子計測装置は、送液装置303が試薬溶液108を送出し始めた後、好適には送出し終えた後に、ヒータ308またはその他の手段によって試薬溶液108を反応させるトリガを生成する。これにより、図10に示すように伸長信号1302とバックグラウンドを時間的に分離し、伸長信号1302のみを容易に取り出すことができる。
実施形態1においては、ISFET114が検出した信号波形からドリフト・オフセット成分1301とバックグラウンド1300を演算によって差し引き、伸長信号1302のみを取り出すことを説明した。本発明の実施形態2では、ドリフト・オフセット成分1301とバックグラウンド1300を差し引く別の構成例について説明する。
これらのステップは、図7におけるステップS600〜S601と同様である。ステップS1601の後、後述する図17に示すようにバックグラウンド1300とドリフト・オフセット成分1301が検出される。
コントローラ312は、トランジスタ1500に対する駆動信号φとして、Hi信号を印加する。トランジスタ1500がONになると、フローティングゲート102の電位がグラウンドに固定される。これにより、バックグラウンド1300とドリフト・オフセット成分1301がリセットされる。コントローラ312は、これらノイズがリセットされた後、トランジスタ1500をOFFに戻す。本ステップにおいてISFET114が検出する信号波形は、後述の図17で改めて示す。
これらのステップは、図7におけるステップS602〜S609と同様である。ステップS1610の次は、ステップS1601に戻って同様の処理を繰り返す。
以上のように、本実施形態2に係る生体分子計測装置は、フローティングゲート102と定電圧源との間の接続をON/OFFするトランジスタ1500を備え、伸長信号1302を測定する前にトランジスタ1500をONしてノイズをリセットする。これにより、ノイズ成分を差し引く処理が不要になり、データ処理装置311の演算負荷を軽減することができる。また、A/Dコンバータのダイナミックレンジやデータ量を小さく抑えることができる。
実施形態1〜2においては、ドリフト・オフセット成分1301とバックグラウンド成分1300を除去することによってISFET114の信号品質を改善する構成例について説明した。本発明の実施形態3では、他の手段によってISFET114の信号品質を改善する構成例について説明する。
これらのステップは、図16におけるステップS1600〜S1602と同様である。ただし、ステップS1910〜S1913から戻ってくる箇所を考慮して、駆動信号φをHiにするステップS1901を先に実施することとした。ステップS1902においてはトランジスタ1500がONになっているため、ドリフト・オフセット成分1301とバックグラウンド成分1300はリセットされている。
コントローラ312は、余剰溶液除去装置315を駆動し、図19(b)に示すように、ウェル703外にある余剰なdNTP溶液1101を試薬排出口1104から排出する。ウェル703の中にのみdNTP溶液1101を残すためには、媒質1107はdNTP溶液1101と混ざらず、かつdNTP溶液1101より比重の軽いものを用いることが望ましい。例えば空気、窒素やアルゴンなどの不活性ガス、油が好適である。
これらのステップは、図16のステップS1603〜S1610と同様である。ただし本フローチャートにおいては、ループ外のステップS1901で駆動信号φをHiにセットしているので、これと整合を取るため、伸長反応トリガの前後であるステップS1904とS1907においてそれぞれ駆動信号φをLoとHiに切り替えることとした。
図21は、各ウェル703を分離する別構成例を示す図である。図21において、媒質1107によって余剰なdNTP溶液1101を除去することに代えて、構造物1108を用いて各ウェル703に蓋をする。これにより、媒質1107を追加することなく各ウェル703を分離することができる。
以上のように、本実施形態3に係る生体分子計測装置は、各ウェル703を分離し、隣接するウェル703間でクロストークにより信号成分が干渉することを防ぐ。これによりISFET114の信号品質を向上させることができる。
101 保護膜
102 フローティングゲート
103 ゲート電極
104 ゲート酸化膜
105 ドレイン
106 ソース
107 シリコン基板
108 試薬溶液
109、1109 参照電極
110 基板コンタクト
111、112、113、703 ウェル
114 ISFET
115 DNA
116 セル
300 冷却装置
301 試薬容器
302、313、314、316 試薬溶液流路
303 送液装置
304 ISFETアレイ
305 選択回路
307 温度センサ
308、1110 ヒータ
309 読み出し回路
310 廃液容器
311 データ処理装置
312 コントローラ
315 余剰溶液除去装置
1002 ISFETアレイチップ
1003、1701、1702、2302 アンプ
1101 dNTP溶液
1102 洗浄液
1103 試薬注入口
1104 試薬排出口
1105 バックグラウンド測定用セル
1106 読み出し回路
1107 媒質
1108 構造物
1111、1112 配線
1200、1201 選択トランジスタ
1300 バックグラウンド成分
1301 ドリフト・オフセット成分
1302 伸長反応に由来する成分
1303 信号基準点
1500 トランジスタ
1700、1703、1704 定電流源
1705 トランジスタ
2303 セル
DLA、DLA1、DLAk、DLB、DLB1、DLBk データ線
O1、O2、Ok アンプ出力端子
SL、SL1、SL2、SLk ソース線
Claims (14)
- 生体分子試料と化学反応してイオンを生成させる試薬を送出する送液装置と、
前記イオンの濃度を測定する半導体センサと、
前記化学反応を誘起する物理環境を生じさせるトリガ生成部と、
前記送液装置と前記トリガ生成部の動作を制御するコントローラと、
前記半導体センサの測定結果に基づき前記生体分子試料の構成を特定する処理装置と、
を備える生体分子計測装置であって、
前記コントローラは、
前記送液装置が前記半導体センサ上に配置された前記生体分子試料上に前記試薬を送出し始めた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
複数種類の前記試薬を入れ替えながら前記試薬を送出する動作と前記物理環境を生じさせる動作を、前記送液装置と前記トリガ生成部に繰り返し実施させ、
前記処理装置は、
前記繰り返しの過程において得られる前記半導体センサの各測定結果に基づき、前記生体分子試料の構成を特定し、
前記半導体センサは、前記測定結果を電気信号として出力するドレイン端子を有するトランジスタを備え、
前記生体分子計測装置は、前記トランジスタのドレイン電流と前記トランジスタのソース−ドレイン間電圧をそれぞれ一定に維持する回路を備え、
前記処理装置は、前記送液装置が前記試薬を送出し始めてから前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるまでにおける前記測定結果を、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせた以降における前記測定結果から差し引く差分演算を実施することにより、前記試薬に起因して生じるノイズを前記測定結果から除去する
ことを特徴とする生体分子計測装置。 - 生体分子試料と化学反応してイオンを生成させる試薬を送出する送液装置と、
前記イオンの濃度を測定する半導体センサと、
前記化学反応を誘起する物理環境を生じさせるトリガ生成部と、
前記送液装置と前記トリガ生成部の動作を制御するコントローラと、
前記半導体センサの測定結果に基づき前記生体分子試料の構成を特定する処理装置と、
を備える生体分子計測装置であって、
前記コントローラは、
前記送液装置が前記半導体センサ上に配置された前記生体分子試料上に前記試薬を送出し始めた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
複数種類の前記試薬を入れ替えながら前記試薬を送出する動作と前記物理環境を生じさせる動作を、前記送液装置と前記トリガ生成部に繰り返し実施させ、
前記処理装置は、
前記繰り返しの過程において得られる前記半導体センサの各測定結果に基づき、前記生体分子試料の構成を特定し、
前記処理装置は、前記半導体センサの測定結果の時間微分を計算し、
前記コントローラは、前記時間微分の計算値が所定閾値以下になった時点で、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記トリガ生成部を制御する
ことを特徴とする生体分子計測装置。 - 生体分子試料と化学反応してイオンを生成させる試薬を送出する送液装置と、
前記イオンの濃度を測定する半導体センサと、
前記化学反応を誘起する物理環境を生じさせるトリガ生成部と、
前記送液装置と前記トリガ生成部の動作を制御するコントローラと、
前記半導体センサの測定結果に基づき前記生体分子試料の構成を特定する処理装置と、
を備える生体分子計測装置であって、
前記コントローラは、
前記送液装置が前記半導体センサ上に配置された前記生体分子試料上に前記試薬を送出し始めた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
複数種類の前記試薬を入れ替えながら前記試薬を送出する動作と前記物理環境を生じさせる動作を、前記送液装置と前記トリガ生成部に繰り返し実施させ、
前記処理装置は、
前記繰り返しの過程において得られる前記半導体センサの各測定結果に基づき、前記生体分子試料の構成を特定し、
前記半導体センサは、
前記測定結果を電気信号として出力するドレイン端子を有するトランジスタを備え、
前記生体分子計測装置は、
前記トランジスタのゲート電極に固定電圧を提供する電圧源と、
前記電圧源と前記トランジスタのゲート電極との間の接続をON/OFF切替するスイッチング素子と、
を備え、
前記コントローラは、
前記スイッチング素子をONして前記電圧源と前記トランジスタのゲート電極の間を接続した後に、前記トリガ生成部に前記物理環境を生成させ、
前記処理装置は、
前記試薬に起因して生じるノイズを前記測定結果から除去することなく、前記生体分子試料の構成を特定する
ことを特徴とする生体分子計測装置。 - 生体分子試料と化学反応してイオンを生成させる試薬を送出する送液装置と、
前記イオンの濃度を測定する半導体センサと、
前記化学反応を誘起する物理環境を生じさせるトリガ生成部と、
前記送液装置と前記トリガ生成部の動作を制御するコントローラと、
前記半導体センサの測定結果に基づき前記生体分子試料の構成を特定する処理装置と、
を備える生体分子計測装置であって、
前記コントローラは、
前記送液装置が前記半導体センサ上に配置された前記生体分子試料上に前記試薬を送出し始めた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
複数種類の前記試薬を入れ替えながら前記試薬を送出する動作と前記物理環境を生じさせる動作を、前記送液装置と前記トリガ生成部に繰り返し実施させ、
前記処理装置は、
前記繰り返しの過程において得られる前記半導体センサの各測定結果に基づき、前記生体分子試料の構成を特定し、
前記生体分子計測装置は、前記試薬を収容する凹部を備え、
前記半導体センサは、前記凹部の底部に接続されており、
前記生体分子計測装置はさらに、前記凹部の外に存在する余分な前記試薬を除去する除去装置を備える
ことを特徴とする生体分子計測装置。 - 生体分子試料と化学反応してイオンを生成させる試薬を送出する送液装置と、
前記イオンの濃度を測定する半導体センサと、
前記化学反応を誘起する物理環境を生じさせるトリガ生成部と、
前記送液装置と前記トリガ生成部の動作を制御するコントローラと、
前記半導体センサの測定結果に基づき前記生体分子試料の構成を特定する処理装置と、
を備える生体分子計測装置であって、
前記コントローラは、
前記送液装置が前記半導体センサ上に配置された前記生体分子試料上に前記試薬を送出し始めた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
複数種類の前記試薬を入れ替えながら前記試薬を送出する動作と前記物理環境を生じさせる動作を、前記送液装置と前記トリガ生成部に繰り返し実施させ、
前記処理装置は、
前記繰り返しの過程において得られる前記半導体センサの各測定結果に基づき、前記生体分子試料の構成を特定し、
前記生体分子計測装置は、前記試薬を収容する凹部を備え、
前記半導体センサは、前記凹部の底部に接続されており、
前記生体分子計測装置はさらに、前記凹部を封止する蓋部を備える
ことを特徴とする生体分子計測装置。 - 前記生体分子計測装置は、アレイ状に配置された複数の前記半導体センサを備え、
前記処理装置は、各前記半導体センサの前記測定結果のみを前記半導体センサ毎にそれぞれ用いることにより、前記半導体センサ毎に前記差分演算を実施する
ことを特徴とする請求項1記載の生体分子計測装置。 - 前記生体分子計測装置は、前記送液装置が前記試薬を送出する方向の上流側と下流側にそれぞれ配置された前記半導体センサを備え、
前記回路は、前記下流側に配置された前記半導体センサが備える前記トランジスタのドレイン電流とソース−ドレイン間電圧をそれぞれ一定に維持し、
前記処理装置は、前記下流側に配置された前記半導体センサの測定結果を用いて、前記試薬に起因して生じるノイズを各前記半導体センサの測定結果から除去する
ことを特徴とする請求項1記載の生体分子計測装置。 - 前記トリガ生成部は、前記試薬の温度を制御するか、または紫外線を前記試薬に照射することにより、前記物理環境を生じさせる
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の生体分子計測装置。 - 前記送液装置は、前記化学反応を生じないバッファ溶液を送出した後、前記化学反応を生じさせる試薬を送出する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の生体分子計測装置。 - 前記生体分子計測装置は、前記試薬を収容する凹部を備え、
前記半導体センサは、前記凹部の底部に接続されており、
前記生体分子計測装置はさらに、前記凹部の外に存在する余分な前記試薬を除去する除去装置を備え、
前記コントローラは、
前記除去装置が余分な前記試薬を除去した後に、前記スイッチング素子をOFFして前記電圧源と前記トランジスタのゲート電極の間を切断し、さらにその後に前記トリガ生成部に前記物理環境を生成させる
ことを特徴とする請求項3記載の生体分子計測装置。 - 前記生体分子計測装置は、前記凹部が形成された基板を備え、
前記基板の表面は、前記試薬に対して撥水性を有する材料によって被覆されている
ことを特徴とする請求項4記載の生体分子計測装置。 - 前記トリガ生成部は、前記蓋部に取り付けられており、前記凹部内に収容されている前記試薬に前記化学反応を誘起させるように、前記物理環境を生じさせる
ことを特徴とする請求項5記載の生体分子計測装置。 - 前記半導体センサは、
前記イオンによって界面電位が変動するイオン感応膜と、
前記界面電位の変動によって生じる電気信号を前記測定結果として出力するトランジスタと、
を備えるイオン感応トランジスタとして構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の生体分子計測装置。 - 前記コントローラは、
前記送液装置が前記試薬を送出し終えた後に、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるように、前記送液装置と前記トリガ生成部を制御し、
前記処理装置は、
前記送液装置が前記試薬を送出し終えてから前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせるまでにおける前記測定結果を、前記トリガ生成部が前記物理環境を生じさせた以降における前記測定結果から差し引く差分演算を実施することにより、前記試薬に起因して生じるノイズを前記測定結果から除去する
ことを特徴とする請求項1記載の生体分子計測装置。
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US10006910B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-06-26 | Agilome, Inc. | Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same |
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US9618474B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-04-11 | Edico Genome, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
EP3268496A4 (en) * | 2015-03-09 | 2018-09-05 | Agilome, Inc. | Graphene fet devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
US10811539B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-10-20 | Nanomedical Diagnostics, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
CN111356916B (zh) * | 2018-09-13 | 2022-05-24 | 连俊龙 | 核苷酸定序元件、芯片及定序分析方法 |
US10768173B1 (en) * | 2019-09-06 | 2020-09-08 | Element Biosciences, Inc. | Multivalent binding composition for nucleic acid analysis |
US11293897B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High sensitivity ISFET sensor |
CN109652287B (zh) * | 2019-01-03 | 2021-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微控基板及其制作方法和微流控芯片 |
CN110358681A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-22 | 成都万众壹芯生物科技有限公司 | 一种便携式pcr装置 |
US11287422B2 (en) | 2019-09-23 | 2022-03-29 | Element Biosciences, Inc. | Multivalent binding composition for nucleic acid analysis |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010513869A (ja) * | 2006-12-14 | 2010-04-30 | イオン トーレント システムズ インコーポレーテッド | 大規模fetアレイを用いた分析物測定のための方法および装置 |
JP2010519914A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ディ・エヌ・エイ・エレクトロニクス・リミテッド | 固相pH検出を用いたqPCR |
WO2012027391A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Life Technologies Corporation | Temperature control of chemical detection system |
JP2012506557A (ja) * | 2008-10-22 | 2012-03-15 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 生物学的および化学的分析のための集積センサアレイ |
JP2012528329A (ja) * | 2009-05-29 | 2012-11-12 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 電気化学的反応を行うための装置および方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2278235B (en) * | 1991-10-21 | 1996-05-08 | Holm Kennedy James W | Method and device for biochemical sensing |
GB0105831D0 (en) | 2001-03-09 | 2001-04-25 | Toumaz Technology Ltd | Method for dna sequencing utilising enzyme linked field effect transistors |
EP1460130B1 (en) * | 2001-12-19 | 2007-03-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Potentiometric dna microarray, process for producing the same and method of analyzing nucleic acid |
JP3903183B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2007-04-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 遺伝子検出電界効果デバイスおよびこれを用いた遺伝子多型解析方法 |
US8262900B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-11 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays |
US8349167B2 (en) * | 2006-12-14 | 2013-01-08 | Life Technologies Corporation | Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays |
EP2251435B1 (en) * | 2007-03-02 | 2013-10-16 | DNA Electronics Ltd | Sensing apparatus for monitoring nucleic acid amplification, using an ion-sensitive field effect transistor (ISFET) for pH sensing |
WO2009006445A2 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Applied Biosystems | Systems and methods for electronic detection with nanofets |
JP5393021B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2014-01-22 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | トリアゾール骨格を有する光応答性塩基 |
GB2461026B (en) | 2008-06-16 | 2011-03-09 | Plc Diagnostics Inc | System and method for nucleic acids sequencing by phased synthesis |
US20100137143A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
US20100301398A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Ion Torrent Systems Incorporated | Methods and apparatus for measuring analytes |
WO2010141131A1 (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-09 | Lockheed Martin Corporation | Multiple-sample microfluidic chip for dna analysis |
EP2658999B1 (en) | 2010-12-30 | 2019-03-13 | Life Technologies Corporation | Models for analyzing data from sequencing-by-synthesis operations |
WO2012092515A2 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Life Technologies Corporation | Methods, systems, and computer readable media for nucleic acid sequencing |
-
2013
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- 2013-11-18 EP EP13871321.9A patent/EP2947453B1/en active Active
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- 2013-11-18 JP JP2014557340A patent/JP6030153B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010513869A (ja) * | 2006-12-14 | 2010-04-30 | イオン トーレント システムズ インコーポレーテッド | 大規模fetアレイを用いた分析物測定のための方法および装置 |
JP2010519914A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ディ・エヌ・エイ・エレクトロニクス・リミテッド | 固相pH検出を用いたqPCR |
JP2012506557A (ja) * | 2008-10-22 | 2012-03-15 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 生物学的および化学的分析のための集積センサアレイ |
JP2012528329A (ja) * | 2009-05-29 | 2012-11-12 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 電気化学的反応を行うための装置および方法 |
WO2012027391A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Life Technologies Corporation | Temperature control of chemical detection system |
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