JP5946402B2 - 基材搬送装置 - Google Patents
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Description
特許文献1では、駆動手段が、ウェブ(基材)と支持手段の間の領域に1つのジェット又は複数の離間したジェットを噴射して基材を冷却する手段を具備している。これによれば、ウェブと支持手段との伝熱効率を高めることにより、生産性を高めることが可能とされている。しかし、この技術では、噴射したガスはウェブと支持手段との狭い空隙を通過した後、ウェブ両端からプロセスゾーンに漏れ出すことが予想され、スパッタITO膜のように少量のガス量が膜質に大きく影響を及ぼすプロセスでは問題となりうる。
即ち、本発明の基材搬送装置は、基材の表面に成膜処理を施す成膜装置に設けられると共に、前記基材を搬送する基材搬送ロールを有する基材搬送装置であって、前記基材搬送ロールは、前記基材搬送ロールの軸心に沿った長手方向における中央部に形成され且つ基材が接触しない中央小径部と、前記中央小径部の長手方向両端に形成され、基材と接触し前記基材搬送ロールの軸心周りに回転することで前記基材を搬送する両端大径部と、を備え、前記基材と前記中央小径部の間に形成される空間に不活性ガスを導入するガス導入機構を有し、前記中央小径部の前記基材と対向しない面と向かい合う位置に設けられた圧力隔壁をさらに有し、前記空間は、前記圧力隔壁と、前記両端大径部に接触する基材と、前記中央小径部と、前記両端大径部とで形成されることを特徴とする。
好ましくは、前記基材搬送ロールは、前記中央小径部に対して温度制御を行う昇降温機構を有し、前記昇降温機構が、前記中央小径部の前記基材と対向する面の複数の領域に対して、互いに独立に前記温度制御が可能であるとよい。
[第1実施形態]
図1及び図2を参照しながら、本発明の第1実施形態による成膜装置1について説明する。図1は、本実施形態による成膜装置1の構成を示す概略図である。図2は、成膜装置1の基材搬送装置2aの構成を示す概略図である。
以下の説明では、図1の紙面に向かっての上下方向を成膜装置1の上下方向とし、同じく紙面に向かっての左右方向を成膜装置1の左右方向とする。また、図1の紙面貫通方向を前後方向という。
巻出し部3、基材搬送装置2a、及び巻取り部4を有する成膜装置1は、例えば箱形の真空チャンバ5内に設けられている。
図1に示す真空チャンバ5内の上下方向における中央部の左側上方には、基材ロールを装着した巻出し部3が配置されている。巻出し部3は、フィルム基材Wの幅よりも若干全長の長い円筒状又は円柱状の巻き付け芯である巻出しコアを有しており、巻出しコアにフィルム基材Wを巻回することで基材ロールが形成されている。この基材ロールを成膜装置1に取り付けることで、巻出し部3となる。
図1に示す真空チャンバ5内の上下方向における中央より下側であって、巻出し部3の下方には、巻出し部3から巻き出されたフィルム基材Wの表面に対して、例えばスパッタリングやプラズマCVD等による表面処理(表面処理工程)を施す成膜機構部が備えられている。本実施形態では、成膜機構部の一例としてスパッタリング法によるスパッタリン
グ成膜部が備えられている。
このような成膜ロール6を有する基材搬送装置2aは、基材Wと成膜ロール6との間の伝熱効率を向上させるために、基材Wと成膜ロール6の間に形成される空間に気体を導入するガス導入機構を有するものであり、本実施形態による成膜装置1を特徴づける固有の構成を有している。成膜ロール6及び基材搬送装置2aの詳細な構成については、後述する。
また、図1に示す真空チャンバ5内において、図1の紙面に向かって巻出し部3の右側には、巻取り部4が配置されている。巻取り部4は、基材搬送装置2aを通って表面処理が施されたフィルム基材Wを再びロール状の基材ロールとして巻き取るものであり、巻出し部3と同様の構成及び配置となっている。
第1ガイドローラ7の回転軸10は、巻出し部3及び成膜ロール6の回転軸10と平行であって、真空チャンバ5の左右方向において、成膜ロール6の左端よりも真空チャンバ5の中央寄り、つまり、成膜ロール6の回転軸10寄りに配置されており、成膜ロール6に対して、常に一定の角度及び方向から基材Wを搬送することを可能にする。
以下に、図2を参照しながら、成膜ロール6の構成について詳細に説明する。
回転軸10は、一様な太さの円柱又は円筒状の部材であって、両端の近傍が2つのベアリング9によって保持されている。従って、回転軸10は、長手方向に沿った軸心を中心に回転することが可能であり、図示しない駆動装置によって所定の回転速度で回転する。
両端大径部11a,11bは共に、フィルム基材Wの幅方向における端部(側部)側が
巻き掛けられるのに十分な所定の厚みを有する円板状の外形を有する部材である。両端大径部11a,11bの径は、望まれる成膜装置1の性能に合わせて任意に決定されるが、少なくとも回転軸10より大径である。
以上に述べたように、本実施形態における成膜ロール6は、回転軸10が回転することによって、回転軸10と一体に形成された又は回転軸10に固定された中央小径部12と両端大径部11a,11bとが、互いに同期して回転する構成となる。
図1及び図2に示すように、圧力隔壁13は、中央小径部12の基材Wと対向しない面と向かい合う位置に設けられ、成膜ロール6(中央小径部12及び両端大径部11a,11b)のフィルム基材Wと対向しない面を覆うように、第1ガイドローラ7と第2ガイドローラ8の間の開口を塞ぐ部材である。
詳しくは、図2に示すように、圧力隔壁13は、第1ガイドローラ7に巻き掛けられた基材Wと対向する第1気密部13a、第2ガイドローラ8に巻き掛けられた基材Wと対向する第2気密部13b、第1気密部13aと第2気密部13bを接続する接続部13cとから構成される。なお、圧力隔壁13の左右方向(図2(a)における左右方向)には、第1気密部13a、第2気密部13b、接続部13cの側部を覆う第1壁部13dと第2壁部13eが設けられている。第1壁部13dは、一方の両端大径部11aの基材Wと対向しない面と対向するものとなっており、第2壁部13eは、他方の両端大径部11bの基材Wと対向しない面と対向するものとなっている。
接続部13cは、第1気密部13a及び第2気密部13bの長手方向に沿った長さとほぼ同じ長さの平板状の部材であり、上述のように配置された第1気密部13a及び第2気密部13bを、第1気密部13a及び第2気密部13bの長手方向に沿って、成膜ロール6(中央小径部12及び両端大径部11a,11b)のフィルム基材Wと対向しない面を覆うように一体につないで、第1ガイドローラ7と第2ガイドローラ8の間の開口を塞ぐものである。
第1壁部13dは、これら第1ガイドローラ7及び第2ガイドローラ8と成膜ロール6との間で基材Wの搬送方向に沿って形成された面が、対向する基材Wから、例えば1mm程度の微少な距離だけ離れるとともに、両端大径部11aに対向する湾曲面が、両端大径部11aの外周面から、例えば1mm程度の微少な距離だけ離れる位置に配置される。
図2に示すように、上述の構成を有する圧力隔壁13によって、圧力隔壁13と成膜ロール6との間に空間が形成され、該空間が、両端大径部11a,11bに巻き掛けられた基材Wと中央小径部12との間に形成される気体導入空間と連続することで、成膜ロール
6の中央小径部12の外周全体を包囲する一体の空間が形成される。
図2に示すように、ガス導入機構14aは、例えば、内部が空洞となった管状のパイプで構成された部材であり、パイプ内の空洞に供給されたガスをパイプの外部に流出させるための孔が長手方向に沿って複数形成されている。このような構成を有するパイプ状のガス導入機構14aは、圧力隔壁13と中央小径部12の間に成膜ロール6の長手方向に沿って配置されている。
ーラ7及び第2ガイドローラ8と圧力隔壁13との間隙を1mm、第1ガイドローラ7及び第2ガイドローラ8における基材Wの抱き角(巻き掛け角度)を90度とすれば、第1ガイドローラ7及び第2ガイドローラ8と圧力隔壁13との間隙が作るガス出口ギャップを、開口1mm×巾370mm、奥行き60mm(直径74mm円周長の1/4)の矩形スリットとしてモデル化することができる。実際には、第1ガイドローラ7及び第2ガイドローラ8の曲率影響や、第1ガイドローラ7及び第2ガイドローラ8の側面のギャップによる影響も生じるが、ここでは考慮しないこととする。
このガス漏れ量に相当する量のガス量をガス導入機構14aから常時導入し、ターボ分子ポンプ(TMP)などの排気能力が十分な高真空排気ポンプを用いれば、上記の考察は実現可能となる。気体導入空間内の圧力を高めることによって、気体導入空間内の圧力を、スパッタリング時のプロセス圧力に比べて約100〜1000倍に高めることが可能となり、これに対応した(分子流ならば圧力比例の)熱伝達係数の上昇を見込むことができる。
[第2実施形態]
図3を参照して、本発明の第2実施形態について説明する。図3は、第2実施形態による成膜装置1の基材搬送装置2bの概略構成を示している。図3(a)は、成膜装置1の右方又は左方から見たときの基材搬送装置2bの構成を示し、図3(b)は、図3(a)におけるB−B断面図である。
図3に示すように、本実施形態におけるガス導入機構14bは、成膜ロール6の中央小径部12に設けられている。
図3(b)に示すように、これら複数のスリット状の穿孔は、中央小径部12の円形の断面において、円周方向に沿って隣り合うスリット状の穿孔が形成する中心角がほぼ30度となるように12箇所に形成されているが、形成されるスリット状の穿孔の数は、12より多くても少なくても良い。
ス流路の形状は特に限定されるものではない。スリット形状の穿孔の代わりに、スリット形状の穿孔の各々を複数に分割して、複数の穴状のガス流路が中央小径部12の幅方向に沿って並列に設けられた構成としてもよい。この場合、中央小径部12の幅方向に沿って並ぶ複数のガス流路は、中央小径部12の軸心に近い内部で互いに連通していることが望ましい。
図4を参照して、本発明の第3実施形態について説明する。図4は、第3実施形態による成膜装置1の成膜ロール6の概略構成を示している。図4(a)は、成膜装置1の右方又は左方から見たときの成膜ロール6の構成を示し、図4(b)は、図4(a)におけるC−C断面図である。
図4に示すように、本実施形態における成膜ロール6は、両端大径部11a,11bが回転するが、中央小径部12は回転しない構成となっている。つまり、回転する両端大径部11a,11bによって基材Wは搬送されるが、中央小径部12は回転しない。
図4に示すように、ガス導入機構14cは、中央小径部12の外周面に中央小径部12の長手方向に沿って溝状に形成された2本のガス流路17a,17bと、成膜ロール6のほぼ軸心位置に形成されたガス導入路19と、ガス導入路を2本のガス流路につなぐ接続
路18a,18bを有している。
非回転部である中央小径部12に形成されるガス導入路19、接続路18a,18b、及び2本のガス流路17a,17bの構造と位置は、スパッタ蒸発源Tなど周辺のプロセス源の配置等に応じて適宜決定することができる。
[第4実施形態]
図5を参照して、本発明の第4実施形態について説明する。図5は、第4実施形態による成膜装置1の基材搬送装置2dの概略構成を示している。図5(a)は、成膜装置1の右方又は左方から見たときの基材搬送装置2dの構成を示し、図5(b)は、図5(a)におけるD−D断面図である。
昇降温機構は、熱媒体油や水などの流体を温度制御媒体として循環させる管状のパイプ、又はシースヒータなどによって中央小径部12の内部に設けられた昇降温媒体経路20である。
このように独立に配置された管状の昇降温媒体経路20に、加熱又は冷却された温度制
御媒体を循環させることで、中央小径部12におけるZONE1〜ZONE3の基材Wと対向する各面の温度を独立に温度制御して上昇又は下降させ、中央小径部12と対向する基材Wの温度を上昇又は下降させることができる。
本実施形態の基材搬送装置2dを用いれば、成膜プロセスの温度毎に複数の成膜ロール6を用いる必要がなくなるので真空チャンバ5の容量を小さくすることができ、ひいては成膜装置1を小型化することができる。
ところで、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特に、今回開示された実施形態において、明示的に開示されていない事項、例えば、動作条件や測定条件、各種パラメータ、構成物の寸法、重量、体積などは、当業者が通常実施する範囲を逸脱するものではなく、通常の当業者であれば、容易に想定することが可能な値を採用している。
2a〜2d 基材搬送装置
3 巻出し部
4 巻取り部
5 真空チャンバ
6 成膜ロール(基材搬送ロール)
7 第1ガイドローラ
8 第2ガイドローラ
9 ベアリング
10 回転軸
11a,11b 両端大径部
12 中央小径部
13 圧力隔壁13
13a 第1気密部
13b 第2気密部
13c 接続部
13d 第1壁部
13e 第2壁部
14a〜14c ガス導入機構
15 導入ガス源
16 調整弁
17a,17b ガス流路
18a,18b 接続路
19 ガス導入路
20 昇降温媒体経路
T スパッタ蒸発源
W フィルム基材
Claims (4)
- 基材の表面に成膜処理を施す成膜装置に設けられると共に、前記基材を搬送する基材搬送ロールを有する基材搬送装置であって、
前記基材搬送ロールは、前記基材搬送ロールの軸心に沿った長手方向における中央部に形成され且つ基材が接触しない中央小径部と、
前記中央小径部の長手方向両端に形成され、基材と接触し前記基材搬送ロールの軸心周りに回転することで前記基材を搬送する両端大径部と、を備え、
前記基材と前記中央小径部の間に形成される空間に不活性ガスを導入するガス導入機構を有し、
前記中央小径部の前記基材と対向しない面と向かい合う位置に設けられた圧力隔壁をさらに有し、
前記空間は、前記圧力隔壁と、前記両端大径部に接触する基材と、前記中央小径部と、前記両端大径部とで形成される
ことを特徴とする基材搬送装置。 - 前記ガス導入機構が、前記中央小径部の外周面から前記中央小径部の内部に向かって形成された穿孔を有し、前記穿孔に不活性ガスを供給することで前記基材と前記中央小径部の間に形成される空間に不活性ガスを導入可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の基材搬送装置。
- 前記ガス導入機構は、前記基材と前記中央小径部の間に形成される空間に、前記空間における一定の位置から不活性ガスを導入可能に構成されていることを特徴とする請求項2に記載の基材搬送装置。
- 前記基材搬送ロールは、前記中央小径部に対して温度制御を行う昇降温機構を有し、
前記昇降温機構が、前記中央小径部の前記基材と対向する面の複数の領域に対して、互いに独立に前記温度制御が可能であることを特徴とする請求項1に記載の基材搬送装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012279532A JP5946402B2 (ja) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 基材搬送装置 |
PCT/JP2013/006902 WO2014097544A1 (ja) | 2012-12-21 | 2013-11-25 | 基材搬送装置 |
TW102145356A TW201433527A (zh) | 2012-12-21 | 2013-12-10 | 基材搬運裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012279532A JP5946402B2 (ja) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 基材搬送装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014122394A JP2014122394A (ja) | 2014-07-03 |
JP5946402B2 true JP5946402B2 (ja) | 2016-07-06 |
Family
ID=50977910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012279532A Expired - Fee Related JP5946402B2 (ja) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 基材搬送装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5946402B2 (ja) |
TW (1) | TW201433527A (ja) |
WO (1) | WO2014097544A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6233262B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-11-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺フィルムの搬送および冷却用ロール、ならびに該ロールを搭載した長尺フィルムの処理装置 |
JP6233292B2 (ja) * | 2014-12-23 | 2017-11-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺フィルムの搬送および冷却用ロール、ならびに該ロールを搭載した長尺フィルムの処理装置 |
CN107265152B (zh) * | 2017-06-09 | 2019-08-16 | 浙江汇锋薄膜科技有限公司 | 一种导电薄膜的制备设备上的放料张紧装置 |
CN107215702A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-09-29 | 浙江汇锋薄膜科技有限公司 | 一种导电薄膜的制备设备上的气浮式导膜装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101226287B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2013-01-24 | 파나소닉 주식회사 | 박막 형성 장치 및 박막의 형성 방법 |
JP2010242200A (ja) * | 2009-04-09 | 2010-10-28 | Toyota Motor Corp | 薄膜部材の製造装置およびその製造方法 |
US20100266766A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | Stefan Hein | Guiding devices and methods for contactless guiding of a web in a web coating process |
EP2423351A4 (en) * | 2009-04-22 | 2013-02-27 | Panasonic Corp | APPARATUS FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THIN FILM |
JP2011038162A (ja) * | 2009-08-13 | 2011-02-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜積層体の製造装置 |
US20130330472A1 (en) * | 2011-06-15 | 2013-12-12 | Panasonic Corporation | Substrate conveyance roller, thin film manufacturing device and thin film manufacturing method |
-
2012
- 2012-12-21 JP JP2012279532A patent/JP5946402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-25 WO PCT/JP2013/006902 patent/WO2014097544A1/ja active Application Filing
- 2013-12-10 TW TW102145356A patent/TW201433527A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014122394A (ja) | 2014-07-03 |
WO2014097544A1 (ja) | 2014-06-26 |
TW201433527A (zh) | 2014-09-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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