JP5900292B2 - イミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法 - Google Patents

イミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、有機合成化合物の中間体及び有機エレクトロルミネッセンス用材料として有用なイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法に関する。
フェニルイミダゾール誘導体の合成法として、イミノクロライド誘導体を経由する方法(例えば、特許文献1及び2参照)、ベンズアルデヒド誘導体、オキサルアルデヒド及びアニリン誘導体を用いる方法(例えば、特許文献3参照)、イミダゾリン誘導体を経由し過マンガン酸カリウム(例えば、特許文献4参照)で酸化する方法が知られている。
これらのうち、イミノクロライド誘導体を経由する方法は、危険有害性を有する試薬を使用せず、収率も比較的高いことから量産適正に優れている。
しかしながら、フェニルイミダゾール誘導体のフェニル基のオルト位に嵩高い基を置換した場合に、上記のイミノクロライド誘導体を経由する方法で合成すると、反応性が低下することや、イミノクロライド誘導体以外の副生成物が大量に生成すること等により、収率が大幅に低下することが判明した。
米国特許出願公開2011/57559号明細書 特開2011−121874号公報 特開2012−6878号公報 米国特許7902174号明細書
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、安全性が高く、高収率で得ることができるイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法を提供することにある。
本発明者等は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤と、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、続いて下記一般式(3)で表される化合物と反応させることによって、フェニル基のオルト位に嵩高い基を置換した下記一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を、安全性が高く、高収率で得ることができることを見出し本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
1.下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤とを、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドのいずれかから選択される含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、下記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造するイミノクロライド誘導体の製造方法であって、
前記クロル化剤が、オキシ塩化リンであり、
前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.1〜0.5倍の範囲内であることを特徴とするイミノクロライド誘導体の製造方法
Figure 0005900292
[式中、R及びRは、炭素数3以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、置換基を表す。Rは、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。nは、0〜3の整数を表す。]
2.前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.2〜0.5倍の範囲内であることを特徴とする第1項に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
.下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドのいずれかから選択される含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて下記一般式(3)で表される化合物と反応させて、下記一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造するフェニルイミダゾール誘導体の製造方法であって、
前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.1〜0.5倍の範囲内であることを特徴とするフェニルイミダゾール誘導体の製造方法。
Figure 0005900292
[式中、R及びRは、炭素数3以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、置換基を表す。Rは、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。Rは、アルキル基を表す。nは0〜3の整数を表す。]
本発明の上記手段により、フェニル基のオルト位に嵩高い基を置換したフェニルイミダゾール誘導体を、安全性が高く、高収率で得ることができるイミノクロライド誘導体の製造方法及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法を提供することができる。
実施例1における、DMF添加量と、例示化合物1−3、イミノエーテル及び副生成物の反応率との関係を示すグラフである。
本発明のイミノクロライド誘導体の製造方法は、上記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、上記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造することを特徴とする。この特徴は、請求項1〜請求項6までの請求項に係る発明に共通又は対応する技術的特徴である。
本発明のフェニルイミダゾール誘導体の製造方法は、上記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤を含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、上記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて上記一般式(3)で表される化合物と反応させて、上記一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造することが好ましい。
本発明の実施態様としては、本発明の効果発現の観点から、前記含窒素反応補助剤として、含窒素複素環化合物、特にピリジン又はピコリンを使用することが好ましく、またトリエチルアミン又はジメチルホルムアミドを使用することも好ましい。
また、前記含窒素反応補助剤は、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.2〜1.0倍の範囲内であることが、副生成物の生成を抑制する効果が大きい点で好ましい。
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載されている数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
[本発明のイミノクロライド誘導体及びフェニルイミダゾール誘導体の製造方法]
本発明のイミノクロライド誘導体の製造方法は、下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤とを、含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造する。
また、本発明のフェニルイミダゾール誘導体の製造方法は、前記イミノクロライド誘導体を製造した後、下記一般式(3)で表される化合物と反応させて、下記一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造する。
Figure 0005900292
一般式(1)、一般式(2)及び一般式(4)において、R及びRで表される炭素数3以上の分岐アルキル基として、例えば、iso-プロピル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、t-ブチル基、neo-ペンチル基、2-エチルヘキシル基、t-オクチル基等の各基が挙げられる。
一般式(1)、一般式(2)及び一般式(4)において、R及びRで表されるシクロアルキル基として例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。これらのうちで好ましいものはiso-プロピル基である。
一般式(1)、一般式(2)及び一般式(4)において、Rで表される置換基として例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、複素環、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、イミド基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等の各基が挙げられる。
が複数ある場合、それぞれ同じ置換基であっても異なる置換基であってもよい。
また、隣接する基同士で環を形成してもよい。
一般式(1)、一般式(2)及び一般式(4)において、Rで表される芳香族炭化水素環基として例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等の各基が挙げられる。
一般式(1)、一般式(2)及び一般式(4)において、Rで表される芳香族複素環基として例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環等の各基が挙げられる。
一般式(3)において、Rで表される置換基としては、Rで表される置換基と同様の基を表す。
一般式(3)において、Rで表されるアルキル基として例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基等が挙げられる。
上記の基は、いずれもさらに置換基によって置換されていてもよく置換基として例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、複素環、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホニル基、アシル基、カルバモイル基、スルファモイル基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、イミド基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルボキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等の各基が挙げられる。
上記一般式(1)及び(4)において、nは、0〜3の整数を表す。
以下に、本発明の一般式(1)で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
<一般式(1)で表される化合物例>
Figure 0005900292
以下に、本発明の一般式(2)で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
<一般式(2)で表される化合物例>
Figure 0005900292
以下に、本発明の一般式(3)で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
<一般式(3)で表される化合物例>
Figure 0005900292
以下に、本発明の一般式(4)で表される化合物の代表的具体例を示すが、本発明はこれらに限定されものではない。
<一般式(4)で表される化合物>
Figure 0005900292
<含窒素反応補助剤>
本発明で用いられる含窒素反応補助剤としては、例えば、脂肪族アミン(トリエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、1,4−ジアザビシクロ〔2.2.2〕オクタン(DABCO)、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−7−ウンデセン(DBU)等)、芳香族アミン(ジメチルアニリン、ジエチルアニリン等)、含窒素複素環(ピリジン、ピコリン、ルチジン、ピリミジン、ピラジン等)、アミド化合物(ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)等)が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、含窒素複素環であり、特にピリジン又はピコリンを使用することが好ましく、またトリエチルアミン又はジメチルホルムアミドを使用することも好ましい。
本発明で用いられる含窒素反応補助剤は、一般式(1)の化合物に対してモル比で0.2〜1.0倍の範囲内で添加することが好ましく、特に好ましくは、0.3〜0.5倍の範囲内である。0.2〜1.0倍の範囲内とすることによって、イミドクロライド誘導体以外の副生成物の生成を抑制する効果が大きくなる。
<クロル化剤>
本発明で用いられるクロル化剤としては、例えば、塩化チオニル、オキシ塩化リン、三塩化リン、五塩化リン、オキサリルクロライド等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、オキシ塩化リンである。
<製造方法>
イミノクロライド誘導体は、一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤と、溶媒とを投入し、還流を行うことによって製造することができる。
フェニルイミダゾール誘導体は、イミノクロライド誘導体を製造した後、一般式(3)で表される化合物と、反応させ、減圧濃縮した後、溶媒を投入し、還流を行うことによって製造することができる。
溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[実施例1]
<イミノエーテル(1)の合成>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−3を1.0g(0.00354mol)、トルエンを10ml、クロル化剤としてオキシ塩化リンを0.60g(×1.1mol)投入し、4時間還流を行った後、反応液の一部をメタールに加え、不安定なイミノクロライド誘導体からイミノエーテル(1)を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)でイミノエーテル(1)の反応率を測定した。測定結果を表1及び図1に示した。
なお、上記で記載した、かっこ内の(×1.1mol)とは、一般式(1)で表される化合物に対する添加比率を表す。以下に記載のものも同様である。
HPLCの測定条件は、以下の通りである。
カラム:GL Sciences Inc. Inertsil ODS-3 5μm φ4.6mm×250mm
展開溶媒:HO/アセトニトリル 10/90 vol/vol、1%酢酸
オーブン温度:40℃
検出波長:254nm
流速:1ml/min
<イミノエーテル(2)の合成>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−3を1.0g(0.00354mol)、トルエンを10ml、クロル化剤としてオキシ塩化リンを0.60g(×1.1mol)、含窒素反応補助剤としてDMFを例示化合物1−3に対して、0.1倍のモル比となるように投入し、4時間還流を行った後、反応液の一部をメタールに加え、不安定なイミノクロライド誘導体(例示化合物2−3)からイミノエーテル(2)を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)で上記と同様にしてイミノエーテル(2)の反応率を測定した。測定結果を表1及び図1に示した。
なお、例示化合物2−3のイミノクロライド誘導体は、以下のスキームによって合成される。
Figure 0005900292
<イミノエーテル(3)〜(5)の合成>
イミノエーテル(2)の合成において、含窒素反応補助剤としてDMFの添加量を表1に示すモル比に変更した以外は同様にしてイミノエーテル(3)〜(5)を合成した。その後、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)で上記と同様にしてイミノエーテル(3)〜(5)の反応率を測定した。測定結果を表1及び図1に示した。
Figure 0005900292
表1及び図1の結果に示されるように、DMFを添加しないで合成したイミノエーテル(1)の場合、約60%の副生物が生成するのに対して、DMFを0.2倍モル以上添加して合成したイミノエーテル(3)〜(5)の場合、副生成物が大幅に低減し、イミノエーテルの反応率が大きく向上することが認められる。
[実施例2]
<例示化合物4−3の合成:比較例>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−3を10.0g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)を投入し、4時間還流を行った。その後、減圧蒸留によりトルエンを50ml除去し、アセトニトリル50mlを加え、水浴で冷却した。含窒素反応補助剤としてトリエチルアミンを14.3g(×4mol)、続いて一般式(3)で表される化合物として例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。
次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−3を得た。得られた例示化合物4−3の収量は2.62g、収率は24.3%であった。
なお、上記で記載した、かっこ内の(×10vol)とは、一般式(1)で表される化合物に対する容積比率を表す。以下に記載のものも同様である
<例示化合物4−3の合成:本発明>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−3を10.0g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)、含窒素反応補助剤としてピリジンを0.80g(×0.30mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去し、アセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。トリエチルアミンを14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−3を得た。得られた例示化合物4−3の収量は8.49g、収率は78.6%であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ=7.46 (t, 1H), 7.43-7.38 (m, 2H), 7.31 (d, 1H), 7.26 (s, 2H), 7.23-7.15 (m, 3H), 6.94 (d, 1H), 2.55-2.35 (m, 2H), 1.10 (d, 6H), 0.85 (d, 6H).
であり、例示化合物4−3が合成できていることを確認した。
なお、例示化合物4−3のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
Figure 0005900292
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるピリジンを添加した場合は、ピリジンを添加しない場合に比べて、例示化合物4−3を高収率で合成できることが認められる。
[実施例3]
<例示化合物4−4の合成:比較例>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−4を12.8g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)を投入し、4時間還を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去し、アセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミンを14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−4を得た。得られた例示化合物4−4の収量は3.26g、収率は24.0%であった。
<例示化合物4−4の合成:本発明>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−4を12.8g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)、含窒素反応補助剤としてトリエチルアミンを1.07g (×0.30mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去し、アセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−4を得た。得られた例示化合物4−4の収量は9.72g、収率は71.6%であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ=7.41-7.37 (m, 2H), 7.35 (s, 2H), 7.30 (d, 1H), 7.24-7.20 (m, 3H), 6.94 (d, 1H), 2.50-2.37 (m, 2H), 1.10 (d, 6H), 0.86 (d, 6H).
であり、例示化合物4−4が合成できていることを確認した。
なお、例示化合物4−4のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
Figure 0005900292
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるトリエチルアミンを添加した場合は、トリエチルアミンを添加しない場合に比べて、例示化合物4−4を高収率で合成できることが認められる。
[実施例4]
<例示化合物4−5の合成:比較例>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−5を12.7g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去し、アセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−1を11.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−5を得た。得られた例示化合物4−5の収量は3.54g、収率は26.3%であった。
<例示化合物4−5の合成:本発明>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−5を12.7g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)、含窒素反応補助剤としてDMFを0.78g(×0.30mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−1を11.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−5を得た。得られた例示化合物4−5の収量は9.82g、収率は73.0%であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定した。ケミカルシフトは、
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ=7.66 (dd, 2H), 7.53-7.46 (m, 4H), 7.46 (s, 2H), 7.41 (t, 1H), 7.34 (d, 1H), 7.23-7.18 (m, 3H), 6.96 (d, 1H), 2.60-2.48 (m, 2H), 1.17 (d, 6H), 0.93 (d, 6H).
であり、例示化合物4−4が合成できていることを確認した。
なお、例示化合物4−5のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
Figure 0005900292
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるDMFを添加した場合は、DMFを添加しない場合に比べて、例示化合物4−5を高収率で合成できることが認められる。
[実施例5]
<例示化合物4−12の合成:比較例>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−12を12.1g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−12を得た。得られた例示化合物4−12の収量は2.69g、収率は21.0%であった。
<例示化合物4−12の合成:本発明>
一般式(1)で表される化合物として例示化合物1−12を12.1g(0.0354mol)、トルエンを100ml(×10vol)、クロル化剤としてオキシ塩化リンを5.97g(×1.1mol)、含窒素反応補助剤としてo-ピコリンを1.65g(×0.50mol)を投入し、4時間還流を行った。減圧蒸留によりトルエン50mlを除去しアセトニトリル50mlを加え水浴で冷却した。その後、トリエチルアミン14.3g(×4mol)、続いて例示化合物3−2を14.2g(×3mol)を滴下し1時間撹拌した。攪拌後の反応液を減圧濃縮し、酢酸エチル100mlを加え水洗し、酢酸エチル層を減圧濃縮した。次に、トルエン100ml、リン酸9.0gを投入し、4時間還流を行った。その後、水浴で冷却し、炭酸ナトリウム16.9g、井水80mlの溶液を発泡に注意しながら滴下し、さらに、1時間撹拌した。不溶分を除去後、トルエン層を水洗し、減圧濃縮した。その後、ヘプタンにより再結晶を行い、例示化合物4−12を得た。得られた例示化合物4−12の収量は9.70g、収率は75.6%であった。
また、得られた例示化合物の1H-NMRを測定し、1H-NMRにより例示化合物4−12が合成できていることを確認した。
なお、例示化合物4−12のフェニルイミダゾール誘導体は、以下のスキームによって合成される。
Figure 0005900292
以上の結果に示されるように、含窒素反応補助剤であるo-ピコリンを添加した場合は、o-ピコリンを添加しない場合に比べて、例示化合物4−12を高収率で合成できることが認められる。
また、その他の例示化合物も、上記の方法に準じて合成することができ、本発明のように含窒素反応補助剤の存在下で反応させることによって、一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を高収率で生成でき、また、副生成物の生成も抑制できることが認められる。

Claims (3)

  1. 下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤とを、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドのいずれかから選択される含窒素反応補助剤の存在下で、反応させ、下記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造するイミノクロライド誘導体の製造方法であって、
    前記クロル化剤が、オキシ塩化リンであり、
    前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.1〜0.5倍の範囲内であることを特徴とするイミノクロライド誘導体の製造方法
    Figure 0005900292
    [式中、R及びRは、炭素数3以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、置換基を表す。Rは、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。nは、0〜3の整数を表す。]
  2. 前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.2〜0.5倍の範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のイミノクロライド誘導体の製造方法。
  3. 下記一般式(1)で表される化合物と、クロル化剤を、トリエチルアミン、ピリジン、ピコリン又はジメチルホルムアミドのいずれかから選択される含窒素反応補助剤の存在下で反応させて、下記一般式(2)で表されるイミノクロライド誘導体を製造し、続いて下記一般式(3)で表される化合物と反応させて、下記一般式(4)で表されるフェニルイミダゾール誘導体を製造するフェニルイミダゾール誘導体の製造方法であって、
    前記含窒素反応補助剤の量が、前記一般式(1)で表される化合物に対してモル比で0.1〜0.5倍の範囲内であることを特徴とするフェニルイミダゾール誘導体の製造方法。
    Figure 0005900292
    [式中、R及びRは、炭素数3以上の分岐アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、置換基を表す。Rは、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。Rは、アルキル基を表す。nは0〜3の整数を表す。]
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