JP5944261B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5944261B2 JP5944261B2 JP2012169663A JP2012169663A JP5944261B2 JP 5944261 B2 JP5944261 B2 JP 5944261B2 JP 2012169663 A JP2012169663 A JP 2012169663A JP 2012169663 A JP2012169663 A JP 2012169663A JP 5944261 B2 JP5944261 B2 JP 5944261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- type semiconductor
- semiconductor layer
- conversion element
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
透明n型半導体層、光吸収層及びp型半導体層をこの順に備え、
上記光吸収層の主成分がBi2S3である光電変換素子である。
スプレー熱分解法により主成分がBi2S3である光吸収層を成膜する工程
を有し、
上記工程における成膜温度を100℃以上400℃以下とする光電変換素子の製造方法である。
(第一実施形態)
図1の光電変換素子1は、透明基板2、透明電極膜3、n型半導体層4、光吸収層5、p型半導体層6及び電極膜7を備え、これらがこの順に積層されてなる層構造体である。
図2の光電変換素子11は、基板12、電極膜13、n型半導体層4、光吸収層5、p型半導体層6、及び透明電極膜17を備え、これらがこの順に積層されてなる層構造体である。n型半導体層4、光吸収層5及びp型半導体層6は、図1の光電変換素子1のものと同様であるので、同一番号を付して説明を省略する。
本発明の光電変換素子の製造方法について、図1の光電変換素子1の場合を例に詳説する。当該光電変換素子1は、
(1)スプレー熱分解法により、透明電極膜3の表面にn型半導体層4を成膜する工程、
(2)スプレー熱分解法により、n型半導体層4の表面に光吸収層5を成膜する工程、及び
(3)スプレー熱分解法により、光吸収層5の表面にp型半導体層6を成膜する工程
を有する製造方法により好適に得ることができる。以下、各工程について詳説する。
本工程においては、スプレー熱分解法により、透明基板2の表面に積層された透明電極膜3の表面にn型半導体層4を成膜する。この際、透明基板2と透明電極膜3との積層体としては、市販の透明電極膜付ガラス基板等を用いることができる。なお、透明電極膜3の表面は、中性洗剤等による洗浄、純水等による超音波洗浄等を予め施しておくことが好ましい。
本工程においては、上記工程(1)で得られたn型半導体層4の表面に、スプレー熱分解法により光吸収層5を形成する。
本工程においては、上記工程(2)で得られた光吸収層5の表面に、スプレー熱分解法によりp型半導体層6を成膜する。
本発明の光電変換素子アレイは、複数の当該光電変換素子を備える。各光電変換素子は直列又は並列に電気的に接続されてなる。また、各光電変換素子は同一構造であってもよいし、異なった構造であってもよい。また、当該光電変換素子アレイは、本発明の光電変換素子以外の光電変換素子をさらに備えていてもよい。当該光電変換素子アレイは、複数の当該光電変換素子を備えるため優れた光電変換効率を有し、製造も容易である。
本発明の太陽電池モジュールは、当該光電変換素子又は当該光電変換素子アレイを備える。当該太陽電池モジュールの具体的構造としては、ガラス等からなる透光性基板と、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)等の熱可塑性樹脂からなる充填剤層と、当該光電変換素子又は光電変換素子アレイと、上記充填剤層と同様の充填剤層と、太陽電池モジュール用バックシートとが表面側からこの順に積層されてなるものが挙げられる。これらは、通常、真空加熱ラミネーション法等により一体成形されている。また、当該光電変換素子又は光電変換素子アレイの配線(両端子)は、通常、裏面(バックシート)側に設けられるジャンクションボックスを通じて外部配線の端子と接続される。
下記手順にて、透明基板、透明電極膜、n型半導体層、光吸収層、p型半導体層及び電極膜がこの順に積層されてなる光電変換素子を作製した。
市販の透明導電膜付ガラス基板(Solaronix社のFTO透明導電膜付きガラスTCO22−15)を用いた。
上記透明電極膜付きガラス基板の表面に以下の方法でTiO2からなる層を成膜した。
Sigma−Aldrich社製チタンジイソプロポキシドビスアセチルアセトナート7mlをエタノール43mlに希釈し、全量を50mlとして前駆体溶液とした。500℃に加熱したホットプレート上の上記ガラス基板に、この前駆体溶液50mlをガス圧1.25kPaの空気で1ショット0.5秒毎に5秒のインターバルで噴霧し、目的のTiO2を成膜した。
次いで、このTiO2からなる層の表面に以下の方法でIn2S3からなる層を成膜した。
0.01MのInCl3(無水)と、0.02Mのチオ尿素との混合水溶液を調製し、前駆体溶液とした。250℃加熱したホットプレート上のガラス基板に、この前駆体溶液30mlをガス圧1.25kPaの空気で1ショット0.5秒毎に5秒のインターバルで噴霧し、目的のIn2S3膜を得た。
このようにして、TiO2からなる層と、In2S3からなる層とからなる2層構造の透明なn型半導体層を形成した。
次いで、上記n型半導体層の表面にBi2S3からなる光吸収層を以下の方法で成膜した。Bi(NO3)3・5H2Oを10wt%の酢酸水溶液に溶解し、Bi(NO3)3・5H2Oの0.1M溶液を調製した。上記Bi(NO3)3・5H2Oを溶解した酢酸水溶液に対して、1.5倍量のチオ尿素水溶液(0.1M)を混合し、前駆体溶液とした。200℃に加熱したホットプレート上の基板にこの前駆体溶液50mlをガス圧1.25kPaの空気で1ショット0.5秒毎に5秒のインターバルで噴霧し、目的の光吸収層(Bi2S3膜)を成膜した。
次いで、上記光吸収層の表面にCISからなる層を以下の方法で成膜した。CuCl2・2H2O(0.03M)、InCl3(無水)(0.024M)、及びチオ尿素(0.12M)の混合水溶液を調製し、前駆体溶液とした。200℃に加熱したホットプレート上のガラス基板にこの前駆体溶液100mlをガス圧1.25kPaの空気で1ショット0.5秒毎に5秒のインターバルで噴霧し、目的のp型半導体層(CIS膜)を得た。
各層を形成する材料の種類、用いた前駆体溶液の量、及び成膜温度を表1に示すように変更したこと以外は、実施例1と同様の操作をして、実施例2〜5及び比較例1の光電変換素子を得た。
CuCl2・2H2O(0.03M)、Zn(NO3)2・6H2O(0.25M)、及びチオ尿素(0.12M)を溶質として含む混合水溶液を調製し、前駆体溶液とした。350℃に加熱したホットプレート上の基板にこの前駆体溶液をガス圧1.25kPaの空気で1ショット0.5秒毎に5秒のインターバルで噴霧し、目的のCZS膜を得た。
CuInS2膜‥4.54eV
CuZnS膜‥4.47eV
Bi2S3膜‥4.53eV
得られた光電変換素子に対して、透明基板側からナリカ社製ランプ D20−1269−11を用いて光照射を行い、光照射時の開放電圧及び短絡電流を測定した。短絡電流0.1mA以上、開放電圧が0.15V以上のものを良(○)とした。測定結果を表1に示す。
製造例1として、ガラス基板の表面に、上記実施例1の(3)の手順に沿って、成膜温度200℃にてBi2S3膜(光吸収層)を成膜した。
成膜温度を300℃としたこと以外は製造例1と同様にして、製造例2のBi2S3膜(光吸収層)を成膜した。
成膜温度を400℃としたこと以外は製造例1と同様にして、製造例3のBi2S3膜(光吸収層)を成膜した。
得られた製造例1〜3各Bi2S3膜の結晶粒径及び抵抗値を測定した。結晶粒径(平均結晶粒径)は、以下の方法にて測定した。各方位((020)面、(200)面、(120)面、(130)面、(310)面及び(211)面)の結晶性をリガク社製X線回折装置Smart labを用いて測定した。各方位の結晶粒径の平均値を(平均)結晶粒径とした。成膜温度と結晶粒径又は抵抗値とをプロットしたグラフを図3と図4にそれぞれ示す。また、結晶粒径と抵抗値との相関を図5に示す。
2 透明基板
3 透明電極膜
4 n型半導体層
5 光吸収層
6 p型半導体層
7 電極膜
12 基板
13 電極膜
17 透明電極膜
Claims (4)
- 透明n型半導体層、光吸収層及びp型半導体層をこの順に備え、上記光吸収層の主成分がBi2S3であり、上記光吸収層の平均厚さが300nm以上1,500nm以下であり、上記p型半導体層の主成分がCuInS2又はCuZnSである光電変換素子の製造方法であって、
スプレー熱分解法により上記光吸収層を形成する工程を備えることを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 上記光吸収層がBi2S3の結晶構造を有し、
この結晶構造の平均結晶粒径が100Å以上である請求項1に記載の光電変換素子の製造方法。 - 上記n型半導体層の可視光透過率が80%以上であり、
このn型半導体層の主成分が酸化物又は硫化物である請求項1又は請求項2に記載の光電変換素子の製造方法。 - 上記工程における成膜温度が100℃以上400℃以下である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012169663A JP5944261B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012169663A JP5944261B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014029923A JP2014029923A (ja) | 2014-02-13 |
JP5944261B2 true JP5944261B2 (ja) | 2016-07-05 |
Family
ID=50202314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012169663A Expired - Fee Related JP5944261B2 (ja) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5944261B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8426722B2 (en) * | 2006-10-24 | 2013-04-23 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Semiconductor grain and oxide layer for photovoltaic cells |
JP5400470B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-01-29 | 株式会社豊田中央研究所 | 太陽電池 |
JP5641981B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-12-17 | 大阪瓦斯株式会社 | 量産に適した方法で製造可能な光電変換素子 |
-
2012
- 2012-07-31 JP JP2012169663A patent/JP5944261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014029923A (ja) | 2014-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI487129B (zh) | 薄膜太陽能電池及其製造方法 | |
JP5928612B2 (ja) | 化合物半導体太陽電池 | |
JP6366914B2 (ja) | 多接合型太陽電池 | |
KR101686663B1 (ko) | 후면 전극형 박막 솔라셀과 그의 제조방법 | |
US20140238472A1 (en) | Solar cell apparatus and method of fabricating the same | |
CN106098816A (zh) | 一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
JP5808716B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
KR101848853B1 (ko) | 반투명 cigs 태양전지 및 이의 제조방법 및 이를 구비하는 건물일체형 태양광 발전 모듈 | |
US9224903B2 (en) | Method for manufacturing photoelectric converter | |
JP5641981B2 (ja) | 量産に適した方法で製造可能な光電変換素子 | |
JP2013098195A (ja) | 光電変換素子 | |
Maurya et al. | A review on high performance photovoltaic cells and strategies for improving their efficiency | |
JP5944261B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP5488436B2 (ja) | 光電素子 | |
JPWO2011108116A1 (ja) | 太陽電池 | |
Dey | Role of earth-abundant selenium in different types of solar cells | |
JP5837196B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP5944262B2 (ja) | 光電変換素子、光電変換素子アレイ及び太陽電池モジュール | |
TW201240130A (en) | Manufacturing method for multi-color crayoned solar cells | |
KR20110077923A (ko) | 박막 태양전지의 전면 전극 및 그를 포함하는 박막 실리콘 태양전지 | |
JP2015162524A (ja) | 光電変換素子、太陽電池及び光電変換素子の製造方法 | |
KR101485009B1 (ko) | Cigs계 박막 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 | |
JP2014504036A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP5964683B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
JP5792129B2 (ja) | 太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160525 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5944261 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |