JP5984652B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、高い放熱性を有する半導体装置およびその製造方法に関する。

一般に半導体装置は、半導体素子を物理的および化学的に保護することを目的として、半導体素子と、該半導体素子が動作時に発生する熱を素早く放熱するための冷却体とを接続させた状態で樹脂封止されて形成されている。

このとき、半導体装置は樹脂封止に先立って、あらかじめ半導体素子、冷却体、半導体素子と冷却体とを絶縁させる絶縁板等がはんだ接合等により接続されている。

これを、モールド金型の内部に形成された平面上に、冷却体の主面が当該平面と対向するように載置したのち、金型の内部に封止体となるべき材料を導入して、封止している。（例えば、特開平０９−１２９８２２号公報、および特開平０９−２３２３４１号公報参照）

特開平０９−１２９８２２号公報 特開平０９−２３２３４１号公報

しかしながら、冷却体は、自身と絶縁板との熱膨張係数の差に起因して、はんだ接合後に反りが生じやすい。反りが生じた冷却体を備える半導体装置（封止対象材）に対し、従来の方法で樹脂封止を行うと、モールド金型の内部に形成された上記平面と冷却体の主面との間に隙間が生じ、当該隙間に封止体となるべき材料が導入されることにより、冷却体の主面上に封止体が形成されてしまう。

この場合、冷却体の主面の放熱性が低下し、十分な冷却性能が得られなくなる。このため、従来は、冷却体の主面を露出させるため、研削等によって冷却体の主面上に配置された封止体を除去する必要があった。

本発明は上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、冷却体に反りが発生した場合においても、冷却性能の高い半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子と絶縁板を介して積層された冷却体と、半導体素子、絶縁板、および冷却体の一部を覆う封止体とを備える。上記冷却体は、封止体の表面に沿うとともに封止体から突出した主面と、主面に連なり主面と交差する方向に延びる端面とを含み、端面の少なくとも一部は封止体の表面より突出している。端面が封止体の表面より突出している高さは、冷却体の反り量よりも大きい。

このようにすれば、冷却体は、その反り量に関らず、封止体から突出している主面と、封止体の表面から突出している端面の一部とを含むため、確実に封止体表面から冷却体の主面が露出した状態となるので、当該冷却体を備える半導体装置は高い冷却性能を有することができる。

本発明の半導体装置の製造方法は、モールド金型を準備する工程と、金型の内部に、半導体素子と絶縁板と冷却体とを含む封止対象材を配置する工程と、封止対象材が配置された金型の内部に、封止体となるべき材料を導入することで、封止体により封止対象材を封止する工程とを備える。金型を準備する工程では、冷却体の一部を嵌めこむ凹部が形成された金型が準備され、凹部の深さは、前記封止対象材を配置する工程において見込まれる前記冷却体の反り量と比べて大きくなるように設けられている。封止対象材を配置する工程では、凹部に冷却体の一部が嵌めこまれた状態とされる。

このようにすれば、反りが生じた冷却体を備える封止対象材に対しても、冷却体の一部を嵌めこむ凹部が形成されたモールド金型に冷却体の一部を嵌めこむことで、封止体となるべき材料が冷却体の一部（一つの主面および該主面に連なり該主面と交差する方向に延びる端面の一部）に供給されるのを抑制することができる。これにより、冷却体において、封止体から突出している主面と、封止体の表面から突出している端面の一部とを形成することができ、高い冷却性能を有する半導体装置を容易に製造することができる。

本発明によれば、冷却体に反りが生じている場合でも、封止体の表面から冷却体を確実に露出させることができるので、冷却性能の高い半導体装置を得ることができる。

実施の形態１に係る半導体装置を説明するための概略図である。 図１の変形例を示す概略図である。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法における工程（Ｓ２０）を説明するための概略図である。 実施の形態２に係る半導体装置の製造方法における工程（Ｓ２０）を説明するための概略図である。 図１の他の変形例を示す概略図である。 図６中の矢印ＶＩＩ側から見た概略図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
まず、図１を参照して、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を説明する。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体素子１と、半導体素子１と電気的に接続される電極２と、半導体素子１と接続され高い放熱性を有する放熱板４ａと、絶縁板５を介して放熱板４ｂと接続される別の放熱板４ｂと、別の放熱板４ｂとはんだ３ｃを介して接続される冷却体６と、半導体素子１、放熱板４ａ，４ｂ、絶縁板５、および冷却体６の一部とを覆う封止体７とを備える。

半導体素子１は、たとえばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などを有する半導体チップであり、高電圧で大電流を制御可能な素子である。半導体素子１の一方の主面に形成された電極パッド（図示せず）は、電極２等と電気的に接続されている。例えば、電極２は半導体素子１とはんだ３ａを介して電気的に接続されている。半導体素子１の他方の主面は、はんだ３ｂを介して放熱板４ａに保持されている。電極２は半導体素子１に高電圧を印加可能とする任意の構造で設けられる。

放熱板４ａ，４ｂは、半導体素子１が発する熱を拡散させるための熱拡散板であり、放熱性の高い材料からなる。例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等で放熱板４ａ，４ｂを構成すればよい。放熱板４ａにおいて、半導体素子１を搭載した面と対向する面は、絶縁板５を介して別の放熱板４ｂと接続されている。放熱板４ｂは、はんだ３ｃを介して冷却体６と接続されている。

絶縁板５は、電気的絶縁性を有し、例えば、セラミック基板等で構成すればよい。
冷却体６を構成する材料は放熱板４ａ，４ｂと同様放熱性の高い材料とし、例えば、銅やアルミニウム等の金属を用いてもよい。一般に、冷却体６の線膨張係数は、絶縁板５の線膨張係数とは異なる。冷却体６は、任意の方法で準備することができ、たとえば、上記金属からなる板状材料をプレス加工により所定の大きさに打ち抜き、得られた部材にバリ取り等表面処理したものを用いてもよい。

封止体７は、半導体素子１、電極２、放熱板４ａ，４ｂ、絶縁板５、および冷却体６を封止する。封止体７は、電気絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂等で構成すればよい。封止体７からは、冷却体６の一部が露出している。冷却体６の一つの主面６ａ、および当該主面６ａと交差する方向に延びる端面の少なくとも一部が封止体７の表面から距離ｈ１だけ突出している。冷却体６において封止体７から突出した上記一部は、たとえば、冷却装置（図示しない）と接続されることにより、半導体素子１が動作時に発生させる熱を素早く放熱することができる。

本実施の形態に係る半導体装置は、図２を参照して、冷却体６に反りが生じていてもよい。冷却体６に反りが生じている場合においても、冷却体６の一つの主面６ａ、および当該主面６ａと交差する方向に延びる端面６ｂの少なくとも一部は封止体７の表面から突出している。冷却体６の反り量ｈ２（冷却体６の端部を結ぶ線分から主面６ａの最も遠い点までの距離）より冷却体６の端面が封止体の表面から突出している距離ｈ１は大きいことが好ましい。

これにより、冷却体６に反りが生じている場合においても、冷却体６の一つの主面６ａ、および当該主面６ａと交差する方向に延びる端面の少なくとも一部を放熱面とすることができる。つまり、冷却体６に反りが生じている場合でも、冷却体６の主面６ａ上に封止体７が形成されないため、冷却体６の主面６ａの全面を放熱面として確保することができる。また、冷却体６の端面６ｂの少なくとも一部を放熱面とすることができる。この結果、半導体装置１００は高い冷却性能を有することができる。

次に、図３および４を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、モールド金型２１，２２を準備する工程（Ｓ１０）と、モールド金型２１，２２の内部に、半導体素子１と、半導体素子１と絶縁板５を介して積層された冷却体６とを含む封止対象材１０を配置する工程（Ｓ２０）と、封止対象材１０が配置されたモールド金型２１，２２の内部に、封止体７となるべき材料を導入することで、封止体７により封止対象材１０を封止する工程（Ｓ３０）とを備える。モールド金型２１，２２を準備する工程（Ｓ１０）では、冷却体６の一部を嵌めこむ凹部２３が形成されたモールド金型２１，２２が準備され、封止対象材１０を配置する工程（Ｓ２０）では、凹部２３に冷却体６の一部が嵌めこまれた状態とされる。

具体的には、まず、工程（Ｓ１０）では、モールド金型２１，２２が準備される。モールド金型２１，２２のうち、冷却体６の主面６ａと接触するモールド金型２１には、内周側に冷却体６の一部を嵌めこむ凹部２３が形成されている。凹部２３は、その内部に冷却体６の主面６ａの全面を配置でき、かつ冷却体６の端面６ｂの少なくとも一部と、冷却体６の外周囲全体にわたって接触するように形成されている。凹部２３の深さｈ３は、後述する工程（Ｓ２０）において生じると見込まれる冷却体６の反り量ｈ２と比べて大きくなるように設けられている。ここで、冷却体６の反り量ｈ２とは、冷却体６の主面６ａとモールド金型２１の凹部２３とを接触させたときに、モールド金型２１から冷却体６の主面６ａの最大高さと規定してもよい。

次に、工程（Ｓ２０）では、まず、半導体素子１、電極２、放熱板４ａ，４ｂ、絶縁板５、および冷却体６等が接合された封止対象材１０を準備する（Ｓ２１）。具体的には、半導体素子１と電極２、半導体素子１と放熱板４ａ、放熱板４ｂと冷却体６とをそれぞれはんだ３ａ，３ｂ，３ｃにより接合し、封止対象材１０を作製する。

次に、モールド金型２１に設けられた凹部２３に冷却体６の一部を嵌めこむように配置する（Ｓ２２）。このとき、凹部２３に冷却体６の一部が嵌めこまれることにより、凹部２３の内部の領域は、冷却体６の端面６ｂとの接触部を境界としてモールド金型２１における凹部２３以外の領域と分離される。なお、図４では、冷却体６が反った状態となっているが、封止対象材１０やモールド金型２１の構成を調整することで、冷却体６に反りが発生していない状態となっていることが好ましい。

この後、封止対象材１０を配置したモールド金型２１上にモールド金型２２を重ね合わせることにより、モールド金型２１，２２の内部に封止対象材１０を配置する。

次に、工程（Ｓ３０）では、先の工程（Ｓ２０）において封止対象材１０を配置したモールド金型２１，２２に溶融した封止体７を流し込み、封止対象材１０を封止体７により封止する。封止体７は加圧されてモールド金型２１，２２内に流し込まれる。しかし、先の工程（Ｓ２０）において、凹部２３の内部の領域は、冷却体６の端面６ｂとの接触部を境界としてモールド金型２１における凹部２３以外の領域と分離されるため、当該凹部２３の内部の領域には封止体７は供給されない。そのようにすることで、冷却体６の主面６ａおよび端面６ｂの少なくとも一部が封止体７から露出した半導体装置１００を作製することができる。

なお、工程（Ｓ２０）において、封止対象材１０における絶縁板５と冷却体６とは線膨張係数が異なるため、たとえばはんだ接合時におけるはんだ硬化時の収縮率も異なる。このため、上述のように、はんだ接合の際に硬化収縮率の小さい絶縁板５側を凸として、冷却体６が鞍型に反る場合がある。そこで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、工程（Ｓ１０）においてモールド金型２１の凹部２３の段差ｈ３が冷却体６の反り量ｈ２と比べて大きく設けられている。そのため、冷却体６が鞍型に反った場合においても、凹部２３は、冷却体６の端面６ｂの一部と、冷却体６の外周囲全体にわたって確実に接触することができる。この結果、凹部２３の内部の領域は、冷却体６の端面６ｂと凹部２３の開口上端との接触部を境界としてモールド金型２１における凹部２３以外の領域と分離されるため、当該凹部２３の内部の領域に封止体７が供給されることを防止することができる。

以上のように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、凹部２３が設けられたモールド金型２１を用いることにより、冷却体６の外周囲全体にわたって冷却体６の端面６ｂの少なくとも一部と凹部２３の開口上端とが接触した状態で封止体７を流し込むことができる。このようにすることで、冷却体６の端面６ｂと凹部２３との接触部に囲まれた領域内に位置する冷却体６の領域には封止体７が供給されないため、研削等の追加工を要さずに、封止体７から突出した冷却体６を有する半導体装置１００を得ることができる。封止体７から突出した冷却体６の主面６ａおよび端面６ｂの一部では、効率的に放熱することができるため、本実施の形態に係る半導体装置１００は、高い冷却性能を有することができる。また、凹部２３に冷却体６を嵌めこむように配置することにより、モールド金型２１内部において封止対象材１０の位置決めを容易に、かつ高精度に行うことができる。この結果、半導体装置の製造方法において、作業性を向上することができる。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法について説明する。図５を参照して、実施の形態２に係る半導体装置およびその製造方法は、基本的には実施の形態１に係る半導体装置およびその製造方法と同様の構成を備えるが、モールド金型２１の凹部２３が、モールド金型２１と別体の凹部形成部材２４により形成されている点で異なる。つまり、実施の形態２におけるモールド金型２１は、封止対象材１０を保持する空間が内部に形成されたベース金型２１ａと、ベース金型２１ａの空間内に配置され、凹部２３を規定する凹部形成部材２４とを含む。凹部形成部材２４とは、凹部２３を規定する開口が形成された、たとえば、板状の部材である。

凹部形成部材２４を構成する材料は任意に選択することができ、たとえば、金属または樹脂等でもよい。また、上記材料をたとえばゴム等の弾性を有する材料とすれば、冷却体６の変形を吸収することができる。

このようにしても、冷却体６の外周囲全体にわたって冷却体６の端面６ｂと凹部形成部材２４とを接触させることにより、封止体７から突出した冷却体６を備える半導体装置１００を得ることができる。また、この場合には、封止対象材１０の構成に応じて凹部形成部材２４を用意することにより、同一形状のモールド金型２１ａ，２２を異なる構成の封止対象材１０に対して共用することができる。具体的には、一般に、半導体装置１００の端子の位置や配列を共通化して、半導体装置１００に内蔵する半導体素子１の耐圧、サイズ、および数量等を変えることにより、定格電流または定格電圧の異なる半導体装置１００が作製されている。このとき、半導体素子１の数や半導体素子１のサイズに応じてはんだによる接合面積が変わるため、封止対象材１０における冷却体６の反り量も変化する。このような場合にも、冷却体６の反り量に応じて凹部形成部材２４の高さを変更することにより、同一のモールド金型２１，２２を用いて、封止体７から突出した冷却体６を備える半導体装置１００を作製することができる。また、冷却体６の形状（たとえば、平面形状）が変更されても、凹部形成部材２４のみを変更すればよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法において、工程（Ｓ３０）では、モールド金型２１，２２の内部に封止体７となるべき材料を導入する前に、あらかじめ絶縁板５と冷却体６とを加熱しておいてもよい。これにより、絶縁板５と冷却体６とが熱膨張して冷却体６の反り量が小さくなった状態で、封止体７となるべき材料を供給することができる。この結果、より確実に封止体７から突出した冷却体６を備える半導体装置１００を得ることができる。

実施の形態１，２においては、はんだ接合により生じる冷却体６の反りは鞍型であったが、これに限られるものではない。たとえば、冷却体６の反り形状が、冷却体６の主面６ａにおける面内中心部において凸である山型である場合であっても、同様の効果を奏することができる。この場合にも、冷却体６の外周囲全体にわたって冷却体６の端面６ｂと凹部２３とが接触するように、凹部２３の段差ｈ３は、冷却体６の反り量と比べて大きく設けられることが好ましい。このようにしても、封止体７から突出した冷却体６を備える半導体装置１００を得ることができる。

また、実施の形態１，２においては、冷却体６はプレス加工により打ち抜かれた板状部材を表面処理して準備されたが、これに限られるものではない。たとえば、プレス加工により打ち抜かれた板状部材（ベース体）には一方の端部にはダレ部６ｃが生じる場合があるが、これを追加工せずにそのまま冷却体６として用いてもよい。図６を参照して、この場合には、ダレ部６ｃを冷却体６において封止体７に封止される側に配置して封止対象材１０を準備するのが好ましい。このようにすることで、ダレ部６ｃが封止体７から露出する側に配置された場合に、ダレ部６ｃを介して封止体７が主面６ａ側に回りこむという不良の発生を防止できる。

また、この場合、冷却体６の端面６ｂには、プレス加工による破断面が露出している。このため、端面６ｂの粗度は高く、冷却体６の端面６ｂと封止体７との密着性を高めることができる。

また、図６を参照して、冷却体６は、上記板状材料（ベース体８）の一方の面にＮｉめっきを施して被覆層９を形成した後、プレス加工によって準備されてもよい。冷却体６において、被覆層９が形成された一方の面は工程（Ｓ２０）で放熱板４ｂとはんだ接合され、他方の面（ベース体８の面）は工程（Ｓ３０）後に主面６ａとなる。このようにすることで、冷却体６と放熱板４ｂとのはんだ付け性を高めることができる。さらに、打ち抜かれた板状部材（ベース体８）を追加工せずに冷却体６として用いることで、上述のような効果を併せて得ることができる。

また、図７を参照して、実施の形態１，２に係る半導体装置の製造方法において、冷却体６の主面６ａと平行な面内における角部は、丸みを有していてもよい。この場合、凹部２３の内周部（冷却体６の端面６ｂと接触する部分）の形状も、冷却体６の形状に応じて、その角部は丸みを有している。このようにすることで、冷却体６の端面６ｂと凹部２３との接触部の距離を減らし、モールド金型２１に封止対象材を配置した時の凹部２３の内部に位置する領域の密閉性を高めることができる。

以下、上述した実施の形態と重複する部分もあるが、本発明の特徴的な構成を列挙する。

この発明に従った半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１と絶縁板５を介して積層された冷却体６と、半導体素子１、絶縁板５、および冷却体６の一部を覆う封止体７とを備える。上記冷却体６は、封止体７の表面に沿うとともに封止体７から突出した主面６ａと、主面６ａに連なり主面６ａと交差する方向に延びる端面６ｂとを含み、端面６ｂの少なくとも一部は封止体７の表面より突出している。

このようにすれば、冷却体６は、その反り量に関らず、封止体７から突出している主面６ａと、封止体７の表面から突出している端面６ｂの一部とを含むため、当該冷却体６を備える半導体装置は高い冷却性能を有することができる。

図２に示すように、上記端面６ｂが封止体７の表面より突出している高さｈ１は、冷却体６の反り量ｈ２よりも大きくてもよい。このようにすることで、反りが生じている冷却体６を備える半導体装置１００であっても、当該冷却体６が封止体７の表面から確実に突出した状態とすることができる。

上記冷却体６の端面６ｂにおいて、封止体７の内部に位置する一方端部はダレ部を含んでもよい。このようにすることで、このようにすることで、冷却体６の端部とモールド金型２１の凹部２３内部の平面との接触部においても、封止体７となるべき材料が主面６ａへ流入することを阻止できると考えられる。

上記冷却体６において、主面６ａの粗度より端面６ｂの粗度の方が大きく、冷却体６は、ベース体８と、ベース体８の表面の少なくとも一部に形成された被覆層９とを含んでもよい。さらに、上記主面６ａには被覆層９が形成される一方、端面６ｂではベース体８の表面部分が露出していてもよい。このようにすれば、冷却体６において、被覆層９が形成された一方の面を放熱板４ｂとはんだ接合することで、冷却体６と放熱板４ｂとのはんだ付け性を高めることができる。

本発明の半導体装置の製造方法は、モールド金型２１，２２を準備する工程と、モールド金型２１，２２の内部に、半導体素子１と絶縁板５と冷却体６とを含む封止対象材１０を配置する工程と、封止対象材１０が配置されたモールド金型２１，２２の内部に、封止体７となるべき材料を導入することで、封止体７により封止対象材１０を封止する工程とを備える。モールド金型２１，２２を準備する工程では、冷却体６の一部を嵌めこむ凹部２３が形成されたモールド金型２１が準備され、封止対象材１０を配置する工程では、凹部２３に冷却体６の一部が嵌めこまれた状態とされる。

このようにすれば、反りが生じた冷却体６を備える封止対象材１０に対しても、冷却体６の一部を嵌めこむ凹部２３が形成されたモールド金型２１，２２に冷却体６の一部を嵌めこむことで、封止体７となるべき材料が冷却体６の一部（一つの主面６ａおよび該主面６ａに連なり該主面６ａと交差する方向に延びる端面６ｂの一部）に供給されるのを抑制することができる。これにより、冷却体６において、封止体７から突出している主面６ａと、封止体７の表面から突出している端面６ｂの一部とを形成することができ、高い冷却性能を有する半導体装置１００を容易に製造することができる。

上記モールド金型２１は、封止対象材１０を保持する空間が内部に形成されたベース金型２１ａと、ベース金型２１ａの空間内に配置され、凹部２３を規定する凹部形成部材２４とを含んでもよい。このようにすれば、封止対象材１０の構成に応じて凹部形成部材２４を用意することにより、同一形状のモールド金型２１ａ，２２を異なる封止対象材１０に対して共用できる。

上記封止する工程では、モールド金型２１，２２の内部に封止体７となるべき材料を導入する前に、あらかじめ冷却体６を加熱してもよい。これにより、絶縁板５と冷却体６とが熱膨張して冷却体６の反り量が小さくなった状態で、封止体７となるべき材料を供給することができる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、上述の実施の形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は上述の実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。

１ 半導体素子、２ 電極、３ａ，３ｂ，３ｃ はんだ、４ａ，４ｂ 放熱板、５ 絶縁板、６ 冷却体、６ａ 主面、６ｂ 端面、６ｃ ダレ部、７ 封止体、１０ 封止対象材、２１，２２ モールド金型、２１ａ ベース金型、２３ 凹部、２４ 凹部形成部材、１００ 半導体装置。

Claims (6)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子と絶縁板を介して積層された冷却体と、
   前記半導体素子、前記絶縁板、および前記冷却体の一部を覆う封止体とを備え、
   前記冷却体は、前記封止体の表面に沿うとともに前記封止体から突出した主面と、前記主面に連なり前記主面と交差する方向に延びる端面とを含み、
   前記端面の少なくとも一部は前記封止体の表面より突出しており、
   前記端面が前記封止体の表面より突出している高さは、前記冷却体の反り量よりも大きい、半導体装置。
2. 前記冷却体の端面において、前記封止体の内部に位置する一方端部はダレ部を含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記冷却体において、前記主面の粗度より前記端面の粗度の方が大きく、
   前記冷却体は、ベース体と、前記ベース体の表面の少なくとも一部上に形成された被覆層とを含み、
   前記主面の反対側に位置する面には前記被覆層が形成される一方、前記端面では前記ベース体の表面部分が露出している、請求項１または２に記載の半導体装置。
4. モールド金型を準備する工程と、
   前記モールド金型の内部に、半導体素子と絶縁板と冷却体とを含む封止対象材を配置する工程と、
   前記封止対象材が配置された前記モールド金型の内部に、封止体となるべき材料を導入することで、前記封止体により前記封止対象材を封止する工程とを備え、
   前記モールド金型を準備する工程では、前記冷却体の一部を嵌めこむ凹部が形成された前記モールド金型が準備され、
   前記凹部の深さは、前記封止対象材を配置する工程において見込まれる前記冷却体の反り量と比べて大きくなるように設けられており、
   前記封止対象材を配置する工程では、前記凹部に前記冷却体の一部が嵌めこまれた状態とされる、半導体装置の製造方法。
5. 前記モールド金型は、前記封止対象材を保持する空間が内部に形成されたベース金型と、
   前記ベース金型の前記空間内に配置され、前記凹部を規定する凹部形成部材とを含む、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記封止する工程では、前記モールド金型の内部に前記封止体となるべき材料を導入する前に、あらかじめ前記冷却体を加熱する、請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。

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