JP5911959B2 - ウェーハテーブル用支持構造体 - Google Patents

Description

本発明は、変化する熱条件下で支持構造体へのウェーハテーブルの正確な位置決めを可能にする支持構造体、即ちチャックに関する。

このような支持構造体は、例えば、ワークピースを位置決めするための装置を記載している米国特許第４，７５８，０９１号から従来技術において周知であり、この装置は、前記ワークピースを支持するための支持手段を有し、前記支持手段は、少なくとも２つの直交座標方向に沿って前記ワークピースの所望の位置を確立するための１以上の基準面を有し、前記基準面は、対応する座標方向に垂直に前記支持手段に装着された反射面で構成され、この装置は、さらに、前記ワークピースに並進移動を取り入れるための基板手段と、前記基板手段に前記支持手段を結合させるための結合手段とを具備し、前記基板手段の熱膨張は、前記支持手段から独立している。この米国特許によれば、既知の支持手段は、好ましくは、基準面とワークピースとの空間的関係を固定するための、ゼロデュア（商標）のような低熱膨張率を有する材料を含む。

既知の装置の欠点は、低熱膨張材料がしばしば高価であり、機械加工するのが難しいということである。

本発明は、製造し易く製造するのがそれほど高価でない、ウェーハテーブル用支持構造体を提供することを目的とする。

第１の態様によれば、本発明は、リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体を提供し、この支持構造体は、基準面を有するベースと、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材と、前記ベース上に前記インターフェース部材を支持する可撓支持体とを具備し、前記可撓支持体は、実質的に移動平面内で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与え、前記インターフェース部材は、少なくとも１つの支柱によって前記基準面に接続され、前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記少なくとも１つの支柱は、前記移動平面に平行な方向に沿って実質的に堅い。前記インターフェース部材は、かくして、前記ベースに対して移動可能であり、好ましくは、前記ベースのウェーハテーブルに面している側に接して、又はその近くに配置され、ベースは、代表的には前記インターフェース部材及び前記少なくとも１つの支柱よりも高い熱膨張率を有する。好ましくは、前記インターフェース部材と前記支柱との少なくとも一方の熱膨張率は、前記ベースの熱膨張率よりも少なくとも１０倍低く、より好ましくは少なくとも１００倍低く、最も好ましくは前記ベースの熱膨張率よりも１０００倍低い。

前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースが、例えば熱膨張により、前記インターフェース部材とは異なるようにして変形したときさえも、前記基準面と前記インターフェース部材との間の距離がほぼ一定のままであることを確実にする。少なくとも１つの支柱の使用のおかげで、ウェーハテーブルに面しているインターフェース部材の面は、ウェーハテーブルに面しているベースの対応する側の面よりも実質的に小さな面積を有することができ、これにより、インターフェース部材の製造に必要とされる材料の量が減少され、かくして、材料及びインターフェース部材の機械加工のコストを下げる。

一実施の形態では、前記基準面は、前記移動平面に垂直であるか、前記インターフェース部材に面している前記ベースの面に垂直であるかの少なくとも一方である実質的に平坦な表面である。基準面は、かくして、干渉ビームのようなビームを、又は、移動平面とインターフェース部材に面しているベースの面との少なくとも一方に平行な容量電界（capacitative field）のような電界を反射するのに適している。

一実施の形態では、前記基準面は、好ましくは前記ベースの縁部に、より好ましくは前記ベースの外側縁部に配置された、鏡の反射面を有し、１以上の干渉計を使用した支持構造体の位置決定を可能にする。鏡は、好ましくは、移動平面と、ウェーハテーブルに面しているベースの面との少なくとも一方に垂直な反射面を有する平面鏡である。

一実施の形態では、前記基準面は、第１の基準面であり、前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも１つの第１の支柱を有し、前記ベースは、さらに、前記第１の基準面にほぼ垂直な第２の基準面を有し、前記インターフェース部材は、低熱膨張率の材料でできた少なくとも１つの第２の支柱によって前記第２の基準面に接続されている。支持構造体は、かくして、例えば、Ｘ方向及びＹ方向でシステムに対するベースの移動を測定するために、２つの垂直方向で、投影システム又はリソグラフィシステムのようなシステムで支持構造体の移動を測定するための基準面を与える。あまり好ましくない代わりの実施の形態では、前記第１及び第２の基準面は、互いに所定の角度にある。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、互いに間隔を空け、互いに平行に延びている２つの支柱を有する。これら支柱は、両方が一端でインターフェース部材に接続され、他端でベースの基準面に接続され、移動平面に垂直な軸のまわりの回転を、例えば、移動平面がＸＹ平面に平行なときのＺ軸のまわりの回転を実質的に抑制する。第１の支柱、第２の支柱、又はこれらの両方が２以上の支柱を有することができることが明白である。好ましい一実施の形態では、第１の支柱の数は、第２の支柱の数に等しい。

一実施の形態では、前記第１の支柱と前記第２の支柱とは、実質的に同一の構造であり、支持構造体の製造を容易にする。

一実施の形態では、前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を実質的に制限するように適用される。言い換えれば、前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向でほぼ堅い。可撓支持体は、例えば、（ＸＹ−）平面に沿って前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与えることができ、一方、前記平面に垂直な（Ｚ−）軸に沿って前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を実質的に制限する。

一実施の形態では、前記移動平面は、前記ウェーハテーブルのウェーハ支持平面にほぼ平行であるか、前記基準面にほぼ垂直であるかの少なくとも一方である。例えば、ウェーハがＸＹ平面に平行にウェーハテーブル上に支持されるならば、可撓支持体は、ＸＹ平面での移動を与え、Ｘ軸かＹ軸のまわりのベースに対するインターフェース部材の傾きを実質的に制限する。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、前記支柱の長手方向において少なくとも実質的に堅い。前記支柱は、かくして、前記支柱の長手方向に沿って前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を制限する。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、前記長手方向にほぼ垂直な方向で可撓性を有する。前記支柱は、かくして、その長手方向に垂直な方向でベースに対するインターフェース部材の移動を与える。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、可撓性であるか、ベースにほぼ平行か移動平面にほぼ平行であるかの少なくとも一方の平面で曲がるように適用される。かくして、前記平面に平行に、ベースに対するインターフェース部材の移動が可能である。好ましくは、前記少なくとも１つの支柱は、前記平面よりも他の方向でほぼ堅く、前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動がそれらの方向に制限される。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも前記インターフェース部材から少なくとも前記基準面まで延びている。基準面とインターフェース部材との間の全長は、かくして、低熱膨張材料、例えば、好ましくは少なくとも１０倍、より好ましくは少なくとも１００倍又は１０００倍、ベースよりも低い熱膨張率を有する材料を有する支柱によって架橋されている。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱の第１の端部は、前記基準面に固定され、前記第１の端部の反対側の第２の端部は、前記インターフェース部材に固定されている。

一実施の形態では、前記少なくとも１つの支柱は、前記基準面にほぼ垂直に長手方向に、かつ、好ましくは前記インターフェース部材とのその取り付けにほぼ垂直に延びている。基準部材に垂直な方向に沿ったベースの変形によって引き起こされる、インターフェース部材にある支柱によって及ぼされるいかなる力も、かくして、前記支柱の長手方向に沿って実質的に向けられている。

一実施の形態では、前記インターフェース部材は、前記ベースから間隔を空けられ、前記ベースと前記インターフェース部材との間の摩擦を防ぐ。

一実施の形態では、前記インターフェース部材は、前記ベースと前記インターフェース部材との間に配置された可撓支持体によって前記ベースに撓み可能に装着されている。しばしば可撓マウントを示す可撓支持体は、少なくとも１つの支柱の長手方向に垂直かつベースに平行な方向に沿って、前記ベースに対するインターフェース部材又はプレートの移動を与えるように適用される。好ましくは、可撓支持体は、前記ベースに垂直な方向に沿った前記ベースと前記インターフェース部材との間の距離の変化を実質的に制限する。

一実施の形態では、前記可撓支持体は、複数の可撓ピンを有し、前記ピンの各々は、一方の側で前記インターフェース部材に接続され、他方の側で前記ベースに接続されている。可撓支持体は、非同一直線上に配置された３つのピンを有することができるが、代わって、例えば、国際公開第２００９／１２４７３１号に記載されるようなピンのアレイを有することができる。この国際公開は、支持構造体を有するリソグラフィ装置を記載しており、支持構造体は、露出される対象物を保持するためのチャックと、チャックを支持するためのステージと、せん断コンプライアンス（shear-compliant）細長い部材のアレイとを有し、前記細長い部材は、前記チャック及び前記ステージに垂直に延び、前記チャックと接触している第１の端部と、前記ステージと接触している第２の端部とを有する。

代わりの実施の形態では、インターフェース部材は、ばねマウント、流体、液体又はペーストの少なくとも１つである摺動接続を含む可撓支持体によって前記ベースに支持されている。原理上、移動平面でベースに対するインターフェース部材の移動を与えるいかなる種類の可撓支持体が使用されてもよい。

一実施の形態では、可撓支持体は、少なくとも前記移動平面に垂直な方向で前記ベースの熱膨張率とほぼ等しい熱膨張率を有する。従って、温度変化中、Ｚ軸に沿ったベース及び可撓支持体の熱膨張はほぼ同様であり、移動平面に平行な平面の外側の支柱の曲がりが実質的に防がれる。結果として、支柱に対する応力が低減され、また、ベースに対するインターフェース部材の傾きと回転との少なくとも一方が、実質的に低減されるか、全て防がれる。好ましくは、例えば、ここに記載されるようなピンを有するかピンによって構成された支持構造体は、ベースにほぼ等しい熱膨張率を有する金属を含む。より好ましくは、可撓支持体及びベース、又は少なくとも基準面を支持しているベースの部分は、例えばアルミニウムのような金属である同じ材料を実質的に含む。

一実施の形態では、前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられ、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用される２以上の位置決め部材を有する。位置決め部材は、かくして、基準面に対してウェーハテーブルをアライメントする容易かつ正確な方法を提供する。好ましくは、前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられた３つの位置決め部材を有する。

一実施の形態では、前記位置決め部材は、前記ウェーハテーブルに対するキネマティックマウントを少なくとも実質的に形成している。

一実施の形態では、前記インターフェース部材は、前記２以上の位置決め部材が設けられたモノリシックインターフェースプレートを有し、前記インターフェースプレートは、好ましくはゼロデュア（商標）のような低熱膨張材料でできている。

一実施の形態では、前記インターフェース部材は、２以上の位置決め部材が固定して堅く接続されるフレームを有する。本発明は、かくして、変化する熱条件下でさえ、２以上の位置決め部材間の相対位置がほぼ一定のままである堅いフレームを提供する。

一実施の形態では、前記フレームは、ほぼ中空のフレームである。本発明は、かくして、堅くて軽量なフレームを提供する。

一実施の形態では、前記ベースは、例えば、前記インターフェース部材の熱伝導率よりも高い、高熱伝導率を有する材料を含み、好ましくは、材料はアルミニウムのような金属である。前記ベースの熱勾配の形成は、かくして、実質的に減少され、ベースのいかなる熱膨張もほぼ一定であることができる。代表的には、前記ベースは、このように、高熱伝導率及び高熱膨張率を有し、一方、前記インターフェースプレートは、低熱膨張率及び低熱伝導率を有する。好ましくは、前記ベースの熱伝導率は、前記インターフェース部材の熱伝導率よりも少なくとも１０倍高く、より好ましくは、１００倍高く、最も好ましくは、前記インターフェース部材の熱伝導率よりも少なくとも１３５倍高い。

第２の態様によれば、本発明は、ここに記載されるような支持構造体を有するリソグラフィシステムを提供する。

一実施の形態では、前記リソグラフィシステムは、さらに、１以上のビームを発生させるためのビーム源と、前記ターゲット上に前記１以上のビームを合焦させるための投影光学系と、前記支持構造体に配置され、リソグラフィシステムで処理されるターゲットを支持するように適用されるウェーハテーブルと、前記投影光学系に対して前記支持構造体の移動を駆動させるためのアクチュエータと、前記投影光学系に対して前記支持構造体の前記基準面の位置又は移動を決定するように適用される測定システムと、前記決定された位置又は移動に基づいて前記アクチュエータを制御するための制御装置とを具備する。インターフェース部材に対する基準面の位置が実質的に固定されるので、測定システムによってなされた測定は、投影システムでのウェーハテーブルの位置についての正確な情報を提供する。

一実施の形態では、リソグラフィシステムは、好ましくは前記支持構造体が前記投影光学に対して移動されているとき、前記１以上のビームを用いて前記ターゲットをパターニングするように適用される。特に、ウェーハのようなターゲットがパターニング中に投影光学系に対して移動されるマスクレス荷電粒子リソグラフィシステムでは、投影光学系に対するターゲットの正確な位置決めは、例えば、パターンのオーバーレイ又はスティッチの誤差を回避するために必要とされる。

第３の態様によれば、本発明は、リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体を提供し、基準面を有するベースと、低熱膨張材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材とを具備し、前記インターフェース部材は、少なくとも１つの支柱によって前記基準面に接続され、前記少なくとも１つの支柱は、低熱膨張材料でできている。

本明細書に説明され図示されるさまざまな態様及び特徴は、可能なところならどこにでも、個々に適用されることができる。これらの個々の態様、特に、添付の従属請求項に規定される態様及び特徴は、分割特許出願の主題となることができる。

本発明が、添付図面に示される例示的な実施の形態に基づいて説明される。

米国特許第４，７５８，０９１号 国際公開第２００９／１２４７３１号

図１は、本発明による支持構造体を概略的に示す斜視図である。 図２Ａは、図１の支持構造体の上面図である。 図２Ｂは、図２ＡのＩ−Ｉ線を通る側面図である。 図２Ｃは、図２ＢのセクションＩＩの詳細を示す図である。

図１は、本発明による支持構造体１、即ちチャックの斜視図であり、この支持構造体は、ウェーハテーブルを支持するように適用され、投影システムやリソグラフィシステムのようなシステムにおいてＸ方向及びＹ方向に沿って移動可能である。本発明による支持構造体を有する代表的な投影システム又はリソグラフィシステムでは、支持構造体は、例えば、投影システム又はリソグラフィシステムの投影光学系に対して、ウェーハテーブルによって正確に保持されるターゲットの位置を位置決めするために、Ｘ方向及びＹ方向に沿って移動可能である。このような投影システム又はリソグラフィシステムは、さらに、自由度６で、ウェーハテーブルの微調整移動のための微小動きステージを有することができる。

このようなシステム内の支持構造体１の移動の量は、システムの固定点と、支持構造体の第１の基準面４０と支持構造体の第２の基準面５０との少なくとも一方との間の移動を決定することによって測定されることができる。図示される一実施の形態では、第１及び第２の基準面の各々は、鏡の反射面を有し、投影システム内の支持構造体の位置は、光ビームをそれぞれの基準面４０、５０に伝送し、それぞれＸ方向及びＹ方向に沿った移動を示す光ビームの反射を受信する干渉計を使用して測定されることができる。

支持構造体は、ベース２０を有し、その上に、２つの基準面４０、５０が、互いに垂直かつＸＹ平面に垂直に設けられている。ターゲットがウェーハテーブルに置かれ、続いて、支持構造体１に置かれたとき、照射されるターゲットの表面は、第１及び第２の基準面と交差する平面に実質的に位置される。従って、Ｘ方向及びＹ方向のターゲットの位置は、照射されるターゲット表面のレベルで測定されることができる。ベース２０のフィン２４、２５は、基準面４０、５０が設けられたベースの縁部にさらなる支持を提供する。

インターフェース部材を示すインターフェースプレート３０は、インターフェースプレート３０がベース２０に対してＸＹ移動平面で移動されることができるようにしてベース２０に配置される。インターフェースプレート３０には、その上にウェーハテーブルを位置決めするための３つの位置決め部材３１、３２、３３が設けられ、互いに対して軸外に向けられたＶ字型溝を有する。従って、Ｖ字型溝と適合する脚を有するウェーハテーブルが位置決め部材３１、３２、３３に置かれたとき、ウェーハテーブルは、インターフェースプレート３０に正確に置かれる。変化する熱条件の下でさえも、Ｖ字型溝の位置が互いに対してほぼ固定したままであることを確実にするために、インターフェースプレート３０は、ゼロデュア（商標）のような低熱膨張材料でできている。ここでは、低熱膨張材料は、ベースよりも実質的に低熱膨張率を有する任意の材料を指す。ベース２０は、軽金属（アルミニウム）を含み、比較的高い熱伝導率、即ち、インターフェースプレート３０の材料よりも高い熱伝導率を有する。ベース２０は熱膨張により変形することができるが、ベース２０の高熱伝導率は、ベース２０の局所発熱勾配の形成を減少させ、かくして、熱膨張によるベース２０の非均質な変形をほぼ低減させる。特に、基準面４０、５０の非均質な変形は、かくして実質的に低減される。基準面４０は、Ｘ方向に平行に向けられた２つの細長い第１の支柱６０、６１によってインターフェースプレート３０に接続されている。これら支柱は、同様に、低熱膨張率の材料でできている。互いに実質的に隣接している第１の支柱６０、６１は、基準面４０を通って延び、コネクタ４１によって基準面４０に固定された第１の端部６２、６３と、インターフェースプレート３０に取り付けられた第２の端部６４、６５とを有する。従って、例えば、ベースの熱膨張によるＸ方向に沿った基準部材４０の移動は、インターフェースプレート３０の対応する移動に帰着し、基準部材４０とインターフェース３０上の任意の点との間のＸ方向に沿った距離は、ほぼ一定のままである。インターフェースプレートが低熱膨張率材料を有するので、位置決め部材３１、３２、３３と基準面４０との間のＸ方向に沿った距離は、ベース２０の熱膨張中、同様に一定のままである。

基準面５０は、間隔を空けられた２つの細長い第２の支柱６６、６７によってインターフェースプレート３０に接続され、低熱膨張材料を含み、Ｙ方向に平行なこれらの長手軸に向けられている。第２の支柱６６、６７は、基準面５０を通って延び、コネクタ５１、５２によって基準面５０に固定された第１の端部６８、６９と、インターフェースプレート３０に取り付けられた第２の端部７０、７１とを有する。従って、例えば、ベース２０の熱膨張によるＹ方向に沿った基準部材５０の移動は、インターフェースプレート３０の対応する移動に帰着し、基準部材４０とインターフェースプレート３０の任意の点との間のＹ方向に沿った距離は、ベース２０の熱膨張中、実質的に一定のままである。第１及び第２の支柱６０、６１、６６、６７は、基準面４０、５０とインターフェースプレートとの間の全長を実質的に架橋する。さらに、第２の支柱６６、６７が互いに間隔を空けられているので、これらは、さらに、ＸＹ平面に垂直な軸のまわりのインターフェースプレート３０の回転を実質的に抑制する。

支持構造体１は、少なくともＸ方向及びＹ方向に沿ってステージの上部に運ばれるように適用され、また、支持構造体１は、ベース２０に取り付けられた取り付け手段８１、８２、８３を有し、これら取り付け手段は、インターフェースプレート３０から離れて面しているベースの側に延びている。インターフェースプレート３０は、ベースの熱膨張中さえ、インターフェースプレート３０が取り付け手段８１、８２、８３から間隔を空けられたままであるように形作られている。図示されるインターフェースプレート３０は、プレート３０を取り付け手段８３から間隔を空けさせるために孔が設けられた実質的に堅いプレートであり、プレート３０の比較的容易な機械加工を与えるが、代わりの実施の形態では、インターフェースプレート３０は、インターフェースプレートの材料及び重さを節約するために、位置決め部材３１、３２、３３を互いに実質的に固定して堅く接続するフレームを有することができる。この代わりの実施の形態では、前記フレームは、好ましくはほぼ中空のフレームである。例えば、代わりの実施の形態では、インターフェースプレートは、低熱膨張率の３つほぼ堅い支柱を有するほぼ中空の堅い三角形のフレームを有することができ、好ましくは、３つの支柱の先端部が三角形のフレームの頂点を形成し、各位置決め部材は、好ましくは、前記三角形のフレームの頂点の近くに配置されている。

図２Ａは、図１の支持構造体１の上面図である。支柱６０、６１、６６、６７は、ほぼ同一に形成され、等しい寸法を有し、ほぼ矩形断面を有する。支柱６０、６１、６６、６７は、それぞれの長手方向に沿ってほぼ堅く、前記長手方向にほぼ垂直なそれぞれ方向にわずかに可撓性である。従って、ベース２０がＸ方向に沿って膨張したとき、それらの第１の端部６８、６９に対する支柱６６、６７の第２の端部７１、７０の移動が可能なままである。支柱６６、６７は、等しい量曲がり、それにより、Ｘ方向及びＹ方向に垂直な軸のまわりのベース２０に対するインターフェースプレート３０の回転を実質的に抑制する。

低熱膨張材料を得て機械加工する際の節約は、ベースに投影されたとき、ベース２０よりも小さな面積を有するインターフェース部材３０を提供することによって、支持構造体１の外寸を実質的に変更することなく達成される。

図２Ｂは、図２ＡのＩ−Ｉ線に沿った側面図である。可撓ピン２１、２２、２３を有する可撓支持体によってベース２０に配置されたインターフェースプレート３０が理解されることができる。ピン２１、２２、２３は、それぞれの第１の端部でベース２０に取り付けられ、それぞれの反対側の第２の端部でインターフェースプレート３０に取り付けられている。ピン２１、２２、２３は、ＸＹ平面でベースに対するインターフェースの移動を、即ち、前記平面でのＸ方向とＹ方向との少なくとも一方に沿った移動と、前記平面に垂直な軸のまわりの回転との少なくとも一方とを可能にするように適用され、これらは、長手方向に沿ってほぼ堅く、これにより、ピンが撓むときさえも、インターフェースプレートとベースとの間のスペース２８がほぼ一定のままである。図示される一実施の形態では、可撓支持体は、位置決め部材３１、３２、３３とほぼ交差するそれらの長手軸を備えた３つのピンを有する。しかしながら、ベースに対してインターフェースプレート３０を移動可能に配置する任意の方法が使用されることができ、例えば、多くの可撓性ピンを含むアレイ、インターフェースプレートとベースとの間に配置され、これらと接触する液体、流体又はペースト、あるいは、ベースやインターフェースプレート上の低摩擦面などを使用してもよい。

図２Ｃは、ピン２３と、インターフェースプレート３０とベース２０とのピンによる取り付けをより詳細に示す図である。ピン２３は、第１の端部２３ａでベース２０に取り付けられている。ピンは、中空部分２７によってその長さの実質的部分に対してベースを延び、ピン２３は、その第１の端部２３ａのところを除いて、ベース２０から間隔を空けられている。中空部分２７は、Ｘ方向及びＹ方向に撓むようにピン２３に対する余地を与え、ベース及びインターフェースプレートが互いに近接して置かれることを可能にし、一方、これらの間のスペース２７によって間隔を空けられたままである。図２Ｃは、さらなる詳細を示し、ベースは、複数の中空の内部部分２０ａ、２０ｂを有するほぼ中空のフレームとして構成されており、支持構造体の全重量をさらに減少させる。

好ましい実施の形態の動作を例証するために上の記載がなされており、本発明の範囲を限定することを意図していないことが理解される。上の説明から、当業者にとって、本発明の意図及び範囲に包含される多くの変形例があることが自明である。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項をそのまま付記しておく。
［１］
リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体（１）であって、
基準面（４０；５０）を有するベース（２０）と、
前記ベース（２０）よりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体（１）に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材（３０）と、
前記ベース（２０）上に前記インターフェース部材（３０）を支持する可撓支持体（２１，２２，２３）とを具備し、前記可撓支持体は、実質的に移動平面内で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与える、支持構造体において、
前記インターフェース部材（３０）は、少なくとも１つの支柱（６０，６１；６６，６７）によって前記基準面（４０；５０）に接続され、
前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、
前記少なくとも１つの支柱は、前記移動平面に平行な方向に沿って実質的に堅いことを特徴とする支持構造体（１）。
［２］
前記基準面は、好ましくは前記ベースの縁部に配置された、鏡の反射面を有する請求項１の支持構造体。
［３］
前記基準面は、第１の基準面であり、前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも１つの第１の支柱を有し、前記ベースは、さらに、前記第１の基準面にほぼ垂直な第２の基準面を有し、前記インターフェース部材は、低熱膨張率の材料でできた少なくとも１つの第２の支柱によって前記第２の基準面に接続されている請求項１又は２の支持構造体。
［４］
前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を実質的に制限するように適用される請求項１ないし３のいずれか１の支持構造体。
［５］
前記移動平面は、前記ウェーハテーブルのウェーハ支持平面にほぼ平行であるか、前記基準面にほぼ垂直であるかの少なくとも一方である請求項１ないし４のいずれか１の支持構造体。
［６］
前記少なくとも１つの支柱は、前記支柱の長手方向で少なくとも実質的に堅い請求項１ないし５のいずれか１の支持構造体。
［７］
前記少なくとも１つの支柱は、前記長手方向に少なくともほぼ垂直な方向で可撓性を有する請求項６の支持構造体。
［８］
前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースにほぼ平行な平面で曲がるように可撓性を有する請求項６又は７の支持構造体。
［９］
前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも前記インターフェース部材から少なくとも前記基準面まで延びている請求項１ないし８のいずれか１の支持構造体。
［１０］
前記少なくとも１つの支柱の第１の端部は、前記基準面に固定され、前記第１の端部の反対側の第２の端部は、前記インターフェース部材に固定されている請求項９の支持構造体。
［１１］
前記少なくとも１つの支柱は、前記基準面にほぼ垂直に長手方向に延びている請求項１ないし１０のいずれか１の支持構造体。
［１２］
前記インターフェース部材は、前記ベースから間隔を空けられている請求項１ないし１１のいずれか１の支持構造体。
［１３］
前記可撓支持体は、前記ベースと前記インターフェース部材との間に配置されている請求項１ないし１２のいずれか１の支持構造体。
［１４］
前記可撓支持体は、複数の可撓ピンを有し、前記ピンは、一方の側で前記インターフェース部材に接続され、他方の側で前記ベースに接続されている請求項１３の支持構造体。
［１５］
前記可撓支持体は、少なくとも前記移動平面に垂直な方向で、前記ベースの熱膨張率にほぼ等しい熱膨張率を有する請求項１３の支持構造体。
［１６］
前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられ、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用される２以上の位置決め部材を有する請求項１ないし１５のいずれか１の支持構造体。
［１７］
前記位置決め部材は、前記ウェーハテーブルに対するキネマティックマウントを少なくとも実質的に形成している請求項１６の支持構造体。
［１８］
前記インターフェース部材は、前記２以上の位置決め部材が設けられたモノリシックインターフェースプレートを有する請求項１６又は１７の支持構造体。
［１９］
前記インターフェース部材は、低熱膨張材料で、好ましくはゼロデュア（商標）でできている請求項１８の支持構造体。
［２０］
前記インターフェース部材は、前記２以上の位置決め部材が固定して堅く接続されるフレームを有する請求項１６、１７又は１９のいずれか１の支持構造体。
［２１］
前記フレームは、ほぼ中空のフレームである請求項２０の支持構造体。
［２２］
前記ベースは、高い熱伝導率を有する材料を実質的に有する請求項１ないし２１のいずれか１の支持構造体。
［２３］
前記材料は、アルミニウムのような金属である請求項２２の支持構造体。
［２４］
前記基準面は、前記移動平面に垂直であるか、前記インターフェース部材に面している前記ベースの側に垂直であるかの少なくとも一方である実質的に平坦な表面である請求項１ないし２３のいずれか１の支持構造体。
［２５］
請求項１ないし２４のいずれか１の支持構造体を具備するリソグラフィシステム。
［２６］
前記投影システムは、さらに、
１以上のビームを発生させるためのビーム源と、
前記ターゲット上に前記１以上のビームを合焦させるための投影光学系と、
前記支持構造体に配置され、リソグラフィシステムで処理されるターゲットを支持するように適用されるウェーハテーブルと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の移動をさせるためのアクチュエータと、
前記投影光学系に対する前記支持構造体の前記基準面の位置又は移動を決定するように適用される測定システムと、
前記決定された位置又は移動に基づいて前記アクチュエータを制御するための制御装置とを具備する請求項２５のリソグラフィシステム。
［２７］
好ましくは前記支持構造体が前記投影光学に対して移動されているとき、前記１以上のビームを用いて前記ターゲットをパターニングするように適用される請求項２５又は２６のリソグラフィシステム。
［２８］
リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体であって、
基準面を有するベースと、
低熱膨張材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材とを具備し、
前記インターフェース部材は、少なくとも１つの支柱によって前記基準面に接続され、前記少なくとも１つの支柱は、低熱膨張材料でできている支持構造体。

Claims (27)

1. リソグラフィシステムにおいてウェーハテーブルを支持するための支持構造体（１）であって、前記リソグラフィシステムにおいて移動可能に適用され、
   基準面（４０；５０）を有するベース（２０）と、
   前記ベース（２０）よりも低い熱膨張率を有する材料ででき、前記ベースの上部に配置され、支持構造体（１）に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用されるインターフェース部材（３０）と、
   前記ベース（２０）上に前記インターフェース部材（３０）を支持する可撓支持体（２１，２２，２３）とを具備し、前記可撓支持体は、移動平面内で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を与え、前記基準面は、前記移動平面に垂直である平坦な表面である、支持構造体において、
   前記インターフェース部材（３０）は、少なくとも１つの支柱（６０，６１；６６，６７）によって前記基準面（４０；５０）に接続され、
   前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する材料ででき、
   前記少なくとも１つの支柱は、前記移動平面に平行な方向に沿って堅く、
   前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースが、熱膨張により、前記インターフェース部材とは異なるようにして変形したとき、前記基準面と前記インターフェース部材との間の距離がほぼ一定のままであることを確実にすることを特徴とする、支持構造体（１）。
2. 前記基準面は、前記ベースの縁部に配置された、鏡の反射面を有する請求項１の支持構造体。
3. 前記基準面は、第１の基準面であり、前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも１つの第１の支柱を有し、前記ベースは、さらに、前記第１の基準面に垂直な第２の基準面を有し、前記インターフェース部材は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する低熱膨張率の材料でできた少なくとも１つの第２の支柱によって前記第２の基準面に接続されている請求項１又は２の支持構造体。
4. 前記可撓支持体は、前記移動平面に垂直な方向で前記ベースに対する前記インターフェース部材の移動を制限するように適用される請求項１ないし３のいずれか１の支持構造体。
5. 前記移動平面は、前記ウェーハテーブルのウェーハ支持平面に平行であるか、前記基準面に垂直であるかの少なくとも一方である請求項１ないし４のいずれか１の支持構造体。
6. 前記少なくとも１つの支柱は、前記支柱の長手方向で堅い請求項１ないし５のいずれか１の支持構造体。
7. 前記少なくとも１つの支柱は、前記長手方向に垂直な方向で可撓性を有する請求項６の支持構造体。
8. 前記少なくとも１つの支柱は、前記ベースに少なくとも平行な平面で曲がるように可撓性を有する請求項６又は７の支持構造体。
9. 前記少なくとも１つの支柱は、少なくとも前記インターフェース部材から少なくとも前記基準面まで延びている請求項１ないし８のいずれか１の支持構造体。
10. 前記少なくとも１つの支柱の第１の端部は、前記基準面に固定され、前記第１の端部の反対側の第２の端部は、前記インターフェース部材に固定されている請求項９の支持構造体。
11. 前記少なくとも１つの支柱は、前記基準面に垂直に長手方向に延びている請求項１ないし１０のいずれか１の支持構造体。
12. 前記インターフェース部材は、前記ベースから間隔を空けられている請求項１ないし１１のいずれか１の支持構造体。
13. 前記可撓支持体は、前記ベースと前記インターフェース部材との間に配置されている請求項１ないし１２のいずれか１の支持構造体。
14. 前記可撓支持体は、複数の可撓ピンを有し、前記ピンは、一方の側で前記インターフェース部材に接続され、他方の側で前記ベースに接続されている請求項１３の支持構造体。
15. 前記可撓支持体は、少なくとも前記移動平面に垂直な方向で、前記ベースの熱膨張率に等しい熱膨張率を有する請求項１３の支持構造体。
16. 前記インターフェース部材は、互いに間隔を空けられ、支持構造体に前記ウェーハテーブルを位置決めするように適用される２以上の位置決め部材を有する請求項１ないし１５のいずれか１の支持構造体。
17. 前記位置決め部材は、前記ウェーハテーブルに対するキネマティックマウントを少なくとも形成している請求項１６の支持構造体。
18. 前記インターフェース部材は、前記２以上の位置決め部材が設けられたモノリシックインターフェースプレートを有する請求項１６又は１７の支持構造体。
19. 前記インターフェース部材は、前記ベースよりも低い熱膨張率を有する低熱膨張材料で、できている請求項１８の支持構造体。
20. 前記インターフェース部材は、前記２以上の位置決め部材が固定して堅く接続されるフレームを有する請求項１６、１７又は１９のいずれか１の支持構造体。
21. 前記フレームは、中空のフレームである請求項２０の支持構造体。
22. 前記ベースは、前記インターフェース部材の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料を有する請求項１ないし２１のいずれか１の支持構造体。
23. 前記材料は、金属である請求項２２の支持構造体。
24. 前記基準面は、前記インターフェース部材に面している前記ベースの側に垂直である平坦な表面である請求項１ないし２３のいずれか１の支持構造体。
25. 請求項１ないし２４のいずれか１の支持構造体を具備するリソグラフィシステム。
26. さらに、１以上のビームを発生させるためのビーム源と、
    前記ターゲット上に前記１以上のビームを合焦させるための投影光学系と、
    前記支持構造体に配置され、リソグラフィシステムで処理されるターゲットを支持するように適用されるウェーハテーブルと、
    前記投影光学系に対する前記支持構造体の移動をさせるためのアクチュエータと、
    前記投影光学系に対する前記支持構造体の前記基準面の位置又は移動を決定するように適用される測定システムと、
    前記決定された位置又は移動に基づいて前記アクチュエータを制御するための制御装置とを具備する、請求項２５のリソグラフィシステム。
27. 前記支持構造体が前記投影光学に対して移動されているとき、前記１以上のビームを用いて前記ターゲットをパターニングするように適用される請求項２５又は２６のリソグラフィシステム。

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