JP5899099B2 - Chemical liquid discharge amount measuring jig, chemical liquid discharge amount measuring mechanism and chemical liquid discharge amount measuring method - Google Patents

Chemical liquid discharge amount measuring jig, chemical liquid discharge amount measuring mechanism and chemical liquid discharge amount measuring method Download PDF

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本発明は、薬液供給手段により基板へ薬液を塗布する塗布処理装置において、薬液供給手段から基板への薬液の吐出量を計測するための計測用治具、計測機構及び計測方法に関する。   The present invention relates to a measurement jig, a measurement mechanism, and a measurement method for measuring a discharge amount of a chemical solution from a chemical solution supply unit to a substrate in a coating processing apparatus that applies the chemical solution to the substrate by the chemical solution supply unit.

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。   For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist coating process for applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and exposing the resist film to a predetermined pattern An exposure process, a development process for developing the exposed resist film, and the like are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.

上述したレジスト液の塗布処理では、スピンチャックによりウェハを保持しながら回転させた状態でウェハの中心部に供給ノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハ上でレジスト液を拡散させる塗布処理装置によって、ウェハ上にレジスト膜を形成するいわゆるスピンコートが広く知られている。   In the above-described resist solution coating process, the resist solution is supplied from the supply nozzle to the center of the wafer while being rotated while being held by the spin chuck, and the resist solution is diffused on the wafer by centrifugal force. Therefore, so-called spin coating for forming a resist film on a wafer is widely known.

このようなスピンコートにおいてウェハの表面に形成されるレジスト膜の膜厚を高精度に制御するためには、供給ノズルからウェハに吐出するレジスト液の吐出量を精度よく制御する必要がある。そのため、上記の塗布処理装置においては、定期的に供給ノズルからの吐出量を測定し、必要に応じて当該供給ノズルにレジスト液を送るポンプの吐出圧の設定作業が行なわれる。   In order to control the film thickness of the resist film formed on the surface of the wafer in such spin coating with high accuracy, it is necessary to accurately control the discharge amount of the resist liquid discharged from the supply nozzle to the wafer. Therefore, in the above-described coating processing apparatus, the discharge amount from the supply nozzle is periodically measured, and the discharge pressure setting operation of the pump that sends the resist solution to the supply nozzle is performed as necessary.

例えば特許文献1には、供給ノズルからのレジスト液の供給量を測定するための機構を備えたレジスト塗布処理装置が提案されている。具体的には、不使用の供給ノズルを待機させる待機位置に所定の量のレジスト液を貯留できる容器を設置し、この待機位置において供給ノズルから容器内にレジスト液を吐出する。そして、作業員によりこの容器がレジスト塗布処理装置から搬出され、作業員の手作業により、例えばメスシリンダーなどで供給ノズルからのレジスト液の吐出量が測定される。そして、必要に応じてポンプの吐出圧の調整が行われる。   For example, Patent Document 1 proposes a resist coating processing apparatus having a mechanism for measuring the amount of resist solution supplied from a supply nozzle. Specifically, a container capable of storing a predetermined amount of resist solution is installed at a standby position where an unused supply nozzle waits, and the resist solution is discharged from the supply nozzle into the container at this standby position. Then, this container is unloaded from the resist coating apparatus by an operator, and the discharge amount of the resist solution from the supply nozzle is measured by, for example, a graduated cylinder by the operator's manual operation. And the discharge pressure of a pump is adjusted as needed.

特開平4−236419号公報JP-A-4-236419

しかしながら、上述の容器をレジスト塗布処理装置から搬出したりメスシリンダーにより計測する際に、薬液が飛散して作業員にかかったり、塗布処理装置の駆動系機器により作業員が怪我をする恐れがある。そのため、作業員による塗布処理装置内での作業が発生しない吐出量の測定手法が求められている。   However, when carrying out the above-mentioned container from the resist coating apparatus or measuring with a graduated cylinder, there is a risk that the chemical solution may scatter and be applied to the worker, or the worker may be injured by the drive system device of the coating process apparatus. . Therefore, there is a demand for a method for measuring the discharge amount that does not cause the operator to perform work in the coating apparatus.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板へ薬液を塗布する塗布処理装置において、ノズルからの基板への薬液の吐出量を、作業員の手作業を介することなく測定することを目的としている。   The present invention has been made in view of such a point, and in a coating processing apparatus for applying a chemical solution to a substrate, the amount of the chemical solution discharged from the nozzle to the substrate is measured without the manual operation of an operator. It is an object.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板保持部に基板を保持し、当該保持された基板に薬液供給手段から薬液を吐出して基板の塗布処理を行う塗布処理装置において、前記薬液供給手段からの基板への薬液の吐出量を計測するための計測用治具であって、荷重により歪を生じる起歪体と、前記起歪体に配置され、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子と、前記起歪体を支持する下部基板と、前記起歪体により支持される上部基板と、を有し、前記下部基板は、前記基板保持部によって保持可能であり、前記上部基板の上面には、当該上部基板の側面に形成された開口に連通する溝が形成されていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention provides an apparatus for supplying a chemical solution in a coating processing apparatus that performs a substrate coating process by holding a substrate in a substrate holder and discharging a chemical solution from a chemical solution supply unit to the held substrate. A measuring jig for measuring a discharge amount of a chemical solution from a means onto a substrate, a strain generating body that generates strain due to a load, and a resistance value that changes in accordance with the strain amount. a piezoelectric element, a lower substrate supporting the strain body, anda upper substrate supported by said strain generating body, wherein the lower substrate state, and are capable of holding by the substrate holding unit, the upper The upper surface of the substrate is characterized in that a groove communicating with an opening formed in the side surface of the upper substrate is formed .

本発明によれば、起歪体に歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子が配置され、起歪体により上部基板が支持されているため、上部基板への荷重の変化に伴う起歪体の歪み量の変化を圧電素子により検出することができる。そのため、この圧電素子の抵抗値の変化に基づいて、上部基板への荷重の変化量、換言すれば、薬液供給手段から上部基板に吐出された薬液の量を求めることができる。したがって、作業員の手作業を介することなく、薬液供給手段からの基板への薬液の吐出量を測定することができる。   According to the present invention, since the piezoelectric element whose resistance value changes according to the amount of strain is arranged in the strain generating body, and the upper substrate is supported by the strain generating body, the strain generation accompanying the change in the load on the upper substrate. A change in the amount of strain of the body can be detected by the piezoelectric element. Therefore, based on the change in the resistance value of the piezoelectric element, the amount of change in the load on the upper substrate, in other words, the amount of the chemical liquid discharged from the chemical liquid supply means to the upper substrate can be obtained. Therefore, it is possible to measure the discharge amount of the chemical liquid from the chemical liquid supply means to the substrate without the manual operation of the worker.

前記上部基板は、前記塗布処理装置で塗布処理される基板と同じ大きさを有していてもよい。   The upper substrate may have the same size as the substrate to be coated by the coating processing apparatus.

前記溝の底部には、当該溝から薬液が上部基板外部にこぼれることを防止する堰が設けられていてもよい。   The bottom of the groove may be provided with a weir that prevents the chemical solution from spilling out of the upper substrate.

別の観点による本発明は、基板保持部に基板を保持し、当該保持された基板に薬液供給手段から薬液を吐出して基板の塗布処理を行う塗布処理装置において、前記薬液供給手段からの基板への薬液の吐出量を計測するための計測用治具であって、荷重により歪を生じる起歪体と、前記起歪体に配置され、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子と、前記起歪体を支持する下部基板と、前記起歪体により支持される上部基板と、を有し、前記下部基板は、前記基板保持部によって保持可能であり、前記上部基板は、中央部が窪んでいることを特徴としている。かかる場合、前記上部基板の窪みは、当該上部基板の中央部に向かってテーパ状に形成されていてもよい。
According to another aspect of the present invention, there is provided a coating processing apparatus for performing a substrate coating process by holding a substrate on a substrate holding unit and discharging a chemical solution from the chemical solution supply unit to the held substrate. A measuring jig for measuring a discharge amount of the chemical liquid to the strain generating body that generates strain due to a load, and a piezoelectric element that is disposed on the strain generating body and has a resistance value that changes according to the strain amount A lower substrate supporting the strain generating body and an upper substrate supported by the strain generating body, the lower substrate being able to be held by the substrate holding portion, and the upper substrate being a central portion is characterized in Rukoto is not recessed. In such a case, the depression of the upper substrate may be formed in a tapered shape toward the central portion of the upper substrate.

本発明によれば、基板へ薬液を塗布する塗布処理装置において、ノズルからの基板への薬液の吐出量を、作業員の手作業を介することなく測定できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the coating processing apparatus which apply | coats a chemical | medical solution to a board | substrate, the discharge amount of the chemical | medical solution to a board | substrate from a nozzle can be measured without an operator's manual operation.

本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating processing apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the coating processing apparatus concerning this Embodiment. 薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the chemical | medical solution discharge amount measuring jig. 薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of the jig | tool for chemical | medical solution discharge amount measurement. 薬液の吐出量測定の主な工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the main processes of the discharge amount measurement of a chemical | medical solution. 薬液吐出量計測用治具に薬液を吐出した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which discharged the chemical | medical solution to the jig | tool for chemical | medical solution discharge amount measurement. 薬液吐出量計測用治具を洗浄する様子を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed a mode that the chemical | medical solution discharge amount measurement jig | tool was wash | cleaned. 他の実施の形態にかかる薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the jig | tool for chemical | medical solution discharge amount measurement concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる上部基板の形状の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the shape of the upper board | substrate concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of the jig | tool for chemical | medical solution discharge amount measurement concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the chemical | medical solution discharge amount measuring jig concerning other embodiment. 溝の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a groove | channel. 他の実施の形態にかかる上部基板の形状の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the shape of the upper board | substrate concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる上部基板の形状の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the shape of the upper board | substrate concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる上部基板の形状の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the shape of the upper board | substrate concerning other embodiment. 他の実施の形態にかかる薬液吐出量計測用治具の構成の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of a structure of the jig | tool for chemical | medical solution discharge amount measurement concerning other embodiment. 搬送機構で上部基板および下部基板を保持する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that an upper board | substrate and a lower board | substrate are hold | maintained with a conveyance mechanism.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる、薬液吐出量測定用治具1が用いられる塗布処理装置10の構成の概略を示す縦断面図である。図2は、塗布処理装置10の構成の概略を示す横断面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of a coating processing apparatus 10 using a chemical discharge amount measuring jig 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the configuration of the coating treatment apparatus 10.

塗布処理装置10は、図1に示すように処理容器11を有している。処理容器11内の中心部には、基板を保持して回転させる保持部としてのスピンチャック20が設けられている。スピンチャック20は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば基板を吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、基板であるウェハWをスピンチャック20上に吸着保持できる。本実施の形態におけるウェハWは、薬液吐出量測定用治具1である。この薬液吐出量測定用治具1の詳細については後述する。   The coating processing apparatus 10 has a processing container 11 as shown in FIG. A spin chuck 20 serving as a holding unit that holds and rotates the substrate is provided at the center of the processing container 11. The spin chuck 20 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the substrate, for example, is provided on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W as a substrate can be sucked and held on the spin chuck 20. The wafer W in the present embodiment is a chemical liquid discharge amount measuring jig 1. Details of the chemical discharge amount measuring jig 1 will be described later.

スピンチャック20は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構21を有し、そのチャック駆動機構21により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構21には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック20は上下動可能になっている。   The spin chuck 20 includes a chuck drive mechanism 21 including, for example, a motor, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck drive mechanism 21. Further, the chuck drive mechanism 21 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, so that the spin chuck 20 can move up and down.

スピンチャック20の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ22が設けられている。カップ22の下面には、回収した液体を排出する排出管23と、カップ22内の雰囲気を排気する排気管24が接続されている。   Around the spin chuck 20, there is provided a cup 22 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W. A discharge pipe 23 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 24 for exhausting the atmosphere in the cup 22 are connected to the lower surface of the cup 22.

図2に示すようにカップ22のX方向負方向(図2の下方向)側には、Y方向(図2の左右方向)に沿って延伸するレール30が形成されている。レール30は、例えばカップ22のY方向負方向(図2の左方向)側の外方からY方向正方向(図2の右方向)側の外方まで形成されている。レール30には、例えば二本のアーム31、32が取り付けられている。   As shown in FIG. 2, a rail 30 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 2) is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 2) side of the cup 22. The rail 30 is formed, for example, from the outer side of the cup 22 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 2) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 2). For example, two arms 31 and 32 are attached to the rail 30.

第1のアーム31には、図1及び図2に示すようにウェハWに薬液を供給する薬液供給手段としての供給ノズル33が支持されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the first arm 31 supports a supply nozzle 33 as a chemical solution supply unit that supplies a chemical solution to the wafer W.

第1のアーム31は、図2に示すノズル駆動部34により、レール30上を移動自在である。これにより、供給ノズル33は、カップ22のY方向正方向側の外方に設置された待機部35からカップ22内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム31は、ノズル駆動部34によって昇降自在であり、供給液ノズル33の高さを調整できる。待機部35には、複数の供給ノズル33が差し込み可能な待機ブロック35aが設けられている。待機ブロック35aは、供給ノズル33が複数、例えば8本差し込み可能に構成されており、待機部35において第1のアーム31により任意の供給ノズル33を保持できる。   The first arm 31 is movable on the rail 30 by a nozzle driving unit 34 shown in FIG. As a result, the supply nozzle 33 can move from the standby part 35 installed outside the cup 22 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W in the cup 22, and further on the surface of the wafer W It can move in the radial direction of W. The first arm 31 can be moved up and down by a nozzle drive unit 34 and the height of the supply liquid nozzle 33 can be adjusted. The standby unit 35 is provided with a standby block 35 a into which a plurality of supply nozzles 33 can be inserted. The standby block 35 a is configured so that a plurality of, for example, eight supply nozzles 33 can be inserted, and the standby arm 35 can hold an arbitrary supply nozzle 33 by the first arm 31.

供給ノズル33には、図1に示すように、薬液供給源36に連通する供給管37が接続されている。薬液供給源36内には、薬液が貯留されており、当該薬液を供給ノズル33に対して圧送するポンプ(図示せず)が設けられている。供給管37には、薬液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群38が設けられている。なお、本実施の形態における薬液は、例えばレジスト液である。   As shown in FIG. 1, a supply pipe 37 that communicates with a chemical solution supply source 36 is connected to the supply nozzle 33. A chemical solution is stored in the chemical solution supply source 36, and a pump (not shown) that pumps the chemical solution to the supply nozzle 33 is provided. The supply pipe 37 is provided with a supply device group 38 including a valve for controlling the flow of the chemical solution, a flow rate adjusting unit, and the like. Note that the chemical solution in the present embodiment is, for example, a resist solution.

第2のアーム32には、洗浄液としての純水を供給する純水ノズル40が支持されている。第2のアーム32は、図2に示す、ノズル移動機構としてのノズル駆動部41によってレール30上を移動自在であり、純水ノズル40を、カップ22のY方向負方向側の外方に設けられた待機部42からカップ22内のウェハWの中心部上方まで移動させることができる。また、ノズル駆動部41によって、第2のアーム32は昇降自在であり、純水ノズル40の高さを調節できる。   A pure water nozzle 40 that supplies pure water as a cleaning liquid is supported on the second arm 32. The second arm 32 is movable on the rail 30 by a nozzle drive unit 41 as a nozzle moving mechanism shown in FIG. 2, and the pure water nozzle 40 is provided outside the cup 22 on the Y direction negative direction side. The standby unit 42 can be moved up to the upper center of the wafer W in the cup 22. Further, the second arm 32 can be moved up and down by the nozzle drive unit 41, and the height of the pure water nozzle 40 can be adjusted.

純水ノズル40には、図1に示すように純水供給源43に連通する供給管44が接続されている。純水供給源43内には、純水が貯留されている。供給管44には、純水の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群45が設けられている。   As shown in FIG. 1, a supply pipe 44 that communicates with a pure water supply source 43 is connected to the pure water nozzle 40. Pure water is stored in the pure water supply source 43. The supply pipe 44 is provided with a supply device group 45 including a valve for controlling the flow of pure water, a flow rate adjusting unit, and the like.

次に薬液吐出量測定用治具1の構成について説明する。図3及び図4に示すように、薬液吐出量測定用治具1は、荷重により歪を生じる起歪体50と、起歪体50を下方から支持する下部基板51と、起歪体50によりその下面を支持される上部基板52を有している。   Next, the configuration of the chemical discharge amount measuring jig 1 will be described. As shown in FIGS. 3 and 4, the chemical discharge amount measuring jig 1 includes a strain generating body 50 that generates strain due to a load, a lower substrate 51 that supports the strain generating body 50 from below, and the strain generating body 50. It has an upper substrate 52 supported on its lower surface.

起歪体50は、下部基板51の上方に当該下部基板51の直径方向に沿って延伸して設けられている。起歪体50の内部には、当該起歪体50の延伸する方向に沿って空洞部50aが形成されている。起歪体50の一端部には、下方に延伸して下部基板51の上面に支持される垂下部60が設けられている。起歪体50は、この垂下部60を介して下部基板51の上面に支持されている。起歪体50における垂下部60が設けられた側と反対側の端部には、上方に延伸して上部基板52を支持する支持体61が設けられている。上部基板52は、この支持体61を介して起歪体50に支持されている。したがって、上部基板52に荷重をかけると、起歪体52には下部基板51に支持される下垂部60を支点として歪みが生じる。   The strain body 50 is provided above the lower substrate 51 so as to extend along the diameter direction of the lower substrate 51. Inside the strain generating body 50, a cavity 50a is formed along the direction in which the strain generating body 50 extends. A hanging portion 60 that extends downward and is supported on the upper surface of the lower substrate 51 is provided at one end of the strain generating body 50. The strain body 50 is supported on the upper surface of the lower substrate 51 through the hanging part 60. A support body 61 that extends upward and supports the upper substrate 52 is provided at the end of the strain body 50 opposite to the side on which the hanging part 60 is provided. The upper substrate 52 is supported by the strain body 50 via the support body 61. Therefore, when a load is applied to the upper substrate 52, the strain generating body 52 is distorted with the hanging portion 60 supported by the lower substrate 51 as a fulcrum.

起歪体50の上面及び起歪体50の下面における空洞部50aの端部に対応する位置には、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子であるストレンゲージ62がそれぞれ設けられている。即ち、本実施の形態では、4つのストレンゲージ62が設けられている。なお、ストレンゲージ62の配置や設置数は本実施の形態に限定されるものではない。各ストレンゲージ62を空洞部50aに対応して設けるのは、起歪体50に歪みが生じたときに最も歪み量が多くなる部位だからであり、適切に起歪体50の歪みを検出できればその配置や設置数は任意に設定が可能である。   A strain gauge 62, which is a piezoelectric element whose resistance value changes according to the amount of strain, is provided at a position corresponding to the end of the cavity 50a on the upper surface of the strain generating body 50 and the lower surface of the strain generating body 50. . That is, in this embodiment, four strain gauges 62 are provided. The arrangement and the number of installation of the strain gauges 62 are not limited to the present embodiment. The reason why the strain gauges 62 are provided corresponding to the hollow portions 50a is that the strain amount is the largest when the strain generating body 50 is strained. Arrangement and the number of installations can be set arbitrarily.

下部基板51は、半導体デバイスに製造に用いられる半導体ウェハよりも小さい円盤形状を有している。下部基板51の下面は、スピンチャック20により吸着保持される。下部基板51には、所定の電気回路やメモリなどのデバイス、電源及び後述する制御部100に信号を伝送する発信器(図示せず)が設けられている。起歪体50の歪みによりストレンゲージ62が伸び縮みした際に生じる抵抗値の変化は、この発信器により制御部100に伝送される。なお、下部基板51は必ずしも半導体ウェハよりも小さい必要はなく、スピンチャック20により好適に保持できる大きさであれば任意に設定が可能である。   The lower substrate 51 has a disk shape smaller than a semiconductor wafer used for manufacturing a semiconductor device. The lower surface of the lower substrate 51 is attracted and held by the spin chuck 20. The lower substrate 51 is provided with a predetermined device such as an electric circuit and a memory, a power source, and a transmitter (not shown) that transmits a signal to the control unit 100 described later. The change in resistance value that occurs when the strain gauge 62 expands and contracts due to the strain of the strain generating body 50 is transmitted to the control unit 100 by this transmitter. The lower substrate 51 is not necessarily smaller than the semiconductor wafer, and can be arbitrarily set as long as it can be suitably held by the spin chuck 20.

上部基板52は、半導体デバイスに製造に用いられる半導体ウェハと同じ大きさの略円盤形状を有しており、その上面は平坦状である。上部基板52の外周縁部は、鉛直下方に延伸しており、起歪体50の外方を覆うように形成されている。これにより、下部基板51や起歪体50に薬液が付着することを防止できる。なお、上部基板52が半導体ウェハと同じ大きさを有するとは、必ずしも上部基板52の直径が半導体ウェハの直径と完全に同一であることを意味するものではなく、例えば、スピンチャック20で保持した状態で、カップ22と干渉することなく回転できる程度の大きさであれば、任意に設定が可能である。当業者であれば、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The upper substrate 52 has a substantially disk shape that is the same size as a semiconductor wafer used for manufacturing a semiconductor device, and its upper surface is flat. The outer peripheral edge of the upper substrate 52 extends vertically downward and is formed so as to cover the outside of the strain generating body 50. Thereby, it can prevent that a chemical | medical solution adheres to the lower board | substrate 51 and the strain body 50. FIG. Note that the fact that the upper substrate 52 has the same size as the semiconductor wafer does not necessarily mean that the diameter of the upper substrate 52 is completely the same as the diameter of the semiconductor wafer. For example, the upper substrate 52 is held by the spin chuck 20. Any size can be set as long as it can rotate without interfering with the cup 22 in the state. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made and these are naturally within the scope of the present invention.

上述のスピンチャック20の回転動作と上下動作、ノズル駆動部34による現像液ノズル33の移動動作、供給機器群38による現像液ノズル33の現像液の供給動作、ノズル駆動部41による純水ノズル40の移動動作、供給機器群45による純水ノズル40の純水の供給動作などの駆動系の動作は、制御部100により制御されている。また、制御部100は下部基板51の発信器からの伝送信号を受信可能に構成されている。制御部100は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布処理装置10における塗布処理を実現できる。   The rotation operation and the vertical operation of the spin chuck 20 described above, the movement operation of the developing solution nozzle 33 by the nozzle driving unit 34, the supply operation of the developing solution of the developing solution nozzle 33 by the supply device group 38, the pure water nozzle 40 by the nozzle driving unit 41. The operation of the drive system, such as the movement operation of the pure water nozzle 40 by the supply device group 45 and the supply operation of the pure water nozzle 40, is controlled by the control unit 100. The control unit 100 is configured to be able to receive a transmission signal from the transmitter of the lower substrate 51. The control unit 100 is configured by, for example, a computer having a CPU, a memory, and the like. For example, by executing a program stored in the memory, the coating process in the coating processing apparatus 10 can be realized.

また、制御部100のメモリには、各ストレンゲージ62の歪みによる抵抗値の変化量と、起歪体50への荷重量と起歪体50の歪み量との相関関係がプログラムとして記憶されている。そして、このプログラムにより、予め上部基板52の上面に全く荷重がかかっていない状態、換言すれば、起歪体50に上部基板52による荷重のみがかかっている状態での各ストレンゲージ62の抵抗値と、上部基板52に荷重がかかった状態での各ストレンゲージ62の抵抗値とが比較演算され、上部基板52への荷重が算出される。即ち、制御部100は、下部基板51の発信器からの伝送信号の処理を実行し、ストレンゲージ62の抵抗値の変化量から、上部基板52への荷重の変化量を算出する演算部としても機能する。   Further, the memory of the control unit 100 stores a correlation between the amount of change in resistance value due to strain of each strain gauge 62, the amount of load applied to the strain generating body 50, and the amount of strain of the strain generating body 50 as a program. Yes. Then, by this program, the resistance value of each strain gauge 62 in a state where no load is applied to the upper surface of the upper substrate 52 in advance, in other words, only a load applied to the strain generating body 50 by the upper substrate 52 is applied. The resistance value of each strain gauge 62 in a state where a load is applied to the upper substrate 52 is compared and calculated, and the load to the upper substrate 52 is calculated. In other words, the control unit 100 executes processing of a transmission signal from the transmitter of the lower substrate 51, and also serves as an arithmetic unit that calculates the amount of change in the load on the upper substrate 52 from the amount of change in the resistance value of the strain gauge 62. Function.

なお、塗布処理装置10における現像処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどの記憶媒体Hに記憶されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部100にインストールされたものが用いられている。   Various programs for realizing the development processing in the coating processing apparatus 10 are, for example, a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), a memory card, and the like. That is stored in the storage medium H and installed in the control unit 100 from the storage medium H is used.

本実施の形態にかかる薬液吐出量測定用治具1及び当該部薬液吐出量測定用治具1が用いられる塗布処理装置10は以上のように構成されており、次に、薬液吐出量測定用治具1を用いた供給ノズル33からの吐出量の測定のプロセスについて説明する。図5は、かかる現像処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   The chemical solution discharge amount measuring jig 1 according to the present embodiment and the coating treatment apparatus 10 using the part chemical solution discharge amount measuring jig 1 are configured as described above. Next, the chemical solution discharge amount measuring tool is used. A process for measuring the discharge amount from the supply nozzle 33 using the jig 1 will be described. FIG. 5 is a flowchart showing an example of main steps of such development processing.

供給ノズル33からの薬液の吐出量の測定を行うにあたり、先ず薬液吐出量測定用治具1の下部基板51が、塗布処理装置10の外部に設けられた図示しない搬送機構により保持されて、塗布処理装置10の処理容器11内に搬入される(図5の工程S1)。塗布処理装置10に搬入された薬液吐出量測定用治具1は、先ず、下部基板51がスピンチャック20により吸着保持される。   In measuring the discharge amount of the chemical solution from the supply nozzle 33, first, the lower substrate 51 of the chemical discharge amount measurement jig 1 is held by a transport mechanism (not shown) provided outside the coating processing apparatus 10 to apply the solution. It is carried into the processing container 11 of the processing apparatus 10 (step S1 in FIG. 5). In the chemical solution discharge amount measuring jig 1 carried into the coating processing apparatus 10, first, the lower substrate 51 is sucked and held by the spin chuck 20.

続いて、第1のアーム31により待機部35の供給ノズル33が上部基板52の中央部の上方まで移動される(図5の工程S2)。次に、薬液吐出量測定用治具1が停止している状態で、供給ノズル33から所定量の薬液を吐出して、図6に示すように、上部基板52の上面に薬液Kを滴下する(図5の工程S3)。この滴下された薬液Kの重みにより、垂下部60を支点として起歪体50に歪みが生じる。そして、起歪体50の歪みに伴い各ストレンゲージ62にも歪みが生じ、各ストレンゲージ62の抵抗値が変化する。このストレンゲージ62の抵抗値は、下部基板51の発信器により制御部100に伝送される。   Subsequently, the supply nozzle 33 of the standby unit 35 is moved to above the center of the upper substrate 52 by the first arm 31 (step S2 in FIG. 5). Next, in a state where the chemical solution discharge amount measuring jig 1 is stopped, a predetermined amount of chemical solution is discharged from the supply nozzle 33, and the chemical solution K is dropped onto the upper surface of the upper substrate 52 as shown in FIG. (Step S3 in FIG. 5). Due to the weight of the dropped chemical solution K, the strain generating body 50 is distorted with the hanging portion 60 as a fulcrum. And along with distortion of the strain body 50, distortion also arises in each strain gauge 62, and the resistance value of each strain gauge 62 changes. The resistance value of the strain gauge 62 is transmitted to the control unit 100 by the transmitter of the lower substrate 51.

制御部100では、下部基板51の発信器から伝送された信号に基づいて、上部基板52の上面に供給ノズル33から吐出された薬液Kの重量を算出する(図5の工程S4)。   The control unit 100 calculates the weight of the chemical solution K discharged from the supply nozzle 33 on the upper surface of the upper substrate 52 based on the signal transmitted from the transmitter of the lower substrate 51 (Step S4 in FIG. 5).

一つの供給ノズル33について吐出量の測定が終了すると、第1のアーム31は待機部35へ移動する。次に第2のアーム32により待機部42の純水ノズル40が測定用ウェハWの中心部の上方まで移動される。次いで、スピンチャック20により薬液吐出量測定用治具1を回転させながら、上部基板52の中心部に純水ノズル40から純水を供給し、図7に示すように薬液吐出量測定用治具1の純水Pによる洗浄が行われる(図5の工程S5)。この際、上部基板52の上面は平坦状であるため、遠心力によって薬液Kが容易に洗い流される。   When the measurement of the discharge amount for one supply nozzle 33 is completed, the first arm 31 moves to the standby unit 35. Next, the pure water nozzle 40 of the standby part 42 is moved to above the center part of the measuring wafer W by the second arm 32. Next, pure water is supplied from the pure water nozzle 40 to the center of the upper substrate 52 while rotating the chemical discharge amount measuring jig 1 by the spin chuck 20, and as shown in FIG. 1 is washed with pure water P (step S5 in FIG. 5). At this time, since the upper surface of the upper substrate 52 is flat, the chemical solution K is easily washed away by centrifugal force.

その後、純水ノズル40を待機部42に移動させる。次いで、他の供給ノズル33を再び上部基板52の中央部に移動させて、この供給ノズル33についても吐出量の測定を行なう。そして、純水ノズル40による洗浄と供給ノズル33による薬液Kの吐出を交互に繰り返し行い、8本全ての供給ノズル33について吐出量の測定が順次行なわれる。   Thereafter, the pure water nozzle 40 is moved to the standby unit 42. Next, the other supply nozzle 33 is moved again to the center of the upper substrate 52, and the discharge amount of the supply nozzle 33 is also measured. Then, the cleaning by the pure water nozzle 40 and the discharge of the chemical solution K by the supply nozzle 33 are alternately repeated, and the discharge amount is sequentially measured for all the eight supply nozzles 33.

全ての供給ノズル33について吐出量の測定が終了すると、薬液吐出量測定用治具1は搬送機構(図示せず)により塗布処理装置10から搬出され(図5の工程S6)、一連の測定作業が終了する。また、それと並行して、制御部100により供給ノズル33からの吐出量が所望の値となっているか否かが判定され、所望の値となっていない場合には、薬液供給源36のポンプの吐出圧や、供給機器群38の流量調節部等の設定値が変更される。   When the measurement of the discharge amount for all the supply nozzles 33 is completed, the chemical solution discharge amount measuring jig 1 is unloaded from the coating processing apparatus 10 by a transport mechanism (not shown) (step S6 in FIG. 5), and a series of measurement operations. Ends. In parallel with this, the control unit 100 determines whether or not the discharge amount from the supply nozzle 33 is a desired value. The set values of the discharge pressure and the flow rate adjustment unit of the supply device group 38 are changed.

以上の実施の形態によれば、薬液吐出量測定用治具1の起歪体50には、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子であるストレンゲージ62が配置され、この起歪体50により上部基板52が支持されているため、上部基板52への荷重の変化に伴う起歪体50の歪み量の変化をストレンゲージ62により検出することができる。そして、このストレンゲージ62の抵抗値の変化に基づいて制御部100において、上部基板52への荷重の変化量、換言すれば、供給ノズル33から上部基板52に吐出された薬液の量を求めることができる。したがって、本発明によれば、作業員の手作業を介することなく、供給ノズル33の薬液Kの吐出量を測定することができる。   According to the embodiment described above, the strain gauge 50 of the chemical discharge amount measuring jig 1 is provided with the strain gauge 62 which is a piezoelectric element whose resistance value changes according to the strain amount. Since the upper substrate 52 is supported by 50, the strain gauge 62 can detect a change in the strain amount of the strain generating body 50 accompanying a change in the load on the upper substrate 52. Based on the change in the resistance value of the strain gauge 62, the control unit 100 obtains the amount of change in the load on the upper substrate 52, in other words, the amount of the chemical discharged from the supply nozzle 33 onto the upper substrate 52. Can do. Therefore, according to the present invention, it is possible to measure the discharge amount of the chemical liquid K from the supply nozzle 33 without the manual operation of the worker.

以上の実施の形態では、起歪体50は上部基板52及び下部基板51の直径方向に沿って延伸して設けられていたが、上部基板52への荷重により起歪体50に歪みが生じれば、その配置は本実施の形態に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。例えば、図8に示すように、下部基板51の直径方向とずれた位置に偏心して配置してもよい。なお、起歪体50の配置を図8のように偏心させると下部基板51の重心位置がすれ、薬液吐出量測定用治具1をスピンチャック20で回転させた場合に振動が発生する恐れがある。したがって、重心位置が下部基板51の中心となるように、例えば図8に示すように、所定の回路やメモリ、電源、発信器といったデバイス群63も偏心して配置して配置することが好ましい。   In the above embodiment, the strain generating body 50 is provided to extend along the diameter direction of the upper substrate 52 and the lower substrate 51. However, the strain on the strain generating body 50 is generated by the load on the upper substrate 52. For example, the arrangement is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily set. For example, as shown in FIG. 8, it may be eccentrically arranged at a position shifted from the diameter direction of the lower substrate 51. If the arrangement of the strain generating body 50 is eccentric as shown in FIG. 8, the position of the center of gravity of the lower substrate 51 is shifted, and vibration may occur when the chemical discharge amount measuring jig 1 is rotated by the spin chuck 20. is there. Therefore, it is preferable that the device group 63 such as a predetermined circuit, a memory, a power supply, and a transmitter is also arranged eccentrically so that the center of gravity is located at the center of the lower substrate 51, for example, as shown in FIG.

以上の実施の形態では、上部基板52の上面を平坦状に形成していたが、上部基板52の形状は本実施の形態に限定されるものではなく、供給ノズル33から吐出された薬液Kがこぼれないものであれば任意に設定が可能である。例えば、図9に示すように、中央部に向かってテーパ状に窪ませた形状の上部基板70を用いてもよい。かかるテーパ状の上部基板70によれば、例えば供給ノズル33からの薬液Kの吐出量が多い場合や、薬液Kの上部基板52に対する濡れ性がよく、吐出された薬液Kが上部基板52の全面に拡散してしまうような場合であっても、上部基板52から薬液Kがこぼれることを防止できる。   In the above embodiment, the upper surface of the upper substrate 52 is formed flat. However, the shape of the upper substrate 52 is not limited to the present embodiment, and the chemical solution K discharged from the supply nozzle 33 is used. Any setting that does not spill can be used. For example, as shown in FIG. 9, an upper substrate 70 having a shape that is tapered toward the center may be used. According to the tapered upper substrate 70, for example, when the discharge amount of the chemical liquid K from the supply nozzle 33 is large or when the chemical liquid K has good wettability with respect to the upper substrate 52, the discharged chemical liquid K is applied to the entire surface of the upper substrate 52. Even when the liquid K is diffused, the chemical liquid K can be prevented from spilling from the upper substrate 52.

薬液Kが上部基板52からこぼれることを防止するという観点からは、例えば上部基板52の端部に、鉛直上方に延伸する枠体を設けてもよいが、純水Pによる洗浄の際に枠体が薬液K及び純水Pの上部基板52からの排出を妨げることが考えられる。そのため、図9の上部基板70のように上面をテーパ状とすることで、遠心力により上部基板70から薬液Kや純水Pが容易に排出される。   From the viewpoint of preventing the chemical liquid K from spilling from the upper substrate 52, for example, a frame body extending vertically upward may be provided at the end of the upper substrate 52. It is conceivable that the discharge of the chemical solution K and the pure water P from the upper substrate 52 is hindered. Therefore, by making the upper surface tapered like the upper substrate 70 of FIG. 9, the chemical solution K and the pure water P are easily discharged from the upper substrate 70 by centrifugal force.

また、図10、11に示すように、その上面に直径方向に沿って延伸する溝80を形成した上部基板81を用いてもよい。供給ノズル33からは、この溝80に対して薬液Kが吐出される。溝80の形状としては、例えば上部基板81の上面に設けたスリット状の導入部80aと、上部基板52の側面に形成された開口に連通し、導入部80aの下方に当該導入部80aよりも幅広に形成された排出部80bにより構成してもよい。かかる場合、排出部80bにおける上部基板81の外周部近傍の位置に、例えば図12に示すように、上方に向けてなだらかに凸状に突出する突出部82を設けることが好ましい。こうすることで、突出部82が堰として機能し、突出部82に挟まれた領域に薬液Kを留めることができる。その結果、上述の上部基板70と同様に、上部基板81から薬液Kがこぼれることを防止できる。なお、溝80を形成した上部基板81を用いる場合、図11に示すように、起歪体50やデバイス群63は、溝80との干渉を避けるために偏心して配置される。   Further, as shown in FIGS. 10 and 11, an upper substrate 81 in which a groove 80 extending along the diameter direction is formed on the upper surface thereof may be used. The chemical solution K is discharged from the supply nozzle 33 into the groove 80. As the shape of the groove 80, for example, a slit-like introduction portion 80 a provided on the upper surface of the upper substrate 81 and an opening formed on the side surface of the upper substrate 52 are communicated, and below the introduction portion 80 a than the introduction portion 80 a. You may comprise by the discharge part 80b formed wide. In such a case, it is preferable to provide a protruding portion 82 that gently protrudes upward at a position near the outer peripheral portion of the upper substrate 81 in the discharge portion 80b, for example, as shown in FIG. By doing so, the protrusion 82 functions as a weir, and the chemical solution K can be retained in the region sandwiched between the protrusions 82. As a result, the chemical liquid K can be prevented from spilling from the upper substrate 81 in the same manner as the upper substrate 70 described above. When the upper substrate 81 in which the groove 80 is formed is used, the strain generating body 50 and the device group 63 are eccentrically arranged to avoid interference with the groove 80 as shown in FIG.

また、突出部82の形状も、上部基板81から薬液Kがこぼれないものであって、且つ純水Pでの洗浄時に薬液Kの排出を妨げないものであれば任意に設定が可能である。排出部80bの中央部に向かって下る傾斜をつけてテーパ状としたり、突出部82を排出部80bの外周縁部に設けたりしてもよい。排出部80bそのものの断面形状も、図13に示すように略台形状であったり、図14に示すように楕円形状であったりしてもよい。また、導入部80aも、図15に示すように上部基板52の中央部のみにスリット状に形成されていてもよい。   Further, the shape of the protruding portion 82 can be arbitrarily set as long as the chemical solution K does not spill from the upper substrate 81 and does not hinder the discharge of the chemical solution K when washed with pure water P. The discharge part 80b may be tapered with a downward slope toward the center, or the protrusion 82 may be provided on the outer peripheral edge of the discharge part 80b. The cross-sectional shape of the discharge part 80b itself may be substantially trapezoidal as shown in FIG. 13, or may be elliptical as shown in FIG. Further, the introducing portion 80a may be formed in a slit shape only in the central portion of the upper substrate 52 as shown in FIG.

なお、以上の実施の形態では、上部基板52の洗浄を塗布処理装置10の内部で行ったが、上部基板52の洗浄は必ずしも塗布処理装置10で行う必要はなく、薬液吐出量測定用治具1を塗布処理装置10の外部に搬出してから行なうようにしてもよい。かかる場合、上部基板52の形状を、薬液Kの排出を考慮したものとする必要がないので、上部基板52の外周端部に、鉛直上方に延伸する枠体を設けてもよい。また、例えば図16に示すように、上部基板の中央部を円筒形状に下方に窪ませた窪み部90を設けた上部基板91を用いてもよい。また、上部基板91の窪み部90の形状も、上部基板91上に吐出された薬液がこぼれないものであれば、スリット状であったり、角柱状であったり、あるいは円錐状や角錐状のような、様々な形状とすることができる。また、上部基板91に上述の排出部80bを形成し、窪み部90と排出部80bを連通させてもよい。かかる場合、窪み部90が溝80の導入部80aと同様に機能する。   In the above embodiment, the cleaning of the upper substrate 52 is performed inside the coating processing apparatus 10. However, the cleaning of the upper substrate 52 is not necessarily performed by the coating processing apparatus 10, and a chemical discharge amount measuring jig is used. 1 may be carried out after being carried out of the coating treatment apparatus 10. In such a case, the shape of the upper substrate 52 does not need to take into account the discharge of the chemical solution K, and therefore a frame body that extends vertically upward may be provided at the outer peripheral end of the upper substrate 52. Further, for example, as shown in FIG. 16, an upper substrate 91 provided with a recess 90 in which a central portion of the upper substrate is recessed downward in a cylindrical shape may be used. Further, the shape of the recessed portion 90 of the upper substrate 91 may be a slit shape, a prismatic shape, a conical shape, or a pyramidal shape as long as the chemical liquid discharged on the upper substrate 91 does not spill. Various shapes can be used. Moreover, the above-mentioned discharge part 80b may be formed in the upper board | substrate 91, and the hollow part 90 and the discharge part 80b may be connected. In such a case, the recess 90 functions in the same manner as the introduction portion 80 a of the groove 80.

以上の実施の形態では、搬送機構により下部基板51を保持して搬送を薬液吐出量測定用治具1したが、搬送時に保持されていない上部基板52が揺れることが考えられる。その場合、起歪体50やストレンゲージ62に繰り返し応力がかかり劣化してしまう。したがって、揺れを抑えるために下部基板51のみならず、上部基板52も搬送時に保持することが好ましい。かかる場合、例えば図17に示すように、上部基板52の外周縁部を鉛直下方に延伸させ、さらに上部基板52の中心部に向かって水平に折り返した基板支持部52aを設けてもよい。上部基板52の搬送時には、搬送機構110により下部基板51と上部基板52の基板支持部52aの両方を保持することで、上部基板52の揺れを防止できる。   In the above embodiment, the lower substrate 51 is held by the transfer mechanism and the transfer is performed with the chemical solution discharge amount measuring jig 1. However, it is conceivable that the upper substrate 52 not held at the time of transfer shakes. In that case, stress is repeatedly applied to the strain generating body 50 and the strain gauge 62, resulting in deterioration. Therefore, it is preferable to hold not only the lower substrate 51 but also the upper substrate 52 during transportation in order to suppress shaking. In such a case, for example, as shown in FIG. 17, a substrate support portion 52 a may be provided in which the outer peripheral edge portion of the upper substrate 52 extends vertically downward and is further folded back horizontally toward the center portion of the upper substrate 52. When the upper substrate 52 is transported, the transport mechanism 110 holds both the lower substrate 51 and the substrate support portion 52a of the upper substrate 52, thereby preventing the upper substrate 52 from shaking.

以上の実施の形態では、下部基板51の発信器から伝送した信号に基づいて制御部100で薬液Kの吐出量を求めたが、下部基板51のメモリに演算用のプログラムを格納し、下部基板51内で薬液Kの容量を算出するようにしてもよい。
この場合、下部基板51のメモリが演算部として機能し、演算の結果が制御部100に伝送される。かかる場合、薬液吐出量測定用治具1及び演算部により、供給ノズル33からの吐出量の算出までを行なう薬液吐出量測定機構が構成される。
In the above embodiment, the discharge amount of the chemical solution K is obtained by the control unit 100 based on the signal transmitted from the transmitter of the lower substrate 51. However, the calculation program is stored in the memory of the lower substrate 51, and the lower substrate 51 The volume of the chemical solution K may be calculated within 51.
In this case, the memory of the lower substrate 51 functions as a calculation unit, and the calculation result is transmitted to the control unit 100. In such a case, the chemical liquid discharge amount measuring mechanism 1 that performs the calculation of the discharge amount from the supply nozzle 33 is configured by the chemical liquid discharge amount measuring jig 1 and the calculation unit.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば、薬液としてはレジスト液のほかに、現像液やエッチング液などの他の処理液などを用いる場合にも本発明は適用できる。また、上述した実施の形態は、半導体ウェハの塗布処理装置における例であったが、本発明は、半導体ウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の塗布処理装置である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. For example, the present invention can be applied to the case where other processing liquids such as a developing solution and an etching solution are used in addition to the resist solution as the chemical solution. The above-described embodiment is an example of a semiconductor wafer coating apparatus, but the present invention applies other substrates such as an FPD (flat panel display) other than a semiconductor wafer and a mask reticle for a photomask. The present invention can also be applied to a processing apparatus.

本発明は、基板へ薬液を塗布する塗布処理装置において、ノズルからの基板への薬液の吐出量測定する際に有用である。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful when measuring a discharge amount of a chemical solution from a nozzle to a substrate in a coating processing apparatus that applies the chemical solution to the substrate.

1 薬液吐出量測定機構
10 塗布処理装置
11 処理容器
20 スピンチャック
21 チャック駆動機構
22 カップ
23 排出管
24 排気管
30 レール
31、32 アーム
33 供給ノズル
34 ノズル駆動部
35 待機部
36 薬液供給源
37 供給管
38 供給機器群
40 純水ノズル
41 ノズル駆動部
42 待機部
43 純水供給源
44 供給管
45 供給機器群
50 起歪体
51 下部基板
52 上部基板
60 垂下部
61 支持部
62 ストレンゲージ
100 制御部
K 薬液
P 純水
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chemical solution discharge amount measuring mechanism 10 Application | coating processing apparatus 11 Processing container 20 Spin chuck 21 Chuck drive mechanism 22 Cup 23 Ejection pipe 24 Exhaust pipe 30 Rail 31, 32 Arm 33 Supply nozzle 34 Nozzle drive part 35 Standby part 36 Chemical solution supply source 37 Supply Pipe 38 Supply equipment group 40 Pure water nozzle 41 Nozzle drive part 42 Standby part 43 Pure water supply source 44 Supply pipe 45 Supply equipment group 50 Strain body 51 Lower board 52 Upper board 60 Hanging part 61 Support part 62 Strain gauge 100 Control part
K chemical
P pure water

Claims (6)

基板保持部に基板を保持し、当該保持された基板に薬液供給手段から薬液を吐出して基板の塗布処理を行う塗布処理装置において、前記薬液供給手段からの基板への薬液の吐出量を計測するための計測用治具であって、
荷重により歪を生じる起歪体と、
前記起歪体に配置され、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子と、
前記起歪体を支持する下部基板と、
前記起歪体により支持される上部基板と、を有し、
前記下部基板は、前記基板保持部によって保持可能であり、
前記上部基板の上面には、当該上部基板の側面に形成された開口に連通する溝が形成されていることを特徴とする、薬液吐出量計測用治具。
In a coating processing apparatus that holds a substrate on a substrate holding unit and discharges a chemical solution from the chemical solution supply unit to the held substrate to perform a substrate coating process, the amount of the chemical solution discharged from the chemical solution supply unit to the substrate is measured. A measuring jig for
A strain generating body that generates strain due to a load;
A piezoelectric element that is disposed on the strain generating body and has a resistance value that varies according to the amount of strain;
A lower substrate that supports the strain body;
An upper substrate supported by the strain generating body,
The lower substrate state, and are capable of holding by the substrate holding unit,
A chemical solution discharge amount measuring jig , wherein a groove communicating with an opening formed on a side surface of the upper substrate is formed on an upper surface of the upper substrate .
前記上部基板は、前記塗布処理装置で塗布処理される基板と同じ大きさを有することを特徴とする、請求項1に記載の薬液吐出量計測用治具。 2. The chemical solution discharge amount measuring jig according to claim 1, wherein the upper substrate has the same size as a substrate to be coated by the coating processing apparatus. 前記溝の底部には、当該溝から薬液が上部基板外部にこぼれることを防止する堰が設けられていることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の薬液吐出量計測用治具。3. The chemical solution discharge amount measurement according to claim 1, wherein a weir is provided at a bottom portion of the groove to prevent the chemical solution from spilling out of the upper substrate from the groove. 4. Jig. 基板保持部に基板を保持し、当該保持された基板に薬液供給手段から薬液を吐出して基板の塗布処理を行う塗布処理装置において、前記薬液供給手段からの基板への薬液の吐出量を計測するための計測用治具であって、In a coating processing apparatus that holds a substrate on a substrate holding unit and discharges a chemical solution from the chemical solution supply unit to the held substrate to perform a substrate coating process, the amount of the chemical solution discharged from the chemical solution supply unit to the substrate is measured. A measuring jig for
荷重により歪を生じる起歪体と、A strain generating body that generates strain due to a load;
前記起歪体に配置され、歪量に応じて抵抗値が変化する圧電素子と、A piezoelectric element that is disposed on the strain generating body and has a resistance value that varies according to the amount of strain;
前記起歪体を支持する下部基板と、A lower substrate that supports the strain body;
前記起歪体により支持される上部基板と、を有し、An upper substrate supported by the strain generating body,
前記下部基板は、前記基板保持部によって保持可能であり、The lower substrate can be held by the substrate holding unit,
前記上部基板は、中央部が窪んでいることを特徴とする、薬液吐出量計測用治具。The upper substrate is recessed at the center, and the chemical discharge amount measuring jig.
前記上部基板は、前記塗布処理装置で塗布処理される基板と同じ大きさを有することを特徴とする、請求項4に記載の薬液吐出量計測用治具。The chemical solution discharge amount measuring jig according to claim 4, wherein the upper substrate has the same size as a substrate to be coated by the coating processing apparatus. 前記上部基板の窪みは、当該上部基板の中央部に向かってテーパ状に形成されていることを特徴とする、請求項4または5のいずれか一項に記載の薬液吐出量計測用治具。The chemical liquid discharge amount measuring jig according to claim 4, wherein the depression of the upper substrate is formed in a tapered shape toward a central portion of the upper substrate.
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