JP5918775B2 - 誘電体バリア放電ランプデバイス、及び、誘電体バリア放電ランプデバイスが設けられた光学流体処理デバイス - Google Patents

Description

本発明は、誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプデバイスの分野に関し、より具体的には、ＤＢＤランプデバイスの放電チャンバに関する。本発明は更に、本発明のＤＢＤランプデバイスが設けられた光学流体処理デバイスに関する。

光学反応器又はフォトリアクタとも呼ばれる光学流体処理デバイスは、光によって、特に、排他的にではないが、ＵＶ−Ｃ光といった紫外線（ＵＶ）によって、殺菌、消毒、微生物の死滅若しくは非活性化、又は物質の酸化若しくは分解といった、流体の光学的処理を提供する。

光学流体処理デバイスでは、流体を処理するために光源が使用される。光源は、流体が所望の態様で処理されるように、適切なある波長又は様々な適切な波長の光を生成する。光源によって発生される光は、静止していても光源に沿って流れていてもよい流体に供給される。光源は、流体の中に入れられていても、流体の外側に配置されていてもよく、また、光源によって生成された光を流体に向けかつ流体内に導くためにリフレクタといった光学手段が使用される。このような光学流体処理デバイスの一例が、参考文献：国際特許公開公報ＷＯ２０１００７９４０１に開示されている。

参考文献：国際特許公開公報ＷＯ２０１００７９４０１では、細長い光源が、当該光源を囲む反応チャンバ内の中央に配置される。反応チャンバ内の処理されるべき流体は、光源の周りをかつそれに沿って流れる。

参考文献：国際特許公開公報ＷＯ２０１００７９４０１による装置の不利な点は、体積が比較的大きいことである。また、処理されるべき流体に共に接触しているランプ及びランプドライバの筐体が、流体漏れを起因とする腐食又は短絡によるランプ又はランプドライバの劣化を防ぐように、確実に十分に密封されるように取らなければならない方策に由来する更なる不利な点がある。

流体処理に適した小型ＤＢＤランプを提供することが望ましい。また、より安価なＤＢＤランプを提供することも望ましい。また、ＤＢＤランプデバイスを含み、頑丈な機械デザインを有する流体処理デバイスを提供することが更に望ましい。

これらの検討事項のうちの１つ以上の検討事項に取り組むため、本発明の第１の態様では、放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプデバイスが提供される。当該ＤＢＤランプデバイスは、管状内壁セクションと、管状外壁セクションと、２つのリング形状端壁セクションとを含み、各端壁セクションは、外壁セクションの端部と内壁セクションの端部との間に延在する。このような構造は、ＤＢＤランプ内で発生される放射によって処理される流体用のダクトの一部であるＤＢＤランプの管状内壁セクションを提供することによって、ＤＢＤランプデバイスがその中で使用される光学流体処理デバイスの単純かつコンパクトな構成の新しい可能性を開くＤＢＤランプデバイスを提供する。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、放電チャンバ壁の外壁セクションの外面に設けられる高電圧電極を含む。外壁セクションの外面の略全面に延在する当該高電圧電極は、例えばＤＢＤランプデバイスの外壁セクションの周りに高電圧電極材料シートを巻き付けることによって、外壁セクションの周りに高電圧電極材料スリーブを滑らせることによって、又は、外壁セクションの周りに高電圧電極材料のワイヤ又はストリップを巻くことによって、非常に簡単に付与される。

一実施形態では、高電圧電極は、間隔があけられた平行ワイヤを含むワイヤメッシュを含む。高電圧電極が付勢されると、各ワイヤは、ＤＢＤランプデバイスの放電チャンバ内の放電を促進する局所的に高い電場勾配を生成し、放電チャンバ内の放電の均等分布がもたらされる。

一実施形態では、高電圧電極は、端壁セクションのうちの１つに又は付近に少なくとも部分的に設置される導体を介して付勢される。導体は、このように配置され、また、高電圧電極が付勢されると、対応する端壁セクションに局所的に高い電場勾配を生成する。これは、ＤＢＤランプデバイスの放電チャンバ内の放電現象の開始を促進する。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスの低電圧電極は、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む。当該流体は、任意の位置において、ランプドライバの低電圧端子によって接触されると、ＤＢＤランプデバイスの内壁セクションの内面における低電圧電極として機能する。低電圧端子と流体との接触位置は、例えば内壁セクションが、流体がその中に存在する又はその中を流れるダクトの壁の一部を形成する場合、内壁セクションの領域の外側であってもよい。ランプドライバは、ＤＢＤランプデバイスの放電チャンバ内に放電を引き起こす電圧を発生する。

一実施形態では、導電性流体で作られる低電圧電極は更に、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれ、内壁セクションの第１の端部からもう一方の端部まで少なくとも部分的に延在する導電性要素を含み、当該導電性要素は、第１の端部においてのみ（例えば接続端子又はランプドライバに）電気的に接続されている。例えば金属要素又は炭素要素である導電性要素は、任意のデザインを有し、また、２つの管端部間で管状内壁セクションの少なくとも半分を上回って延在することが好適である。導電性要素は、直線形、例えば内壁セクションの壁に接触するらせん形、又は任意の他の形を有するワイヤから形成される。この要素は更に、内壁セクション上のコーティングによって又はメッシュ構造体によって形成されてもよい。この導電性要素が電極として機能することによって、導電性流体への低電圧接触が向上される。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、内壁セクションの各端部に又はその付近に１つずつある、２つのブッシュを含む。当該ブッシュは、例えば金属部分である導電性部分を含むか、又は、金属といった導電性材料で完全に作られる。ブッシュは、例えばリング内部（プラスチック材料上に成形されるか又は接着剤／Ｏリングによってプラスチック材料にシールされる）といった導電性部分を有するプラスチック又はゴム部分として形成されてもよい。導電性要素は、２つのブッシュのうちの片方に、具体的には導電性部分に、電気的に接続され、第２のブッシュの導電性部分には接触しない。導電性要素に接続する第１のブッシュの導電性部分は、導電性ワイヤによって、ドライバの低電圧出力部にも接続される。第２のブッシュの導電性部分は、導電性要素と第２のブッシュの導電性部分との間の流体の伝導率を測定できるように、即ち、流体の伝導率を測定できるように、ドライバの測定入力部に電気的に接続される。この実施形態では、流体存在センサは、低電圧電極を使用して実現される。導電性要素は、第２のブッシュの導電性部分に近接するが、第２のブッシュの当該部分には触れないようにデザインされる。即ち、導電性要素は、その端部と、第２のブッシュ又はその導電性部分との間に間隙を残す。当該間隙は、導電性要素の端部から、第２のブッシュの導電性部分までの流体の電気抵抗が測定できて、かつ、流体の存在を検出するために使用できるような寸法にされる。これにより、流体内に任意の更なる流体検出器を導入する必要がなくなり、デバイスのメンテナンスのし易さと信頼性を高める。第２のブッシュは、例えば数ｃｍほど、ランプの端部から幾らかの距離分、離されてもよい。

一実施形態では、放電チャンバ壁は、ガラス、具体的には石英ガラスで作られる。放電チャンバ壁の様々な壁セクションのガラスのタイプは、同じでも異なってもよい。具体的には、ＤＢＤランプデバイスが、光学流体処理デバイス、即ち、光によって流体を処理するデバイスにおいて使用される場合、放電チャンバ壁の内壁セクションは、放電チャンバ内で発生された放射が内壁セクションによって囲まれた空間内に放射されるように光透過性である。このような放射は、当該空間内に存在する、流れる、又は循環する流体を処理するように使用される。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、放電チャンバ壁の外壁セクションの内面に設けられる反射層を含む。当該反射層は、放電チャンバ内で発生された放射が外壁セクションを介して放電チャンバから出ないようにし、また、放電チャンバ内で発生された放射を、内壁セクションに及び内壁セクションによって囲まれた空間に導く。このようにすると、当該空間における放射量が最大化される。

一実施形態では、第１のルミネッセンス層が放電チャンバ壁の外壁セクションの内面に設けられる。第２のルミネッセンス層が放電チャンバ壁の内壁セクションの外面に設けられる。第１及び第２のルミネッセンス層は、所望通りに一定量のかつ様々な放射を生成するように同じ波長及び／又は異なる波長の光を発生する。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、端壁セクションから延出する内壁セクションの管状延長部を含む。反射要素又は反射層が管状延長部の外側に配置され、ランプによって発生されたＵＶ光を、管状延長部の外に配置された光センサに向けて反射する。ＤＢＤランプのこのデザインは、ランプ端部のうちの対応する１つへと散乱され、かつ、反射要素によりランプの外の光センサへと反射されたＵＶ光を測定することによって、ランプのＵＶ出力と、流体（例えば水）への吸収とを測定することを可能にする。光センサは、直接ＵＶセンサであっても、反射ＵＶ光が可視光に変換される場合は、可視光用のフォトダイオードであってもよい。この変換は、反射要素と光センサとの間に配置される蛍光体層によって行われる。ＵＶ−Ｃ放射で流体を消毒するためにＤＢＤランプデバイスを使用する場合、デバイスが確実に動作し、ＵＶ−Ｃ出力が望む消毒レベルとなるのに十分であることが重要である。内管から到来するＵＶ−Ｃ放射を測定し、また、この放射を適切なセンサへと反射することによって、ＵＶ−Ｃ出力の測定を簡単に実現することができる。

本発明の第２の態様では、光学流体処理デバイスが提供される。当該光学流体処理デバイスは、上記ＤＢＤランプデバイスを含み、放電チャンバ壁の内壁セクションが、ＤＢＤランプデバイスの放電チャンバ内で発生される光によって照射される流体用のダクトの壁の一部を形成する。ＤＢＤランプのトロイド形状デザインによって、低体積流量（即ち、毎分１リットル未満）から高体積流量を含む家庭用、医療用、又は工業上の用途といった様々な流体処理用途に容易に組み込むことができるコンパクトな構造体が得られる。高電位にあるＤＢＤランプの部品は、流体処理デバイス内の流体から離れており、また、容易に絶縁されるので、コンパクトで、頑丈で、低コストで、安全なデバイスが提供される。このような特性は、反応チャンバ内で光源周りを処理されるべき流体が流れることが開示される国際特許公開公報ＷＯ２０１００７９４０１とは対照的に、ＤＢＤランプ内のダクト（反応チャンバ）を処理されるべき流体が通るように導く本発明の光学流体処理デバイスにおいて得られる。

本発明の流体処理デバイスの一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、放電チャンバ内に放電を発生させるランプドライバを含み、ランプドライバの少なくとも一部はダクト壁に熱的に接触して、ランプドライバからダクト内の流体への熱の流れを可能にする。したがって、ランプドライバの１つ以上のコンポーネントの冷却は、当該コンポーネントにおいて発生した熱が、流体が熱を吸収することによってデバイスから除去されるように当該コンポーネントからダクト又はダクト壁への熱の流路を確立することによって、実現される。

本発明の流体処理デバイスの一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスの低電圧端子は、ダクト内の流体に電気的に接触する接触面を有する。ダクト内の流体は、それが導電性である限り、低電圧端子を介してランプドライバに電気的に接続されるＤＢＤランプの低電圧電極として機能する。したがって、ＤＢＤランプに低電圧電極を設けることが、ＤＢＤランプのトロイド形状における流体を使用することによって大幅に容易にされる。

一実施形態では、本発明の流体処理デバイスは、ダクト内又はダクトと流体連結する空間内の流体の存在を検知する流体存在センサを含み、ＤＢＤランプデバイスは、流体存在センサによって流体の存在が検知される場合に起動される。流体存在センサが、流体処理デバイスのダクト内に、又は、ダクトと流体連結する空間内に流体がないことを示す場合、ＤＢＤランプデバイスによって処理すべき流体がないので、ＤＢＤランプデバイスは、例えばＤＢＤランプデバイスの放電チャンバ内に放電を発生するようにＤＢＤランプデバイスの電極に電圧を供給するランプドライバによって起動される必要がない。さらに、流体、具体的には、ＤＢＤランプの内壁セクションによって囲まれる流体が、ＤＢＤランプの低電圧電極として使用される場合、流体処理デバイスのダクト内に流体がないということは、いかようにも放電を発生することができないことを意味する。したがって、ＤＢＤランプデバイスは、流体処理デバイスのダクト内に流体の存在が検知された場合のみ起動されればよい。ランプドライバは、流体存在センサからの検知信号を処理して、流体の有無を示す検知信号に応じてランプドライバを動作させるコントローラを含む。

一実施形態では、本発明の流体処理デバイスは、ダクト内の流体の流動状態を検知する流体流動状態センサを含み、ＤＢＤランプデバイスは、流体流動状態センサによって流体の流動状態が検知される場合に起動される。幾つかの用途では、ＤＢＤランプデバイスは、流体がダクト内に不動で存在する場合には起動される必要がなく、流体が流れている場合にのみ起動される必要がある。このような用途の例としては、流体処理デバイスを介して水供給源に接続される水栓デバイスが挙げられる。この水供給源は、例えば公共の配水管網の一部であっても、又は、ダクトの出口における水の流れがダクト内の機械的に又は電気的に操作されるバルブによって制御される水容器であってもよい。流体の流動状態は、流体に接触している流動センサによって直接検知されても、又は、機械的に又は電気的に操作されるバルブの開状態又は閉状態を検知することによって間接的に検知されてもよい。後者の場合、流体流動状態センサは、流体処理デバイスのダクト内のバルブを開けることによって起動され、流体流動状態センサはバルブアクチュエータに結合される。機械的に操作されるバルブの場合、バルブアクチュエータは、ノブ若しくはレバー、又は、同様の手段であり、流体流動状態センサは、バルブアクチュエータの位置を検知する。電気的に操作されるバルブの場合、バルブアクチュエータは、手で又は自動的に操作されるスイッチである。

本発明の更なる態様では、流体差し又は流体ホルダ又は流体ピッチャー又は流体容器である流体リザーバが提供される。当該流体リザーバは、流体を収容する流体コンパートメントを含む。流体コンパートメントには、流体排出開口が設けられる。当該流体リザーバは更に、上記光学流体処理デバイスを含む。流体コンパートメントの流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、流体コンパートメントからダクトを介して流体が流れるように、光学流体処理デバイスのダクトに接続される。したがって、流体リザーバから流体を注ぐ際に流体は光学的に処理される。

一実施形態では、流体リザーバは、ＤＢＤランプデバイスの主要な電気コンポーネントを流体から離すように、ＤＢＤランプデバイスを収容する処理コンパートメントを含む。

一実施形態では、ＤＢＤランプデバイスによってダクト内の流体に電気的に接触する接触面が、流体コンパートメントの流体排出開口に設置される。

一実施形態では、流体リザーバのＤＢＤランプデバイスは、流体リザーバの傾斜角を検出する傾斜センサを含み、ＤＢＤランプデバイスは、この傾斜角が所定範囲内にある場合に起動される。流体リザーバが使用されていない場合、即ち、流体リザーバから水が注がれていない場合、ＤＢＤランプデバイスは、起動されている必要はない。即ち、光を発生する必要はない。したがって、流体リザーバの場合には電池によって供給されるエネルギーを節約するために、流体リザーバからの流体の注ぎは、傾斜センサによって検出され、流体リザーバの使用が示される。ＤＢＤランプデバイスは、ＤＢＤランプデバイスのダクトの配置を考慮して、流体リザーバの傾斜が、水がダクトを介して流れるのに十分である場合にのみ、起動される。十分な傾斜は、傾斜角が所定範囲内にある場合に確立される。傾斜センサは、流体流動状態センサの一実施形態である。

本発明のこれらの及び他の態様は、以下の詳細な説明を参照して、同様の参照符号は同様の部分を示す添付図面に関連して検討することにより理解できるにつれてより容易に理解されよう。

図１は、本発明の一実施形態におけるＤＢＤランプデバイスの一部の断面を概略的に示す。 図２は、図１の矢印ＩＩの方向に見た図１のＤＢＤランプデバイスの実施形態の図である。 図３は、本発明の一実施形態におけるＤＢＤランプデバイスを含む光学流体処理デバイスの断面を概略的に示す。 図４は、本発明のＤＢＤランプデバイスが設けられた流体リザーバの一実施形態を概略的に示す。 図５は、本発明のＤＢＤランプデバイスが設けられた流体供給デバイスの一実施形態を概略的に示す。 図６は、本発明のＤＢＤランプデバイスが設けられた水栓デバイスの一実施形態を概略的に示す。 図７は、本発明の一実施形態におけるＤＢＤランプデバイスの断面を概略的に示す。 図８は、ＵＶ−Ｃ出力の測定を含む本発明のＤＢＤランプデバイスの一実施形態を概略的に示す。

図１及び図２は、誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプデバイスの一実施形態の一部を示す。放電チャンバ１０は、トロイド形状の放電チャンバ壁１２によって画定される。放電チャンバ壁１２は、ある一定長さを有する略管状の内壁セクション１４と、ある一定長さを有する略管状の外壁セクション１６と、外壁セクション１６の第１の端部と内壁セクション１４との間に延在する第１の略リング形状の端壁セクション１８と、外壁セクション１６の第１の端部の反対側の外壁セクション１６の第２の端部と内壁セクション１４との間に延在する第２の略リング状の端壁セクション２０とを含む。図１では、内壁セクション１４及び外壁セクション１６の長さは、矢印ＩＩの方向に延在する。一実施形態では、内壁セクション１４と、第１及び第２の端壁セクション１８、２０と、外壁セクション１６と（したがって、放電チャンバ壁１２全体）は一体に作られる。

一実施形態では、内壁セクション１４と、第１及び第２の端壁セクション１８、２０と、外壁セクション１６とは、例えば石英ガラスである透明材料といった同じ材料で作られる。

なお、様々な壁セクションの形状及び寸法は、様々であってよい。内壁セクション１４又は外壁セクション１６の直径は、図１に示されるように、その長さに沿って同じでも、その長さに沿って変動してもよい。外壁セクション１６の外径は、約１又は１．５ｃｍから数ｃｍであってよい。図１に示されるように、内壁セクション１４の直径又は外壁セクション１６の直径は、その長さより小さい。他の実施形態では、内壁セクション１４又は外壁セクション１６の直径は、その長さより大きくてもよい。更に、端壁セクション１８又は２０は、端壁セクション１８又は２０及び外壁セクション１６について図１において見られるように、内壁セクション１４又は外壁セクション１６の、場合により曲線状の端縁部分に接合する曲線状の縁部分を有する。また、様々な壁セクションは、各壁セクションの全体を、又は、例えば放電チャンバ壁１２を局所的に強化するために、１つの壁セクションにおいて局所的に様々な厚さを有してよい。更に、図１は、内壁セクションが直線ダクトを画定するものとして示すが、他の実施形態では、このダクトは曲線状であってもよい。また、内壁セクション１４及び／又は外壁セクション１６の断面は、図２に示されるように、円形であってよいが、例えば楕円形、長円形、又は多角形であってもよく、端壁セクション１８、２０は対応する周囲形状を有する。

図１を参照すると、放電チャンバ壁１２の外壁セクション１６の外面には、高電圧電極２２が設けられている。概略的に示されるように、高電圧電極２２は、第１の方向に延在する間隔があけられた複数の平行ワイヤに、この第１の方向から０ではない角度にある第２の方向に延在する間隔があけられた複数の平行ワイヤが織り込まれて又は織り込まれないで（例えば重ねられて又は巻きつけられて）作られるメッシュといったワイヤメッシュを含む。このように構成されたワイヤメッシュでは、第１及び第２の方向に延在するワイヤは、第１及び第２の方向のワイヤ間に開口（メッシュ）を作る。

一実施形態では、ワイヤ直径は、約０．１〜約３ｍｍ、例えば約０．３ｍｍである。同じ方向に延在する並行ワイヤ間の距離は、約０．５〜約２５ｍｍである。

代替実施形態では、高電圧電極は、外壁セクション１６の外面に付与される高電圧電極材料シートを含む。高電圧電極の別の代替実施形態では、外壁セクション１６の外面に付与される高電圧電極材料シートに開口パターンが付けられる。これらの開口は、任意の形状及び表面積、例えば１〜５ｍｍ^２の表面積を有してよい。連続的な又は開口パターンが付けられている高電圧電極材料シートを付与するのではなく、外壁セクション１６の外面に、連続的な又は開口パターンが付けられた高電圧電極材料コーティングを設けてもよい。

高電圧電極材料は、金属（例えば銅若しくはアルミニウム、又はそれらの化合物）といった任意の導電性材料であってよい。高電圧電極は、図１に稲光のシンボル（lightning symbol）によって示されるように、端壁セクション１８の付近に又は端壁セクション１８に少なくとも部分的に設置されるケーブルといった導体２４を介して付勢される。

放電チャンバ１０は、放電チャンバ壁１２の外壁セクション１６の内面に設けられる反射層２６を含む。反射層２６はＡｌ_２Ｏ_３を含む。

反射層２６上には、外壁セクション１６の内面に向く方ではなく、放電チャンバ１０の内部に向いている側面に、第１のルミネッセンス層２８が設けられ、放電チャンバ１０内のＸｅといったガスが放電すると発光する。一実施形態では、第１のルミネッセンス層２８によって放出される放射は、ＵＶ−Ｃ放射（波長１００〜２８０ｎｍ）を含む。第１のルミネッセンス層２８は、１つ以上の所望の波長を有するＵＶ−Ｃ光の放出を刺激するために、ＹＰＯ_４Ｂｉといった１つ以上の蛍光体化合物を含む。

放電チャンバ１０の内部に向く、放電チャンバ壁１２の内壁セクション１４の外面には、放電チャンバ１０内のガスが放電すると、例えばＵＶ−Ｃ放射を含む光を放出する第２のルミネッセンス層３０が設けられる。第２のルミネッセンス層３０は、第１のルミネッセンス層２８内の蛍光体化合物と同じであっても又は異なってもよい１つ以上の蛍光体化合物を含む。

内壁セクション１４の内面によって画定されるダクト３２内には、場合により開口が設けられている導電材料シート又は導電性コーティングとして、低電圧電極３４が設けられる。しかし、低電圧電極３４を用いる代わりに、ダクト３２内に少なくとも一箇所において低電圧端子３６が接触する導電性流体を充填し、結果として端子３６に接触する導電性流体が低電圧電極として機能してもよい。上記箇所は、例えばダクト３２の１つの端部又は両端部にあってよい。低電圧電極３４又は低電圧端子３６は、導体５６を介して質量又は接地電位に接続される。

動作時、低電圧電極は、質量又は接地電位に維持される。導体２４を介して高電圧電極２２を適切に付勢すると、放電チャンバ１０内に放電が成長する。放電の成長は、端壁セクション１８に沿って延在する導体２４によって促進され、これにより、局所的に高い電場勾配が生成される。また、高電圧電極２２としてワイヤメッシュを付与する場合も、局所的に高い電場勾配が生じ、放電チャンバ１０内で生じる放電が促進される。放電チャンバ１０内の放電は、ＵＶ−Ｃ光を発生し、このＵＶ−Ｃ発光は、ルミネッセンス層２８及び３０によってより長い波長を有するＵＶ−Ｃ光に変換される。この光は、反射層２６によって反射され、基本的にダクト３２に誘導される。したがって、内壁セクション１４が光透過性であると、ルミネッセンス層２８及び３０によって放電チャンバ１０内に発生された光は、主に、ダクト３２内へと放射される。

ＤＢＤランプは、製造がし易く、したがって低価格である、頑丈な機械デザインを有する。

図３は、図１及び図２を参照して上述したＤＢＤデバイスを含む光学流体処理デバイスの一実施形態を示す。図３では、同じ若しくは同様の部分、又は、同じ若しくは同様の機能を有する部分には、図１及び図２と同じ参照符号が付けられている。

図３では、内壁セクション１４は、内壁セクション１４の両端部に、それぞれ、延長部４０及び４２を有する。延長部４０及び４２は、それぞれ、例えば可撓性又は剛体流体ダクト４４及び４６に結合される。したがって、連続的な、閉じられた流体ダクトが設けられ、この中を流体が、流体ダクト４４からダクト３２を介して流体ダクト４６に、又は、その反対に流れる。

延長部４２上には、プリント回路基板（ＰＣＢ）５０を含むランプドライバが設けられ、その上に電圧を発生させる電気コンポーネント５２が取り付けられる。ランプドライバは、主電源若しくは電池、又は、任意の他の電源（図示せず）によって付勢される。更に、延長部４２上において、ランプドライバは、プリント回路基板において発生された電圧から例えば４．５ｋＶである高電圧を発生するように設けられたトランスフォーマ５４を含む。この高電圧は、導体２４を介して、高電圧電極２２に印加される。導体５６は、ＰＣＢ５０を、流体ダクト内に置かれた低電圧端子５８に接続する。端子５８は、導電材料で作られたリングであってよい。したがって、流体ダクト内の導電性流体は、低電圧電極として機能する。端子５８は、ダクト３２内の導電性流体と電気的接触できるならば、リングではなく、他の形状又は構成が選択されてもよい。

図３では、端子５８は、延長部４２の端部にあるように示される。更なる低電圧端子（図示せず）が、延長部４０に置かれてもよい。ダクト３２の上流及び下流の両方に低電圧端子が設置されることで、この端子対は、これらの端子間の伝導率を測定することによりダクト３２内に導電性流体があるかどうかを確認する伝導率センサとして、ランプドライバによって用いられる。これらの端子間に（所定閾値を上回る伝導率を有する）導電路の存在がランプドライバにおいて確認されると、ＤＢＤランプを操作できる。なお、ここでは、光学流体処理デバイスにおける導電性流体の流動方向が既知である場合、ダクト３２に対して下流位置にある伝導率センサが、ダクト３２内の流体の有無を表す信号を提供する。

ＰＣＢ５０及びトランスフォーマ５４が延長部４２に配置されることによって、ＰＣＢ５０及び／又はトランスフォーマ５４と延長部４２との間に熱接触がある場合、ＰＣＢ５０及び／又はトランスフォーマ５４から流体ダクト内の流体への熱伝達が、１つ以上のコンポーネント５２及び／又はトランスフォーマ５４を冷却するために確立される。

ランプドライバ及び放電チャンバ１０を含むＤＢＤランプデバイスが、電源によって付勢されると、放電チャンバ１０内で発生される光は、ダクト３２内にある又はその中を流れる流体によって受け取られる。これにより、当該流体は、例えば殺菌又は消毒されて、微生物を死滅若しくは非活性化させるか、又は、流体内の物質を酸化若しくは分解されて処理される。ダクト３２の体積、及び／又は、ダクト３２内の流体の流速、及び／又は、ダクト３２の長さ寸法（放電チャンバ１０の長さ寸法に一致）は、所望の流体処理効果が得られるようにダクト３２内での流体（の任意の一部）の所望の滞留時間を得る一方で、流体処理デバイスがコンパクトで、頑丈でかつ低価格であるようにデザイン又は選択されることが可能である。

放電チャンバ１０内で発生される光の一部は、ＤＢＤランプの内壁セクション１４内で受け取られ、内部反射を介して、ＤＢＤランプの内壁セクション１４の長手方向に誘導される。図３の実施形態では、この光は、ＤＢＤランプ側ではない延長部４０及び４２の端面に到達し、そこで処理作用をする。したがって、延長部４０及び４２の端面における微生物の望ましくない成長が防止される。

実際の適用では、高電圧電極及び／又はランプドライバは、ユーザーと動作媒体又は高電圧のＤＢＤランプデバイスコンポーネントとの不注意による電気的接触を回避するために、また、粉塵又は流体による汚染及びそのような汚染によるＤＢＤランプデバイスコンポーネントの短絡を回避するために、絶縁体６０によって覆われる。図３に示されるような絶縁スリーブといった絶縁体６０（具体的には、熱収縮性スリーブ）には、ＤＢＤランプデバイスの高周波動作を起因とする電磁適合性（ＥＭＣ）問題（具体的には、ＤＢＤランプデバイスの高電圧電極２２によるＥＭ放射）を回避又は低減するように、その外面に導電層６２又はスクリーンが設けられている。導電層６２又はスクリーンは、質量又は接地に接続される。図４に示されるように、光学流体処理デバイスは、水差しといった流体リザーバ７２の一部であってよい。水差しは、流体リザーバ７２を手で傾けて流体リザーバ７２から流体９６を注ぐためのハンドル７４を有する。

流体リザーバ７２は、図示される実施形態では基本的にＬ字型である流体コンパートメント７６を含む。流体コンパートメント７６は、その上側に注入口を有してよい。この注入口は、流体コンパートメントの注入が行われない場合は、キャップ又は蓋によって覆われる。流体コンパートメント７６は、流体リザーバ７２から流体を注ぐ際、その上側において開けられても（即ち、流体の通過を可能にする）又は閉じられても（即ち、流体の通過を可能にしない）よい。

流体リザーバ７２は更に、分離壁によって流体コンパートメントから分離される処理コンパートメント７８を含む。処理コンパートメント７８は、流体リザーバ７２の上部に設置される。処理コンパートメント７８は、ダクト９２と、電池８０と、ランプドライバ８２とを有する、概略的に示されるＤＢＤランプ７０を収容する。流体コンパートメント７６の排出開口９０は、ダクト９２が流体コンパートメント７６と流体連結するようにダクト９２の入口開口に隣接する。流体コンパートメント７６内に流体９６がある場合、流体９６の液面８４は、流体コンパートメント７６及びダクト９２においても同じである。処理コンパートメント７８では、ダクト９２の入口開口（及び流体コンパートメントの排出開口９０）において、流体９６と電気的に接触している接触面８６が設置される。

図４を不明瞭としないように、ＤＢＤランプ７０の幾つかの部品、電池８０、ランプドライバ８２、及び絶縁構造体、並びに、それらの間の電気的及び機械的接続は、図４では省略している。

流体リザーバ７２が、水平面上に置かれる場合、流体差しから流体９６は出ず、したがって、ＤＢＤランプデバイス７０、８２によって流体９６は光学的に処理されなくてよい。したがって、ＤＢＤランプデバイスは、動作せず、又は、少なくともＤＢＤランプ７０は動作しない。その一方で、流体を注ぐためにユーザーが流体リザーバ７２を持つと、流体差しは傾斜され、流体９６が流体コンパートメント７６からダクト９２を介して流体差しの排出開口９８へと流れ、流体リザーバ７２から出る。流体９６が流れるためには、流体リザーバ７２は、少なくとも、所定角度を超えて傾斜される必要がある。ランプドライバ８２は、流体リザーバ７２の傾斜角を検出する傾斜センサ９４を含んでよい。流体リザーバ７２が、少なくとも、上記所定角度を超えて傾斜されていることが傾斜センサ９４によって検出されると、ランプドライバ８２はＤＢＤランプ７０を動作可能となるように起動し、これにより、ダクト９２内を流れる流体を処理するための光が発生される。

なお、ＤＢＤランプ７０によって発生された光は、ダクト９２の（透過性）壁内を、ダクト９２の両端部にまで導かれる。ダクト９２の端面から出る光は、当該部分を清潔にする、特に微生物や流体リザーバのユーザーの健康を危険にさらう他の物質から清潔にするために当該部分を光学的に処理する。

接触面８６によって、ランプドライバ８２は流体９６に電気的に接触することができ、これにより、ダクト９６内の流体は、ＤＢＤランプ７０の低電圧電極として機能する。

処理コンパートメント７８には、２つの伝導率センサ接点間の伝導率を測定する伝導率センサ６８といった流体存在センサが更に設けられている。伝導率センサ接点は、両伝導率センサ接点に接触する流体によって、伝導率センサ６８に結合されるランプドライバ８２のコントローラが流体コンパートメント７６内の流体の有無を確認できるように、流体コンパートメント７６に面している処理コンパートメント７８の壁部に設置される。流体コンパートメント７６内に流体の存在が確認できない場合、傾斜センサ９４が流体リザーバ７２の傾斜を検出しても、ＤＢＤランプ７０は起動される必要がない。

図５は、一方で排出ダクト１０６を介して貯水槽といった流体容器又は流体リザーバ１０４と、他方でバルブ１１０を含む排出ダクト１０８との間に結合されるダクト１０２を有するＤＢＤランプ１００を示す。ＤＢＤランプ１００を起動するランプドライバ１１２は、コントローラ１１４を含む。ランプドライバ１１２は、ライン１１６を介してＤＢＤランプ１００の高電圧電極に結合され、また、ライン１２０を介して低電圧端子１１８に結合される。流体存在センサは、それぞれ、ライン１２６及び１２８を介してコントローラ１１４に結合される第１の流体存在センサ接点１２２及び第２の流体存在センサ接点１２４を含む。バルブ１１０は、１つ以上のライン１３２を介してコントローラ１１４に結合される流動状態センサ１３０を含む。

低電圧端子１１８は、ＤＢＤランプ１００が起動される場合に、ダクト１０２内の流体が、ＤＢＤランプ１００の低電圧電極として機能するように当該流体と電気的に接触する接触面を有する。

コントローラ１１４は、第１及び第２の流体存在センサ接点１２２、１２４間の伝導率を測定する。伝導率が閾値を上回る場合、コントローラは、第１及び第２の流体存在センサ接点１２２、１２４間に流体が存在すると判断する。なお、第１及び第２の流体存在センサ接点１２２、１２４は、図５に示されるそれらの位置ではなく、排出ダクト１０６内に又は排出ダクト１０８内に共に設置されてもよい。

コントローラ１１４は更に、流動状態センサ１３０によってバルブ１１０が開いているか又は閉じているかを測定する。バルブ１１０が開いている場合、流体は、流体リザーバ１０４から、排出ダクト１０８の排出開口１４０へと、矢印１４２の方向に流れる。バルブ１１０が閉じている場合、流体は、流体リザーバ１０４、排出ダクト１０６、ダクト１０２、及び排出ダクト１０８内で静止している。したがって、バルブ１１０の開状態は、流体が排出開口１４０へと流れる状態を表すのに対し、バルブ１１０の閉状態は、流体が排出開口１４０へと流れない状態を表す。

ＤＢＤランプ１００は、コントローラ１１４が第１及び第２の流体存在センサ接点１２２、１２４間の流体の存在を確認し、また、流動状態センサ１３０を介してバルブ１１０の開状態を確認すると、ランプドライバ１１２によって起動される。流動状態センサ１３０は更に、バルブ１１０の開きつつある状態、即ち、バルブ１１０の閉状態から開状態に移動しているがまだ開状態ではない状態も検出する。バルブ１１０の開きつつある状態では、ＤＢＤランプ１００によって発生される放射によって最も効果的に流体を処理するために、ＤＢＤランプ１００は、コントローラ１１４によって制御されて、流体が流れ始める前からランプドライバ１１２によって既に起動されている。

なお、バルブ１１０の上流の排出ダクト１０８の長さは、ＤＢＤランプダクト１０２がバルブ１１０に事実上接合して、当該長さにおける流体が長時間静止し、また、バルブ１１０を開けることによって流体が流れ始める際に、ＤＢＤランプ１００によって処理されないことを回避するように最小限にされる。

図６は、一方で流体供給ダクト１５０に結合され、他方でバルブ１５４を含む排出ダクト１５２に結合されるダクト１０２を有するＤＢＤランプ１００を示す。ＤＢＤランプ１００を起動するランプドライバ１５６は、コントローラ１５８を含む。ランプドライバ１５６は、ライン１６０を介してＤＢＤランプ１００の高電圧電極に結合され、かつ、ライン１６４を介して低電圧端子１６２に結合される。流体存在センサは、それぞれ、ライン１７０及び１７２を介してコントローラ１５８に結合される第１の流体存在センサ接点１６６及び第２の流体存在センサ接点１６８を含む。バルブ１５４は、１つ以上のライン１７６を介してコントローラ１５８に結合される流動状態センサ１７４を含む。

低電圧端子１６２は、ＤＢＤランプ１００が起動される場合に、ダクト１０２内の流体が、ＤＢＤランプ１００の低電圧電極として機能するように流体に電気的に接触する接触面を有する。

コントローラ１５８は、第１及び第２の流体存在センサ接点１６６、１６８間の伝導率を測定する。伝導率が閾値を上回る場合、コントローラ１５８は、第１及び第２の流体存在センサ接点１６６、１６８間に流体が存在すると判断する。なお、第１及び第２の流体存在センサ接点１６６、１６８は、図６に示されるそれらの位置ではなく、排出ダクト１５２内に共に設置されても、又は、第１及び第２の流体存在センサ接点１６６、１６８の一方が流体供給ダクト１５０内に設置され、もう一方が排出ダクト１５２内に設置されてもよい。

排出ダクト１５２は、バルブ１５４が（例えばノブ又はレバーによって）機械的に又は（例えばスイッチを起動することによって）電気的に動作される水栓といったタップ１８０の一部であってよい。タップ１８０は、表面１８２にあるシンクに取付けられる。ＤＢＤランプデバイスは、表面１８２の下に取付けられる。実際の実施形態では、ＤＢＤランプデバイスは、キッチンシンクの下又は付近、例えばタップ１８０のユーザーからは見えない食器棚又は他の空間内に取付けられる。

コントローラ１５８は更に、流動状態センサ１７４によってバルブ１５４が開いているか又は閉じているかを測定する。バルブ１５４が開いている場合、流体は、流体供給ダクト１５０から、排出ダクト１５２の排出開口１９０へと、矢印１９２の方向に流れる。バルブ１５４が閉じている場合、流体は、流体供給ダクト１５０、ダクト１０２、及び排出ダクト１５２内で静止している。したがって、バルブ１５４の開状態は、流体が排出開口１９０へと流れる状態を表すのに対し、バルブ１５４の閉状態は、流体が排出開口１９０へと流れない状態を表す。

ＤＢＤランプ１００は、コントローラ１５８が第１及び第２の流体存在センサ接点１６６、１６８間の流体の存在を確認し、また、流動状態センサ１７４を介してバルブ１５４の開状態を確認すると、ランプドライバ１５６によって起動される。流動状態センサ１７４は更に、バルブ１５４の開きつつある状態、即ち、バルブ１５４の閉状態から開状態に移動しているがまだ開状態ではない状態も検出する。バルブ１５４の開きつつある状態では、ＤＢＤランプ１００によって発生される放射によって最も効果的に流体を処理するために、ＤＢＤランプ１００は、コントローラ１５８によって制御されて、流体が流れ始める前からランプドライバ１５６によって既に起動されている。

図７では、同じ若しくは同様の部分、又は、同じ若しくは同様の機能を有する部分には、図１乃至図３と同じ参照符号が付けられている。図７は、低電圧電極が内管内の金属電極３８を含む、ＤＢＤランプデバイスの一実施形態を示す。低電圧電極を形成する導電性流体は、ランプの内管を流れる。内管内を流れる流体に確実に接触できるように、内管の端部にＯリング４８によって密封される２つの金属ブッシュ６４、６６が設けられる。２つのブッシュのうちの第１のブッシュ６４は、導電性ワイヤ（導体５６）によって、ドライバの低電圧出力部に接続され、第２のブッシュ６６は、更なる導体５６を介して、ドライバの測定入力部に接続され、これにより、流体の伝導率を測定することによって流体の存在を検出できる。金属電極３８は、第１のブッシュ６４に接続され、もう一方の管端部に向かって内管内に延在する。金属電極３８は、第２のブッシュ６６に非常に近接するが、第２のブッシュには触れない。このデザインは、一方で、内管内を流れる流体のより良好な電気的接触を可能にし、他方で、同時に、流体の存在を検出するセンサを形成する。第２のブッシュ６６は、例えば最大１０ｃｍといった金属ワイヤ５６と第２のブッシュ６６との間の流体の電気伝導率の測定が依然として可能である距離まで、内管から離れて配置されてもよい。例えば、タップが延長部４２の内管の端部に形成されてもよく、また、第２のブッシュは当該タップの出口開口に配置されてもよい。

図８は、ＤＢＤランプ１００のＵＶ−Ｃ出力が測定される更なる実施形態を示す。ＤＢＤランプ１００は、電池及びドライバコンパートメント１４８に接続されるランプ及びトランスフォーマコンパートメント１４６内に配置される。ＤＢＤランプ１００は、両端部に２つの延長部４０、４２を含む。内管から出るＵＶ−Ｃ放射は、内管延長部４２の外壁上のミラー８８によって反射される。反射されたＵＶ−Ｃ放射は、流体内を進行し、内管延長部４２の対向壁上の蛍光体によって可視光に変換される。当該可視光は光センサ１４４によって測定される。ＤＢＤランプが依然として新しく、また、既知のＵＶ−Ｃ透過率を有する流体である場合、この信号の較正後、この信号は、流体品質及びランプメンテナンス用の測定値となる。これにより、性能が低過ぎる場合は、ユーザーに知らせることができる。光測定の代案として、直接ＵＶ−Ｃ測定（蛍光体による光の変換なし）も可能であるが、これらのセンサは精度があまりよくなく、かなり高価である。改良バージョンは、ＤＢＤランプデバイスの端部における上記の光測定と組み合わされた、ＤＢＤランプのリフレクタを直接通過するＵＶ−Ｃの直接測定である。これは、ＤＢＤランプデバイスのメンテナンスが独立して測定され、初期値に対する相対減少を測定するだけでよいので、システムの精度を向上させる。この場合、ＵＶ−Ｃセンサは、基準に対して較正される必要はない。

上述したように、誘電体バリア（ＤＢＤ）ランプデバイスは、放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む。この放電チャンバ壁は、管状内壁セクションと、管状外壁セクションと、２つのリング形状端壁セクションとを含む。各端壁セクションは、外壁セクションの端部と内壁セクションの端部との間に延在する。高電圧電極が、放電チャンバ壁の外壁セクションの外面に設けられる。低電圧電極は、放電チャンバ壁の内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む。ＤＢＤランプデバイスは、光学流体処理デバイスの一部であってよい。

なお、ＤＢＤランプは、特定の用途に応じてあらゆる向きに取付けることができる。

本発明による流体リザーバ又は流体差し又は流体容器の実施形態は、次の箇条Ａ〜Ｄにより定義される。

Ａ．
流体を収容し、流体排出開口を有する流体コンパートメントと、
上記光学流体処理デバイスと、
を含み、
当該流体コンパートメントの当該流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、当該流体コンパートメントから当該光学流体処理デバイスの当該ダクトを介して流体が流れるように、当該ダクトに接続される、流体リザーバ。
Ｂ．
ＤＢＤランプデバイスを収容する処理コンパートメントを更に含む、箇条Ａに記載の流体リザーバ。
Ｃ．
当該ダクト内の流体に電気的に接触する接触面が、当該流体コンパートメントの当該流体排出開口に又はその付近に設置される、箇条Ａ又はＢに記載の流体リザーバ。
Ｄ．
当該ＤＢＤランプデバイスは、当該流体リザーバの傾斜角を検出する傾斜センサを含み、当該ＤＢＤランプデバイスは、当該傾斜角が所定範囲内にある場合に起動される、箇条Ａ乃至Ｃの何れか一箇条に記載される流体リザーバ。

必要に応じて、本明細書に本発明の詳細な実施形態が開示される。しかし、開示された実施形態は、様々な形態に具現化できる本発明の例示に過ぎないことは理解されるべきである。したがって、本明細書に開示される特定の構造上及び機能上の詳細は、限定的に解釈されるべきではなく、特許請求の範囲の根拠、及び、実質的に任意の適切に詳述される構造体に本発明を様々に採用できるように、当業者に教示するための代表的な根拠としてのみ解釈されるべきである。更に、本明細書で使用される用語及び表現法は、限定ではなく、むしろ、本発明の理解可能な説明を与えることを意図している。

本明細書で使用される用語「ａ」または「ａｎ」は、１つ又は２つ以上と定義される。本明細書で使用される用語「複数」は、２つ又は３つ以上と定義される。本明細書で使用される用語「別の」は、少なくとも第２のまたはそれ以上のものとして定義される。本明細書で使用される用語「含む（including）」および／または「有する（having）」は、
包含する（comprising）（すなわち、開放言語、他の要素又はステップを除外しない）として定義される。

本明細書で使用される用語「トロイド」又は「トロイド形状」は、一般に、幾何学的図形外の軸周りに当該幾何学的図形を旋回させることにより生成される環状形状を指す。更に、本明細書で使用される当該用語は、本明細書で更に定義されるように、断面、即ち、当該軸に対し直角の平面において円形でなくともよいが、楕円形、長円形、又は多角形の断面を有してよい内壁セクション及び／又は外壁セクションを有する略環状の形状を指す。

特許請求の範囲における任意の参照符号は、特許請求の範囲又は発明を限定するものと解釈されるべきではない。

特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段のうちの１つ以上の手段の組み合わせを有利に使用することができないことを示すものではない。

Claims (18)

1. 放電チャンバ壁を有するトロイド形状放電チャンバを含む誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプデバイスであって、
   管状内壁セクションと、
   管状外壁セクションと、
   各リング形状端壁セクションが、前記管状外壁セクションの端部と前記管状内壁セクションの端部との間に延在する、２つのリング形状端壁セクションと、
   前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれる導電性流体を含む、低電圧電極であって、更に、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションによって囲まれ、前記管状内壁セクションの第１の端部からもう一方の端部まで少なくとも部分的に延在する導電性要素を含み、前記導電性要素は、前記第１の端部においてのみ電気的に接続されている前記低電圧電極と、
   前記管状内壁セクションの両端部に又は両端部付近にある２つのブッシュであって、前記ブッシュは導電性部分を含み、前記導電性要素が、前記２つのブッシュのうちの第１のブッシュの前記導電性部分に、第２のブッシュの前記導電性部分に接触することなく、電気的に接続されている、前記２つのブッシュとを含む、
   ＤＢＤランプデバイス。
2. 前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの外面に設けられる高電圧電極を含む、請求項１に記載のＤＢＤランプデバイス。
3. 前記高電圧電極は、間隔があけられた平行ワイヤを含むワイヤメッシュを含む、請求項２に記載のＤＢＤランプデバイス。
4. 前記高電圧電極は、前記リング形状端壁セクションのうちの１つに又は付近に少なくとも部分的に設置される導体を介して付勢される、請求項２又は３に記載のＤＢＤランプデバイス。
5. 前記導電性要素は、ワイヤ、前記管状内壁セクション上のコーティング、又は、メッシュである、請求項１乃至４の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
6. 前記２つのブッシュのうちの少なくとも一方は、前記導電性部分から完全に形成されている、請求項１乃至５の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
7. 前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの内面に設けられる反射層を含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
8. 前記放電チャンバ壁の前記管状外壁セクションの前記内面に設けられる第１のルミネッセンス層を含む、請求項１乃至７の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
9. 前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションの外面に設けられる第２のルミネッセンス層を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
10. 前記リング形状端壁セクションから延出する前記管状内壁セクションの管状延長部を含み、反射要素又は反射層が前記管状延長部の外側に配置されて、前記トロイド形状放電チャンバ内に発生されたＵＶ光を前記管状延長部の外に配置された光センサに向けて反射する、請求項１乃至９の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイス。
11. 請求項１乃至１０の何れか一項に記載のＤＢＤランプデバイスを含む光学流体処理デバイスであって、前記放電チャンバ壁の前記管状内壁セクションが、前記ＤＢＤランプデバイスの前記放電チャンバ内で発生された光によって照射される流体用のダクトの壁の一部を形成する、光学流体処理デバイス。
12. 前記ＤＢＤランプデバイスは、前記放電チャンバ内に放電を発生させるランプドライバを含み、前記ランプドライバの少なくとも一部は、前記ダクト壁に熱的に接触して、前記ランプドライバから前記ダクト内の前記流体への熱の流動を可能にする、請求項１１に記載の光学流体処理デバイス。
13. 前記ＤＢＤランプデバイスの低電圧端子は、前記ダクト内の流体に電気的に接触する接触面を有する、請求項１１又は１２に記載の光学流体処理デバイス。
14. 前記ダクト内又は前記ダクトと流体連結する空間内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記ＤＢＤランプデバイスは、前記流体存在センサによって前記流体の存在が検知される場合に起動される、請求項１１乃至１３の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。
15. 前記ダクト内の前記流体の存在を検知する流体存在センサを含み、前記流体存在センサは、前記導電性要素と前記２つのブッシュのうちの前記第２のブッシュの前記導電性部分との間の電流の流れを測定する、請求項１又は６に従属する請求項１１乃至１３の何れか１項に記載の光学流体処理デバイス。
16. 前記ダクト内の前記流体の流動状態を検知する流体流動状態センサを含み、前記ＤＢＤランプデバイスは、前記流体流動状態センサによって前記流体の流動状態が検知される場合に起動される、請求項１１乃至１５の何れか一項に記載の光学流体処理デバイス。
17. 前記流体流動状態センサ は、前記ダクト内のバルブを開けることによって起動され、
    前記流体流動状態センサはバルブアクチュエータに結合されている、請求項１６に記載の光学流体処理デバイス。
18. 流体を収容し、流体排出開口を有する流体コンパートメントと、
    請求項１１乃至１７の何れか一項に記載の光学流体処理デバイスと、
    を含み、
    前記流体コンパートメントの前記流体排出開口は、流体リザーバから流体を注ぐ際に、前記流体コンパートメントから前記光学流体処理デバイスの前記ダクトを介して流体が流れるように、前記ダクトに接続される、流体リザーバ。

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