JP5936132B2 - 基体表面の保護方法 - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
- C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
Description
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体;
からなる群から選択される1種又は2種であることが好ましい。
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。正電荷物質は微粒子の形態であることがより好ましい。
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体;
からなる群から選択される1種又は2種であることが好ましい。負電荷物質は微粒子の形態であることがより好ましい。
まず、四塩化チタン等の四価チタンの化合物とアンモニア等の塩基とを反応させて、水酸化チタンを形成する。次に、この水酸化チタンを酸化剤でペルオキソ化し、超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処理することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、金、銀、白金、錫、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
四塩化チタン等の四価チタンの化合物を酸化剤でペルオキソ化し、これとアンモニア等の塩基とを反応させて超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処埋することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
四塩化チタン等の四価チタンの化合物を、酸化剤及び塩基と同時に反応させて、水酸化チタン形成とそのペルオキソ化とを同時に行い、超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処埋することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
チタンアルコキシドに、水、アルコール等の溶媒、酸又は塩基触媒を混合撹拌し、チタンアルコキシドを加水分解させ、超微粒子のチタン酸化物のゾル溶液を生成する。この加水分解の前後のいずれかに、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。なお、このようにして得られるチタン酸化物は、ペルオキソ基を有するアモルファス型である。
金属ドープチタン酸化物の製造に使用する四価チタンの化合物としては、塩基と反応させた際に、オルトチタン酸(H4TiO4)とも呼称される水酸化チタンを形成できるものであれば各種のチタン化合物が使用でき、例えば四塩化チタン、硫酸チタン、硝酸チタン、燐酸チタン等のチタンの水溶性無機酸塩がある。それ以外にも蓚酸チタン等のチタンの水溶性有機酸塩も使用できる。なお、これらの各種チタン化合物の中では、水溶性に特に優れ、かつ金属ドープチタン酸化物の分散液中にチタン以外の成分が残留しない点で、四塩化チタンが好ましい。
上記四価チタンの化合物と反応させる塩基は、四価チタンの化合物と反応して水酸化チタンを形成できるものであれば、各種のものが使用可能であり、それにはアンモニア、苛性ソーダ、炭酸ソーダ、苛性カリ等が例示できるが、アンモニアが好ましい。
金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛の化合物としては、それぞれ以下のものが例示できる。
Au化合物:AuCl、AuCl3、AuOH、Au(OH)2、Au2O、Au2O3
Ag化合物:AgNO3、AgF、AgClO3、AgOH、Ag(NH3)OH、Ag2SO4
Pt化合物:PtCl2、PtO、Pt(NH3)Cl2、PtO2、PtCl4、〔Pt(OH)6〕2−
Ni化合物:Ni(OH)2、NiCl2
Co化合物:Co(OH)NO3、Co(OH)2、CoSO4、CoCl2
Cu化合物:Cu(OH)2、Cu(NO3)2、CuSO4、CuCl2、Cu(CH3COO)2
Zr化合物:Zr(OH)3、ZrCl2、ZrCl4
Sn化合物:SnCl2、SnCl4、[Sn(OH)]+
Mn化合物:MnNO3、MnSO4、MnCl2
Fe化合物:Fe(OH)2、Fe(OH)3、FeCl3
Zn化合物:Zn(NO3)2、ZnSO4、ZnCl2
市販のアナターゼ型過酸化チタン分散液(B56:サスティナブル・テクノロジー(株)製)を評価液1とした。
純水500gに30wt%シリカゾル2.5gと50%四塩化チタン溶液(住友シチックス(株)製)10gを添加し、純水を加え1000gにメスアップした溶液を準備した。これに25%アンモニア水(高杉製薬(株)製)を10倍希釈したアンモニア水を滴下してpHを7.0に調整して水酸化チタンの混合物を沈殿させた。この沈殿物について純水でデカンテーションを行い、上澄み液の導電率が0.8mS/m以下になるまで繰り返し洗浄した。導電率が0.738mS/mになったところで洗浄を終了すると、0.73wt%固形分濃度の水酸化物が1720g作製された。次に、これに35%過酸化水素水(タイキ薬品工業(株)製)を25g添加し16時間撹拌すると淡黄褐色で透明な0.85wt%固形分濃度のシリカドープアモルファス型過酸化チタン溶液425gが得られた。このシリカドープアモルファス型過酸化チタン溶液200gを採取し、100℃の温度で5時間加熱すると淡黄色透明な1.52wt%固形分濃度のアナターゼ型過酸化チタン分散液110gが得られた。このシリカドープアナターゼ型過酸化チタン分散液を評価液2とした。
市販の銅ドープアナターゼ型過酸化チタン分散液(Z18−1600:サスティナブル・テクノロジー(株)製)を評価液3とした。
市販のポリシリケート(WM−12:多摩化学工業(株)製)を純水で1.2wt%の濃度に調整した液100gを準備する。次に、この液に塩化第二銅(日本化学産業(株)製)1.5gを完全に溶解させると、Cu濃度が約1200ppmの溶液が得られた。この銅ドープシリカ溶液を評価液4とした。
市販のポリシリケート(WM−12:多摩化学工業(株)製)を純水で1.2wt%の濃度に調整した液100gを準備する。次に、この液に1%の濃度に調整した水酸化ナトリウム(日本化学産業(株)製)水溶液5gを混合し充分に撹拌し混合溶液を得た。このナトリウムドープシリカ溶液を評価液5とした。
純水500gにSnCl2・2H2O(塩化第一錫)0.594gを完全に溶解させた溶液に、50%四塩化チタン溶液(住友シチックス(株)製)10gを添加し、更に純水を加え1000gにメスアップした溶液を準備した。これに25%アンモニア水(高杉製薬(株)製)を10倍希釈したアンモニア水を滴下してpHを7.0に調整して水酸化錫と水酸化チタンの混合物を沈殿させた。この沈殿物を純水で上澄み液の導電率が0.8mS/m以下になるまで洗浄した。導電率が0.713mS/mになったところで洗浄を終了すると0.51wt%濃度の水酸化物が417g作製された。次に、これに35%過酸化水素水(タイキ薬品工業(株)製)を25g添加し16時間撹拌すると黄褐色の透明な錫がドープされたアモルファス型過酸化チタン溶液439gが得られた。この錫ドープアモルファス型過酸化チタン溶液を評価液6とした。
(評価基板及び比較基板)
評価液1〜6を、表1に示す順序で、厚さ3mmのフロートガラス板表面上に順番に塗布し、200℃で15分間加熱して、それぞれ100nmの厚みを有する被覆層を2つ備える評価基板1〜16を調製した。また、評価液1〜6を、表2に示すように、それぞれ、厚さ3mmのフロートガラス板表面に塗布し、200℃で15分間加熱して、100nnmの厚みを有する被覆層を1つ備える比較基板1〜6を調製した。このようにして、評価基板1〜16及び比較基板1〜6を3組調製した。
1組の評価基板1〜16及び比較基板1〜6に蛍光灯により微弱光(UV−A光量:15μW/cm2)を照射した。また、他の1組の評価基板1〜16及び比較基板1〜6を曇天時及び晴天時に屋外に曝露し、それぞれ、日光(曇天時UV−A光量:260μW/cm2、晴天時UV−A光量:1980μW/cm2)を照射した。更に他の1組の評価基板1〜16及び比較基板1〜6を暗所に保管した(UV−A光量:0μW/cm2)。
評価基板1〜16及び比較基板1〜6の各被覆層の厚みを200nmに変更した以外は、実施例1と同様の評価を実施した。実施例1の場合と同様に、評価基板1〜16は、光照射下で表面の特性が、絶縁性から導電性へ、また、導電性から絶縁性へ変化した。変化に要する時間は約10秒であった。一方、比較基板1〜6ではこのような現象は観察されなかった。
アクリル樹脂塗膜を有するアルミ板上に、評価液1及び評価液3をこの順序で塗布し、200℃で15分間加熱してそれぞれ100nmの厚みを有する被覆層を2つ備える評価基板17を調製した。評価液3は正電荷を付与可能であるので、評価基板17は表面に正電荷を有する。
カーボンブラック分散水(日本ペイント(株)製:FW−200)をスプレー装置にて評価基板17、比較基板7〜9及び対照基板1の表面に満遍なく塗布し、80℃で15分加熱してカーボンブラックを各基板表面に付着させた。その後、評価基板17、比較基板7〜9及び対照基板1を屋外に2時間曝露して日光を照射した。その後、各基板表面に流水を当てて表面の状態を観察した。結果を図6に示す。
評価基板17、比較基板7〜9及び対照基板1を2時間屋外に曝露して日光を照射し、各基板表面の接触角を測定した。結果を表4に示す。
市販の磁器タイル(10cm×10cm)上に、評価液1及び評価液4をこの順序で塗布し、200℃で15分間加熱してそれぞれ100nmの厚みを有する被覆層を2つ備える評価基板18を調製した。評価液4は正電荷を付与可能であるので、評価基板18は表面に正電荷を有する。
負電荷を有する有機染料であるインジコ染料を含む市販赤インク(パイロット社製)を純水にて20倍希釈した赤インク希釈液を評価基板18〜20、比較基板10〜11及び対照基板2の表面にスプレーにて0.007g/cm2の割合で塗布し、乾燥した。各基板にブラックライト(20W)にて1100μW/cm2の割合で紫外線を照射し、色彩計CR―200(ミノルタ社製)を用いて、様々な照射時間での、赤インクの消色率を決定した。結果を表5に示す。
消色率=100-√((L2-L0)2+(a2-a0)2+(b2-b0)2)/ √((L1-L0)2+(a1-a0)2+(b1-b0)2)*100
赤インク着色前の各基板の色:(L0, a0, b0)
赤インク着色後の各基板の色:(L1, a1, b1)
紫外線照射後の各基板の色:(L2, a2, b2)
評価液2(光半導体含有)、評価液3(正電荷物質含有)及び評価液6(負電荷物質含有)を3:3.5:3.5(体積比)の割合で混合して得られた混合液をガラス基板に塗布し、200℃で15分間加熱して約150nmの厚みを有する被覆層を備える評価基板21を調製した。
評価基板21及び22、並びに、評価基板12及び13を、屋外晴天時(UV-A光量:2000μw/cm2)と、屋内暗所時(UV-A光量:0μw/cm2)における導電性について、表面抵抗値を評価1と同様の手法で実施した。結果を表6に示す。
Claims (10)
- 表面上に
光半導体含有層、及び、正電荷物質若しくは負電荷物質含有層、又は
光半導体、正電荷物質及び負電荷物質含有単層
を備え、光照射時に表面電気抵抗を、導電性を有する表面状態と絶縁性を有する表面状態に周期的に変動させることができる基体に、
光を照射することによって当該基体の表面を保護する、基体表面の保護方法であって、
上記光半導体が二酸化チタンである場合にはアナターゼ型、ブルッカイト型又はルチル型の二酸化チタンである、基体表面の保護方法。 - 前記基体、及び、前記正電荷物質若しくは負電荷物質含有層の間に前記光半導体含有層が存在する、請求項1記載の方法。
- 前記基体、及び、前記光半導体含有層の間に前記正電荷物質若しくは負電荷物質含有層が存在する、請求項1記載の方法。
- 前記正電荷物質が
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種又は2種以上である、請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。 - 前記負電荷物質が
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体;
からなる群から選択される1種又は2種である、請求項1乃至3のいずれかに記載の方法。 - 前記光半導体が光触媒機能を発揮しない、請求項1乃至5のいずれかに記載の方法。
- 基体表面上に
光半導体含有層、及び、正電荷物質若しくは負電荷物質含有層、又は、
光半導体、正電荷物質及び負電荷物質含有単層
を備え、光照射時に表面電気抵抗を、導電性を有する表面状態と絶縁性を有する表面状態に周期的に変動させることができる、光照射により表面導電性を制御可能な積層体であって、
上記光半導体が二酸化チタンである場合にはアナターゼ型、ブルッカイト型又はルチル型の二酸化チタンである、光照射により表面導電性を制御可能な積層体。 - 前記光半導体が光触媒機能を発揮しない、請求項7記載の積層体。
- 請求項7又は8記載の積層体を備えるスイッチ。
- 表面上に
光半導体含有層、及び、正電荷物質若しくは負電荷物質含有層、又は、
光半導体、正電荷物質及び負電荷物質含有単層
を備える基体に光を照射することにより、光照射時に表面電気抵抗を、導電性を有する表面状態と絶縁性を有する表面状態に周期的に変動させることを特徴とする、基体表面の導電性制御方法であって、
上記光半導体が二酸化チタンである場合にはアナターゼ型、ブルッカイト型又はルチル型の二酸化チタンである、基体表面の導電性制御方法。
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