JP6007536B2 - 光走査装置および画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、光走査装置およびこの光走査装置を用いた画像形成装置に関する。

電子写真方式の画像形成装置に用いられる光走査装置においては、光源からの光ビームを感光体ドラムなどの被走査面上に点状に結像させ、この像を感光体ドラムの軸方向（主走査方向）に走査させる。この光走査装置は、主走査方向に光ビームを偏向させる偏向器を有し、偏向器の前段には、入射光学系が設けられ、後段には、走査光学系が設けられる。入射光学系は、偏向器の近傍において光ビームを副走査方向に結像させるとともに、主走査方向には光ビームを僅かに収束光にしている。一方、走査光学系は、偏向器からの光ビームを被走査面上に点状に結像させる機能を有する。

特許文献１の光走査装置の入射光学系は、上述したような光の変換を行うため、主走査方向のパワー（屈折力）と、副走査方向のパワーが異なるアナモフィック集光レンズを用いている。そして、このアナモフィック集光レンズは、感光体ドラムの感度が大きい７９０ｎｍ前後の波長変化に対し波面収差が補正されている。そして、この技術では、波長の変化量が小さいため、球面収差の変化を考慮する必要が無かった。

従来、このようなアナモフィック集光レンズの透過波面を評価する場合、使用波長である７９０ｎｍ前後の光源を有した干渉計を用いていた。

特開２００６−１５４７４８号公報

しかし、７９０ｎｍ前後の光源を有した干渉計は入手が困難であったり、高精度な干渉計が市販されていないという問題がある。これに対し、波長が６３３ｎｍのＨｅＮｅレーザを光源とした干渉計は高精度であり、入手も容易である。そこで、使用波長と異なる波長で評価した場合にも、使用波長で良好な性能が得られる入射光学系が望まれる。

そこで、アナモフィック集光レンズのレンズ面の構成において非球面項と回折光学面の位相関数の４次の項以上を導入した場合、波長が７９０ｎｍ前後と６３３ｎｍで異なると波長の違いにより４次以上の項による球面収差の変化が発生し、この球面収差を抑えた設計が必要となる。

本発明は、以上の背景に鑑みて創案されたもので、使用波長と異なる波長での評価によっても、使用波長において良好な性能を得ることができる光走査装置および画像形成装置を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するため、本発明の光走査装置は、光源と、光源からの光を主走査方向に偏向する偏向手段と、光源と偏向手段の間に設けられ光源からの光を偏向手段の偏向面上または当該偏向面の近傍で主走査方向に長い線状に結像させる入射光学系と、偏向手段により偏向された光を被走査面上に点状に結像させる走査レンズとを備える。
この光走査装置において、入射光学系は、主走査方向のパワーと副走査方向のパワーが異なるアナモフィック集光レンズを有する。アナモフィック集光レンズは、少なくとも１つのレンズ面に回折レンズ構造を有し、当該回折レンズ構造による光路長の付加量φ［ｒａｄ］を、光軸からの高さｈの関数で次のように定義し、
φ（ｈ）＝Ｍ（Ｐ２・ｈ^２＋Ｐ４・ｈ^４＋・・・）
（ここで、
Ｐｎ：高さｈのｎ次（ｎは偶数）の項の係数
Ｍ ：回折次数
とする）
主走査方向の有効径ｈｍｍａｘ［ｍｍ］、主走査方向の焦点距離ｆｍ［ｍｍ］、主走査方向の開口数ＮＡｍが、
−２１６≦Ｐ２≦−４９
１１００≦Ｐ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４）≦３８００
１０≦ｆｍ≦３５
を満たす。また、アナモフィック集光レンズは、第１波長λ１［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ１［λｒｍｓ］が、
ＷＦＥ１≦０．０１
を満たす。

このような光走査装置によれば、第１波長λ１において波面収差を良好に抑えることができるとともに、第１波長λ１と異なる波長においても主走査方向の波面収差を良好に抑えることができるので、使用波長と異なる波長で評価を行って、使用波長において良好な性能を得ることができる。そのため、例えば、ＨｅＮｅレーザを光源とした干渉計を使用して、波長６３３ｎｍ前後で評価を行えば、７９０ｎｍ前後での性能を擬似的に評価することができる。

前記した光走査装置において、アナモフィック集光レンズは、副走査方向の有効径ｈｓｍａｘ［ｍｍ］、副走査方向の焦点距離ｆｓ［ｍｍ］、副走査方向の開口数ＮＡｓが、
３８０≦Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）≦７８０
８≦ｆｓ≦２１
を満たすことが望ましい。

このような光走査装置によれば、副走査方向の波面収差を抑制することができる。

また、前記した光走査装置において、アナモフィック集光レンズは、第１波長λ１を７８８［ｎｍ］、第２波長λ２を６３３［ｎｍ］としたとき、第２波長λ２［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ２［λｒｍｓ］が、
｜ＷＦＥ１−ＷＦＥ２｜≦０．００５
を満たすことが望ましい。

このような光走査装置によれば、第１波長λ１と第２波長λ２において、共に良好な性能を得ることができ、第２波長λ２での光学系の評価により、第１波長λ１での性能を十分に保証することができる。

前記した課題を解決する本発明は、画像形成装置として提供することができる。すなわち、画像形成装置は、前記した光走査装置を備えることが望ましい。

本発明の光走査装置および画像形成装置によれば、使用波長と異なる波長での評価によっても、使用波長において良好な性能を得ることができる。

一実施形態に係る画像形成装置の断面図である。 光走査装置の平面図である。 一実施形態の光学系のデータである。 各実施例の光学系のデータである。 各実施例におけるＰ２，Ｐ４の計算結果である。 各実施例における計算結果をまとめた表である。 各実施例について、ｆｍと、Ｐ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４）の関係をプロットした図である。 各実施例について、ｆｓと、Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）の関係をプロットした図である。

次に、本発明に係る画像形成装置および光走査装置の一実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。

＜レーザプリンタの全体構成＞
画像形成装置の一例としてのレーザプリンタ１は、本体ケーシング２内に用紙３を給紙するためのフィーダ部４や、給紙された用紙３に画像を形成するための画像形成部５などを備えている。
本体ケーシング２の前側（以下の説明において、図１における右を前、左を後とする。）には、開閉自在なフロントカバー１１が設けられており、フロントカバー１１を開いたときにできる開口から、後述するプロセスカートリッジ３０が着脱自在となっている。

＜フィーダ部の構成＞
フィーダ部４は、本体ケーシング２内の底部に着脱可能に装着される給紙トレイ１２と、給紙トレイ１２内に設けられた用紙押圧板１３を備えている。また、フィーダ部４は、給紙トレイ１２の一端側端部の上方に設けられる給紙ローラ１４および給紙パットド１５と、給紙ローラ１４に対し用紙３の搬送方向の下流側に設けられる紙粉取りローラ１６，１７を備えている。さらに、フィーダ部４は、紙粉取りローラ１６，１７に対して下流側に設けられるレジストローラ１８を備えている。

そして、このように構成されるフィーダ部４では、給紙トレイ１２内の用紙３が、用紙押圧板１３によって給紙ローラ１４側に寄せられ、この給紙ローラ１４および給紙パット１５で送り出されて各種ローラ１６〜１８を通った後一枚ずつ画像形成部５に搬送されるようになっている。

＜画像形成部の構成＞
画像形成部５は、光走査装置の一例としてのスキャナ２０、プロセスカートリッジ３０、定着装置４０などを備えている。

＜スキャナの構成＞
スキャナ２０は、本体ケーシング２内の上部に設けられている。このスキャナ２０は、入力される画像データに応じてレーザ光を明滅させながら、プロセスカートリッジ３０の感光体ドラム３２の表面上に走査させる。スキャナ２０の構成の詳細は後述する。

＜プロセスカートリッジの構成＞
プロセスカートリッジ３０は、スキャナ２０の下方に配設され、本体ケーシング２に対して着脱自在に装着される構造となっている。そして、このプロセスカートリッジ３０は、感光体カートリッジ３１と現像装置の一例としての現像カートリッジ３３を備えている。

＜現像カートリッジの構成＞
現像カートリッジ３３は、感光体カートリッジ３１の外枠を構成する中空の感光体フレーム３１Ａに対して着脱自在に装着されており、現像ローラ３６、層厚規制ブレード３７、供給ローラ３８およびトナーホッパ３９を備えている。現像ローラ３６および供給ローラ３８は、現像カートリッジ３３の外枠を構成する中空の現像フレーム３３Ａに回転可能に支持されている。そして、トナーホッパ３９内の現像剤の一例としてのトナーは、供給ローラ３８の矢印方向（反時計方向）への回転により、現像ローラ３６に供給され、このとき、供給ローラ３８と現像ローラ３６との間で正に摩擦帯電される。現像ローラ３６上に供給されたトナーは、現像ローラ３６の矢印方向（反時計方向）への回転に伴って、層厚規制ブレード３７と現像ローラ３６との間に進入し、一定厚さの薄層として現像ローラ３６上に担持される。

＜感光体カートリッジの構成＞
感光体カートリッジ３１には、感光体ドラム３２、スコロトロン型帯電器３４、転写ローラ３５が主に設けられている。感光体ドラム３２は、感光体フレーム３１Ａに、矢印方向（時計方向）へ回転可能に支持されている。この感光体ドラム３２は、ドラム本体が接地されるとともに、その表面部分が正帯電性の感光層により形成されている。

スコロトロン型帯電器３４は、感光体ドラム３２の上方に、感光体ドラム３２に接触しないように、所定間隔を隔てて対向配置されている。このスコロトロン型帯電器３４は、タングステンなどの帯電用ワイヤからコロナ放電を発生させる正帯電用のスコロトロン型の帯電器であり、感光体ドラム３２の表面を一様に正極性に帯電させるように構成されている。

転写ローラ３５は、感光体ドラム３２の下方において、この感光体ドラム３２に対向して接触するように配置され、感光体フレーム３１Ａに、矢印方向（反時計方向）へ回転可能に支持されている。この転写ローラ３５は、金属製のローラ軸に、導電性のゴム材料が被覆されて構成されている。この転写ローラ３５には、転写時に、定電流制御によって転写バイアスが印加される。

そして、感光体ドラム３２の表面は、スコロトロン型帯電器３４により一様に正帯電された後、スキャナ２０からのレーザビームの高速走査により露光される。これにより、露光された部分の電位が下がって、画像データに基づく静電潜像が形成される。次いで、現像ローラ３６の回転により、現像ローラ３６上に担持されているトナーが、感光体ドラム３２に対向して接触する時に、感光体ドラム３２の表面上に形成される静電潜像に供給される。そして、トナーは、感光体ドラム３２の表面上で選択的に担持されることによって可視像化され、これによって反転現像によりトナー像が形成される。

その後、感光体ドラム３２と転写ローラ３５とは、用紙３を両者間で挟持して搬送するように回転駆動され、感光体ドラム３２と転写ローラ３５との間を用紙３が搬送されることにより、感光体ドラム３２の表面に担持されているトナー像が用紙３上に転写される。

＜定着装置の構成＞
定着装置４０は、プロセスカートリッジ３０の下流側に配設され、加熱ローラ４１、加熱ローラ４１と対向配置され加熱ローラ４１との間で用紙３を挟持する加圧ローラ４２、および、これら加熱ローラ４１および加圧ローラ４２の下流側に設けられる１対の搬送ローラ４３を備えている。そして、このように構成される定着装置４０では、用紙３上に転写されたトナーを、用紙３が加熱ローラ４１と加圧ローラ４２との間を通過する間に熱定着させ、その後、その用紙３を搬送ローラ４３およびフラッパ４９によって、排紙パス４４に搬送するようにしている。排紙パス４４に送られた用紙３は、排紙ローラ４５によって排紙トレイ４６上に排紙される。

＜スキャナの詳細構成＞
図１および図２に示すように、スキャナ２０は、光源の一例としての半導体レーザ２１、入射光学系を構成するアナモフィック集光レンズ２２、偏向手段の一例としてのポリゴンミラー２３、走査レンズ２４、反射鏡２５，２６，２８、開口絞り２９などを備えている。これらの各素子は、筐体２０Ａに支持されている。半導体レーザ２１から出射されるレーザ光は、鎖線で示すように、アナモフィック集光レンズ２２、開口絞り２９、ポリゴンミラー２３、走査レンズ２４、反射鏡２５，２６、反射鏡２８の順に通過あるいは反射して感光体ドラム３２に照射される。

半導体レーザ２１は、やや発散性のレーザ光を発する装置である。半導体レーザ２１の発光素子は、図示しない制御装置により、感光体ドラム３２の表面に露光すべき画像に対応して明滅される。

アナモフィック集光レンズ２２は、半導体レーザ２１とポリゴンミラー２３の間に設けられ、主走査方向のパワーと副走査方向のパワーが異なることで、半導体レーザ２１から出射した光を、ポリゴンミラー２３のミラー面（偏向面）２３Ａ上またはその近傍で主走査方向に長い線状に結像させるレンズである。なお、主走査方向とは、ポリゴンミラー２３により偏向される方向であり、副走査方向とは、主走査方向およびレーザ光の進行方向に直交する方向である。

アナモフィック集光レンズ２２は、少なくとも１つのレンズ面に回折レンズ構造を有している。例えば、アナモフィック集光レンズ２２の一方の面、例えば、光の入射側は回折面であり、出射側は屈折面として形成されている。アナモフィック集光レンズ２２は、コスト削減の観点からは、望ましくは１枚の樹脂レンズからなる。もっとも、本発明にいう入射光学系は、１枚の樹脂レンズには限られず、ガラスからなるレンズであってもよいし、屈折面が少なくとも１つ、回折面が少なくとも１つある限り、レンズの枚数は問わない。

アナモフィック集光レンズ２２の回折レンズ構造（第１面）は、ベース面を平面とし、光路長の付加量φ［ｒａｄ］を、光軸からの高さｈの関数で次のように定義できる。
φ（ｈ）＝Ｍ（Ｐ２・ｈ^２＋Ｐ４・ｈ^４＋・・・） （１）
（ここで、
Ｐｎ：高さｈのｎ次（ｎは偶数）の項の係数
Ｍ ：回折次数
とする）

ここで、本実施形態においては、回折次数Ｍは１とする。上記の式（１）の位相関数の４次の項の係数Ｐ４は、波長変化が生じたときの球面収差の変化に影響があるので、本実施形態では、この係数Ｐ４を調整することで波長の違いによる波面収差の変化を抑制している。
具体的には、アナモフィック集光レンズ２２は、主走査方向の有効径ｈｍｍａｘ［ｍｍ］、主走査方向の焦点距離ｆｍ［ｍｍ］、主走査方向の開口数ＮＡｍが、
−２１６≦Ｐ２≦−４９ （２）
１１００≦Ｐ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４）≦３８００ （３）
１０≦ｆｍ≦３５ （４）
を満たし、第１波長λ１［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ１［λｒｍｓ］が、
ＷＦＥ１≦０．０１ （５）
を満たす構造を有している。ここでの第１波長は、スキャナ２０の使用波長（半導体レーザ２１が発する光の波長）であり、例えば、７９０ｎｍ前後である。

また、アナモフィック集光レンズ２２は、副走査方向の有効径ｈｓｍａｘ［ｍｍ］、副走査方向の焦点距離ｆｓ［ｍｍ］、副走査方向の開口数ＮＡｓが、
３８０≦Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）≦７８０ （６）
８≦ｆｓ≦２１ （７）
を満たすことが望ましい。

そして、アナモフィック集光レンズ２２は、第２波長λ２［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ２［λｒｍｓ］が、
｜ＷＦＥ１−ＷＦＥ２｜≦０．００５ （８）
を満たすことが望ましい。ここでの第２波長λ２は、アナモフィック集光レンズ２２の評価（検査）をする波長であり、例えば、高精度な干渉計を比較的容易に入手し易い６３３ｎｍ前後である。

アナモフィック集光レンズ２２の屈折面（第２面）は、一例として、下記の式（９）により表されるバイコーニック面である。

アナモフィック集光レンズ２２の光の出射側には、開口絞り２９が設けられ、アナモフィック集光レンズ２２を通過した光の副走査方向の大きさを規定している。

ポリゴンミラー２３は、複数のミラー面２３Ａが、回転軸２３Ｂから等距離に配置された部材であり、図２では、６つミラー面２３Ａを有するものを例示している。ポリゴンミラー２３は、回転軸２３Ｂを中心に一定速度で回転され、開口絞り２９を通過した光を主走査方向に偏向する。

走査レンズ２４は、ポリゴンミラー２３で反射されることで偏向された光を感光体ドラム３２の表面に点状に結像させるレンズである。また、走査レンズ２４は、ポリゴンミラー２３で等角速度で偏向された光を、感光体ドラム３２の表面上に等速で走査するようなｆθ特性を有している。

図３には、以上のような一実施形態のスキャナ２０の光学系のデータを示した。

以上のような構成、特に前記式（２）〜（５）の条件を満たすスキャナ２０およびレーザプリンタ１によれば、後述する実施例で示すように、第１波長λ１において、波面収差ＷＦＥ１を良好に抑えられるとともに、第１波長λ１と異なる第２波長λ２においても主走査方向の波面収差ＷＦＥ２を良好に抑えられるので、使用波長と異なる波長で評価を行って、使用波長において良好な性能を得ることができる。そのため、例えば、ＨｅＮｅレーザを光源とした干渉計を使用して、波長６３３ｎｍ前後で評価を行えば、７９０ｎｍ前後での性能を擬似的に評価することができる。

また、前記式（６），（７）の条件を満たすスキャナ２０およびレーザプリンタ１によれば、副走査方向についても波面収差を良好に抑えることができる。

さらに、前記式（８）の条件を満たすスキャナ２０およびレーザプリンタ１によれば、第１波長λ１と第２波長λ２において、共に良好な性能を得ることができ、第２波長λ２での光学系の評価により、第１波長λ１での性能を十分に保証することができる。

以上に本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記した実施形態に限定されるものではない。具体的な構成については、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。

例えば、前記実施形態においては、アナモフィック集光レンズ２２の入射側を回折面とし、出射側を屈折面としたが、これを逆にして、入射側を屈折面とし、出射側を回折面としてもよい。

また、前記実施形態においては、画像形成装置の一例としてモノクロのレーザプリンタ１を示したが、画像形成装置としては、カラーのレーザプリンタや、複写機、複合機などを採用することもできる。

本願の発明者等は、アナモフィック集光レンズ２２を２つの波長において良好に波面収差を抑えるため、いくつかの実施例に係る光学系の最適化の計算を行い、前記式（１）における係数Ｐ４の範囲を特定した。
具体的には、図３に示した代表的な光学系において、図４に示す線膨張係数αと、半導体レーザ２１とアナモフィック集光レンズ２２の距離を変えることで、主走査方向の焦点距離ｆｍ、副走査方向の焦点距離ｆｓを変更した。線膨張係数αは、半導体レーザ２１とアナモフィック集光レンズ２２を支持する部材（この２つの素子間を規定する部材）の線膨張係数である。ここで、半導体レーザの波長変化率を０．２５［ｎｍ／℃］とし、温度範囲−５〜５５［℃］の温度変化が生じた際に像面付近での主方向の焦点移動が最少になるようにＲｙ及びＰ２が設定されている。

そして、図４および図５に示すパラメータを用い、ＷＦＥ１を最適化するように（最小となるように）して、Ｐ２，Ｐ４，Ａ_４，Ｂ_４の値を得た。また、Ｐ４の値を上下に振って、ＷＦＥ１が０．０１になったときのＰ４の値のずれ（Ｍｉｎ，Ｍａｘ）を求めた。この結果が図５である。
この図５の結果から最適な係数Ｐ４から求めたＰ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４），Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）の値、係数Ｐ４の上限値、下限値から求めたＰ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４），Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）の上限値、下限値を図６に示した。また、これらをそれぞれ図７および図８でグラフに示した。なお、図７、図８において、◆は最適値である。

図７に示したプロット点は、主走査方向に関して波面収差ＷＦＥ１を良好に抑えることができた点であり、図８に示したプロット点は、副走査方向に関して、波面収差ＷＦＥ１を良好に抑えることができた点である。
図７に示すように、ｆｍが１０〜３５ｍｍの範囲において、
１１００≦Ｐ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４）≦３８００
の範囲で、ＷＦＥ１を０．０１以下に抑えることができた。

また、図８に示すように、ｆｓが８〜２１ｍｍの範囲において、
３８０≦Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）≦７８０
の範囲で、ＷＦＥ１を０．０１以下に抑えることができた。

そして、以上の実施例においは、図６の最右欄に示したように、第１波長λ１における波面収差ＷＦＥ１と第２波長λ２おける波面収差ＷＦＥ２の差が、０．００１〜０．００２８の範囲に抑えられており（いずれも０．００５以下であり）、前記のレンズの良否の基準とした０．０１よりはるかに小さな違いしかでなかった。すなわち、上記の各実施例のアナモフィック集光レンズにおいては、第２波長λ２において波面収差ＷＦＥ２を測定して評価を行えば、第１波長λ１においても波面収差ＷＦＥ１が十分小さくなり（大きくなったとしても高々０．００２８程度であり）、良好な性能を発揮できることが確認できた。すなわち、係数Ｐ４を調整することで、異なる波長（ここでは、波長の違い｜λ１−λ２｜＝１４５ｎｍの場合）においても、波面収差を良好に抑えることができた。
なお、ここでは、波長が１４５ｎｍ異なる場合について確認を行ったが、波長７９０ｎｍ前後のレーザは、８１０ｎｍ程度まで変化するので、波長の違い｜λ１−λ２｜は、望ましくは１８０ｎｍ（＝８１０ｎｍ−６３３ｎｍ）以下であり、より望ましくは１４５ｎｍ以下である。

１ レーザプリンタ
５ 画像形成部
２０ スキャナ
２０Ａ 筐体
２１ 半導体レーザ
２２ アナモフィック集光レンズ
２３ ポリゴンミラー
２３Ａ ミラー面
２４ 走査レンズ
２７ 補正レンズ
３０ プロセスカートリッジ
４０ 定着装置

Claims (4)

1. 光源と、前記光源からの光を主走査方向に偏向する偏向手段と、前記光源と前記偏向手段の間に設けられ前記光源からの光を前記偏向手段の偏向面上または当該偏向面の近傍で主走査方向に長い線状に結像させる入射光学系と、前記偏向手段により偏向された光を被走査面上に点状に結像させる走査レンズとを備えた光走査装置であって、
   前記入射光学系は、主走査方向のパワーと副走査方向のパワーが異なるアナモフィック集光レンズを有し、
   前記アナモフィック集光レンズは、
   少なくとも１つのレンズ面に回折レンズ構造を有し、当該回折レンズ構造による光路長の付加量φ［ｒａｄ］を、光軸からの高さｈの関数で次のように定義し、
   φ（ｈ）＝Ｍ（Ｐ２・ｈ^２＋Ｐ４・ｈ^４＋・・・）
   （ここで、
   Ｐｎ：高さｈのｎ次（ｎは偶数）の項の係数
   Ｍ ：回折次数
   とする）
   主走査方向の有効径ｈｍｍａｘ［ｍｍ］、主走査方向の焦点距離ｆｍ［ｍｍ］、主走査方向の開口数ＮＡｍが、
   −２１６≦Ｐ２≦−４９
   １１００≦Ｐ４・（ｈｍｍａｘ）^４／（ｆｍ・ＮＡｍ^４）≦３８００
   １０≦ｆｍ≦３５
   を満たし、
   第１波長λ１［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ１［λｒｍｓ］が、
   ＷＦＥ１≦０．０１
   を満たすことを特徴とする光走査装置。
2. 前記アナモフィック集光レンズは、
   副走査方向の有効径ｈｓｍａｘ［ｍｍ］、副走査方向の焦点距離ｆｓ［ｍｍ］、副走査方向の開口数ＮＡｓが、
   ３８０≦Ｐ４・（ｈｓｍａｘ）^４／（ｆｓ・ＮＡｓ^４）≦７８０
   ８≦ｆｓ≦２１
   を満たすことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
3. 前記アナモフィック集光レンズは、第１波長λ１を７８８［ｎｍ］、第２波長λ２を６３３［ｎｍ］としたとき、第２波長λ２［ｎｍ］における波面収差ＷＦＥ２［λｒｍｓ］が、
   ｜ＷＦＥ１−ＷＦＥ２｜≦０．００５
   を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光走査装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光走査装置を備えることを特徴とする画像形成装置。

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